CN208908225U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型能够提供改善成品率的显示装置。该显示装置具有基材，该基材具有形成有显示层的第1面、位于与所述第1面相反侧的第2面和位于所述第1面与所述第2面之间的侧面，该显示装置以覆盖所述侧面的方式，在所述侧面的全周范围内形成有第1导电层。

Description

显示装置

本申请基于2017年12月14日提出的日本专利申请2017-239750号主张优先权，该专利申请的全部内容通过参照引用在本说明书中。

技术领域

本实用新型涉及显示装置。

背景技术

近年来，研究了各种使用树脂基板的显示装置。在一个例子中，公开了在树脂基板的上表面形成无机绝缘膜，在树脂基板的下表面形成金属层的技术。另外，提出了一种从在对置基板与驱动基板之间设置的显示层的端面到对置基板及驱动基板的至少一部分连续地设置封固层的技术。另外，也提出了一种用端面保护层包覆将阻气膜及功能层层叠而成的功能层层叠体的端面的技术。在这种显示装置的制造工序中，可能会由于在基板输送时或操作时的静电破坏而导致成品率降低。

实用新型内容

本实施方式的课题在于提供一种能够改善成品率的显示装置。

根据一实施方式提供一种显示装置，

该显示装置具有基材，该基材具有形成有显示层的第1面、位于与所述第1面相反侧的第2面以及位于所述第1面与所述第2面之间的侧面，

以覆盖所述侧面的方式，在所述侧面的全周范围内形成有第1导电层。

根据本实施方式，能够提供能够改善成品率的显示装置。

附图说明

图1是表示本实施方式的显示装置DSP的俯视图。

图2是表示图1所示的显示装置DSP的显示部DA的剖视图。

图3是表示图1所示的显示装置DSP的第1构成例的剖视图。

图4是表示本实施方式的显示装置DSP的第2构成例的剖视图。

图5是表示本实施方式的显示面板PNL制造工序的一部分的流程图。

图6是表示图5所示的制造工序中的支承基板剥离工序ST3的图。

图7是表示图5所示的制造工序中的单元切断工序ST5的图。

图8是表示图5所示的制造工序中的倒角工序ST6的一例的图。

图9是表示本实施方式的显示装置DSP的第3构成例的剖视图。

图10是表示本实施方式的显示装置DSP的第4构成例的剖视图。

图11是表示本实施方式的显示装置DSP的第5构成例的俯视图。

图12是表示沿图11中示出的A-A’线的显示面板PNL的剖视图。

图13是表示本实施方式的显示装置DSP的第6构成例的俯视图。

具体实施方式

以下参照附图对本实施方式进行说明。此外，本公开不过是一个例子，本领域技术人员保证实用新型主旨而容易想到的适当变更当然包含在本实用新型范围内。另外，附图为了使说明更加明确，存在与实际形态相比而示意性示出各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但只不过是一个例子，并非是限定本实用新型的解释。另外，在本说明书和各附图中，对于在已有的附图中发挥与前述内容相同或类似功能的构成要素标注同一参照附图标记，适当省略重复的详细说明。

图1是表示本实施方式的显示装置DSP俯视图。在图中，第1方向X及第2方向Y是彼此交叉的方向，第3方向Z是与第1方向X及第2方向Y交叉的方向。在一例中，第1方向X、第2方向Y及第3方向Z相互正交，但也可以相互以90度以外的角度交叉。在本说明书中，将朝向表示第3方向Z的箭头的前端的方向称为上方(或简记为上)，将从箭头的前端朝向相反的方向称为下方(或简记为下)。在“第1部件上的第2部件”及“第1部件下的第2部件”的情况下，第2部件可以与第1部件接触，也可以与第1部件分离。另外，存在在表示第3方向Z的箭头的前端侧观察显示装置DSP的观察位置，将从该观察位置朝向由第1方向X及第2方向Y规定的X-Y平面的观察称为俯视观察。

显示装置DSP包括显示面板PNL、布线基板FS1、电路基板FS2和IC芯片I1。显示面板PNL包括显示图像的显示部DA、和显示部DA周围的非显示部NDA。显示部DA具有以矩阵状配置的多个像素PX。非显示部NDA形成为框缘状。

