CN208738219U - 一种弹性压接式igbt陶瓷管壳 - Google Patents
一种弹性压接式igbt陶瓷管壳 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208738219U CN208738219U CN201820821560.7U CN201820821560U CN208738219U CN 208738219 U CN208738219 U CN 208738219U CN 201820821560 U CN201820821560 U CN 201820821560U CN 208738219 U CN208738219 U CN 208738219U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- emitter
- ceramic
- welded
- disk
- elastic compression
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,属于电力电子技术领域。包含上盖和陶瓷底座;所述上盖包含集电极圆盘和集电极法兰,所述集电极法兰通信焊在集电极圆盘的外边缘;所述陶瓷底座包含自上而下叠合同心焊接的发射极法兰、瓷环和发射极密封圈;所述发射极密封圈内同心焊接有发射极圆盘;所述瓷环内壁焊有栅极引出端。一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,不仅避免了切削应力对发射极精度的影响,而且可以保证每个芯片通过弹性压接与钼片、集电极和发射极之间接触良好,可以制造出性能更优异、可靠性更高的IGBT器件,为航空、军工等更高要求的应用领域服务。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,属于电力电子技术领域。
背景技术
随着绝缘栅双极晶体管——IGBT,应用领域的不断拓展,近年来取得了快速发展,已成为当前电力电子器件的主流产品,千安级以上的大功率IGBT已成为轻型直流输电、轨道交通、新能源等大功率变流领域的首选。
目前平板压接式陶瓷封装IGBT,市场上多为方形台架群设计,这种设计的好处芯片的接触面积大,具有较高的稳定性和可靠性,但是难点是方形台架群在加工后要保证台架整体平面度、台架高度、台架面和散热面平行度等技术指标的综合差异在10μ以内,因此必须解决机械加工应力、高温变形、焊接应力、镍层厚度差异对这些指标的影响。
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,不仅避免了切削应力对发射极精度的影响,而且可以保证每个芯片通过弹性压接与钼片、集电极和发射极之间接触良好。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,避免了切削应力对发射极精度的影响,而且可以保证每个芯片通过弹性压接与钼片、集电极和发射极之间接触良好。
本实用新型涉及解决上述问题所采用的技术方案为:一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,包含上盖和陶瓷底座;所述上盖包含集电极圆盘和集电极法兰,所述集电极法兰通信焊在集电极圆盘的外边缘;所述陶瓷底座包含自上而下叠合同心焊接的发射极法兰、瓷环和发射极密封圈;所述发射极密封圈内同心焊接有发射极圆盘;所述瓷环内壁焊有栅极引出端。
所述发射极圆盘包含分立式发射极台架、弹簧安置孔和弹簧,所述分立式发射极台架的分布有序排列,相应地,所述弹簧安置孔对应于分立式发射极台架分列布置,所述弹簧放于弹簧安置孔内,所述分立式发射极台架部分在弹簧安置孔内与弹簧接触,部分高于发射极圆盘,使得高出部分保持在同一平面上。
所述分立式发射极台架为圆柱形状,便于加工和导向。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,不仅避免了切削应力对发射极精度的影响,而且可以保证每个芯片通过弹性压接与钼片、集电极和发射极之间接触良好,可以制造出性能更优异、可靠性更高的IGBT器件,为航空、军工等更高要求的应用领域服务。
附图说明
图1为本实用新型实施例一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳的示意图;
图2为本实用新型实施例一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳的俯视图。
图中1上盖、1-1集电极法兰、1-2集电极圆盘、2陶瓷底座、2-1发射极圆盘、2-2发射极密封圈、2-3瓷环、2-4发射极法兰、3弹簧、4分立式发射极台架、5弹簧安置孔、6栅极引出端。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
如图1、2所示,本实施例中的一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,包含上盖1和陶瓷底座2;所述上盖1包含集电极圆盘1-2和集电极法兰1-1,所述集电极法兰1-1同心焊在集电极圆盘1-2的外边缘;所述陶瓷底座2包含自上而下叠合同心焊接的发射极法兰2-4、瓷环2-3和发射极密封圈2-2;所述发射极密封圈2-2内同心焊接有发射极圆盘2-1;所述瓷环2-3内壁焊有栅极引出端6。
所述发射极圆盘2-1包含分立式发射极台架4、弹簧安置孔5和弹簧3,所述分立式发射极台架4有序排列设在发射极圆盘2-1上,相应地,所述弹簧安置孔5对应于分立式发射极台架4分列布置,所述弹簧3放于弹簧安置孔5内,所述分立式发射极台架4部分在弹簧安置孔5内与弹簧3接触,部分高于发射极圆盘2-1,使得高出部分保持在同一平面上。
所述分立式发射极台架4为圆柱形状,便于加工和导向。
所述分立式发射极台架4由于在惰性气体保护的密封环境内,因此不需要电镀,这样既可以避免镀层厚度差异对发射极精度的影响,而且裸铜接触电阻更低,器件压降更小,并且通过对分立式发射极台架的分级筛选,可以使台架精度控制在3μm或更小的范围内,这样可以制造出性能更优异、可靠性更高的IGBT器件,为航空、军工等更高要求的应用领域服务。
弹簧安置孔5是分立式发射极台架4的定位和导向孔,简化了之前平板弹性压接的设计,但可以达到相同的效果。
除上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,其特征在于:包含上盖(1)和陶瓷底座(2);所述上盖(1)包含集电极圆盘(1-2)和集电极法兰(1-1),所述集电极法兰(1-1)同心焊在集电极圆盘(1-2)的外边缘;所述陶瓷底座(2)包含自上而下叠合同心焊接的发射极法兰(2-4)、瓷环(2-3)和发射极密封圈(2-2);所述发射极密封圈(2-2)内同心焊接有发射极圆盘(2-1);所述瓷环(2-3)内壁焊有栅极引出端(6)。
