CN209312008U - 一种自容触控面板 - Google Patents
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- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
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- Position Input By Displaying (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种自容触控面板，包括基板以及与基板电性连接的触控芯片，基板上形成有相互间隔开的上电极感应区和下电极感应区；上电极感应区包括：多个等间隔隔开且横向排列的第一电极单元，第一电极单元包括多个耦合连接的第一电极块；第一电极块的纵向边设置成与水平方向垂直的直线；多个第二电极单元，第二电极单元包括多个耦合连接的的第二电极块，第二电极块的纵向边设置成与水平方向垂直的直线。通过将上电极感应区的第一电极块，第二电极块以及下电极感应区中电极块的纵向边分别设置成与水平方向垂直的直线，相比传统的自容触控屏设计中存在大量的斜线，本实用新型设计更简单，产品通过激光加工的良率和效率提高，生产成本下降。
Description
技术领域
本实用新型涉及触控技术领域，具体地，涉及一种自容触控面板。
背景技术
随着电子技术的进步，智能手机的使用越来越普遍，触控屏是智能手机上不可或缺的触控装置。现今触控屏行业对产品的成本要求越来越低，对产品的生产加工效率要求越来越高，对产品的性能要求越来越高。如何更高效的设计加工触控屏，是这个产业链上的从业者不懈追求的目标。目前自容触控屏设计复杂，设计中存在大量的斜线影响加工的良率和效率，特别是设计中大量的斜线影响激光加工的良率和效率，导致生产成本高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，提供一种自容触控面板。
本实用新型通过如下技术方案实现：一种自容触控面板，所述自容触控面板包括基板以及与所述基板电性连接的触控芯片，所述基板上形成有相互间隔开的上电极感应区和下电极感应区，所述上电极感应区和所述下电极感应区中心对称；
所述上电极感应区包括：
多个等间隔隔开且横向排列的第一电极单元，所述第一电极单元包括多个耦合连接的第一电极块；所述第一电极块的纵向边设置成与水平方向垂直的直线，所述第一电极单元之间形成有第一间隙，所述第一电极块之间形成有第二间隙；
多个第二电极单元，所述第二电极单元与所述第一电极单元呈互补式排列，纵向的所述第一电极单元和所述第二电极单元组成一个触控识别区域，所述第二电极单元包括多个耦合连接的的第二电极块，所述第二电极块的纵向边设置成与水平方向垂直的直线。
所述基板上还形成有电极走线区，所述电极走线区内设有第一连接线和第二连接线，所述上电极感应区通过第一连接线与所述触控芯片电性连接，所述下电极感应区通过第二连接线与所述触控芯片电性连接。
作为上述技术方案的进一步改进自容触控面板，所述第一电极单元的第一宽度为3-4mm，第二宽度为6-8mm。
作为上述技术方案的进一步改进自容触控面板，所述第二电极单元的第三宽度为3-4mm，第四宽度为6-8mm。
作为上述技术方案的进一步改进自容触控面板，所述第一电极单元中所述第一电极块的数量为2-4个。
作为上述技术方案的进一步改进自容触控面板，所述第二电极单元中所述第二电极块的数量为2-4个。
作为上述技术方案的进一步改进自容触控面板，所述基板为玻璃基板、导电膜材、石墨烯基板、纳米银基板中的一种。
本实用新型的有益效果至少包括：通过将上电极感应区的第一电极块，第二电极块以及下电极感应区中电极块的纵向边分别设置成与水平方向垂直的直线，，相比传统的自容触控屏设计中存在大量的斜线，本实用新型设计更简单，产品通过激光加工的良率和效率提高，生产成本下降。
附图说明
图1是根据本实用新型的自容触控面板的结构示意图；
图2是根据本实用新型的自容触控面板的上电极感应区和下电极感应区的结构示意图；
图3是根据本实用新型的自容触控面板的上电极感应区的结构示意图；
图4是根据本实用新型的自容触控面板的下电极感应区的结构示意图；
图5是根据本实用新型的自容触控面板的第一电极单元的结构示意图；
图6是根据本实用新型的自容触控面板的第二电极单元的结构示意图；
图7是根据本实用新型的自容触控面板的第一电极块的结构示意图；
图8是根据本实用新型的自容触控面板的第二电极块的结构示意图；
图9是根据本实用新型的自容触控面板的电极走线区的结构示意图；
图10是根据本实用新型的自容触控面板的第一连接线和第二连接线的结构示意图；
图11是现有技术中自容触控面板的上电极感应区和下电极感应区的结构示意图；
图12是现有技术中自容触控面板的第三电极块和第四电极块的结构示意图；
图13是根据本实用新型的自容触控面板的爆炸示意图。
附图标记：1-基板；2-触控芯片；30-上电极感应区；40-下电极感应区；31-第一电极单元；310-第一电极块；32-第一间隙；311-第二间隙；33-第二电极单元；34-第二电极块；5-电极走线区；51-第一连接线；52-第二连接线；W1-第一宽度；W2-第二宽度；W3-第三宽度；W4-第四宽度；310a-第三电极块；34a-第四电极块；101-ITO电极；102-电极图案；103-柔性电路。
具体实施方式
下面将结合本实用新型的实施例中附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参照图1到图5，一种自容触控面板，所述自容触控面板包括基板1以及与所述基板1电性连接的触控芯片2，所述基板1上形成有相互间隔开的上电极感应区30和下电极感应区40，所述上电极感应区30和所述下电极感应区40中心对称。