显示面板PNL包括基材10和第1导电层L1。基材10包括沿第1方向X延伸的边E1及E2、和沿第2方向Y延伸的边E3及E4。第1导电层L1位于非显示部NDA，俯视观察时沿边E1至E4形成。基材10具有沿着边E1至E4的侧面，第1导电层L1形成在该侧面上。关于这一点如后所述。在图示的例子中，第1导电层L1在基材10的全周范围内形成。此外，第1导电层L1可以不形成在全部的边E1至E4上，而形成在至少一部分上即可。另外，在图示的例子中，基材10形成为矩形状，但也可以在相邻的边之间具有圆角部。另外，显示部DA形成为矩形状，具有沿第1方向X延伸的边E11及E12、和沿第2方向Y延伸的边E13及E14，但也可以在相邻的边之间具有圆角部。

显示面板PNL在非显示部NDA上且在显示部DA与边E2之间具有端子部TA。端子部TA具有多个端子T。布线基板FS1与端子T电连接。另外，布线基板FS1与电路基板FS2电连接。在图示的例子中，IC芯片I1安装在布线基板FS1的下侧。但是，IC芯片I1可以安装在端子部TA，也可以安装在电路基板FS2上。IC芯片I1例如内置有用于输出为了显示图像所需的信号的显示器驱动器。例如，显示面板PNL能够在显示部DA与端子部TA之间弯曲，能够使外侧的沿第2方向Y的框缘宽度比边E12小。

图2是表示图1所示的显示装置DSP的显示部DA的剖视图。显示面板PNL除具有基材10以外还具有显示层20、封固层30、粘合层50、光学部件PL、粘接层60和支承体70。

基材10具有形成有显示层20的第1面10A和位于第1面10A的相反侧的第2面10B。粘接层60是含有导电性材料的导电性粘接层。粘接层60位于第2面10B侧，使基材10与支承体70粘合。支承体70由例如透明树脂形成。此外，支承体70位于与显示层20的相反侧，也可以是不透明的。

显示层20包括有机电致发光(EL)元件OLED、开关元件SW和绝缘膜11至14。绝缘膜11形成在第1面10A上。半导体层SC形成在绝缘膜11上，由绝缘膜12覆盖。绝缘膜12也形成在绝缘膜11上。栅电极GE形成在绝缘膜12上，由绝缘膜13覆盖。绝缘膜13形成在绝缘膜12上。源电极SE及漏电极DE形成在绝缘膜13上，由绝缘膜14覆盖。源电极SE经由贯穿绝缘膜12及13的连接孔CH1而与半导体层SC电连接。漏电极DE经由贯穿绝缘膜12及13的连接孔CH2而与半导体层SC电连接。

基材10由聚酰亚胺树脂等形成。此外，基材10可以是由聚酰亚胺树脂构成的单层构造，也可以由将聚酰亚胺树脂层、无机绝缘膜层及聚酰亚胺树脂层依次层叠的层叠体等形成。绝缘膜11至13均由硅氧化物(SiO)、硅氮化物(SiN)、硅酸氮化物(SiON)等无机绝缘材料形成。绝缘膜14由丙烯酸树脂等有机绝缘材料形成，但也可以由无机绝缘材料形成。绝缘膜11至14可以分别为单层构造，也可以是多层构造。半导体层SC例如由多晶硅(例如低温多晶硅)形成，但也可以由单晶硅或氧化物半导体形成。栅电极GE、源电极SE及漏电极DE由铝(Al)、钛(Ti)、银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)等金属材料或将这些金属材料组合而成的合金等形成，可以是单层构造，也可以是多层构造。在一个例子中，栅电极GE由钼/钨合金形成，源电极SE及漏电极DE由将钛系导电层、铝系导电层及钛系导电层依次层叠的层叠体形成。

有机EL元件OLED是朝向光学部件PL发光的顶部发光型的自发光元件。有机EL元件OLED包括像素电极PE、与像素电极PE对置的公共电极CE和配置在像素电极PE与公共电极CE之间的有机发光层ORG。像素电极PE形成在绝缘膜14上。像素电极PE经由贯穿绝缘膜14的连接孔CH3而与漏电极DE电连接。公共电极CE及像素电极PE例如由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明的导电材料形成。肋部PI形成在绝缘膜14上，划分有机EL元件OLED。

封固层30对有机EL元件OLED进行封固。封固层30例如包括无机绝缘膜31及33和有机绝缘膜32。无机绝缘膜31覆盖公共电极CE。有机绝缘膜32位于无机绝缘膜31及33之间。封固层30抑制水分等向显示层20侵入。

光学部件PL与封固层30相对置。光学部件PL例如是偏振片。此外，光学部件PL也可以包含相位差板等其他光学元件。另外，光学部件PL也可以是透明玻璃或树脂等罩部件。粘合层50是透明的，使光学部件PL与封固层30粘合。粘合层50由例如透明环氧树脂或丙烯酸树脂等构成。

图3是表示图1所示的显示装置DSP的第1构成例的剖视图。基材10在第1面10A与第2面10B之间具有侧面10S。侧面10S是沿图1所示的边E1至E4而形成的面，而图示的侧面10S与分别沿着边E3及E4的侧面相当。图示的显示层20与图2所示的部件中位于显示部DA的有机EL元件OLED相当。此外，图2所示的绝缘膜11至13也可以不仅延伸至显示部DA，还延伸至非显示部NDA。

在封固层30中，有机绝缘膜32至少配置在显示部DA范围内，无机绝缘膜31及33不仅配置在显示部DA，也配置在非显示部NDA。无机绝缘膜33在非显示部NDA中与无机绝缘膜31接触。

第1导电层L1形成在侧面10S上。在图示的例子中，第1导电层L1以覆盖整个侧面10S的方式形成，但只要与侧面10S的至少一部分接触即可。第1导电层L1由电阻比基材10低的材料形成，在这里由碳系物质形成。在一个例子中，第1导电层L1由碳或石墨前驱体等聚酰亚胺的热分解生成物形成。第1导电层L1例如由在常温(20℃)下具有10⁶Ω·cm以上且10⁹Ω·cm以下的体积电阻率的导电材料形成。

第1导电层L1与第1面10A相比延伸至上方。也就是说，在基材10的上侧，封固层30的端部30E、粘合层50的端部50E及光学部件PL的端部PLE均从第1导电层L1露出。此外，端部30E由无机绝缘膜31及33形成，不包含有机绝缘膜32。在图示的例子中，端部30E与侧面10S相比位于显示部DA侧，由粘合层50覆盖。

另外，第1导电层L1没有延伸至比第2面10B更下方。也就是说，在基材10的下侧，粘接层60的端部60E及支承体70的端部70E均从第1导电层L1露出。

根据本实施方式的第1构成例，与基材10相比，低电阻的第1导电层L1形成在基材10的侧面10S，因此，沿基材10的侧面10S形成静电扩散路径，能够抑制基材10带电。由此，在显示面板PNL的制造工序中，能够抑制由与制造装置的接触等导致的静电破坏，能够改善显示面板PNL的成品率。

另外，与基材10的第2面10B接触的粘接层60具有导电性。因此，沿与显示层20重叠的第2面10B形成静电扩散路径，能够抑制显示层20的静电破坏。

图4是表示本实施方式的显示装置DSP的第2构成例的剖视图。图4所示的第2构成例与图3所示的第1构成例相比不同点在于，在第2面10B上形成有第2导电层L2。封固层30简化示出。第2导电层L2包括与基材10接触的上表面L2A、与粘接层60接触的下表面L2B和端部L2E。在图示的例子中，第2导电层L2在其端部L2E与第1导电层L1接触。此外，第1导电层L1没有相对于端部L2E延伸至更下方，而使端部60E及70E露出。第2导电层L2与第1导电层L1同样地，由电阻低于基材10的材料形成，在这里，由碳系物质形成。在一个例子中，第2导电层L2由碳等的聚酰亚胺的热分解生成物形成。此外，第2导电层L2由与粘接层60不同的材料形成。即使在粘接层60具有导电性的情况下，第2导电层L2的电阻率也与粘接层60的电阻率不同。

根据本实施方式的第2构成例，能够获得与第1构成例相同的效果。在此基础上，由于电阻低于基材10的第2导电层L2形成在基材10的第2面10B上，因此能够沿第2面10B形成静电扩散路径，进一步抑制显示层20的静电破坏。

