CN209072737U - 一种mems麦克风 - Google Patents
一种mems麦克风 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209072737U CN209072737U CN201822169360.0U CN201822169360U CN209072737U CN 209072737 U CN209072737 U CN 209072737U CN 201822169360 U CN201822169360 U CN 201822169360U CN 209072737 U CN209072737 U CN 209072737U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mems
- mems microphone
- substrate
- sealing element
- tin cream
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 10
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 9
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 6
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种MEMS麦克风，涉及声电转换技术领域。所述MEMS麦克风包括由基板和壳体围成的具有容纳腔的外部封装，以及位于容纳腔内且通过锡膏焊接固定在所述基板顶面的电子元器件；所述麦克风还包括有环绕所述电子元器件设置的耐高温的密封件，所述密封件至少包覆所述锡膏的暴露于所述容纳腔内的部分。本实用新型中通过耐高温密封件的设计，可以解决二次回流焊时锡膏熔融后发生迸溅的技术问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及声电转换技术领域。更具体地，涉及一种MEMS麦克风。
背景技术
MEMS(微型机电系统)麦克风是一种基于MEMS技术制作出来的声电转换器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、轻薄化发展，MEMS麦克风被越来越多广泛地运用到诸如手机、平板电脑、相机、助听器、智能玩具以及监听装置等电子设备上。
MEMS麦克风通常包括有MEMS芯片以及与之电连接的ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit，功能集成电路)芯片，其中MEMS芯片包括衬底以及固定在衬底上的振膜和背极，振膜和背极构成了电容器并集成在硅晶片上，声音由声孔进入麦克风并且作用在MEMS芯片振膜上，通过振膜的振动，改变振膜与背极之间的距离，从而将声音信号转换为电信号。
SMT称为表面贴装或表面安装技术，是目前电子组装行业里流行的一种安装工艺。锡膏是伴随着SMT应运而生的一种新型焊接材料，是由焊锡粉、助焊剂以及其它的表面活性剂、触变剂等加以混合，形成的膏状混合物，主要用于SMT行业PCB表面电阻、电容、IC等电子元器件的焊接。当进行二次回流焊将麦克风焊接到手机等电子产品上时，焊接温度过高可能会导致锡膏熔融发生迸溅，容易污染麦克风内部的其它部件，例如MEMS芯片和ASIC芯片，影响麦克风的功能和品质。
因此，需要提供一种新型的MEMS麦克风结构用于解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于是提供一种MEMS麦克风，可以解决麦克风二次回流焊时锡膏熔融后发生迸溅、污染麦克风芯片的技术问题。
为达到上述目的，本实用新型采用下述技术方案：
一种MEMS麦克风，所述麦克风包括由基板和壳体围成的具有容纳腔的外部封装，以及位于容纳腔内且通过锡膏焊接固定在所述基板顶面的电子元器件；
所述麦克风还包括有环绕所述电子元器件设置的耐高温的密封件，所述密封件至少包覆所述锡膏的暴露于所述容纳腔内的部分。
此外，优选地方案是，所述密封件包覆所述电子元器件和所述锡膏。
此外，优选地方案是，所述密封件通过点胶形成；其中，所使用的胶体为具有耐高温特性的固化胶；优选地，所使用的胶体为硅凝胶体或环氧树脂胶体。
此外，优选地方案是，所述密封件为具有耐高温特性的胶带。
此外，优选地方案是，所述电子元器件包括电容和/或电阻。
此外，优选地方案是，所述麦克风还包括位于所述容纳腔内且结合固定在所述基板顶面上的MEMS芯片和ASIC芯片。
此外，优选地方案是，所述基板上包括有与MEMS芯片背腔对应设置的声孔，所述声孔将所述MEMS芯片背腔与外界连通。
此外，优选地方案是，所述壳体上包括有声孔，所述声孔将所述容纳腔与外界连通；所述声孔位于所述壳体的顶壁或侧壁上。
此外，优选地方案是，所述MEMS芯片与所述ASIC芯片间通过金线通信连接；所述ASIC芯片与所述基板间通过金线通信连接。
此外，优选地方案是，所述壳体与所述基板之间通过胶体或者锡膏结合固定。
本实用新型的有益效果如下：
本实用新型提供的MEMS麦克风，通过密封件包裹电子元器件和基板之间的锡膏，当进行二次回流焊将麦克风焊接到手机等电子产品上时，焊接温度过高可能会导致锡膏熔融，密封件的设置可以避免熔融的锡膏发生迸溅污染麦克风内部的其它部件，例如MEMS芯片和ASIC芯片，影响麦克风的功能和品质。因此，本实用新型提供的MEMS麦克风良率高，品质好。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图进行简单的介绍。可以理解的是，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出本实用新型一优选实施方式中MEMS麦克风的截面结构示意图。