2.根据权利要求1所述的一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,其特征在于:所述发射极圆盘(2-1)包含分立式发射极台架(4)、弹簧安置孔(5)和弹簧(3),所述分立式发射极台架(4)有序排列设在发射极圆盘(2-1)上,相应地,所述弹簧安置孔(5)对应于分立式发射极台架(4)分列布置,所述弹簧(3)放于弹簧安置孔(5)内,所述分立式发射极台架(4)部分在弹簧安置孔(5)内与弹簧(3)接触,部分高于发射极圆盘(2-1),使得高出部分保持在同一平面上。
3.根据权利要求2所述的一种弹性压接式IGBT陶瓷管壳,其特征在于:所述分立式发射极台架(4)为圆柱形状,便于加工和导向。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201820821560.7U CN208738219U (zh) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | 一种弹性压接式igbt陶瓷管壳 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201820821560.7U CN208738219U (zh) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | 一种弹性压接式igbt陶瓷管壳 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN208738219U true CN208738219U (zh) | 2019-04-12 |
Family
ID=66023141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201820821560.7U Active CN208738219U (zh) | 2018-05-30 | 2018-05-30 | 一种弹性压接式igbt陶瓷管壳 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN208738219U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110047805A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-23 | 无锡天杨电子有限公司 | 一种igbt陶瓷管壳应力自适应调节结构 |
CN110416187A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-05 | 西安中车永电电气有限公司 | 一种新型压接式igbt内部封装结构 |
-
2018
- 2018-05-30 CN CN201820821560.7U patent/CN208738219U/zh active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110047805A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-23 | 无锡天杨电子有限公司 | 一种igbt陶瓷管壳应力自适应调节结构 |
CN110416187A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-05 | 西安中车永电电气有限公司 | 一种新型压接式igbt内部封装结构 |
CN110416187B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-07-09 | 西安中车永电电气有限公司 | 一种新型压接式igbt内部封装结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108172617B (zh) | 一种圆形大尺寸igbt芯片压接封装结构及制造方法 | |
CN103515365B (zh) | 一种大功率压接式igbt器件 | |
CN208738219U (zh) | 一种弹性压接式igbt陶瓷管壳 | |
CN108198989A (zh) | 连接构件和充电电池 | |
CN107240571B (zh) | 功率半导体芯片,包括该芯片的子模组及压接式封装模块 | |
CN102270640B (zh) | 大电流整晶圆全压接平板式封装的igbt及其制造方法 | |
EP4254490A1 (en) | Semiconductor device assembly, crimping power semiconductor module, and manufacturing method | |
CN104465549A (zh) | 一种功率半导体模块 | |
CN203481226U (zh) | 一种大功率压接式igbt器件 | |
CN105355605A (zh) | 大功率全压接式igbt多模架陶瓷管壳 | |
CN103617962B (zh) | 一种基片电镀夹具 | |
CN210670776U (zh) | 电路板及led模组 | |
CN218827727U (zh) | 电池、电池包和车辆 | |
CN207134172U (zh) | 一种添入gdt的复合型mov | |
CN203150566U (zh) | 一种背接触太阳能电池片 | |
CN105405909A (zh) | Mwt太阳能电池 | |
CN210200756U (zh) | 高压倒装led光源 | |
CN205845707U (zh) | 一种双电极高压陶瓷电容器 | |
CN210325751U (zh) | 一种用于半导体芯片的弹性封装结构 | |
CN210231845U (zh) | 一种具有阻银结构的薄型电极钎焊陶瓷管壳 | |
CN208336534U (zh) | 一种用于无线网桥的接地设备 | |
CN113555579A (zh) | 一种燃料电池电堆集流板 | |
CN221262545U (zh) | 一种电池盖板 | |
CN213211841U (zh) | 一种双面电阻层结构的大功率抗浪涌合金片电阻 | |
CN218334025U (zh) | 一种锂电池顶盖组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |