CN208729488U - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及基板处理装置，用于进行基板研磨工序，其包括：基板放置部，其用于放置基板；第一研磨垫，其研磨基板；第二研磨垫，其与第一研磨垫独立地研磨基板；调节单元，其在第一研磨垫与第二研磨垫中的某一个研磨基板期间，调节第一研磨垫与第二研磨垫中的另一个。本实用新型可以提高基板的处理效率并缩短处理时间。

Description

基板处理装置

技术领域

本实用新型涉及基板处理装置，更具体而言，涉及一种能够简化基板的处理工序并缩短处理时间的基板处理装置。

背景技术

最近，随着对信息显示装置关心的高涨，对要利用能携带的信息介质的要求正在提高，同时正在重点进行对替代原有显示装置的阴极射线管(Cathode Ray Tube；CRT)的轻薄型平板显示装置(Flat Panel Display；FPD)的研究及商业化。

在这种平板显示装置领域，迄今轻巧而耗电少的液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay Device；LCD)是最受瞩目的显示装置，但液晶显示装置不是发光元件而是受光元件，在亮度、对比度(contrast ratio)及视野角等方面存在缺点，因此正在开展对能够克服这种缺点的新显示装置的活跃开发。其中，作为最近倍受瞩目的新一代显示装置之一，有有机发光显示装置(OLED:Organic Light Emitting Display)。

一般而言，显示装置中使用强度及透过性优秀的玻璃基板，最近，显示装置趋向紧凑化及高像素(high-pixel)，因而应可以准备与此相应的玻璃基板。

作为一个示例，作为OLED工序之一，在向非晶硅(a-Si)照射激光而结晶成多晶硅(poly-Si)的ELA(Eximer Laser Annealing，准分子激光晶化)工序中，在多晶硅结晶的同时，表面会发生凸起，这种凸起可能发生不均衡现象(mura-effects)，因此，玻璃基板应进行研磨处理，以便去除凸起。

为此，最近进行了旨在高效研磨基板表面的多样研究，但还远远不够，要求对此进行开发。

实用新型内容

所要解决的技术问题

本实用新型目的在于提供一种能够提高基板的处理效率、缩短处理时间的基板处理装置。

特别是本实用新型目的在于，能够缩短基板研磨需要的时间，提高生产率。

另外，本实用新型目的在于，能够缩短研磨垫调节所需的时间，提高生产率。

另外，本实用新型目的在于，能够提高研磨稳定性及研磨均匀度。

技术方案

旨在达成所述本实用新型目的的本实用新型提供一种基板处理装置，用于进行基板的研磨工序，其包括：基板放置部，其用于放置基板；第一研磨垫，其研磨基板；第二研磨垫，其与第一研磨垫独立地研磨基板。

其中，还可以包括门架单元，其沿着基板进行移动的第一方向移动。

其中，移动体可以为2个以上，安装于门架单元并沿第二方向移动，包括第一移动体和第二移动体；第一研磨垫和第二研磨垫分别安装于第一移动体和第二移动体，沿着第二方向移动。

其中，门架单元可以为2个以上，沿着第一方向配置，包括第一门架单元和第二门架单元，第一研磨垫在第一门架单元中沿第二方向移动，第二研磨垫在第二门架单元中沿第二方向移动。

其中，第二方向可以与第一方向直交。

其中，还可以包括：调节单元，其在第一研磨垫与第二研磨垫中的某一个研磨基板期间，调节第一研磨垫与第二研磨垫中的另一个。

其中，调节单元可以安装于门架单元，门架单元安装有第一研磨垫和第二研磨垫，沿第一方向移动。

其中，门架单元可以包括：门架主体，其沿着基板的第一方向进行直线移动；第一移动体，其用于安装第一研磨垫，安装于门架主体，沿着与第一方向直交的第二方向进行直线移动；第二移动体，其用于安装第二研磨垫，安装于门架主体，沿着第二方向进行直线移动。

其中，调节单元可以包括：第一调节器，其在第二研磨垫研磨基板期间，调节第一研磨垫；第二调节器，其在第一研磨垫研磨基板期间，调节第二研磨垫。

其中，第一调节器可以沿着第二方向，配备于门架主体的一端，第二调节器沿着第二方向，配备于门架主体的另一端。

其中，第一调节器可以与第二调节器配置于基板的外侧区域。

其中，门架单元可以包括：第一门架单元，其使第一研磨垫相对于基板移动；第二门架单元，其与第一门架独立地使第二研磨垫相对于基板移动。

其中，调节单元可以包括：第一调节器，其安装于第一门架单元，在第二研磨垫研磨基板期间，调节第一研磨垫；第二调节器，其安装于第二门架单元，在第一研磨垫研磨基板期间，调节第二研磨垫。

其中，第一调节器和第二调节器可以配置于基板的外侧区域。

其中，可以包括隔断单元，其安装于门架单元，将通过调节单元进行调节工序的空间与除此之外的空间隔断。

其中，可以包括垫清洗单元，其配备于隔断单元的内部，清洗第一研磨垫或第二研磨垫。

其中，在隔断单元的内部，能够将第一研磨垫或第二研磨垫更换为后续研磨垫。

其中，基板放置部可以包括：移送带，其能沿既定路径移动，在外表面安放基板；基板支撑部，其配置于移送带的内部，隔着移送带支撑基板的底面。

另一方面，本实用新型的基板处理装置用于进行基板的研磨工序，其包括：基板放置部，其用于放置基板；第一研磨垫，其研磨基板；第二研磨垫，其与第一研磨垫独立地研磨基板；第三研磨垫，其与第一研磨垫隔开地配置，与第一研磨垫同时研磨基板；第四研磨垫，其与第二研磨垫隔开地配置，与第二研磨垫同时研磨基板。

其中，可以包括：第一门架单元，其使第一研磨垫和第二研磨垫相对于基板移动；第二门架单元，其使第三研磨垫和第四研磨垫相对于基板移动。

其中，还可以包括：第一调节单元，其在第一研磨垫与第二研磨垫中的某一个研磨基板期间，调节第一研磨垫和第二研磨垫中的另一个；第二调节单元，其在第三研磨垫和第四研磨垫中的某一个研磨基板期间，调节第三研磨垫和第四研磨垫中的另一个。

其中，第一调节单元可以安装于第一门架单元，第二调节单元安装于第二门架单元。

其中，第一调节单元可以包括：第一调节器，其在第二研磨垫研磨基板期间，调节第一研磨垫；第二调节器，其在第一研磨垫研磨基板期间，调节第二研磨垫，第二调节单元包括：第三调节器，其在第四研磨垫研磨基板期间，调节第三研磨垫；第四调节器，其在第三研磨垫研磨基板期间，调节第四研磨垫。

