CN208697131U - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN208697131U
CN208697131U CN201820677070.4U CN201820677070U CN208697131U CN 208697131 U CN208697131 U CN 208697131U CN 201820677070 U CN201820677070 U CN 201820677070U CN 208697131 U CN208697131 U CN 208697131U
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
grinding
board treatment
fluid
treatment according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201820677070.4U
Other languages
English (en)
Inventor
李昊俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Case Polytron Technologies Inc
Original Assignee
Case Polytron Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Case Polytron Technologies Inc filed Critical Case Polytron Technologies Inc
Application granted granted Critical
Publication of CN208697131U publication Critical patent/CN208697131U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32—Retaining rings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/311—Purifying organic semiconductor materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本实用新型涉及基板处理装置，包括：基板放置部，其放置基板；研磨单元，其相对于基板进行移动并研磨基板的上表面；流体喷射单元，其沿着研磨单元相对于基板的移动方向，配备于研磨单元的后方，向基板喷射流体，借助于此，可以获得使研磨颗粒等异物在基板固着实现最小化、提高清洗效率的有利效果。

Description

基板处理装置
技术领域
本实用新型涉及基板处理装置，更具体而言，涉及一种能够使研磨颗粒等异物在基板固着实现最小化、提高清洗效率的基板处理装置。
背景技术
最近，随着对信息显示装置关心的高涨，对要利用能携带的信息介质的要求正在提高，同时正在重点进行对替代原有显示装置的阴极射线管(Cathode Ray Tube；CRT)的轻薄型平板显示装置(Flat Panel Display；FPD)的研究及商业化。
在这种平板显示装置领域，迄今轻巧且耗电少的液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay Device；LCD)是最受瞩目的显示装置，但液晶显示装置不是发光元件而是受光元件，在亮度、对比度(contrast ratio)及视角等方面存在缺点，因此正在开展对能够克服这种缺点的新显示装置的活跃开发。其中，作为最近倍受瞩目的新一代显示装置之一，有有机发光显示装置(OLED：Organic Light Emitting Display)。
一般而言，显示装置中使用强度及透过性优秀的玻璃基板，最近，显示装置指向紧凑化及高像素(high-pixel)，因而应可以准备与此相应的玻璃基板。
作为一个示例，作为OLED工序之一，在向非晶硅(a-Si)照射激光而结晶成多晶硅(poly-Si)的ELA(Eximer Laser Annealing，准分子激光晶化)工序中，在多晶硅结晶的同时，表面会发生凸起，这种凸起可能发生不均衡现象(mura-effects)，因此，玻璃基板应进行研磨处理，以便去除凸起。
为此，最近进行了旨在高效研磨基板表面的多种研究，但还远远不够，要求对此进行开发。
实用新型内容
所要解决的技术问题
本实用新型目的是提供一种能够使研磨颗粒等异物在基板固着实现最小化、提高清洗效率的基板处理装置。
特别是本实用新型目的是，在进行对基板的研磨工序期间，能够在保障基板的润湿状态的同时进行基板的清洗，能够防止因异物残留及基板干燥导致的基板损伤。
另外，本实用新型目的是，能够在基板残留的异物固化之前，在最快时间内有效清洗。
另外，本实用新型目的是，能够提高研磨效率及研磨均匀度。
另外，本实用新型目的是，提供一种能够提高基板的处理效率、简化处理工序的基板处理装置。
另外，本实用新型目的是，能够提高基板的清洗效率，能够提高收率。
另外，本实用新型目的是，能够提高设计自由度，能够有助于设备的小型化。