图2示出本实用新型另一优选实施方式中MEMS麦克风的截面结构示意图。
附图标记说明：1、壳体；2、基板；3、MEMS芯片；4、ASIC芯片；5、金线；6、电子元器件；7、密封件；8、声孔。
具体实施方式
为了更清楚地说明本实用新型，下面结合优选实施例和附图对本实用新型做进一步的说明。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本实用新型的保护范围。此外，应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。应注意到：附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
如背景技术中所述，现有技术中通常利用锡膏将电容、电阻等电子元器件焊接在MEMS麦克风的基板(PCB板)上。当进行二次回流焊将麦克风焊接到手机等电子产品上时，焊接温度过高可能会导致锡膏熔融发生迸溅，容易污染麦克风内部的其它部件，例如MEMS芯片和ASIC芯片，影响麦克风的功能和品质。为解决现有技术中存在的上述技术问题，本实用新型提供一种具有新型结构的MEMS麦克风。
具体地，下面结合附图进行详细说明。图1示出本实用新型一优选实施方式中MEMS麦克风的截面结构示意图。图2示出本实用新型另一优选实施方式中MEMS麦克风的截面结构示意图。
如附图所示，本实用新型提供一种MEMS麦克风，所述麦克风包括由基板2和壳体1围成的具有容纳腔的外部封装，以及位于容纳腔内且通过锡膏焊接固定在所述基板2顶面的电子元器件6；所述麦克风还包括有环绕所述电子元器件6设置的耐高温的密封件7，所述密封件7至少包覆所述锡膏的暴露于所述容纳腔内的部分。
本实用新型提供的MEMS麦克风，通过密封件7包裹电子元器件6和基板2之间的锡膏，当进行二次回流焊将麦克风焊接到手机等电子产品上时，焊接温度过高可能会导致锡膏熔融，密封件7的设置可以避免熔融的锡膏发生迸溅污染麦克风内部的其它部件，例如MEMS芯片3和ASIC芯片4，影响麦克风的功能和品质。因此，本实用新型提供的MEMS麦克风良率高，品质好。
本领域技术人员可以理解的是，由于MEMS麦克风本身的体积较小，其内部安装的电子元器件6更微小。因此，虽然当所述密封件7包覆所述锡膏的暴露于所述容纳腔内的部分即可以实现本实用新型的技术方案，但是在实际操作的过程中，通常会采取如本优选实施方式中的做法，用所述密封件7完全包覆所述电子元器件6和所述锡膏。该方法在实际生产过程中不仅易于实施，还能更彻底地防止锡膏熔融后出现外漏和迸溅现象，同时还可以保护基板2上的电子元器件6，进而延长MEMS麦克风的使用寿命。
在本优选的实施方式中，所述密封件7通过点胶形成；其中，所使用的胶体为具有耐高温特性的固化胶，优选为硅凝胶体。点胶的方式简单易操作，同时硅凝胶体耐高温的属性，使其可以在进行二次回流焊的过程中，有效密封锡膏和电子元器件6，防止熔融的锡膏外流迸溅污染MEMS麦克风容纳腔内的其它部件。需要说明的是，本领域技术人员也可以选择环氧树脂胶体或其它可耐高温的固化胶体作为本实用新型中的密封件，本实用新型在此不做进一步限制。
在本实用新型的其它优选实施方式中，所述密封件7也可以选用具有耐高温特性的胶带将锡膏和电子元器件6包裹密封。需要说明的是，本实用新型对于胶带的材料不做具体限制，只需要密封件在高温条件下保持稳定、可以起到密封保护效果即可。
进一步地，本实施方式中，所述电子元器件6包括MEMS麦克风中经常使用的电容和电阻元件。由于电容和电阻元件的体积微小，附图中使用一个标号进行标识。在实际生产过程中，可以单独对电容或电阻进行密封，也可以将电容和电阻单独进行密封，本实用新型对此不做进一步限制。本领域技术人员可以理解的是，此处的电子元器件6也可以单独表示电容或电阻，或者还包括其它常见的可用于MEMS麦克风的电子元器件；注：电子元器件不包括MEMS芯片3和ASIC芯片4。
进一步具体地，本实施方式中所述麦克风还包括位于所述容纳腔内且结合固定在所述基板2顶面上的MEMS芯片3和ASIC芯片4，所述MEMS芯片3和ASIC芯片4通过胶体粘接在所述基板2顶面上。本领域技术人员可以理解的是，所述MEMS芯片3和ASIC芯片4也可以通过锡膏焊接固定在所述基板2上。
为实现MEMS芯片3、ASIC芯片4和基板2之间的通信，优选地，所述MEMS芯片3与所述ASIC芯片4间通过金线5通信连接；所述ASIC芯片4与所述基板2间通过金线5通信连接(附图中未示出)。MEMS芯片3将声信号转换为电信号，然后通过金线传递给ASIC芯片4，ASIC芯片4对电信号进行处理，然后再通过金线5和基板2将结果输出至外部的电子设备。
需要说明的是，在MEMS麦克风结构中，MEMS芯片3通常包括衬底，在所述衬底上设置有由振膜以及背极构成的平板电容器结构。为了保证背极与振膜之间可以构成具有一定间隙的平板电容器结构，在所述背极与振膜之间还设置有用于支撑的支撑部，所述支撑部在起到支撑背极的同时，还可以保证背极与振膜之间的绝缘。此外，在MEMS芯片3结构中，所述支撑部、背极可通过依次沉积的方式形成在衬底上，所述衬底可以采用单晶硅材料，所述背极可以采用单晶硅或者多晶硅材料，这种材料的选择以及沉积的工艺属于本领域技术人员的公知常识，在此不再具体说明。所述MEMS麦克风中会设置与外界环境连通的声孔8结构，以便声音的流入，使得的外界的声音可以通过该声孔8作用在MEMS芯片3的振膜上。