接下来，参照图5至图8，对在显示面板PNL的制造工序中形成第1导电层L1和第2导电层L2的一种方法进行说明。

图5是表示本实施方式的显示面板PNL的制造工序的一部分的流程图。首先，在聚酰亚胺基材形成工序ST1中，在玻璃基板等支承基板SUB上涂布聚酰亚胺前驱体化合物后，通过加热处理使之硬化，形成聚酰亚胺制的基材10。在显示层形成工序ST2中，在基材10上形成图2所示的显示层20后，形成覆盖显示层20的封固层30。在支承基板剥离工序ST3中，朝向基材10照射激光L，将基材10从支承基板SUB剥离。例如，激光L从准分子激光装置射出，具有355nm以下的波长。

图6是表示支承基板剥离工序ST3的图。此外，在图6中，省略与封固层30相比为上层的图示，但也可以将保护部件等贴合在封固层30上。通过借助支承基板SUB向基材10的第2面10B照射激光L，从而第2面10B的聚酰亚胺吸收激光L，使其一部分热分解(或聚酰亚胺的一部分碳化)。聚酰亚胺通过热分解或碳化变质为碳或石墨前驱体等碳系物质。因此，在第2面10B上形成由碳系物质形成的第2导电层L2。在支承基板SUB从基材10剥离时，第2导电层L2可能残留在基材10上，也可能与支承基板SUB一起被基材10去除。在第2导电层L2残留在基材10上的情况下，在支承基板剥离工序ST3以后的工序中，第2导电层L2形成静电扩散路径，因此能够抑制显示层20等的静电破坏。

再次返回图5。在支承体贴合工序ST4中，利用粘接层60将支承体70贴合于基材10的第2面10B。在单元切断工序ST5中，从母基板ML切出单个的显示面板PNL。

图7是表示单元切断工序ST5的图。母基板ML具有能够形成显示面板PNL的有效区域EF。多个有效区域EF以矩阵状配置。激光LX向在第2方向Y上相连的有效区域EF之间照射，沿第1方向X扫描。多个切割线CLX表示激光LX的轨迹。激光LY向在第1方向X上相邻的有效区域EF之间照射，沿第2方向Y扫描。多个切割线CLY表示激光LY的轨迹。例如，激光LX及LY从准分子激光装置射出，具有355nm以下的波长。一个有效区域EF由两条切割线CLX和两条切割线CLY包围。母基板ML被分别沿多条切割线CLX及多条切割线CLY切割，切断为多个显示面板PNL。

若着眼于被切断的一个显示面板PNL，则基材10的边E21及E22分别与切割线CLX相当，基材10的边E23及E24分别与切割线CLY相当。在单元切断工序ST5中，在显示面板PNL被以具有与希望的最终产品同等外形的方式切割了的情况下，边E21至E24分别与图1所示的边E1至E4相当。此外，在单元切断工序ST5中，也存在显示面板PNL没有以具有与最终产品同等外形的方式被切割的情况。

在沿切割线CLX及CLY被切割时，基材10的聚酰亚胺吸收激光LX或LY，其一部分被热分解(或聚酰亚胺的一部分被碳化)。因此，与在支承基板剥离工序ST3中说明的情况同样地，沿边E21至E24形成有由碳系物质形成的第1导电层L1。此外，在进行单元切断时，通过从母基板ML的上方或从母基板ML的下方照射激光LX及LY，第1导电层L1的形状不同。关于这一点根据图9至图10说明。

例如，作为单元切断工序ST5以后的显示面板PNL的制造工序，存在端子部TA的干燥洗净工序、检查工序、光学部件PL的贴合工序和布线基板FS1向端子部TA的安装工序等。在单元切断工序ST5的结束时刻，不仅是第2导电层L2，第1导电层L1也形成静电扩散路径，因此能够抑制在单元切断工序ST5以后的制造工序中的显示层20等的静电破坏。

再次返回图5。在这里，在单元切断工序ST5中，设想显示面板PNL没有以具有与最终产品同等外形的方式被切割的情况，追加倒角工序ST6。

图8是表示倒角工序ST6的一例的图。激光LX向边E21与显示部DA之间照射，沿第1方向X扫描。激光LY分别向边E23与显示部DA之间及向边E24与显示部DA之间照射，沿第2方向Y扫描。例如，激光LX及LY从与单元切断工序ST5相同的准分子激光装置射出。若着眼于沿一条切割线CLX和两条切割线CLY切割后的显示面板PNL，则基材10的边E1沿切割线CLX形成，基材10的边E3及E4分别沿切割线CLY形成。边E2与边E22相当。