另外，本实用新型目的是，能够缩短处理基板所需的时间、提高生产率。解决技术问题的方案
根据旨在达成所述本实用新型目的的本实用新型优选实施例，在进行对基板的研磨工序期间，在保障基板的润湿状态的同时实现基板的清洗，借助于此，能够使在基板研磨面干燥的同时研磨颗粒等在研磨面固化实现最小化。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置，用于进行基板的研磨工序，包括：基板放置部，其放置基板；研磨单元，其相对于所述基板进行移动，研磨所述基板的上表面；流体喷射单元，其沿着所述研磨单元相对于所述基板的移动方向，配备于所述研磨单元的后方，向所述基板喷射流体。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述流体喷射单元在借助于所述研磨单元进行所述基板研磨期间，在所述研磨单元经过的所述基板的研磨完成区域直接喷射所述流体。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述流体喷射单元与所述研磨单元一同移动。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，包括使所述研磨单元相对于所述基板移动的门架单元，所述流体喷射单元加装于所述门架单元。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述门架单元包括：门架主体，其供所述流体喷射单元加装，沿着所述基板的第一方向进行直线移动；移动体，其供所述研磨单元加装，加装于所述门架主体，沿着与所述第一方向直交的第二方向进行直线移动。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述流体喷射单元相对于所述基板倾斜地配置，以便朝向所述研磨单元的后方。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述流体喷射单元形成倾斜地接触所述基板的上表面的线性流体帘幕。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，包括润湿处理单元，其沿着所述研磨单元相对于所述基板的移动方向，配备于所述研磨单元的前方，在所述基板被所述研磨单元研磨之前，预先将所述基板处理成润湿状态。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述润湿处理单元包括朝向所述基板喷射流体的流体喷射喷嘴。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述流体喷射喷嘴在所述研磨单元经过所述基板的研磨对象区域前，预先向所述研磨对象区域喷射所述流体。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述润湿处理单元与所述研磨单元一同移动。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述润湿处理单元以朝向所述研磨单元前方的方式形成倾斜地接触所述基板的上表面的线性流体帘幕。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，包括清洗部分，其接受完成研磨的所述基板，进行后续清洗工序。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述清洗部分包括非接触式清洗部和接触式清洗部中的任意一个以上，所述非接触式清洗部不与所述基板的表面物理接触的情况下，进行所述后续清洗，所述接触式清洗部在与所述基板的表面物理接触的情况下，进行所述后续清洗。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述基板放置部包括：移送带，其能沿规定路径移动，在外表面安放所述基板；基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带并支撑所述基板的下表面。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述基板随着所述移送带沿着远离所述基板的下表面的方向移动而从所述移送带分离，卸载于卸载部分。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述移送带沿着规定路径进行循环旋转。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述研磨单元包括：研磨垫，其以小于所述基板的尺寸形成，在以接触所述基板的状态自转的同时移动。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，包括卡环，其以包围所述基板的外周周边的方式凸出。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述卡环具有薄于或等于所述基板的厚度。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述研磨单元以接触所述卡环的上表面的状态，研磨所述基板的上表面。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，所述基板放置部包括：基板支撑部；表面垫，其配备于所述基板支撑部的上表面，提高对所述基板的摩擦系数，抑制滑动，所述基板安放于所述表面垫的上表面。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，在进行对所述基板的机械式研磨期间，一同供应用于化学式研磨的浆料，进行化学机械式研磨(CMP)工序。