本优选的实施方式中，如图1所示，所述声孔8设置于所述基板2上，所述声孔8将所述MEMS芯片3背腔与外界连通。作为声孔8的另一种常规设计，在本实用新型的其它实施方式中，所述声孔8也可以设置在所述壳体1上，所述声孔8将所述容纳腔与外界连通；在这种情况下，本领域技术人员可以根据实际需要选择将所述声孔8设置于所述壳体1的顶壁或侧壁上。结合图2所示出的MEMS麦克风结构，作为另一种优选地实施方式，所述声孔8设置在壳体1的顶壁上。
在本优选的实施方式中，所述壳体1与所述基板2之间通过胶体粘接固定，在满足壳体1与基板2之间结合强度的同时，使得MEMS麦克风具有很好的密封性能。在本实用新型的其它实施方式中，所述壳体1和基板2之间也可以采用其他合适的结合固定方式，例如通过锡膏焊接等。
综上所述，本实用新型中利用密封件7包覆电子元器件6和基板2之间的锡膏，当进行二次回流焊时，接温度过高可能会导致锡膏熔融，密封件7的设置可以避免熔融的锡膏发生迸溅污染麦克风内部的其它部件，影响麦克风的功能和品质。因此，本实用新型提供的MEMS麦克风良率高，品质好。
显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本实用新型的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之列。
Claims (10)
1.一种MEMS麦克风，所述麦克风包括由基板和壳体围成的具有容纳腔的外部封装，以及位于容纳腔内且通过锡膏焊接固定在所述基板顶面的电子元器件；其特征在于，
所述麦克风还包括有环绕所述电子元器件设置的耐高温的密封件，所述密封件至少包覆所述锡膏的暴露于所述容纳腔内的部分。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述密封件包覆所述电子元器件和所述锡膏。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述密封件通过点胶形成；其中，所使用的胶体为具有耐高温特性的固化胶。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述密封件为具有耐高温特性的胶带。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述电子元器件包括电容和/或电阻。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述麦克风还包括位于所述容纳腔内且结合固定在所述基板顶面上的MEMS芯片和ASIC芯片。
7.根据权利要求6所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述基板上包括有与MEMS芯片背腔对应设置的声孔，所述声孔将所述MEMS芯片背腔与外界连通。
8.根据权利要求6所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述壳体上包括有声孔，所述声孔将所述容纳腔与外界连通；所述声孔位于所述壳体的顶壁或侧壁上。
9.根据权利要求6所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述MEMS芯片与所述ASIC芯片间通过金线通信连接；所述ASIC芯片与所述基板间通过金线通信连接。
10.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述壳体与所述基板之间通过胶体或者锡膏结合固定。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201822169360.0U CN209072737U (zh) | 2018-12-24 | 2018-12-24 | 一种mems麦克风 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201822169360.0U CN209072737U (zh) | 2018-12-24 | 2018-12-24 | 一种mems麦克风 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209072737U true CN209072737U (zh) | 2019-07-05 |
Family
ID=67101850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201822169360.0U Active CN209072737U (zh) | 2018-12-24 | 2018-12-24 | 一种mems麦克风 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209072737U (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111320130A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-06-23 | 无锡韦尔半导体有限公司 | 微机电传感器封装结构及其制造方法 |
| CN111510835A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-08-07 | 无锡韦尔半导体有限公司 | 固传导mems麦克风的封装结构、制造方法及移动终端 |
| CN112551480A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-03-26 | 瑞声新能源发展(常州)有限公司科教城分公司 | Mems传感器的制作方法 |