在沿切割线CLX及CLY被切割时，与在支承基板剥离工序ST3中说明同样地，沿边E1、E3及E4形成有由碳系物质形成的第1导电层L1。

在以上说明的例子中，通过在显示面板PNL的制造工序中使激光向聚酰亚胺制的基材10照射，从而第1导电层L1形成在基材10的侧面10S上，另外，第2导电层形成在基材10的第2面10B上，但第1导电层L1及第2导电层L2也可以通过其他方法形成。例如，第1导电层L1及第2导电层L2例如也可以通过溅射法等由电阻低于基材10的导电材料形成。

图9是表示本实施方式的显示装置DSP的第3构成例的剖视图。第3构成例在图7所示的单元切断工序ST5或图8所示的倒角工序ST6中，与激光L从基材10的上方照射的情况相当。激光L从第1面10A侧照射，因此对于激光L的照射量来说，与第2面10B侧相比，第1面10A侧较大。通过这种激光L的照射而形成的第1导电层L1，不限于在侧面10S的从第1面10A侧到第2面10B侧的范围内具有均匀的厚度。在图示的例子中，第1导电层L1在第1面10A侧具有第1厚度TLA，在第2面10B侧具有第2厚度TLB。此外，此处的厚度是沿第1方向X的长度。第1厚度TLA比第2厚度TLB大。在这样的第3构成例中，也能够获得与上述相同的效果。

图10是表示本实施方式的显示装置DSP的第4构成例的剖视图。第4构成例与在单元切断工序ST5或倒角工序ST6中使激光L从基材10的下方照射的情况相当。第4构成例与第3构成例相比不同点在于，第1厚度TLA比第2厚度TLB小。即，激光L从第2面10B侧照射，因此，对于激光L的照射量来说，第2面10B侧比第1面10A侧大。因此，形成图示的第1导电层L1。在这种第4构成例中也能够获得与上述相同的效果。

图11是表示构成本实施方式的显示装置DSP的第5构成例的俯视图。图12是沿图11所示的A-A’线的显示面板PNL的剖视图。显示面板PNL进一步具备多个端子T(T1、T2、……)和多个布线EL(EL1、EL2、……)。多个端子T沿第1方向X隔开间隔排列。此外，在这里省略与端子T电连接的布线基板FS1的图示。各布线EL与端子T连接。布线EL设置为例如静电对策或检查用，在图7所示的母基板ML中，与总线或检查布线等连接。各布线EL从端子T朝向边E2(或沿着边E2的侧面10S)延伸。

无机绝缘膜15如图12所示形成在基材10的第1面10A上。此处所示的无机绝缘膜15例如由图2所示的绝缘膜11至13中的至少一个形成。如图11所示，无机绝缘膜15在显示部DA的范围内形成，在非显示部NDA上，与边E1至E4相比在显示部DA侧具有端部15E。也就是说，无机绝缘膜15在边E1至E4的附近被去除，使基材10露出。但是，各布线EL形成在无机绝缘膜15上，在布线EL延伸出的区域中，在基材10与布线EL之间夹设有无机绝缘膜15。

在这里，着眼于布线EL1及EL2，将布线EL1称为第1布线，将布线EL2称为第2布线。第1布线EL1在边E2附近具有第1端部EL1E。第2布线EL2也同样地，在边E2附近具有第2端部EL2E。无机绝缘膜15配置在第1布线EL1及第2布线EL2的正下方。也就是说，无机绝缘膜15配置到达与第1端部EL1E及第2端部EL2E重合的位置。无机绝缘膜15在第1布线EL1与第2布线EL2之间具有沿着边E2的第3端部15E。第3端部15E与第1端部EL1E及第2端部EL2E相比从边E2(或沿着边E2的侧面10S)向显示部DA侧远离。在俯视观察时，从边E2到第3端部15E为止的沿着第2方向Y的宽度WY为30μm以上且为100μm以下。