根据旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理装置中，包括流体收集盆(bath)，其配置于所述基板放置部的下部，收集从所述基板排出到外部的所述流体。
有益效果
综上所述，根据本实用新型，可以获得使研磨颗粒等异物在基板固化实现最小化、提高清洗效率的有利效果。
特别是根据本实用新型，在进行对基板的研磨工序期间，能够在保障基板的润湿状态的同时进行基板的清洗，可以获得防止异物残留及基板干燥导致的基板损伤的有利效果。
另外，根据本实用新型，可以获得在基板残留的异物固化前，在最快时间内有效清洗的有利效果。
另外，根据本实用新型，可以获得提高研磨效率及研磨均匀度的有利效果。
另外，根据本实用新型，可以获得提高基板的处理效率、简化处理工序的有利效果。
另外，根据本实用新型，可以提高基板的清洗效率，可以获得提高收率的有利效果。
另外，根据本实用新型，可以提高设计自由度，可以有助于设备的小型化。
附图说明
图1是图示本实用新型的基板处理装置的构成的俯视图，
图2是用于说明本实用新型的基板处理装置的研磨部分的立体图，
图3及图4是用于说明本实用新型的基板处理装置的流体喷射单元的图，
图5是用于说明本实用新型的基板处理装置的卡环的图，
图6是用于说明本实用新型的基板处理装置的研磨单元的研磨路径的俯视图，
图7是用于说明本实用新型的基板处理装置的研磨单元另一实施例的图，
图8及图9是用于说明本实用新型的基板处理装置的润湿处理单元的图，
图10是用于说明本实用新型的基板处理装置的清洗部分的图，
图11至图13是用于说明本实用新型另一实施例的基板处理装置的图。
附图标记
10：基板处理装置 20：门架单元
22：门架主体 24：移动体
100：装载部分 110：装载移送辊
200：研磨部分 210：基板放置部
212：基板支撑部 214：表面垫
214'：移送带 216：卡环
216a：基板容纳部 217：辊单元
217a：第一辊 217b：第二辊
220：研磨单元 222：研磨垫
230：流体喷射单元 232：喷射喷嘴
240：润湿处理单元 242：流体喷射喷嘴
250：流体收集盆 300：卸载部分
310：卸载移送辊 400：清洗部分
410：接触式清洗部 420：非接触式清洗部
具体实施方式
下面参照附图，详细说明本实用新型的优选实施例，但本实用新型并非由实施例所限制或限定。作为参考，在本说明中，相同的附图标记表示实质上相同的要素，在这种规则下，可以引用其他图中记载的内容进行说明，判断为本领域技术人员不言而喻的或反复的内容可以省略。
参照图1至图10，本实用新型的基板处理装置10包括：基板放置部210，其放置基板W；研磨单元220，其相对于基板W进行移动，研磨基板W的上表面；流体喷射单元230，其沿着研磨单元220相对于基板W的移动方向，配置于研磨单元220的后方，向基板W喷射流体。
这是为了使异物在基板W上固化实现最小化，提高基板W的清洗效率。
即，如果在研磨工序中曾沾于基板的研磨面的研磨颗粒等在干燥的同时在研磨面固化，则存在去除研磨面固化的颗粒需要远远更长时间的清洗工序，清洗效果也下降的问题。
为了消除这种问题，以往尝试最大限度缩短基板的研磨时间，将进行了研磨工序的基板尽可能在最快时间内迅速移送到清洗部分并开始清洗工序。但是，在进行基板的研磨期间，或将基板从研磨部分移送到清洗部分的时间期间，无法避免在基板的研磨面干燥的同时，沾于基板W的异物在基板表面固化(固着)，尽管做出了所述努力，但如果在解决清洗工序需要较长时间、清洗效果低的问题方面存在限制，则存在问题。特别是基板尺寸越大，整体上研磨基板所需的时间越长，因此，例如第六代玻璃基板，研磨整个基板需要5分钟以上，因而在进行研磨工序期间，存在异物在基板上固化的忧虑高的的问题。
但是，本实用新型在进行对基板W的研磨工序期间，在保障基板W的润湿状态的同时实现基板W的清洗，借助于此，可以使在基板W研磨面干燥的同时研磨颗粒等在研磨面固化实现最小化，可以获得使后续清洗工序所需的工序时间最小化、提高清洗效率的有利效果。特别是本实用新型在进行研磨工序期间，在曾沾于基板W的异物在基板W表面固化之前直接向基板W喷射流体，借助于此，可以获得使异物在基板W上固化实现最小化的有利效果。
进一步而言，本实用新型在进行基板W的研磨工序期间，进行基板W的清洗，换句话说，使基板W的研磨工序与基板W的清洗工序同时进行，借助于此，可以缩短基板W的处理时间，可以获得提高工序效率性及收率的有利效果。
基板放置部210配置于装载部分100与卸载部分300之间，供应到装载部分的基板W移送到基板放置部210，在安放于基板放置部210的状态下研磨后，通过卸载部分300卸载。