请参照图3，图5和图7，所述上电极感应区30包括：
多个等间隔隔开且横向排列的第一电极单元31，所述第一电极单元31包括多个耦合连接的第一电极块310；所述第一电极块310的纵向边设置成与水平方向垂直的直线，所述第一电极单元31之间形成有第一间隙32，所述第一电极块310之间形成有第二间隙311。
请参照图5，图6和图8，多个第二电极单元33，所述第二电极单元33与所述第一电极单元31呈互补式排列，纵向的所述第一电极单元31和所述第二电极单元33组成一个触控识别区域，所述第二电极单元33包括多个耦合连接的的第二电极块34，所述第二电极块34的纵向边设置成与水平方向垂直的直线。
请参照图1，图9和图10，所述基板1上还形成有电极走线区5，所述上电极感应区30和所述下电极感应区40设在所述电极走线区5围成的区域内。所述电极走线区5内设有第一连接线51和第二连接线52。所述上电极感应区30通过所述第一连接线51与所述触控芯片2电性连接，所述第一连接线51通过所述基板1的顶部边缘走线；所述下电极感应区40通过第二连接线52与所述触控芯片2电性连接，所述第二连接线52通过所述基板1的左边缘和右边缘走线。
请参照图11和图12，目前的自容触控面板电极设计中，上电极感应区和下电极感应区的排列方式与本实用新型一致。不同之处在于，第三电极块310a采用梯形或三角形设计，第四电极块34a采用梯形或三角形设计，三角形或梯形中相对于水平方向的斜线会影响激光加工电极电路的良率和效率，从而提高生产成本，降低生产的效益。
请参照图7和图8，在本实施例中，所述第一电极块310和第二电极块34的形状优选为长方形，所述第一电极块310的纵向边相对水平方向垂直，所述第二电极块34的纵向边相对水平方向垂直。
请参照图2，图7和图8，由于所述下感应区40与所述上感应区中心对称，因此所述下感应区40中电极块的纵向边相对水平方向垂直。将所述上电极感应区30的所述第一电极块310，所述第二电极块34以及所述下电极感应区40中电极块的纵向边分别设置成与水平方向垂直的直线设计简单，相比目前的自容触控面板电极设计的斜线，对激光加工电极电路的良率和效率的影响小，从而降低生产成本，提高生产效益。
请参照图5和图6，在本实施例中，所述第一电极单元31的第一宽度W1为3-4mm，第二宽度W2为6-8mm。
请参照图5和图6，在本实施例中，所述第二电极单元33的第三宽度W3为3-4mm，第四宽度W4为6-8mm。
请参照图7，在本实施例中，所述第一电极单元31中所述第一电极块310的数量为2-4个。
请参照图8，在本实施例中，所述第二电极单元33中所述第二电极块34的数量为2-4个。
在本实施例中，所述基板1为玻璃基板、导电膜材、石墨烯基板、纳米银基板中的一种。
请参照图13，下面为所述自容触控面板示例性的生产步骤：
步骤一：利用本实用新型的方式设计图案出菲林，有电极图案102和银浆两张菲林，电极图案102用于形成所述第一电极单元31和所述第二电极单元33；
步骤二：菲林用爆光设备晒网版；
步骤三：准备好ITO(氧化铟锡)电极101；
步骤四：利用印刷机或转印机将做好电极图案102的网版用蚀刻膏或耐酸油墨印到ITO电极101上面；
步骤五：烘烤清洗ITO电极101得到所需要的图案；
步骤六：利用印刷机或转印机将做好银浆图案的网版按照设计方式印到电极图案102上面以形成电极走线区5；
步骤七：如果银浆设计方式是激光方式，则印好银浆后需激光蚀刻得到最终所需要的所述第一连接线51和所述第二连接线路52；
步骤八：用激光机、模切机、冲床等切割外形，得出电路最终所需要的形状；
步骤九：绑定包含所述触控芯片2的柔性电路(FPC)103；
步骤十：贴合所述基板1，一个自容触控面板已完成。
本实用新型的有益效果至少包括：通过将上电极感应区的第一电极块，第二电极块以及下电极感应区中电极块的纵向边分别设置成与水平方向垂直的直线，相比传统的自容触控屏设计中存在大量的斜线，本实用新型设计更简单，产品通过激光加工的良率和效率提高，生产成本下降。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。此外，在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种自容触控面板，其特征在于，所述自容触控面板包括基板(1)以及与所述基板(1)电性连接的触控芯片(2)，所述基板(1)上形成有相互间隔开的上电极感应区(30)和下电极感应区(40)，所述上电极感应区(30)和所述下电极感应区(40)中心对称；
所述上电极感应区(30)包括：
多个等间隔隔开且横向排列的第一电极单元(31)，所述第一电极单元(31)包括多个耦合连接的第一电极块(310)；所述第一电极块(310)的纵向边设置成与水平方向垂直的直线，所述第一电极单元(31)之间形成有第一间隙(32)，所述第一电极块(310)之间形成有第二间隙(311)；
多个第二电极单元(33)，所述第二电极单元(33)与所述第一电极单元(31)呈互补式排列，纵向的所述第一电极单元(31)和所述第二电极单元(33)组成一个触控识别区域，所述第二电极单元(33)包括多个耦合连接的第二电极块(34)，所述第二电极块(34)的纵向边设置成与水平方向垂直的直线；
所述基板(1)上还形成有电极走线区(5)，所述电极走线区(5)内设有第一连接线(51)和第二连接线(52)，所述上电极感应区(30)通过第一连接线(51)与所述触控芯片(2)电性连接，所述下电极感应区(40)通过第二连接线(52)与所述触控芯片(2)电性连接。