例如，在图7所示的母基板ML上，在切割线CLX及CLY上形成有无机绝缘膜15的情况下，特别是在端子部TA侧，在各布线EL间形成有无机绝缘膜15的情况下，存在在基材10被切割时生成的第1导电层L1形成在基材10与无机绝缘膜15之间的情况。由此，无机绝缘膜15从基材10上浮，可能会在无机膜上产生裂纹。另外，可能会在沿着切割线CLX及CLY的第1面10A上形成导电路径。即，特别是如端子部TA侧所示，在第1面10A侧存在延伸至切割线CLX及CLY附近的布线的情况下，布线与第1导电层L1或隔着第1导电层L1相邻的布线之间可能会短路。

根据第5构成例，在第1布线EL1与第2布线EL2之间，无机绝缘膜15被沿着边E2去除。因此，在基材10被切断时，沿着边E2形成的第1导电层L1不会形成在第1布线EL1与第2布线EL2之间，能够抑制无机绝缘膜15的上浮，且能够抑制第1布线EL1与第2布线EL2间的短路。

图13是表示本实施方式的显示装置DSP的第6构成例的俯视图。图13所示的第6构成例与图11所示的第5构成例相比，在与端子T连接且朝向边E2(或沿着边E2的侧面10S)延伸的各布线EL上，在端子T与边E2之间形成有分离的部分这一点不同。也就是说，布线EL1具有与端子T1连接的部分EL1a和与部分EL1a分离的部分EL1b。同样地，布线EL2具有与端子T2连接的部分EL2a和与部分EL2a分离的部分EL2b。即，部分EL1a及EL1b隔开间隔沿第2方向Y排列。部分EL2a及EL2b隔开间隔沿第2方向Y排列。部分EL1a及EL2a与部分EL1b及EL2b等间距配置。

在这里，着眼于部分EL1a及EL1b，将部分EL1a称为第1部分，将部分EL1b称为第2部分，将第1部分EL1a及第2部分EL1b合并称为第1布线EL1。另外，着眼于部分EL2a及EL2b，将部分EL2a称为第3部分，将部分EL2b2称为第4部分，将第3部分EL2a及第4部分EL2b合并称为第2布线EL2。第1部分EL1a从端子T1朝向边E2(侧面10S)延伸。第2部分EL1b与第1部分EL1a相比接近边E2。图示的例子的第1部分EL1a及第2部分EL1b沿同一直线延伸。另外，第1部分EL1a及第2部分EL1b沿第2方向Y隔开第1间隔D1相互分离。存在第2部分EL1b与第1导电层L1连接的情况。

第3部分EL2a从端子T2朝向边E2(侧面10S)延伸。第4部分EL2b与第3部分EL2a相比更接近边E2。图示例子的第3部分EL2a及第4部分EL2b沿同一直线延伸。另外，第3部分EL2a及第4部分EL2b沿第2方向Y隔开第2间隔D2相互分离。存在第4部分EL2b与第1导电层L1连接的情况。

在这里，着眼于第1布线EL1及第2布线EL2与第3布线EL3间的关系。第3布线EL3包括与端子T3连接的部分EL3a和隔开第3间隔D3地与部分EL3a分离的部分EL3b。第1间隔D1、第2间隔D2及第3间隔D3相同，且形成在沿第1方向X的同一直线上。

第1间隔D1、第2间隔D2及第3间隔D3例如能够通过照射激光L并沿第1方向X扫描而形成。此处应用的激光L例如与支承基板剥离工序或单元切断工序同样地，能够使用具有355nm以下波长的激光。激光L的能量设定为比在单元切断工序等中使用的激光L的能量小。因此，不会损伤基材10的第1面10A，能够使布线EL的一部分消失，形成第1间隔D1、第2间隔D2及第3间隔D3。此外，形成第1间隔D1等的间隔形成工序可以在图7所示的单元切断工序ST5或图8所示的倒角工序ST6时同时进行，也可以在单元切断工序ST5与倒角工序ST6之间进行。在布线EL被设置为检查用的情况下，在检查后实施间隔形成工序。另外，形成第1间隔D1等的工序例如也可以与支承基板剥离工序ST3同样地，向基材10的第1面10A照射激光L，通过对基材10的一部分进行热分解，使布线EL的一部分消失，形成第1间隔D1、第2间隔D2及第3间隔D3。在该情况下，激光L的能量也能够设定为比在单元切断工序等中使用的激光L的能量小。

