CN107419326B

CN107419326B - 一种真空离子镀电化学退镀液配方

Info

Publication number: CN107419326B
Application number: CN201710557759.3A
Authority: CN
Inventors: 朱常锦; 朱元义
Original assignee: Guangzhou Double Stone Metal Products Co Ltd
Current assignee: Guangzhou Double Stone Metal Products Co Ltd
Priority date: 2017-04-12
Filing date: 2017-07-10
Publication date: 2018-12-07
Anticipated expiration: 2037-07-10
Also published as: CN107419326A

Abstract

本发明公开了一种真空离子镀电化学退镀液配方，按质量百分比计，该配方包括1‑5％的腺苷二磷酸或腺苷三磷酸，5‑15％的强酸，0.1‑1％的硅酸钠，0.1‑5％的EDTA，2‑20％的盐，0.1‑3％的乌洛托品，0.1‑1％的三乙醇胺，其余为溶剂；本发明和传统的退镀液相比，在于加入了腺苷二磷酸和腺苷三磷酸，利用其独特的分子结构，与膜层材料相互作用，加速了退镀的速率，具有明显的进步。

Description

一种真空离子镀电化学退镀液配方

技术领域：

本发明涉及一种真空离子镀电化学退镀液配方。

背景技术：

镀膜技术已经在国民经济的各个部门，尤其是装饰领域，得到广泛的应用，通过在产品上镀膜可以提高装饰的效果和品位，增加产品附加值，延长使用寿命，具有很大的经济效益。另外，优美的装饰外观能满足人们对舒适生活的追求，具有良好的社会效益。目前，国内建筑装饰市场对彩色金属板材的需求量越来越大，对膜层的要求也越来越高，例如：膜层要具有更为丰富的颜色，以提高装饰效果；生产过程更加环保、节能和自动化。

离子镀膜是20世纪70年代发展起来的新技术，1963年美国的D.M.Mattox首先提出离子镀的原理。要实现离子镀膜，首先需要把镀膜材料蒸发成蒸气，然后再把镀膜材料蒸气和反应气体电离成镀膜材料离子和反应气体离子。这种电离作用是依靠镀膜真空室中的等离子体放电来实现的。在镀膜真空室中通过电子枪放电、空心阴极放电以及真空电弧放电等方法使蒸发源的镀膜材料蒸发成金属蒸气，并在蒸发源与工件之问的周围空间产生等离子体放电，形成等离子体放电区，使金属蒸气和反应气体电离，产生金属离子和反应气体离子。这些金属离子和反应气体离子受到加速电场的作用而被加速到工件表面上，在工件表面上化合，使工件表面沉积一层化合物镀膜层。由于离子镀膜具有成膜速度快，膜层和基底结合力好的优点，因此被国内许多镀膜相关的厂家所采用。

由于目前国内的镀膜设备在稳定性方面存在缺陷，且操作多为手工操作，因此，在离子镀装饰板材生产过程中，不可避免会存在一定数量的不合格产品。将这些不合格产品的表面镀层去除并重新利用可以降低企业的生产成本，并节约资源，具有非常重要的经济价值和社会效益。

发明内容：

本发明的目的是提供一种真空离子镀电化学退镀液配方，加入了腺苷二磷酸和腺苷三磷酸，利用其独特的分子结构，与膜层材料相互作用，加速了退镀的速率。

本发明是通过以下技术方案予以实现的：

一种真空离子镀电化学退镀液配方，按质量百分比计，该配方包括1-5％的腺苷二磷酸或腺苷三磷酸，5-15％的强酸，0.1-1％的硅酸钠，0.1-5％的EDTA，2-20％的盐，0.1-3％的乌洛托品，0.1-1％的三乙醇胺，其余为溶剂；所述的腺苷二磷酸或腺苷三磷酸可单独使用，也可混合使用；所述的强酸选自盐酸、硫酸和硝酸的任何一种；所述的盐选自醋酸钠、氯化钠、硝酸钠的一种或两种以上；所述的溶剂选自水、乙醇中的任何一种或两种；所述腺苷二磷酸的结构如式Ⅰ所示，所述腺苷三磷酸的结构如式Ⅱ所示：

本发明的腺苷二磷酸及腺苷三磷酸对退镀效果的提升起了极其关键的作用：腺苷二磷酸和腺苷三磷酸的羟基可以在退镀时利用氢键吸附在镀层的表面；而含氮的杂环可以和退镀过程中产生的金属离子配位，加速退镀的进行；磷酸根结构单元可以和电离过程中产生的氧化物颗粒进行包覆和乳化，避免过多颗粒物的沉积，使得退镀过程可以持续进行。

本发明的有益效果如下：

本发明和传统的退镀液相比，在于加入了腺苷二磷酸和腺苷三磷酸，利用其独特的分子结构，与膜层材料相互作用，加速了退镀的速率，具有明显的进步。

具体实施方式：

以下是对本发明的进一步说明，而不是对本发明的限制。

实施例1：

真空离子镀电化学退镀液配方为1％的腺苷二磷酸，5％的盐酸，0.1％的硅酸钠，0.1％的EDTA，2％的氯化钠，0.1％的乌洛托品，0.1％的三乙醇胺，其余为水。

使用该配方进行退镀时，30秒就将不合格产品的表面镀层去除，退除表面镀层后的样品作X射线衍射分析，均未发现镀层元素存在，证明膜层完全退除；将退除表面镀层后的样品进行扫描电镜(SEM)试验，发现基材均没有受到腐蚀。

对比例1：

参考实施例1，不同之处在于真空离子镀电化学退镀液配方中没有含有腺苷二磷酸，使用该配方进行退镀时，10分钟就将不合格产品的表面镀层去除。

实施例2：

真空离子镀电化学退镀液配方为5％的腺苷三磷酸，15％的硫酸，1％的硅酸钠，5％的EDTA，20％的醋酸钠，3％的乌洛托品，1％的三乙醇胺，其余为乙醇。

实施例3：

真空离子镀电化学退镀液配方为2.5％的腺苷二磷酸，10％的硝酸，0.5％的硅酸钠，3％的EDTA，10％的硝酸钠，1.5％的乌洛托品，0.5％的三乙醇胺，其余为乙醇和水的混合溶剂。

实施例4：

真空离子镀电化学退镀液配方为2.5％的腺苷二磷酸，1.5％的腺苷三磷酸，10％的硝酸，0.5％的硅酸钠，3％的EDTA，10％的硝酸钠，1.5％的乌洛托品，0.5％的三乙醇胺，其余为乙醇和水的混合溶剂。

实施例5：

真空离子镀电化学退镀液配方为2.5％的腺苷二磷酸，15％的硫酸，0.7％的硅酸钠，2％的EDTA，10％的硝酸钠，1.5％的乌洛托品，0.5％的三乙醇胺，其余为水。

Claims

1.一种真空离子镀电化学退镀液配方，其特征在于，按质量百分比计，该配方包括1-5％的腺苷二磷酸和/或腺苷三磷酸，5-15％的强酸，0.1-1％的硅酸钠，0.1-5％的EDTA，2-20％的盐，0.1-3％的乌洛托品，0.1-1％的三乙醇胺，其余为溶剂；所述的腺苷二磷酸或腺苷三磷酸可单独使用，也可混合使用；所述的强酸选自盐酸、硫酸和硝酸的任何一种；所述的盐选自醋酸钠、氯化钠、硝酸钠的一种或两种以上；所述的溶剂选自水、乙醇中的任何一种或两种；所述腺苷二磷酸的结构如式Ⅰ所示，所述腺苷三磷酸的结构如式Ⅱ所示：