更具体而言，装载部分100用于把待研磨处理的基板W装载到研磨部分200。
加载部分100可以以能够将基板W装载于研磨部分200的多种结构形成，本实用新型并非由装载部分100的结构所限制或限定。
作为一个示例，装载部分100包括设置预定间隔隔开地配置的多个装载移送辊110，供应到多个装载移送辊110上部的基板W，随着装载移送辊110的旋转而被多个装载移送辊110相互协助地移送。根据情况，装载部分也可以包括借助于装载移送辊而循环旋转的循环带。
而且，供应到装载部分100的基板W在供应到装载部分100之前，借助于对齐单元(图上未示出)，姿势及位置可以排列为规定的姿势和位置。
作为参考，作为本实用新型中使用的基板W，可以使用一侧边的长度大于1m的四边形基板W。作为一个示例，作为执行化学机械式研磨工序的被处理基板W，可以使用具有1500㎜*1850㎜尺寸的第六代玻璃基板W。根据情况，第七代及第八代玻璃基板也可以用作被处理基板。不同于此，也可以使用一侧边长度小于1m的基板(例如，第二代玻璃基板)。
基板放置部210和研磨单元220在装载部分100与卸载部分300之间构成研磨部分。
基板放置部210可以以能够放置基板W的多种结构配备，基板放置部210的结构及形态可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。
作为一个示例，基板放置部210包括：基板支撑部212；表面垫214，其配备于基板支撑部212的上表面，提高对基板W的摩擦系数，抑制滑动；基板W安放于表面垫214的上表面。
作为参考，在本实用新型中，所谓研磨基板W，定义为借助于对基板W的机械研磨工序或化学机械式研磨(CMP)工序而研磨基板W。作为一个示例，在研磨部分中进行对基板W的机械式研磨期间，一同供应用于化学式研磨的浆料，进行化学机械式研磨(CMP)工序。此时，浆料可以从研磨垫222的内侧区域供应或从研磨垫222的外侧区域供应。
基板支撑部212支撑基板W的下表面。
基板支撑部212可以根据要求的条件及设计规格，以多种方式支撑基板W的下表面。
下面列举基板支撑部212以大致呈四边板形状的示例进行说明。根据情况，基板支撑部也可以形成为其他不同形状及结构，利用两个以上的基板支撑部来支撑基板的下表面。
而且，作为基板支撑部212，可以使用花岗石平板。根据情况，基板支撑部可以由金属材质或多孔性材质形成，本实用新型并非由基板支撑部的材质所限制或限定。
在基板支撑部212的上表面具备表面垫214，所述表面垫214提高对基板W的摩擦系数，抑制滑动。
如上所述，在基板支撑部212的上表面配备表面垫214，基板W安放于表面垫214的外表面，借助于此，在基板W放置于基板支撑部212的状态下，可以约束基板W相对于基板支撑部212的移动(约束滑动)，可以获得稳定地保持基板W的配置位置的有利效果。
表面垫214可以由与基板W具有粘合性的多种材质形成，本实用新型并非由表面垫214的材质所限制或限定。作为一个示例，表面垫214可以利用伸缩性及粘性(摩擦力)优秀的聚氨酯、工程塑料、硅酮中任意一个以上形成。根据情况，也可以由具有防滑功能的其他材质形成表面垫。
另外，表面垫214具有比较高的压缩率。其中，所谓表面垫214具有比较高的压缩率，定义为表面垫214可以表现得具有比较高的延伸率，表面垫214由可以容易被压缩的松软的材质形成。
优选地，表面垫214具有20～50％的压缩率。如上所述，借助于表面垫214具有20～50％的压缩率，即使异物流入基板W与表面垫214之间，与异物的厚度相应，表面垫214容易被压缩，因此能够使异物导致的基板W高度偏差(基板W的特定部位因异物而局部凸出)实现最小化，可以获得使基板W的特定部位局部凸出导致的研磨均匀度降低实现最小化的有利效果。
另一方面，在前述及图示的本实用新型的实施例中，列举基板支撑部212以接触方式支撑基板W的示例进行说明，但根据情况，基板支撑部也可以以非接触方式支撑基板的下表面。
作为一个示例，基板支撑部可以向基板的下表面喷射流体，借助于流体的喷射力而支撑基板的下表面(或表面垫的下表面)。此时，基板支撑部可以向基板的下表面喷射气体(例如，空气)和液体(例如，纯水)中至少任意一种，流体的种类可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。
根据情况，基板支撑部也可以利用磁力(例如，斥力；repulsive force)或超声波振动引起的上浮力，以非接触方式支撑基板的内表面。
研磨单元220以接触基板W表面的状态研磨基板W的表面。
作为一个示例，研磨单元220包括研磨垫222，所述研磨垫222以小于基板W的尺寸形成，以接触基板W的状态自转并移动。
更具体而言，研磨垫222加装于研磨垫载体(图上未示出)，以接触基板W表面的状态自转并线性研磨(平坦化)基板W的表面。
研磨垫载体可以以能使研磨垫222自转的多种结构形成，本实用新型并非由研磨垫载体的结构所限制或限定。作为一个示例，研磨垫载体可以由一个主体构成，或由多个主体结合构成，与驱动轴(图上未示出)连接并旋转。另外，在研磨垫载体具备用于将研磨垫222加压于基板W表面的加压部(例如，以空气压力对研磨垫加压的空气压力加压部)。
