CN209243176U - 一种rpecvd的卧式沉积装置 - Google Patents

Abstract

本新型公开一种RPECVD的卧式沉积装置，包括等离子气体、真空泵、射频电源、壳体及容纳于壳体的待RPECVD的基体、气盒、电离栅和支撑架，所述壳体设有供基体出入的门、供等离子气体输入的入口、连接真空泵的出口；真空泵将壳体内的等离子气体抽出并维持壳体内的真空状态；气盒设于壳体的入口侧且与壳体入口相连通；气盒与电离栅均为导体，射频电源射频电极连接气盒，射频电源的地电极连接电离栅，通电后形成电离区；基体平卧于电离栅下方的支撑架上，支撑架架设于壳体的出口侧。本新型通过在同一壳体内将电离区与沉积区隔离设置，避免了电离子对基体的轰击，提高了基体镀膜的质量。

Description

一种RPECVD的卧式沉积装置

技术领域

本新型涉及硅电池的制具领域，特别涉及一种RPECVD的卧式沉积装置。

背景技术

遥控等离子体增强的化学气相沉积RPECVD（Remote Plasma Enhanced ChemicalVapour Deposition）与PECVD的区别在于，前者把等离子体与基体、等离子体与反应区从空间上分开，通过基体与等离子体分开，避免了高能粒子对基体的轰击；通过反应区与等离子体分开，避免了等离子体对全部工艺气体的激活。由于只有激发气体被暴露于等离子体，在此产生的被激发的粒种在分离的真空室中与其他工艺气体进行反应，因此，减少了被激活的粒种数目，从而减少可能的反应通道。

目前RPECVD的沉积室比较单一，没有实现分解区与沉积区在同一腔室内的隔离设计，避免不了电离子对基体的轰击，影响基体镀膜质量。

新型内容

本新型的主要目的是提出一种RPECVD的卧式沉积装置，旨在克服以上问题。

为实现上述目的，本新型提出的一种RPECVD的卧式沉积装置，包括等离子气体、真空泵、射频电源、壳体及容纳于壳体的待RPECVD的基体、气盒、电离栅和支撑架，所述壳体设有供基体出入的门、供等离子气体输入的入口、连接真空泵的出口；真空泵将壳体内的等离子气体抽出并维持壳体内的真空状态；气盒设于壳体的入口侧且与壳体入口相连通，气盒面向壳体室内的侧面设有若干通孔；气盒与电离栅均为导体，射频电源射频电极连接气盒，射频电源的地电极连接电离栅，通电后形成电离区；基体平卧于电离栅下方的支撑架上，支撑架架设于壳体的出口侧。

优选地，所述支撑架包括承载片和连接承载片及壳体的支撑脚，所述基体平卧于承载片上。

优选地，所述承载片外形与基体非镀面的外形相同。

优选地，所述支撑脚至少设有二个，且呈对称设置。

优选地，所述支撑架与壳体的门平行相接。

优选地，所述射频电源为RF电源，所述RF电源在气盒与电离栅之间施加高频交流变化电磁波，形成交变电离场。

优选地，所述电离栅为金属栅板，该金属栅板上设有若干均匀布置的栅通孔。

本新型技术方案通过在同一壳体内将电离区与沉积区隔离设置，避免了电离子对基体的轰击，提高了基体镀膜的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本新型壳体内部的结构示意图；

本新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本新型实施例中的附图，对本新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本新型保护的范围。

需要说明，若本新型实施例中有涉及方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……），则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本新型要求的保护范围之内。

如图1所示，本新型提出的一种RPECVD的卧式沉积装置，包括等离子气体、真空泵、射频电源2、壳体及容纳于壳体的待RPECVD的基体3、气盒4、电离栅5和支撑架6，所述壳体设有供基体3出入的门、供等离子气体输入的入口、连接真空泵的出口；真空泵将壳体内的等离子气体抽出并维持壳体内的真空状态；气盒4设于壳体的入口侧且与壳体入口相连通，气盒4面向壳体室内的侧面设有若干通孔；气盒4与电离栅5均为导体，射频电源2射频电极连接气盒4，射频电源2的地电极连接电离栅5，通电后形成电离区；基体3平卧于电离栅5下方的支撑架6上，支撑架6架设于壳体的出口侧。