2.根据权利要求1所述的自容触控面板，其特征在于，所述第一电极单元(31)的第一宽度(W1)为3-4mm，第二宽度(W2)为6-8mm。
3.根据权利要求1所述的自容触控面板，其特征在于，所述第二电极单元(33)的第三宽度(W3)为3-4mm，第四宽度(W4)为6-8mm。
4.根据权利要求1所述的自容触控面板，其特征在于，所述第一电极单元(31)中所述第一电极块(310)的数量为2-4个。
5.根据权利要求1所述的自容触控面板，其特征在于，所述第二电极单元(33)中所述第二电极块(34)的数量为2-4个。
6.根据权利要求1所述的自容触控面板，其特征在于，所述基板(1)为玻璃基板、导电膜材、石墨烯基板、纳米银基板中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201822277354.7U CN209312008U (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种自容触控面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201822277354.7U CN209312008U (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种自容触控面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209312008U true CN209312008U (zh) | 2019-08-27 |
Family
ID=67680226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201822277354.7U Active CN209312008U (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种自容触控面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209312008U (zh) |
-
2018
- 2018-12-29 CN CN201822277354.7U patent/CN209312008U/zh active Active
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Room 701, 7th floor, Smart Valley Innovation Park, 1010 Bulong Road, Minzhi Street, Longhua District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: Shenzhen deminli Technology Co.,Ltd. Address before: 518000, 701, building 7, wisdom Valley Innovation Park, people's street, Longhua District, Shenzhen, Guangdong Patentee before: SHENZHEN DEMINGLI ELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 2501, 2401, block a, building 1, Shenzhen new generation industrial park, 136 Zhongkang Road, Meidu community, Meilin street, Futian District, Shenzhen, Guangdong 518000 Patentee after: Shenzhen deminli Technology Co.,Ltd. Address before: 518000 room 701, 7 / F, wisdom Valley Innovation Park, 1010 Bulong Road, Minzhi street, Longhua District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen deminli Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240124 Address after: Room 409, 4th Floor, Building 1, No. 199 Weikang Road, Xiangzhou District, Zhuhai City, Guangdong Province, 519000 Patentee after: Zhuhai Hongpeihan Electronic Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 2501, 2401, block a, building 1, Shenzhen new generation industrial park, 136 Zhongkang Road, Meidu community, Meilin street, Futian District, Shenzhen, Guangdong 518000 Patentee before: Shenzhen deminli Technology Co.,Ltd. Country or region before: China |