研磨垫222由适合对基板W进行机械式研磨的材质形成。例如，研磨垫222可以利用聚氨酯、聚脲(polyurea)、聚酯、聚醚、环氧树脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、氟聚合物、乙烯聚合物、丙烯酸及甲基丙酸烯聚合物、硅、乳胶、丁腈橡胶、异戊二烯橡胶、聚丁橡胶及苯乙烯、丁二烯及丙烯腈的多种共聚物而形成，研磨垫222的材质及特性可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。
优选地，作为研磨垫222，使用大小小于基板W的圆形研磨垫222。即，也可以使用大小大于基板W的研磨垫222来研磨基板W，但如果使用大小大于基板W的研磨垫222，那么，为了使研磨垫222自转，需要很大的旋转装备及空间，因此，存在空间效率性及设计自由度降低、稳定性降低的问题。更优选地，研磨垫可以具有与基板W横向长度或纵向长度对应的直径，或具有小于基板W横向长度或纵向长度1/2的直径。
实质上，基板W至少一侧边的长度具有大于1m的大小，因此，使大小大于基板W的研磨垫(例如，直径大于1m的研磨垫)自转本身就存在很困难的问题。另外，如果使用非圆形研磨垫(例如，四边形研磨垫)，则借助于自转的研磨垫而研磨的基板W的表面无法整体上研磨成均匀的厚度。但是，本实用新型使大小小于基板W的圆形研磨垫222自转而研磨基板W表面，借助于此，可以在不极大降低空间效率性及设计自由度的同时，使研磨垫222自转而研磨基板W，可以获得整体上均匀保持研磨垫222的研磨量的有利效果。
研磨单元220借助于门架(gantry)单元20而沿X轴方向及Y轴方向进行移动。
更具体而言，门架单元20包括：门架主体22，其沿着第一方向(例如，X轴方向)直线移动；移动体24，其加装于门架主体22，沿着与第一方向直交的第二方向(例如，Y轴方向)直线移动，研磨单元220加装于移动体24，沿着X轴方向及Y轴方向移动并研磨基板W。
门架主体22可以以将“U”字形状倒转的形态形成，沿着第一方向配置的导轨22a移动。在导轨22a上交替排列N极和S极的永磁铁，门架主体22可以以能够根据接入门架主体22的线圈的电流控制而实现精密位置控制的线性电动机原理驱动。
此时，研磨单元220的研磨路径可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。
作为一个示例，参照图6，研磨垫222沿着相对于基板W一边倾斜的第一斜线路径L1、向第一斜线路径L1的相反方向倾斜的第二斜线路径L2反复进行Z字形移动并研磨基板W的表面。
其中，所谓第一斜线路径L1，例如意味着相对于基板W底边倾斜预定角度θ的路径。另外，所谓第二斜线路径L2，意味着与第一斜线路径L1交叉地朝向第一斜线路径L1相反方向倾斜预定角度的路径。
另外，在本实用新型中，所谓研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复进行Z字形移动，定义为研磨垫222在以接触基板W表面的状态移动期间，研磨垫222相对于基板W的移动路径不中断而转换为其他方向(从第一斜线路径转换为第二斜线路径)。换句话说，研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2连续移动，形成连续连接的波形态的移动轨迹。
更具体而言，第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W的一边为基准构成线对称，研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复进行Z字形移动，研磨基板W的表面。此时，所谓第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W一边为基准构成线对称，定义为当第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W的一边11为中心对称时，第一斜线路径L1与第二斜线路径L2完全重叠，基板W的一边与第一斜线路径L1构成的角度、基板W的一边与第二斜线路径L2构成的角度相互相同。
优选地，研磨垫222以小于或等于研磨垫222直径的长度为往返移动间隔，沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2，相对于基板W进行往返移动。下面，说明研磨垫222以与研磨垫222直径相应的长度为往返移动间隔P，沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2，相对于基板W规则地进行往返移动的示例。
此时，研磨单元220可以借助于诸如门架(Gantry)的结构物(图上未示出)而线性移动，本实用新型并非由使研磨单元220移动的结构物的种类及结构所限制或限定。作为一个示例，门架可以包括隔着基板W而配置于基板W的两侧并沿着基板W的移送方向进行直线移动的第一支撑轴、第二支撑轴以及连接第一支撑轴与第二支撑轴的连接轴，研磨单元220可以加装于连接轴上。
如上所述，研磨垫222相对于基板W，沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复地进行Z字形移动并同时研磨基板W的表面，且研磨垫222以小于或等于研磨垫222直径的长度为往返移动间隔P，相对于基板W进行前进移动，借助于此，可以获得在基板W的整体表面区域，没有研磨垫222研磨遗漏区域地规则地均匀研磨基板W整体表面的有利效果。