优选地，所述支撑架6包括承载片61和连接承载片61及壳体的支撑脚62，所述基体3平卧于承载片61上。

优选地，所述承载片61外形与基体3非镀面的外形相同。

优选地，所述支撑脚62至少设有二个，且呈对称设置。

在本新型实施例中，本新型将等离子气体的分解区与基体3的沉积区在同一个独立腔室内隔离，使得基体3避免受到等离子气体分解的等离子的轰击，有效地保护基体3的镀膜面。利用气盒4将等离子气体通过通孔均匀喷射出来，通过射频电源2分别连接气盒4与电离栅5，在气盒4与电离栅5之间形成等离子气体分解区；基体3平卧于电离栅5下方的支撑架6上，基体3的顶面为镀膜面，基体3的底面为非镀面，支撑架6架设于壳体的出口侧，架设方式应该理解地是支撑架6并未封堵壳体的出口，两者之间具有一定空间。

在本新型实施例中，本新型的支撑架6具体结构为支撑脚62支撑着承载片61，架设于壳体的出口侧，通过承载片61外形与基体3非镀面的外形相同，使得基体3的与承载片61的接触面即非镀面不受沉积物粘染。支撑脚62的数目有且不限于二个，对称设置以平衡架设于壳体的出口侧。

优选地，所述支撑架6与壳体的门平行相接。

在本新型实施例中，本新型支撑架6与壳体的门平行相接，以便于基体3的取放。

优选地，所述射频电源2为RF电源，所述RF电源在气盒4与电离栅5之间施加高频交流变化电磁波，形成交变电离场。

在本新型实施例中，本新型通过RF电源，产生交流电离电场，加速等离子气体的振动与碰撞，进而分解成特定组份，电离分解等离子气体。

优选地，所述电离栅5为金属栅板，该金属栅板上设有若干均匀布置的栅通孔。

在本新型实施例中，本新型通过电离栅5的栅通孔，将分离后的等离子像薄膜一样沉积于基体3。

以上所述仅为本新型的优选实施例，并非因此限制本新型的专利范围，凡是在本新型的新型构思下，利用本新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本新型的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种RPECVD的卧式沉积装置，其特征在于，包括等离子气体、真空泵、射频电源、壳体及容纳于壳体的待RPECVD的基体、气盒、电离栅和支撑架，所述壳体设有供基体出入的门、供等离子气体输入的入口、连接真空泵的出口；真空泵将壳体内的等离子气体抽出并维持壳体内的真空状态；气盒设于壳体的入口侧且与壳体入口相连通，气盒面向壳体室内的侧面设有若干通孔；气盒与电离栅均为导体，射频电源射频电极连接气盒，射频电源的地电极连接电离栅，通电后形成电离区；基体平卧于电离栅下方的支撑架上，支撑架架设于壳体的出口侧。

2.如权利要求1所述的RPECVD的卧式沉积装置，其特征在于，所述支撑架包括承载片和连接承载片及壳体的支撑脚，所述基体平卧于承载片上。

3.如权利要求2所述的RPECVD的卧式沉积装置，其特征在于，所述承载片外形与基体非镀面的外形相同。

4.如权利要求2所述的RPECVD的卧式沉积装置，其特征在于，所述支撑脚至少设有二个，且呈对称设置。

5.如权利要求2所述的RPECVD的卧式沉积装置，其特征在于，所述支撑架与壳体的门平行相接。

6.如权利要求1所述的RPECVD的卧式沉积装置，其特征在于，所述射频电源为RF电源，所述RF电源在气盒与电离栅之间施加高频交流变化电磁波，形成交变电离场。

7.如权利要求1所述的RPECVD的卧式沉积装置，其特征在于，所述电离栅为金属栅板，该金属栅板上设有若干均匀布置的栅通孔。