其中，第一调节器、第二调节器、第三调节器、第四调节器可以配置于基板的外侧区域。

其中，可以包括：第一隔断单元，其安装于第一门架单元，将通过第一调节单元进行调节工序的空间与除此之外的空间隔断；第二隔断单元，其安装于第二门架单元，将通过第二调节单元进行调节工序的空间与除此之外的空间隔断。

其中，可以包括：第一垫清洗单元，其配备于第一隔断单元的内部，清洗第一研磨垫或第二研磨垫；第二垫清洗单元，其配备于第二隔断单元的内部，清洗第三研磨垫或第四研磨垫。

其中，第一研磨垫和第二研磨垫可以研磨基板的第一区域，第三研磨垫和第四研磨垫研磨基板的第二区域。

有益效果

综上所述，根据本实用新型，可以提高基板的处理效率并缩短处理时间。

特别是，根据本实用新型，在进行基板的研磨工序期间，一同进行研磨垫的调节工序，从而可以提高基板的处理效率并缩短处理时间。

特别是，根据本实用新型，可以缩短研磨垫调节需要的时间并提高生产率及收率。

另外，根据本实用新型，能够简化设备，节省制造费用，提高空间利用率。

另外，根据本实用新型，可以提高研磨稳定性及研磨均匀度。

附图说明

图1是图示本实用新型的基板处理装置的构成的俯视图。

图2是用于说明本实用新型的基板处理装置的研磨部分的侧视图。

图3及图4是用于说明本实用新型的基板处理装置的调节单元的俯视图。

图5及图6是用于说明本实用新型的基板处理装置的调节单元的另一实施例的俯视图。

图7及图8是用于说明本实用新型的基板处理装置的调节单元的又一实施例的俯视图。

图9是用于本实用新型的基板处理装置的说明卡环的图。

图10是用于说明本实用新型的基板处理装置的垫清洗单元的图。

图11至图13是用于说明本实用新型另一实施例的基板处理装置的图。

附图标记

10：基板处理装置

20：门架单元 22：门架主体

24：第一移动体 24'：第二移动体

30：第二门架单元 40：第一门架单元

100：装载部分 200：研磨部分

210：基板放置部 212：基板支撑部

214：表面垫 214'：移送带

216：卡环 216a：基板容纳部

217：辊单元 217a：第一辊

217b：第二辊 221：第一研磨垫

222：第二研磨垫 223：第三研磨垫

224：第四研磨垫 230：调节单元

232：第二调节器 234：第一调节器

236：第三调节器 238：第四调节器

240：隔断单元 250：垫清洗单元

300：卸载部分

具体实施方式

下面参照附图，详细说明本实用新型的优选实施例，但并非本实用新型由实施例限制或限定。作为参考，在本说明中，相同的标记指称实质上相同的要素，在这种规则下，可以引用不同图中记载的内容进行说明，判断为从业人员不言而喻或重复的内容可以省略。

参照图1至图10，本实用新型的基板处理装置10包括：基板放置部210，其用于旋转基板W；第一研磨垫221，其研磨基板W；第二研磨垫222，其与第一研磨垫221独立地研磨基板W；调节单元230，其在第一研磨垫221与第二研磨垫222中的某一个研磨基板W期间，调节第一研磨垫221和第二研磨垫222中的另一个。

这是为了简化基板W的处理工序并缩短处理时间。

即，研磨基板的研磨垫需能够根据既定使用时间而周期性地改性(调节)或更换。可是，研磨垫改性所需的时间越增加，基板的处理效率及生产率越低下，因而需能够缩短研磨垫的改性所需的时间。

但是，以往在进行研磨垫的改性工序期间，需要中断基板的研磨工序，因此，存在基板的处理效率及生产率低下、基板处理时间增加的问题。特别是研磨垫的改性工序需要数分钟(例如，10分钟)以上的时间，在研磨垫的改性工序中，借助研磨垫的基板研磨工序中断，因而不可避免地存在基板处理时间增加、处理效率低下的问题。

但是，本实用新型利用至少2个研磨垫研磨基板，且在某一个研磨垫执行对基板的研磨工序期间，进行对剩余另一个研磨垫的改性工序，从而可以缩短研磨垫改性所需的时间并提高基板的处理效率及生产率。

更重要的是，在使研磨垫相对于基板移动的门架(gantry)上配备对研磨垫进行改性的调节单元，从而可以使研磨垫改性工序所需的研磨垫的移动路径实现最小化并提高设计自由度及空间利用率。

基板放置部210配置于装载部分100与卸载部分300之间，供应到装载部分的基板W移送到基板放置部210，在安放于基板放置部210的状态下研磨后，通过卸载部分300卸载。

更具体而言，装载部分100配备用于把拟研磨处理的基板W装载到研磨部分200。

装载部分100可以以能在研磨部分200装载基板W的多样结构形成，并非本实用新型由装载部分100的结构限制或限定。

作为一个示例，装载部分100包括设置预定间隔隔开地配置的多个装载移送辊110，供应到多个装载移送辊110的上部的基板W随着装载移送辊110的旋转而被多个装载移送辊相互协助地移送。根据情况，装载部分也可以包括借助装载移送辊而循环旋转的循环皮带结构。

而且，供应到装载部分100的基板W在供应到装载部分100之前，借助对齐单元(图上未示出)，姿势及位置可以排列为既定的姿势和位置。

作为参考，作为本实用新型中使用的基板W，可以使用一侧边的长度大于1m的四边形基板W。作为一个示例，作为执行化学机械式研磨工序的被处理基板W，可以使用具有1500㎜*1850㎜尺寸的第六代玻璃基板W。根据情况，第七代及第八代玻璃基板也可以用作被处理基板。不同于此，也可以使用一侧边长度小于1m的基板(例如，第二代玻璃基板)。

基板放置部210和研磨单元220配备得在装载部分100与卸载部分300之间构成研磨部分。

基板放置部210可以以能够放置基板W的多样结构配备，基板放置部210的结构及形态可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。

作为一个示例，基板放置部210包括基板支撑部212和表面垫214，所述表面垫214配备于基板支撑部212的上表面，提高对基板W的摩擦系数并抑制滑动，基板W安放于表面垫214的上表面。

作为参考，在本实用新型中，所谓研磨基板W，定义为借助对基板W的机械研磨工序或化学机械式研磨(CMP)工序而研磨基板W。作为一个示例，在研磨部分进行对基板W的机械研磨期间，一同供应用于化学研磨的浆料，进行化学机械式研磨(CMP)工序。此时，浆料可以在第二研磨垫222的内侧区域供应，或第二研磨垫222的外侧区域供应。

基板支撑部212支撑基板W的底面。

基板支撑部212根据要求的条件及设计规格，构成为以多样方式支撑基板W的底面。

下面列举基板支撑部212以大致四边形板状形成的示例进行说明。根据情况，基板支撑部也可以以其他不同形状及结构形成，也可以利用2个以上的基板支撑部，支撑基板的底面。

而且，作为基板支撑部212，可以使用花岗石平板。根据情况，基板支撑部可以以金属材质或多孔性材质形成，并非本实用新型由基板支撑部的材质所限制或限定。

在基板支撑部212的上表面具备表面垫214，所述表面垫214提高对基板W的摩擦系数，抑制滑动。

如上所述，在基板支撑部212的上表面配备表面垫214，使得基板W安放于表面垫214的外表面，从而在基板W放置于基板支撑部212的状态下，可以约束基板W相对于基板支撑部212的移动(约束滑动)，可以稳定地保持基板W的配置位置。