在图示的例子中，第1间隔D1、第2间隔D2及第3间隔D3位于沿着第1方向X的同一直线上，但也可以不位于同一直线上。

例如，如第5构成例所示，在端子部TA侧，即使将各布线EL间的无机绝缘膜15去除，也可能会使基材10切断时生成的第1导电层L1形成在基材10与无机绝缘膜15之间，在沿着切割线CLX及CLY的第1面10A上形成导电路径。因此，布线与第1导电层L1导通，另外，隔着第1导电层L1相邻的布线彼此导通，作为结果，相邻的端子之间可能会短路。

根据第6构成例，即使布线EL1及EL2分别与第1导电层L1导通，或布线EL1及EL2彼此经由第1导电层L1导通，与端子T1连接的部分EL1a及与端子T2连接的EL2a由于与部分EL1b及2b分离，因此能够抑制相邻端子间的短路。

如以上所说明的那样，根据本实施方式，能够提供改善成品率的显示装置。

此外，对本实用新型的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提出的，并非意在限定实用新型的范围。这些新的实施方式能够以其他多种方式实施，能够在不脱离实用新型要旨的范围内进行多种省略、置换和变更。这些实施方式或其变形包含在实用新型范围或要旨中，且包含在与权利要求书记载的实用新型及其等同范围内。

在本实施方式中，作为显示装置的一例对有机EL显示装置进行了说明，但不限于此。在本实施方式中公开的主要构成也能够应用于液晶显示装置、带有电泳元件等的电子纸型的显示装置、应用了MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)的显示装置、或应用了电致变色的显示装置等。

Claims (15)

1.一种显示装置，其特征在于，

具备基材，该基材具有形成有显示层的第1面、位于所述第1面的相反侧的第2面、和位于所述第1面与所述第2面之间的侧面，

以覆盖所述侧面的方式，在所述侧面的全周范围内形成有第1导电层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第1导电层由碳系物质形成。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

还具有：

光学部件，其与所述基材相对置，配置在所述第1面侧；以及

支承体，其借助粘合层而粘合于所述第2面，

在所述光学部件、所述粘合层及所述支承体各自的端部没有形成所述第1导电层。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第1导电层的体积电阻率为10⁶Ω·cm以上且为10⁹Ω·cm以下。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

还在所述第2面与所述粘合层之间具有第2导电层，

所述第2导电层由与所述第1导电层相同的材料形成，与所述第1导电层接触。

6.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

所述粘合层是含有导电性材料的导电性粘接层。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述基材由聚酰亚胺树脂形成。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第1导电层在所述第1面侧具有第1厚度，在所述第2面侧具有与所述第1厚度不同的第2厚度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置，其特征在于，

还具有：

第1端子及第2端子；

无机绝缘膜，其位于所述第1面与所述第1端子及所述第2端子之间；

第1布线，其与所述第1端子连接，从所述第1端子朝向所述侧面延伸；以及

第2布线，其与所述第2端子连接，从所述第2端子朝向所述侧面延伸，

所述无机绝缘膜在所述第1布线与所述第2布线之间具有与所述侧面相比位于所述端子侧的端部。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，

从所述侧面到所述无机绝缘膜的所述端部为止的宽度为30μm以上100μm以下。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置，其特征在于，

还具有：

第1端子，其形成于所述第1面；以及

第1布线，其与所述第1端子连接，从所述第1端子朝向所述侧面延伸，

所述第1布线具有与所述第1端子连接的第1部分和与所述第1部分相比靠近所述侧面的第2部分，

所述第1部分与所述第2部分隔开第1间隔地彼此分离。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，

所述第2部分与所述第1导电层连接。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，

还具有：

第2端子，其形成于所述第1面；以及

第2布线，其在与所述第1布线延伸的方向正交的方向上与所述第1布线并排配置，从所述第2端子朝向所述侧面延伸，

所述第2布线具有与所述第2端子连接的第3部分和与所述第3部分相比靠近所述侧面的第4部分，

所述第3部分与所述第4部分隔开第2间隔地彼此分离。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，

所述第1间隔与所述第2间隔为相同的间隔，且形成在同一直线上。

15.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，

所述第4部分与所述第1导电层连接。