CN208796911U - 陶瓷封装直流接触器导磁板结构 - Google Patents
陶瓷封装直流接触器导磁板结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种陶瓷封装直流接触器导磁板结构,包括导磁板,该导磁板上设有用于钎焊铜管的通孔,所述导磁板的一侧面的四周边框的内侧边缘形成封闭的激光焊接路径,所述导磁板的激光焊接路径的一侧面上位于所述通孔一侧形成与该通孔一端连通的沉槽。该陶瓷封装直流接触器导磁板结构在不改变工艺的条件下,将焊料溢流控制在激光焊接的路径外,从而保证激光焊接后产品气密性良好,极大的提高产品的合格率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种直流接触器,尤其涉及一种陶瓷封装直流接触器导磁板结构。
背景技术
现有陶瓷封装直流接触器导磁板与铜管普遍采用钎焊工艺,为保证焊接效果焊料会溢出在导磁板表面,溢出焊料会影响后续激光焊接后产品的气密性。
发明内容
为了克服上述缺陷,本实用新型提供了一种陶瓷封装直流接触器导磁板结构,在不改变工艺的条件下,将焊料溢流控制在激光焊接的路径外,不会影响后续激光焊接后产品的气密性。
本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种陶瓷封装直流接触器导磁板结构,包括导磁板,该导磁板上设有用于钎焊铜管的通孔,所述导磁板的一侧面的四周边框的内侧边缘形成封闭的激光焊接路径,所述导磁板的激光焊接路径的一侧面上位于所述通孔一侧形成与该通孔一端连通的沉槽。
作为本实用新型的进一步改进,所述沉槽向远离所述激光焊接路径的方形延伸,沉槽的形状不限。
本实用新型的有益效果是:该陶瓷封装直流接触器导磁板结构在不改变工艺的条件下,将焊料溢流控制在激光焊接的路径外,从而保证激光焊接后产品气密性良好,极大的提高产品的合格率。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
结合附图,作以下说明:
1——导磁板; 2——铜管;
3——通孔; 4——激光焊接路径;
5——沉槽。
具体实施方式
以下结合附图,对本实用新型的一个较佳实施例作详细说明。但本实用新型的保护范围不限于下述实施例,即但凡以本实用新型申请专利范围及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本实用新型专利涵盖范围之内。
参阅图1,为本实用新型所述的一种陶瓷封装直流接触器导磁板结构,包括导磁板1,该导磁板上设有用于钎焊铜管2 的通孔3,所述导磁板的一侧面的四周边框的内侧边缘形成封闭的激光焊接路径4,所述导磁板的激光焊接路径4的一侧面上位于所述通孔一侧形成与该通孔一端连通的沉槽5,由于该沉槽的设置,使得铜管在和导磁板钎焊时,钎焊的焊料溢出后占据沉槽区域,既能保证钎焊的效果,又不影响后续激光焊接加工,从而极大提高产品合格率。
优选的,所述沉槽向远离所述激光焊接路径的方形延伸,沉槽的形状不限。
该陶瓷封装直流接触器导磁板结构在不改变工艺的条件下,将焊料溢流控制在激光焊接的路径外,从而保证激光焊接后产品气密性良好,极大的提高产品的合格率。
Claims (2)
1.一种陶瓷封装直流接触器导磁板结构,包括导磁板(1),该导磁板上设有用于钎焊铜管(2)的通孔(3),所述导磁板的一侧面的四周边框的内侧边缘形成封闭的激光焊接路径(4),其特征在于:所述导磁板的激光焊接路径(4)的一侧面上位于所述通孔一侧形成与该通孔一端连通的沉槽(5)。
2.根据权利要求1所述的陶瓷封装直流接触器导磁板结构,其特征在于:所述沉槽向远离所述激光焊接路径的方形延伸。
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CN201821552101.XU CN208796911U (zh) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | 陶瓷封装直流接触器导磁板结构 |
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CN (1) | CN208796911U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114758924A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-07-15 | 施生面 | 一种直流继电器密封方法 |
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2018
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