表面垫214可以由具有与基板W的粘合性的多样材质形成，并非本实用新型由表面垫214的材质所限制或限定。作为一个示例，表面垫214可以利用伸缩性及粘性(摩擦力)优秀的聚氨酯、工程塑料、硅中的一个以上形成。根据情况，也可以以具有防滑功能的其他材质形成表面垫。

另外，表面垫214形成为具有比较高的压缩率。其中，所谓表面垫214形成为具有比较高的压缩率，定义为表面垫214可以表现得具有比较高的延伸率，表面垫214由可以容易被压缩的松软的材质形成。

优选地，表面垫214形成为具有20～50％的压缩率。如上所述，借助表面垫214形成为具有20～50％的压缩率，即使异物质流入基板W与表面垫214之间，与异物质的厚度相应，表面垫214可以容易被压缩，因此能够使异物质导致的基板W高度偏差(基板W的特定部位因异物质而局部凸出)最小化，可以使基板W的特定部位局部凸出而导致的研磨均匀度下降最小化。

另一方面，在前述及图示的本实用新型的实施例中，列举基板支撑部212构成为以接触方式支撑基板W的示例进行说明，但根据情况，基板支撑部也可以构成为以非接触方式支撑基板的底面。

作为一个示例，基板支撑部可以构成为向基板的底面喷射流体，借助流体的喷射力而支撑基板的底面(或表面垫的底面)。此时，基板支撑部可以向基板的底面喷射气体(例如，空气)和液体(例如，纯水)中至少某一种，流体的种类可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。

根据情况，基板支撑部也可以构成为利用磁力(例如，斥力；repulsive force)或超声波振动引起的上浮力，以非接触方式支撑基板的内表面。

第一研磨垫221配备得以接触基板W表面的状态研磨基板W的表面。

作为一个示例，第一研磨垫221以小于基板W的尺寸形成，以接触基板W的状态自转并移动。

更具体而言，第一研磨垫221安装于第一研磨垫221载体(图上未示出)，以接触基板W表面的状态自转并线性研磨(平坦化)基板W的表面。

第一研磨垫221载体可以以能使第一研磨垫221自转的多样结构形成，并非本实用新型由第一研磨垫221载体的结构所限制或限定。作为一个示例，第一研磨垫221载体可以以一个主体构成，或由多个主体结合构成，构成为与驱动轴(图上未示出)连接并旋转。另外，第一研磨垫221载体具备用于将第一研磨垫221加压于基板表面的加压部(例如，利用空气压力对研磨垫加压的空气压力加压部)。

第一研磨垫221以适合对基板W进行机械式研磨的材质形成。例如，第二研磨垫222可以利用聚氨酯、聚脲(polyurea)、聚酯、聚醚、环氧树脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、氟聚合物、乙烯聚合物、丙烯酸及甲基丙烯酸聚合物、硅橡胶、乳胶、丁腈橡胶、异戊二烯橡胶、聚丁橡胶及苯乙烯、丁二烯及丙烯腈的多样共聚物而形成，第一研磨垫221的材质及特性可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。

优选地，作为第一研磨垫221，使用具有小于基板W的大小的圆形研磨垫。即，也可以使用具有大于基板W的大小的研磨垫来研磨基板W，但如果使用具有大于基板W的大小的研磨垫，那么，为了使研磨垫自转，需要很大的旋转装备及空间，因此，存在空间效率性及设计自由度低下、稳定性低下的问题。更优选地，第一研磨垫221可以形成为具有小于基板横向长度或纵向长度1/2的直径。不同于此，第一研磨垫221可以形成为具有小于基板横向长度或纵向长度1/2以上的直径。

实质上，基板至少一侧边的长度具有大于1m的大小，因此，使具有大于基板的大小的研磨垫(例如，具有大于1m的直径的研磨垫)自转本身就存在很困难的问题。另外，如果使用非圆形研磨垫(例如，四边形研磨垫)，则借助自转的研磨垫而研磨的基板的表面无法整体上研磨成均匀的厚度。但是，本实用新型使具有小于基板W的大小的圆形的第一研磨垫221自转而研磨基板W表面，从而可以在不极大降低空间效率性及设计自由度的同时，使第一研磨垫221自转而研磨基板W，可以整体上均匀保持第一研磨垫221的研磨量。

同样地，第二研磨垫222配备得以接触基板W表面的状态研磨基板W的表面。此时，第二研磨垫222构成为与第一研磨垫221独立地研磨基板。

作为一个示例，第二研磨垫222以小于基板W的尺寸形成，以接触基板W的状态自转并移动。

更具体而言，第二研磨垫222安装于第二研磨垫222载体(图上未示出)，以接触基板W表面的状态自转并线性研磨(平坦化)基板W的表面。

第二研磨垫222载体可以以能使第二研磨垫222自转的多样结构形成，并非本实用新型由第二研磨垫222载体的结构所限制或限定。作为一个示例，第二研磨垫222载体可以以一个主体构成，或由多个主体结合构成，构成为与驱动轴(图上未示出)连接并旋转。另外，第二研磨垫222载体具备用于将第二研磨垫222加压于基板表面的加压部(例如，利用空气压力对研磨垫加压的空气压力加压部)。

第二研磨垫222以适合对基板W进行机械式研磨的材质形成。例如，第二研磨垫222可以利用聚氨酯、聚脲(polyurea)、聚酯、聚醚、环氧树脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、氟聚合物、乙烯聚合物、丙烯酸及甲基丙烯酸聚合物、硅橡胶、乳胶、丁腈橡胶、异戊二烯橡胶、聚丁橡胶及苯乙烯、丁二烯及丙烯腈的多样共聚物而形成，第二研磨垫222的材质及特性可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。

优选地，作为第二研磨垫222，使用具有小于基板W的大小的圆形研磨垫。更优选地，第二研磨垫222可以形成为具有小于基板横向长度或纵向长度1/2的直径。不同于此，第二研磨垫222可以形成为具有小于基板横向长度或纵向长度1/2以上的直径。

第一研磨垫221和第二研磨垫222根据要求的条件及设计样式，构成为以多样的方式相对于基板移动。

作为一个示例，第一研磨垫221和第二研磨垫222构成为借助门架单元20而相对于基板W移动。

更具体而言，门架单元20具备：门架主体22，其沿着基板移动的第一方向进行移动；移动体(24、24')，其用于安装第一研磨垫221，安装于门架主体22，沿着与第一方向直交的第二方向进行直线移动。在门架单元20的门架主体22，既可以只配备一个移动体，也可以如图所示，配备第一移动体24和第二移动体24'，第一研磨垫221和第二研磨垫222分别安装于第一移动体24和第二移动体24'，沿着第二方向进行直线移动。

作为一个示例，门架主体22可以以将“U”字形状倒转的形态形成，构成为沿着第一方向配置的导轨22a移动。

在导轨22a上交替排列N极和S极的永磁铁，门架主体22可以以能够根据接入门架主体22的线圈的电流控制而实现精密位置控制的线性电动机原理驱动。

门架主体22可以包括：第一支撑轴(图上未示出)和第二支撑轴(图上未示出)，其隔着基板W配置于基板W的两侧，能沿基板W的移送方向直线移动；及连接轴(图上未示出)，其连接第一支撑轴与第二支撑轴；第一移动体24和第二移动体24'能沿第二方向相互独立移动地安装于连接轴。

调节单元230配备得在第一研磨垫221和第二研磨垫222中的某一个研磨基板W期间，调节第一研磨垫221与第二研磨垫222中的另一个。

这是为了简化基板W的处理工序并缩短处理时间。

即，研磨基板的研磨垫需能够根据既定使用时间而周期性地改性(调节)或更换。可是，研磨垫改性所需的时间越增加，基板的处理效率及生产率越低下，因而需能够缩短研磨垫的改性所需的时间。

但是，以往在进行研磨垫的改性工序期间，需要中断基板的研磨工序，因而存在基板的处理效率及生产率低下、基板处理时间增加的问题。特别是研磨垫的改性工序要求数分钟(例如，10分钟)以上的时间，在研磨垫改性工序中，由于借助研磨垫的基板的研磨工序中断，因而不可避免地存在基板处理时间、处理效率低下的问题。

但是，本实用新型使得利用第一研磨垫221和第二研磨垫222研磨基板，且在第一研磨垫221(或第二研磨垫)研磨基板期间，进行对第二研磨垫222(或第一研磨垫)的改性工序，从而可以缩短研磨垫改性所需的时间并提高基板的处理效率及生产率。

作为一个示例，调节单元230在第一研磨垫221研磨基板W期间，调节第二研磨垫222，相反，在第二研磨垫222研磨基板W期间，调节第一研磨垫221。

更具体而言，参照图3，在通过第一研磨垫221进行基板W研磨工序期间，第二研磨垫222移动到配备于门架主体22的另一端的第二调节器232，通过第二调节器232进行调节。

相反，如图4所示，在通过第二研磨垫222进行基板W研磨工序期间，第一研磨垫221移送到配备于门架主体22的一端的第一调节器234，通过第一调节器234进行调节。

作为参考，所谓调节单元230调节第一研磨垫221、第二研磨垫222，定义为以预先确定的加压力对第一研磨垫221、第二研磨垫222的表面加压并细微切削，改性使得在研磨垫表面形成的微孔露出于表面。

换句话说，调节单元230细微地切削第一研磨垫221、第二研磨垫222的外表面，以便在第一研磨垫221、第二研磨垫222外表面起到盛装由研磨剂和化学物质混合的浆料的作用的大量发泡微孔不被堵塞，使第一研磨垫221、第二研磨垫222的发泡气孔中填充的浆料顺利供应给基板。

优选地，调节单元230安装于使第一研磨垫221和第二研磨垫222相对于基板移动的门架单元20。作为一个示例，调节单元230安装于门架单元20的门架主体22。

更具体而言，参照图2至图4，调节单元230包括：第一调节器234，其在第二研磨垫222研磨基板期间，调节第一研磨垫221；第二调节器232，其在第一研磨垫221研磨基板期间，调节第二研磨垫222。此时，第一调节器234沿着第二方向配备于门架主体22的一端，第二调节器232沿着第二方向配备于门架主体22的另一端。

如上所述，将改性研磨垫221、222的调节单元230配备于使研磨垫221、222相对于基板移动的门架单元20，从而可以使研磨垫221、222改性工序所需的第一研磨垫221、第二研磨垫222的移动实现最小化并提高设计自由度及空间利用率。

当然，根据情况，也可以使研磨基板的研磨垫移动到门架单元的外侧(借助门架单元20的研磨垫的移动路径外侧)后，进行对研磨垫的调节工序。但是，研磨垫的移动路径越长，研磨垫调节工序所需的时间越增加，在研磨垫移动期间，存在研磨垫残留的浆料等异物质在研磨垫固着的忧虑。因此，优选在门架单元20上立即直接对研磨基板W的第一研磨垫221、第二研磨垫222进行调节，以便能够使进行调节工序所需的研磨垫的移动实现最小化，使异物质的固着实现最小化。

作为第一调节器234和第二调节器232，可以使用能够改性第一研磨垫221、第二研磨垫222表面的通常的调节器，并非本实用新型由调节器的种类及结构所限制或限定。作为一个示例，调节器232、234可以利用外壳(图上未示出)把持在调节工序中接触研磨垫的调节盘(图上未示出)，在外壳内部内置电动机及齿轮箱等，以便使调节盘的旋转轴(图上未示出)旋转。另外，为了将位于以旋转轴为中心进行回旋的臂(图上未示出)的末端的调节盘向下部方向加压，可以在外壳的内部安装有借助空压而向下部方向加压的汽缸等加压装置(图上未示出)。而且，从旋转中心延长至外壳的臂进行摆动(sweep)运动，从而可以在研磨垫的广泛面积上，执行对发泡气孔的微小切削。根据情况，在调节盘上，在为了研磨垫的微小切削而与研磨垫接触的面，也可以附着有金刚石颗粒。

优选地，第一调节器234和第二调节器232配置于基板W的外侧区域，对第一研磨垫221的调节工序在基板W的外侧区域进行。

如上所述，使得对第一研磨垫221(或第二研磨垫)的调节工序在基板W的外侧区域进行，从而可以使调节工序中发生的异物质落下到基板W上表面的情形实现最小化并无干扰地充分确保对基板W进行研磨工序的第二研磨垫222(第一研磨垫)的移动路径(研磨路径)。

作为参考，第一研磨垫221和第二研磨垫222对基板W的研磨路径可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。

作为一个示例，第一研磨垫221(第二研磨垫)构成为沿着相对于基板W一边倾斜的第一斜线路径(图中未示出)、向第一斜线路径的相反方向倾斜的第二斜线路径(图中未示出)反复进行Z字形移动并研磨基板W的表面。

其中，所谓第一斜线路径，意味着例如相对于基板W底边倾斜预定角度θ的路径。另外，所谓第二斜线路径，意味着与第一斜线路径交叉地朝向第一斜线路径相反方向倾斜预定角度的路径。