| WO2022042308A1 (zh) * | 2020-08-28 | 2022-03-03 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | Mems麦克风和电子设备 |
-
2018
- 2018-12-24 CN CN201822169360.0U patent/CN209072737U/zh active Active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111320130A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-06-23 | 无锡韦尔半导体有限公司 | 微机电传感器封装结构及其制造方法 |
| CN111320130B (zh) * | 2020-03-04 | 2023-09-22 | 无锡韦感半导体有限公司 | 微机电传感器封装结构及其制造方法 |
| CN111510835A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-08-07 | 无锡韦尔半导体有限公司 | 固传导mems麦克风的封装结构、制造方法及移动终端 |
| CN111510835B (zh) * | 2020-06-01 | 2022-04-15 | 无锡韦感半导体有限公司 | 固传导mems麦克风的封装结构、制造方法及移动终端 |
| WO2022042308A1 (zh) * | 2020-08-28 | 2022-03-03 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | Mems麦克风和电子设备 |
| CN112551480A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-03-26 | 瑞声新能源发展(常州)有限公司科教城分公司 | Mems传感器的制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN209072737U (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN209017322U (zh) | 芯片的封装结构、麦克风及电子设备 | |
| CN102726065B (zh) | Mems麦克风及其封装方法 | |
| CN106941651B (zh) | 扬声器模组 | |
| CN209072738U (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN207072807U (zh) | Mems芯片以及mems麦克风 | |
| JP3180969U (ja) | エレクトレット・コンデンサー式マイク | |
| WO2006093129A1 (ja) | 機能素子実装モジュール及び機能素子実装モジュールの実装方法 | |
| CN204442688U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN108566599A (zh) | 一种发声装置及电子设备 | |
| CN208924505U (zh) | 芯片的封装结构和麦克风 | |
| CN205622875U (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN207766455U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN204291390U (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN106658317A (zh) | 一种mems发声装置及电子设备 | |
| CN209017321U (zh) | Mems麦克风和电子设备 | |
| CN211090109U (zh) | 一种pcb以及应用该pcb的mems传感器 | |
| CN201995128U (zh) | Mems麦克风以及包含它的mems麦克风模组 | |
| CN207283808U (zh) | 一种高灵敏度的硅麦克风 | |
| CN204442689U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN208638724U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN204131729U (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN201450592U (zh) | 线路板框架结构的微型麦克风 | |
| CN209072739U (zh) | 一种侧开孔的mems麦克风 | |
| CN215835560U (zh) | 一种mems麦克风 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200619 Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 266100 Qingdao, Laoshan District, North House Street investment service center room, Room 308, Shandong Patentee before: GOERTEK TECHNOLOGY Co.,Ltd. |