另外，在本实用新型中，所谓第一研磨垫221沿着第一斜线路径和第二斜线路径反复进行Z字形移动，定义为第一研磨垫221在以接触基板W表面的状态移动期间，第一研磨垫221相对于基板W的移动路径不中断而转换为其他方向(从第一斜线路径转换为第二斜线路径)。换句话说，第一研磨垫221沿着第一斜线路径和第二斜线路径连续移动，形成连续连接的波形态的移动轨迹。

更具体而言，第一斜线路径和第二斜线路径以基板W的一边为基准构成线对称，第一研磨垫221沿着第一斜线路径和第二斜线路径反复进行Z字形移动，研磨基板W的表面。此时，所谓第一斜线路径和第二斜线路径以基板W一边为基准构成线对称，意味着当使第一斜线路径和第二斜线路径以基板W的一边11为中心对称时，第一斜线路径与第二斜线路径完全重叠，定义为基板W的一边与第一斜线路径构成的角度、基板W的一边与第二斜线路径构成的角度相互相同。

优选地，第一研磨垫221以小于或等于第一研磨垫221直径的长度为往复移动间隔，沿着第一斜线路径和第二斜线路径，相对于基板W进行往复移动。下面，说明第一研磨垫221将与第一研磨垫221直径相应的长度当作往复移动间隔，沿着第一斜线路径和第二斜线路径，相对于基板W规则地进行往复移动的示例。

如上所述，使得第一研磨垫221相对于基板W，沿着第一斜线路径和第二斜线路径反复地进行Z字形移动并同时研磨基板W的表面，且第一研磨垫221以小于或等于第一研磨垫221直径的长度为往复移动间隔，相对于基板W进行前进移动，从而可以在基板W的全体表面区域，没有第一研磨垫221研磨遗漏区域地规则地均匀研磨基板W全体表面。

其中，所谓第一研磨垫221相对于基板W进行前进移动，定义为第一研磨垫221沿着第一斜线路径和第二斜线路径，在相对于基板W移动的同时朝向基板W前方(例如，以图3为基准，从基板底边朝向上边)直进移动。换句话说，以由底边、斜边、对边构成的直角三角形为例，直角三角形的底边可以定义为基板W的底边，直角三角形的斜边可以定义为第一斜线路径或第二斜线路径，直角三角形的对边可以定义为第一研磨垫221相对于基板W的前进移动距离。

换句话说，使得以小于或等于第一研磨垫221直径的长度为往复移动间隔，第一研磨垫221相对于基板W反复进行Z字形移动(沿着第一斜线路径和第二斜线路径移动)并研磨基板W，从而可以防止在基板W的全体表面区域发生第一研磨垫221遗漏研磨的区域，因而可以均匀地控制基板W的厚度偏差，相对于二维板面均匀地调节基板W的厚度分布，提高研磨品质。

作为另一示例，第一研磨垫221也可以沿着基板W一边方向的第一直线路径(图上未示出)、第一直线路径相反方向的第二直线路径(图上未示出)，反复进行Z字形移动并研磨基板W的表面。其中，所谓第一直线路径，例如意味着从基板底边一端朝向另一端方向的路径。另外，所谓第二直线路径，意味着朝向与第一直线路径相反方向的路径。

另一方面，虽然图中未示出，基板在研磨工序中不停地移动，在沿着基板行进方向移动期间，研磨垫的移动体随着门架主体沿Y轴方向往复移动，从而研磨垫可以在相对于基板而沿着Z字形形态的路径移动的同时执行研磨工序。在这种情况下，前述或后述的所有构成也可以一同应用。

另外，基板处理装置10包括隔断单元240，所述隔断单元240安装于门架单元20，将通过调节单元230进行调节工序的空间与除此之外的空间隔断。

其中，所谓进行调节工序的空间，可以定义为借助调节单元230而进行对第一研磨垫221、第二研磨垫222的调节工序的空间，调节单元230的调节空间可以以借助隔断单元240而独立地密闭的腔室结构提供。

隔断单元240可以以能够形成与外部隔断的独立密闭空间的多样结构提供。作为一个示例，隔断单元240包括：外壳(图上未示出)，其包围调节器232、234周边地提供，形成独立的调节空间；开闭构件(图上未示出)，其开闭外壳的出入口。而且，第一研磨垫221、第二研磨垫222可以通过外壳的出入口而出入。

如上所述，进行对第一研磨垫221、第二研磨垫222的调节工序的空间被隔断单元240隔断，从而可以使调节工序中发生的异物质流出到基板W的上表面或周边部件实现最小化并防止异物质导致的研磨稳定性及可靠性低下。

另外，参照图10，基板处理装置10包括垫清洗单元250，所述垫清洗单元250配备于隔断单元240的内部，清洗第一研磨垫221或第二研磨垫222。

作为垫清洗单元250，可以使用能够去除在第一研磨垫221、第二研磨垫222表面残留的异物质的多样清洗装置，并非本实用新型由垫清洗单元250的种类及清洗方式所限制或限定。作为一个示例，垫清洗单元250可以包括向第一研磨垫221、第二研磨垫222的表面喷射清洗液(例如，纯水)的清洗液喷射部。根据情况，也可以利用接触式清洗装置(刷)或真空吸入方式清洗研磨垫的表面。

另外，在隔断单元240中，不仅可以进行第一研磨垫221、第二研磨垫222的调节工序及清洗工序，而且可以将使用周期结束的第一研磨垫221、第二研磨垫222更换为后续研磨垫。

作为一个示例，在借助第一研磨垫221而进行对基板W的研磨工序期间，在隔断单元240中，使用周期结束的第二研磨垫222可以更换为后续研磨垫。

如上所述，使得在进行对基板W的研磨工序期间，进行研磨垫的更换工序，从而，即使在研磨垫更换时，也可以在不中断基板研磨工序的情况下，连续处理基板，可以提高基板的处理效率并提高生产率。

在前述及图示的本实用新型的实施例中，列举第一研磨垫221和第二研磨垫222只安装于一个门架单元的示例进行说明，但根据本实用新型的另一实施例，也可以将第一研磨垫221和第二研磨垫222安装于互不相同的门架上。即，根据本实用新型，可以沿着基板的移送方向配备2个以上的门架单元，在各个门架单元具备1或2个以上的研磨垫。

与此同时，为了调节沿着基板的移送方向安装于2个以上门架单元的研磨垫，调节单元230可以分别具备1个或2个以上。

即，在图5及图6中，示例性图示了在一个门架30、40各具备一个第一研磨垫221、第二研磨垫222的构成，但根据本实用新型的另一实施例，每个门架30、40也可以以图2及图3所示的形态，具备2个以上的研磨垫。

参照图5及图6，本实用新型另一实施例的门架单元20包括：第一门架单元40，其使所述第一研磨垫221相对于基板进行移动；第二门架单元30，其与第一门架单元40独立地使第二研磨垫222相对于基板进行移动。

第一门架单元40包括：门架主体(参照图2的22)，其沿着基板的第一方向进行直线移动；移动体(参照图2的24)，其用于安装第一研磨垫221，安装于门架主体22，沿着与第一方向直交的第二方向进行直线移动。

第二门架单元30从第一门架单元40隔开地配置，且包括：门架主体(参照图2的22)，其沿着基板的第一方向进行直线移动；移动体(参照图2的24)，其用于安装第二研磨垫222，安装于门架主体22，沿着与第一方向直交的第二方向进行直线移动。

另外，调节单元230包括：第一调节器234，其安装于第一门架单元40，在第二研磨垫222研磨基板期间，调节第一研磨垫221；第二调节器232，其安装于第二门架单元30，在第一研磨垫221研磨基板期间，调节第二研磨垫222。

作为一个示例，第一调节器234可以配置于第一门架单元40的门架主体22的另一端，第二调节器232可以配置于第二门架单元30的门架主体22的一端。根据情况，也可以使第一调节器与第二调节器的安装位置(一端或另一端)互不相同，或相互相同。

优选地，第一调节器234和第二调节器232均配备于基板W的外侧区域，对第一研磨垫221(或第二研磨垫)的调节工序在基板W的外侧区域进行。

根据如上所述的结构，如图5所示，第一研磨垫221借助第一门架单元40而相对于基板W进行移动并研磨基板。在通过第一研磨垫221进行基板W研磨工序期间，安装于第二门架单元30的第二研磨垫222移动到第二调节器232，通过第二调节器232进行调节。

相反，如图6所示，第二研磨垫222借助第二门架单元30，相对于基板W进行移动并研磨基板W。在通过第二研磨垫222进行基板W研磨工序期间，安装于第一门架单元40的第一研磨垫221移动到第一调节器234，通过第一调节器234进行调节。

另一方面，根据本实用新型的又一实施例，也可以构成为2个以上研磨垫同时研磨单一基板。而且，对于与前述构成相同及相当于相同的部分，赋予相同或相当于相同的附图标记，省略对此的详细说明。

参照图7及图8，本实用新型另一实施例的基板处理装置包括：基板放置部210，其用于放置基板W；第一研磨垫221，其研磨基板W；第二研磨垫222，其与第一研磨垫221独立地研磨基板W；第一调节单元230，其在第一研磨垫221与第二研磨垫222中的某一个研磨基板W期间，调节第一研磨垫221与第二研磨垫222中的另一个；第三研磨垫223，其与第一研磨垫221隔开地配置，与第一研磨垫221同时研磨基板W；第四研磨垫224，其与第二研磨垫222隔开地配置，与第二研磨垫222同时研磨基板W；第二调节单元230'，其在第三研磨垫223与第四研磨垫224中的某一个研磨基板W期间，调节第三研磨垫223与第四研磨垫224中的另一个。

如上所述，通过利用多个研磨垫(221～224)同时研磨单一基板W，可以进一步缩短基板W研磨时间并提高基板W处理效率。

特别是基板尺寸越大，整体研磨基板需要的时间越长，因此，例如第六代玻璃基板，利用单一研磨垫研磨整个基板需要5分钟以上，因而在进行研磨工序期间，存在异物质固化于基板的忧虑较高的问题，并存在清洗工序耗时长、清洗效果低的问题。但是，就本实用新型而言，即使基板尺寸增大，也可以缩短研磨需要的时间，可以使包括研磨颗粒等在内的异物质在基板上固着最小化。

作为一个示例，第一研磨垫221和第二研磨垫222研磨基板的第一区域Z1，第三研磨垫223和第四研磨垫224研磨基板的第二区域Z2。

优选地，第一研磨垫221和第二研磨垫222在基板W一端开始对基板W的研磨，研磨基板W的第一区域Z1，第三研磨垫223和第四研磨垫224在基板W中央部，开始对基板W的研磨，研磨基板W的第二区域Z2。根据情况，也可以是利用3个以上的研磨垫同时研磨单一基板。

另外，基板处理装置包括：第一门架单元40，其用于安装第一调节单元230，使第一研磨垫221和第二研磨垫222相对于基板W移动；第二门架单元30，其用于安装第二调节单元230'，使第三研磨垫223和所述第四研磨垫224相对于基板移动。根据情况，也可以构成为使第一研磨垫至第四研磨垫借助互不相同的4个门架而分别独立地移动。

而且，第一调节单元230包括：第一调节器234，其在第二研磨垫222研磨基板W期间，调节第一研磨垫221；第二调节器232，其在第一研磨垫221研磨基板W期间，调节第二研磨垫222；第二调节单元230'包括：第三调节器236，其在第四研磨垫224研磨基板W期间，调节第三研磨垫223；第四调节器238，其在第三研磨垫223研磨基板期间，调节第四研磨垫224。优选地，第一调节器234、第二调节器232、第三调节器236、第四调节器238配置于基板W的外侧区域。

参照图7，在通过第一研磨垫221和第三研磨垫223进行基板W研磨工序期间，第二研磨垫222通过第二调节器232进行调节，第四研磨垫224通过第四调节器238进行调节。

相反，参照图8，在通过第二研磨垫222和第四研磨垫224进行基板W研磨工序期间，第一研磨垫221通过第一调节器234进行调节，第三研磨垫223通过第三调节器236进行调节。

与前述实施例一样，基板处理装置包括：第一隔断单元，其安装于第一门架单元40，将通过第一调节单元230进行调节工序的空间与除此之外的空间隔断；第二隔断单元，其安装于第二门架单元30，将通过第二调节单元230'进行调节工序的空间与除此之外的空间隔断。

另外，在第一隔断单元的内部，配备有清洗第一研磨垫221或第二研磨垫222的第一垫清洗单元(参照图10的250)，在第二隔断单元的内部，配备有清洗第三研磨垫223或第四研磨垫224的第一垫清洗单元(参照图10的250)。

另一方面，参照图9，基板处理装置包括以包围基板W四周周边的方式、以在表面垫214的外表面凸出的形态配备的卡环216。

配备卡环216，以便在研磨工序中例如当研磨单元220的第二研磨垫222从基板W外侧区域进入基板W内侧区域时，使第二研磨垫222在基板W的边缘部位回弹的现象(弹跳现象)最小化，并且使由于第二研磨垫222回弹现象而引起的基板W边缘部位的非研磨区域(dead zone)(未被研磨垫研磨的区域)最小化。

更具体而言，在卡环216贯通形成有与基板W形态对应的基板容纳部216a，基板W在基板容纳部216a的内部安放于表面垫214的外表面。

在基板W容纳于基板容纳部216a的状态下，卡环216的表面高度具有与基板W边缘的表面高度类似的高度。如上所述，使得基板W的边缘部位和与基板W边缘部位邻接的基板W外侧区域(卡环区域)具有相互类似的高度，从而，在研磨工序中，在第二研磨垫222从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域移动，或从基板W的内侧区域向基板W的外侧区域移动期间，可以使基板W内侧区域与外侧区域间的高度偏差而导致的第二研磨垫222回弹现象最小化，并且可以使回弹现象而导致的非研磨区域最小化。

而且，卡环216从供基板W放置的基板放置部210的放置面凸出配备，研磨单元220的第二研磨垫222构成为以一同接触卡环216的上表面和基板W的上表面的状态，经过基板W的边缘，研磨基板W的上表面。

优选地，在通过研磨单元220的第二研磨垫222开始进行基板W研磨工序的研磨开始位置，第二研磨垫222的一部分接触卡环216的上表面，第二研磨垫222的另一部分以接触基板W上表面的状态配置。

如上所述，在研磨开始位置，研磨单元220的第二研磨垫222在同时接触基板W的上表面和卡环216的上表面的状态下开始研磨，从而可以进一步抑制在研磨单元220的第二研磨垫222经过基板W的边缘时，第二研磨垫222从基板W回弹的现象。

优选地，卡环216形成为具有小于等于基板W的厚度(T1≥T2)。如上所述，具有小于等于基板W的厚度T2地形成卡环216，从而可以在第二研磨垫222从基板W外侧区域移动到基板W内侧区域期间，使第二研磨垫222与卡环216碰撞导致的研磨单元220发生回弹现象最小化。

卡环216可以根据要求的条件而以多样材质形成。不过，由于第二研磨垫222接触卡环216，优选以在研磨工序时龟裂较小的聚乙烯(PE)、不饱和聚酯(unsaturatedpolyester；UPE)等的材质形成卡环216。

另一方面，卸载部分300配备用于将完成研磨处理的基板W从研磨部分200卸载。

即，在卸载部分300，卸载从基板放置部210分离的基板W。

卸载部分300可以以能够从研磨部分200卸载基板W的多样结构形成，并非本实用新型由卸载部分300的结构所限制或限定。

作为一个示例，卸载部分300包括设置预定间隔隔开地配置的多个卸载移送辊310，供应到多个卸载移送辊310的上部的基板W随着卸载移送辊310的旋转而被多个卸载移送辊310相互协助地移送。根据情况，卸载部分也可以包括借助卸载移送辊而循环旋转的循环皮带结构。

另一方面，图11至图13是用于说明本实用新型另一实施例的基板处理装置的图。而且，对于与前述构成相同或相当于相同的部分，赋予相同或相当于相同的附图标记，省略对此的详细说明。

参照图11至图13，根据本实用新型的另一实施例，基板放置部210'包括：移送带214'，其沿着既定路径进行移动，在外表面安放基板W；基板支撑部212，其配置于移送带214'的内部，隔着移送带214'支撑基板W的底面。

作为参考，与前述实施例一样，调节单元230构成为在第一研磨垫221进行研磨工序期间，调节第二研磨垫222。而且，在移送带214'的外表面，可以具备卡环216。

移送带214'可以根据要求的条件及设计规格，构成为以多样方式沿着既定路径移动。作为一个示例，移送带214'可以构成为沿着既定路径而循环旋转。

移送带214'的循环旋转可以根据要求的条件及设计规格而以多样方式确定。作为一个示例，移送带214'沿着由辊单元217确定的路径进行循环旋转，借助移送带214'的循环旋转，安放于移送带214'的基板W沿着直线移动路径进行移送。

移送带214'的移动路径(例如，循环路径)可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。作为一个示例，辊单元217包括第一辊217a、从第一辊217a平行地隔开配置的第二辊217b，移送带214'借助第一辊217a和第二辊217b而以无限循环方式进行循环旋转。

作为参考，所谓移送带214'的外表面，意味着露出于移送带214'的外侧的外侧表面，在移送带214'的外表面安放基板W。而且，所谓移送带214'的内表面，意味着第一辊217a和第二辊217b接触的移送带214'的内侧表面。

另外，第一辊217a和第二辊217b中的一个以上可以构成为选择性地向相互接近及离开的方向进行直线移动。作为一个示例，可以构成为第一辊217a固定，第二辊217b向接近及离开第一辊217a的方向直线移动。如上所述，根据制造公差及组装公差等，借助使第二辊217b相对于第一辊217a接近及离开，可以调节移送带214'的张力。

其中，所谓调节移送带214'的张力，定义为张紧或放松移送带214'而调节张力。根据情况，也可以配备另外的张力调节辊，使张力调节辊移动，调节移送带的张力。但是，优选使第一辊和第二辊中的一个以上移动，以便能够提高结构及空间利用性。

另外，基板处理装置包括装载控制部(图上未示出)，所述装载控制部在将基板W从装载部分100移送到研磨部分200的装载移送工序中，使装载部分100移送基板W的装载移送速度与移送带214'移送基板W的皮带移送速度同步。

更具体而言，如果基板W的一端配置于在移送带214'预先定义的安放开始位置SP，装载控制部则使装载移送速度与皮带移送速度同步。

其中，所谓在移送带214'的预先安放开始位置SP，定义为基板W借助移送带214'的循环旋转而可以开始移送的位置，在安放开始位置SP，赋予移送带214'与基板W间的粘合性。作为一个示例，安放开始位置SP可以设定在从装载部分100移送的与基板W的前端相向的基板容纳部216a的一边(或邻接基板容纳部的一边的位置)。

作为参考，如果借助诸如传感器或视觉相机的通常的感知设备，感知基板容纳部216a的一边位于安放开始位置SP，则移送带214'停止旋转，以便保持基板容纳部216a的一边位于安放开始位置SP的状态。

然后，在移送带214'的旋转停止状态下，如果借助感知装置而感知基板W的前端配置于安放开始位置SP，则装载控制部使移送带214'旋转(同步旋转)，使得装载部分100移送基板W的装载移送速度与移送带214'移送基板W的皮带移送速度成为相互相同的速度，使得基板W移送到研磨位置。

另外，移送带214'在使完成研磨的基板W移送既定区间以上的状态下，向从基板W的底面离开的方向移动。

更具体而言，参照图13，移送带214'构成为沿着既定路径进行循环旋转，移送基板W，基板W在移送带214'开始沿着旋转路径进行移动的位置(移送带沿着顺应第二辊外表面的曲线路径开始移动的位置)，随着移送带214'向从基板W的底面离开的方向移动而从移送带214'分离。

如上所述，使得在移送基板W的移送带214'使基板W移动既定区间以上的状态下，移送带214'向从基板W的底面离开的方向移动，从而，无需另外的拾起工序(例如，利用基板吸附装置的拾起工序)，便可以从移送带214'自然地分离基板W。

以往，为了使供应给装载部分的基板装载到研磨部分，需要利用另外的拾起装置(例如，基板吸附装置)，在装载部分拾起基板后，再将基板放置于研磨部分，因而装载基板需要的时间为数秒～数十秒左右，存在处理时间增加的问题。进一步地，以往为了使完成研磨的基板卸载到卸载部分，需要利用另外的拾起装置(例如，基板吸附装置)，在研磨部分拾起基板W后，再将基板放置于卸载部分，因而卸载基板W需要的时间为数秒～数十秒左右，存在处理时间增加的问题。

但是，本实用新型在供应给装载部分的基板W利用循环旋转的移送带214'直接移送的状态下，执行对基板W的研磨工序，使得基板W在移送带214'上直接移送到卸载部分300，从而可以简化基板W的处理工序并缩短处理时间。

另外，本实用新型使得在基板W的装载及卸载时排除另外的拾起工序，利用循环旋转的移送带214'，以直排(Inline)方式处理基板W，从而可以简化基板W装载及卸载工序并缩短基板W装载及卸载需要的时间。

进一步地，在本实用新型中，不需要配备基板W装载及卸载时拾起基板W所需的拾起装置，因而可以简化装备及设备，可以提高空间利用性。

作为移送带的另一示例，移送带也可以构成为从一个方向向另一方向卷取并移送基板W。(图中未示出)

其中，所谓移送带从一个方向向另一方向卷取，定义为移送带以通常的盒式磁带的卷到卷(reel to reel)卷取方式(卷取于第一卷后再向相反方向卷取于第二卷的方式)，沿开放循环形态的移动轨迹进行移动(卷取)。

以上参照本实用新型的优选实施例进行了说明，但只要是相应技术领域的熟练从业人员便会理解，在不超出权利要求书记载的本实用新型的思想及领域的范围内，可以多样地修订及变更本实用新型。

Claims (27)

1.一种基板处理装置，用于进行基板的研磨工序，其特征在于，包括：

基板放置部，其用于放置基板；

第一研磨垫，其研磨所述基板；

第二研磨垫，其与所述第一研磨垫独立地研磨所述基板。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

还包括门架单元，其沿着所述基板移动的第一方向移动。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

移动体为2个以上，安装于所述门架单元并沿第二方向移动，包括第一移动体和第二移动体；

所述第一研磨垫和所述第二研磨垫分别安装于所述第一移动体和所述第二移动体，沿着第二方向移动。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述门架单元为2个以上，沿着所述第一方向配置，包括第一门架单元和第二门架单元，所述第一研磨垫在所述第一门架单元中沿第二方向移动，所述第二研磨垫在所述第二门架单元中沿第二方向移动。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第二方向与所述第一方向直交。

6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

还包括：调节单元，其在所述第一研磨垫与所述第二研磨垫中的某一个研磨所述基板期间，调节所述第一研磨垫与所述第二研磨垫中的另一个。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述调节单元安装于所述门架单元，所述门架单元安装有所述第一研磨垫和所述第二研磨垫，沿所述第一方向移动。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述门架单元包括：

门架主体，其沿着所述基板的第一方向进行直线移动；

第一移动体，其用于安装所述第一研磨垫，安装于所述门架主体，沿着与所述第一方向直交的第二方向进行直线移动；

第二移动体，其用于安装所述第二研磨垫，安装于所述门架主体，沿着所述第二方向进行直线移动。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

所述调节单元包括：

第一调节器，其在所述第二研磨垫研磨所述基板期间，调节所述第一研磨垫；

第二调节器，其在所述第一研磨垫研磨所述基板期间，调节所述第二研磨垫。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一调节器沿着所述第二方向，配备于所述门架主体的一端，

所述第二调节器沿着所述第二方向，配备于所述门架主体的另一端。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一调节器与所述第二调节器配置于所述基板的外侧区域。

12.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述门架单元包括：

第一门架单元，其使所述第一研磨垫相对于所述基板移动；

第二门架单元，其与所述第一门架单元独立地使所述第二研磨垫相对于所述基板移动。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，

所述调节单元包括：

第一调节器，其安装于所述第一门架单元，在所述第二研磨垫研磨所述基板期间，调节所述第一研磨垫；

第二调节器，其安装于所述第二门架单元，在所述第一研磨垫研磨所述基板期间，调节所述第二研磨垫。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一调节器和所述第二调节器配置于所述基板的外侧区域。

15.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

包括隔断单元，其安装于所述门架单元，将通过所述调节单元进行调节工序的空间与除此之外的空间隔断。

16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，

包括垫清洗单元，其配备于所述隔断单元的内部，清洗所述第一研磨垫或所述第二研磨垫。

17.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述隔断单元的内部，能够将第一研磨垫或第二研磨垫更换为后续研磨垫。

18.根据权利要求1至17中某一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板放置部包括：

移送带，其能沿既定路径移动，在外表面安放所述基板；

基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带支撑所述基板的底面。

19.一种基板处理装置，用于进行基板的研磨工序，其特征在于，包括：

基板放置部，其用于放置基板；

第一研磨垫，其研磨所述基板；

第二研磨垫，其与所述第一研磨垫独立地研磨所述基板；

第三研磨垫，其与第一研磨垫隔开地配置，与所述第一研磨垫同时研磨所述基板；

第四研磨垫，其与第二研磨垫隔开地配置，与所述第二研磨垫同时研磨所述基板。

20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

第一门架单元，其使所述第一研磨垫和所述第二研磨垫相对于所述基板移动；

第二门架单元，其使所述第三研磨垫和所述第四研磨垫相对于所述基板移动。

21.根据权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：

第一调节单元，其在所述第一研磨垫与所述第二研磨垫中的某一个研磨所述基板期间，调节所述第一研磨垫和所述第二研磨垫中的另一个；

第二调节单元，其在所述第三研磨垫和所述第四研磨垫中的某一个研磨所述基板期间，调节所述第三研磨垫和所述第四研磨垫中的另一个。

22.根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一调节单元安装于所述第一门架单元，所述第二调节单元安装于所述第二门架单元。

23.根据权利要求22所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一调节单元包括：第一调节器，其在所述第二研磨垫研磨所述基板期间，调节所述第一研磨垫；第二调节器，其在所述第一研磨垫研磨所述基板期间，调节所述第二研磨垫，

所述第二调节单元包括：第三调节器，其在所述第四研磨垫研磨所述基板期间，调节所述第三研磨垫；第四调节器，其在所述第三研磨垫研磨所述基板期间，调节所述第四研磨垫。

24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一调节器、所述第二调节器、所述第三调节器、所述第四调节器配置于所述基板的外侧区域。

25.根据权利要求22所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

第一隔断单元，其安装于所述第一门架单元，将通过所述第一调节单元进行调节工序的空间与除此之外的空间隔断；

第二隔断单元，其安装于所述第二门架单元，将通过所述第二调节单元进行调节工序的空间与除此之外的空间隔断。

26.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，包括：

第一垫清洗单元，其配备于所述第一隔断单元的内部，清洗所述第一研磨垫或所述第二研磨垫；

第二垫清洗单元，其配备于所述第二隔断单元的内部，清洗所述第三研磨垫或所述第四研磨垫。

27.根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一研磨垫和所述第二研磨垫研磨所述基板的第一区域，

所述第三研磨垫和所述第四研磨垫研磨所述基板的第二区域。