其中，所谓研磨垫222相对于基板W进行前进移动，定义为研磨垫222沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2，在相对于基板W移动的同时朝向基板W前方(例如，以图6为基准，从基板W底边朝向上边)直进移动。换句话说，以由底边、斜边、对边构成的直角三角形为例，直角三角形的底边定义为基板W的底边，直角三角形的斜边可以定义为第一斜线路径L1或第二斜线路径L2，直角三角形的对边可以定义为研磨垫222相对于基板W的前进移动距离。
换句话说，以小于或等于研磨垫222直径的长度为往返移动间隔，研磨垫222相对于基板W反复进行Z字形移动(沿着第一斜线路径和第二斜线路径移动)并研磨基板W，借助于此，可以防止在基板W的整体表面区域发生研磨垫222遗漏研磨的区域，因而可以获得均匀地控制基板W的厚度偏差，相对于二维板面均匀地调节基板W的厚度分布，提高研磨品质的有利效果。
作为另一示例，研磨垫也可以沿着基板W一边方向的第一直线路径(图上未示出)、与第一直线路径相反方向的第二直线路径，反复进行Z字形移动并研磨基板W的表面。其中，所谓第一直线路径，例如意味着从基板W底边一端朝向另一端方向的路径。另外，所谓第二直线路径，意味着朝向与第一直线路径相反方向的路径。
作为参考，在前述及图示的本实用新型实施例中，虽然列举研磨部分借助于以接触基板W的状态自转并移动的研磨垫来研磨基板W的示例进行了说明，但根据情况，研磨部也可以利用以无限循环方式循环旋转的研磨带来研磨基板。
另外，在本实用新型实施例中，虽然列举研磨部分只由一个研磨单元构成的示例进行了说明，但参照图7，研磨部分可以包括两个以上的研磨单元220、220'。此时，多个研磨单元220、220'可以分别具备研磨垫222、222'，朝向相互相同的路径或相互相反方向路径移动，研磨基板W的表面。
基板处理装置可以包括对研磨垫的外表面(接触基板W的表面)重整的调节器(图上未示出)。
作为一个示例，调节器可以配置于基板W的外侧区域，以预先确定的加压力对研磨垫表面(下表面)加压并细微地切削，重整使得研磨垫表面形成的微孔在表面露出。换句话说，调节器细微地切削研磨垫的外表面，以便在研磨垫外表面起到盛装由研磨剂和化学物质混合的浆料的作用的大量发泡微孔不被堵塞，使得研磨垫的发泡气孔中填充的浆料顺利供应给基板W。优选地，调节器能旋转地配备，旋转接触研磨垫的外表面(下表面)。
再次参照图3及图5，研磨部分包括卡环216，所述卡环216以包围基板W的外周周边的方式，以在表面垫214的外表面凸出的形态配备。
卡环216用于在研磨工序中，当研磨单元220的研磨垫222从基板W外侧区域进入基板W内侧区域时，使研磨垫222在基板W的边缘部位回弹的现象(弹跳现象)实现最小化，使研磨垫222回弹现象导致的基板W边缘部位的非研磨区域(dead zone)(未进行研磨垫研磨的区域)实现最小化。
更具体而言，在卡环216贯通形成有与基板W形态对应的基板容纳部216a，基板W在基板容纳部216a的内部安放于表面垫214的外表面。
在基板W容纳于基板容纳部216a的状态下，卡环216的表面高度具有与基板W边缘的表面高度类似的高度。如上所述，使基板W的边缘部位和与基板W边缘部位邻接的基板W外侧区域(卡环区域)具有相互类似的高度，借助于此，在研磨工序中，在研磨垫222从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域移动，或从基板W的内侧区域向基板W的外侧区域移动期间，可以使基板W内侧区域与外侧区域间的高度偏差导致的研磨垫222回弹现象实现最小化，可以获得使回弹现象导致发生非研磨区域实现最小化的有利效果。
而且，卡环216从供基板W放置的基板放置部210的放置面凸出，研磨单元220的研磨垫222以一同接触卡环216的上表面和基板W的上表面的状态，经过基板W的边缘，研磨基板W的上表面。
优选地，在借助于研磨单元220的研磨垫222的基板W研磨工序开始的研磨开始位置，研磨垫222的一部分接触卡环216的上表面，研磨垫222的另一部分以接触基板W上表面的状态配置。
如上所述，在研磨开始位置，研磨单元220的研磨垫222在同时接触基板W的上表面和卡环216的上表面的状态下开始研磨，借助于此，可以获得进一步抑制在研磨单元220的研磨垫222经过基板W的边缘时，研磨垫222从基板W回弹的现象的有利效果。
优选地，卡环216具有薄于或等于基板W的厚度(T1≥T2)。如上所述，具有薄于或等于基板W的厚度T2地形成卡环216，借助于此，可以获得在研磨垫222从基板W外侧区域移动到基板W内侧区域期间，使研磨垫222与卡环216碰撞导致的研磨单元220发生回弹现象实现最小化的有利效果。
卡环216可以根据要求的条件由多种材质形成。不过，由于研磨垫222接触卡环216，优选由在研磨工序时龟裂较小的聚乙烯(PE)、不饱和聚酯(unsaturated polyester；UPE)等的材质形成卡环216。
参照图3及图4，流体喷射单元230沿着研磨单元220相对于基板W的移动方向，配置于研磨单元220的后方，向基板W喷射流体。
优选地，流体喷射单元230在借助于研磨单元220进行基板W研磨期间，在研磨单元220经过的基板W的研磨完成区域(FZ)直接喷射流体。
这是为了使曾沾于基板W的研磨面的研磨颗粒等在干燥的同时在研磨面固化及固着实现最小化。
即，如果在曾沾于基板W的研磨面的异物(例如，研磨颗粒等)固着的状态下进行研磨工序，则存在因固着的异物而发生划痕的问题，存在去除研磨面固着的颗粒需要远远更长时间的清洗工序，清洗效果也下降的问题。特别是基板W尺寸越大，整体研磨基板W所需的时间越长，因此，例如第六代玻璃基板W，研磨整个基板W需要5分钟以上，因此，存在在研磨工序进行期间，异物在基板W上固化的忧虑高的问题。进一步而言，当基板W具有疏水性特性时，基板W的研磨面残留的浆料更快固化，因而在研磨后，浆料需要能够在尽可能快的时间内从研磨面去除。
因此，本实用新型使得在进行对基板W的研磨工序期间，在保障基板W的润湿状态的同时实现基板W的清洗，借助于此，可以使在基板W研磨面干燥的同时研磨颗粒等在研磨面固化实现最小化，可以获得使后续清洗工序所需的工序时间最小化、提高清洗效率的有利效果。特别是本实用新型在进行研磨工序期间，在沾于基板W的异物在基板W表面固化之前直接向基板W喷射流体，借助于此，可以获得使异物在基板W固化实现最小化的有利效果。
流体喷射单元230包括向基板W的表面喷射至少一种以上清洗流体的喷射喷嘴232，流体喷射单元230可喷射的流体的种类及特性可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。
作为一个示例，作为喷射喷嘴232喷射的流体，可以使用液态流体(例如，纯水)。优选地，流体喷射部以高压喷射，以便能够以足够的打击力，打击基板W的表面残存的异物。
根据情况，流体喷射单元也可以喷射气态流体(例如，氮气)或蒸气，或一同喷射干冰颗粒与气态流体(或液态流体)。不同于此，也可以在流体喷射单元向基板的表面喷射流体的同时，一同供应用于从基板的表面有效分离异物的振动能量(例如，高频振动能量或低频振动能量)。
优选地，流体喷射单元230朝向研磨单元220后方，相对于基板W倾斜预定角度θ1地配置。更优选地，流体喷射单元230形成倾斜地接触基板W的上表面的线性流体帘幕(linearfluid curtain)。
其中，所谓线性流体帘幕，意味着借助于线性流体的幕形态的帘幕。优选地，线性流体帘幕沿着基板W的宽度方向(与基板W的移送方向直交的方向)连续接触基板W。
这是为了提高基板W的清洗效率，使从基板W分离的异物在基板W固化或再附着实现最小化。
即，在一侧边的长度大于1m的大面积四边形基板W中，由于基板W尺寸大，研磨基板W的整个面积需要大量时间(例如，5分钟以上)，因此存在从基板W表面分离的异物重新再附着(固着)于基板W表面的忧虑。
因此，本实用新型借助相对于基板W倾斜地接触的线性流体帘幕来清洗基板W，借助于此，在使异物从基板W的表面分离的同时，将分离的异物向基板W外侧冲洗，能够迅速排出到基板W的外侧，因而能够获得使从基板W分离的异物在基板W再附着或固着实现最小化的有利效果。进一步而言，借助于倾斜的线性流体帘幕来清洗基板W，由此可以提高基板W的清洗效率，可以获得减小流体使用量的有利效果。
优选地，流体喷射单元230在进行借助于研磨单元220的基板W研磨期间，向研磨单元220经过的基板W研磨完成区域FZ直接喷射流体。作为一个示例，流体喷射单元230与研磨单元220一同移动。
如上所述，向研磨单元220经过的基板W研磨完成区域FZ立即喷射流体，借助于此，可以使异物在基板W固化实现最小化，可以获得使后续清洗工序所需的工序时间实现最小化、提高清洗效率的有利效果。
优选地，流体喷射单元230加装于使研磨单元220相对于基板W移动的门架单元20。更具体而言，流体喷射单元230以配置于研磨单元220后方的方式加装于门架主体22。
如上所述，将流体喷射单元230加装于为了使研磨单元220移动而预先配备的门架单元20，借助于此，不需要追加配备用于使流体喷射单元230移动的移动装置，因而可以提高设计自由度，可以获得有助于设备小型化的有利效果。
根据情况，也可以按基板各区域，固定加装多个流体喷射单元，与研磨单元相对于基板的移动对应，按基板各区域，互不相同的流体喷射单元依次喷射流体。不同于此，也可以借助于流体喷射单元的另外的移动装置，在移动的同时向基板喷射流体。
参照图8及图9，本实用新型的基板处理装置包括润湿处理单元240，所述润湿处理单元240沿着研磨单元220相对于基板W的移动方向，配备于研磨单元220的前方，在基板W被研磨单元220研磨之前，预先将基板W处理成润湿(wetting)状态。
其中，所谓基板W的润湿状态，意味着基板W的表面不干燥的湿润状态，所谓基板W的润湿处理，意味着使基板W的表面保持不干燥的湿润状态的工序。
如上所述，使基板W在研磨之前保持润湿状态，借助于此，供应到基板W的浆料可以在基板W与研磨垫之间更有效地扩散，因而可以获得提高研磨效率及研磨均匀度的有利效果。
润湿处理单元240可以根据要求的条件及设计规格而以多种方式对基板W进行润湿处理。
作为一个示例，润湿处理单元240包括朝向基板W喷射流体的流体喷射喷嘴242。流体喷射喷嘴242可以向基板W的表面喷射至少一种以上的液态流体，流体喷射喷嘴242可喷射的液态流体(例如，纯水)的种类及特性可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。
优选地，流体喷射喷嘴242在研磨单元220经过基板W研磨对象区域NFZ之前，预先向研磨对象区域NFZ喷射流体。如上所述，在研磨单元220经过基板W的研磨对象区域NFZ前，向研磨对象区域NFZ喷射流体，借助于此，可以获得研磨对象区域NFZ在研磨之前更稳定地保持润湿状态的有利效果。
而且，润湿处理单元240加装于使研磨单元220相对于基板W移动的门架单元。更具体而言，流体喷射单元230以配置于研磨单元220前方的方式加装于门架主体。
如上所述，将润湿处理单元240加装于为了使研磨单元220移动而预先配备的门架单元，借助于此，不需要追加配备用于使润湿处理单元240移动的移动装置，因而可以提高设计自由度，可以获得有助于设备小型化的有利效果。
更优选地，润湿处理单元240以朝向研磨单元220前方的方式形成相对于基板W倾斜预定角度θ2并进行接触的线性流体帘幕。
如上所述，润湿处理单元240以朝向研磨单元220前方的方式形成倾斜地接触基板W的上表面的线性流体帘幕，借助于此，可以在将基板W处理成润湿状态的同时，在研磨对象区域NFZ，将在进行研磨之前可能预先存在于研磨对象区域NFZ的异物冲洗到研磨对象区域NFZ的外侧，因而可以获得防止发生异物导致的划痕及研磨错误的有利效果。
而且，在基板放置部210的下部配备有收集从基板W排出到基板W外部的流体的流体收集盆(bath)250。
其中，所谓排出到基板W外部的流体，定义为包括流体处理单元向基板W喷射后排出到基板W外部的流体和润湿处理单元240向基板W喷射后排出到基板W外部的流体全部。
作为一个示例，流体收集盆250可以以大于基板放置部210的尺寸形成四边盆形状。如上所述，在基板放置部210的下部配备流体收集盆250，使得排出到基板W外部的流体收集于流体收集盆250，借助于此，可以获得防止从基板W排出的流体流入基板放置部210下部配置的电子装备的有利效果。
另一方面，卸载部分300用于从研磨部分200卸载完成研磨处理的基板W。
即，在卸载部分300，卸载从基板放置部210分离的基板W。
卸载部分300可以以能从研磨部分200卸载基板W的多种结构形成，本实用新型并非由卸载部分300的结构所限制或限定。
作为一个示例，卸载部分300包括设置预定间隔隔开地配置的多个卸载移送辊310，供应到多个卸载移送辊310上部的基板W随着卸载移送辊310的旋转，借助于多个卸载移送辊310而相互协助地移送。根据情况，卸载部也可以包括借助于卸载移送辊而循环旋转的循环带。
另外，参照图1及图10，清洗部分400对借助于流体喷射单元230而预洗的基板W再次进行后续清洗。
其中，所谓基板W的后续清洗，定义为用于在完成借助于流体喷射单元230的预洗后，清洗基板W的表面(特别是基板的研磨面、基板的非研磨面也可清洗)残留的异物的工序。
清洗部分400可以以能够执行多步骤清洗及干燥工序的结构提供，本实用新型并非由构成清洗部分400的清洗站的结构及布局所限制或限定。
优选地，清洗部分400为了能够有效执行旨在去除基板W的表面残留的有机物及其他不同异物的清洗，可以包括：接触式清洗单元410，其与基板W的表面物理接触并执行清洗；及非接触式清洗单元420，其不与基板W的表面物理接触并执行清洗。根据情况，清洗部分也可以只包括接触式清洗单元及非接触式清洗单元中任意一个。
作为一个示例，接触式清洗单元410包括旋转接触基板W表面的清洗刷412。
另外，非接触式清洗单元420可以包括向基板W的表面喷射互不相同的异种(heterogeneity)流体的异种流体喷射部422、424。而且，异种流体喷射部422、424可以以能够喷射异种流体的多种结构提供。作为一个示例，异种流体喷射部422、424可以包括喷射第一流体(液态流体或气态流体)的第一流体喷射喷嘴422、喷射与第一流体不同的第二流体(液态流体或气态流体)的第二流体喷射喷嘴424，第一流体及第二流体可以以混合或分离的状态，向基板W的表面喷射。
根据情况，非接触式清洗单元也可以喷射单一流体。不同于此，非接触式清洗单元还可以在向基板的表面喷射流体的同时，一同供应用于从基板表面有效地分离异物的振动能量(例如，高频振动能量或低频振动能量)。
另一方面，图11至图13是用于说明本实用新型另一实施例的基板处理装置的图。而且，对于与前述构成相同及相当于相同的部分，赋予相同或相当于相同的附图标记，省略对其的详细说明。
参照图11至图13，根据本实用新型另一实施例，基板放置部210'包括：移送带214'，其沿着规定路径移动，在外表面安放基板W；基板支撑部212，其配置于移送带214'的内部，隔着移送带214'并支撑基板W的下表面。
作为参考，与前述实施例一样，流体喷射单元230沿着研磨单元220相对于基板W的移动方向，配置于研磨单元220的后方，向基板W喷射流体。而且，在移送带214'的外表面可以具备卡环216。
移送带214'可以根据要求的条件及设计规格而以多种方式沿着规定路径移动。作为一个示例，移送带214'可以沿着规定路径进行循环旋转。
移送带214'的循环旋转可以根据要求的条件及设计规格而以多种方式进行。作为一个示例，移送带214'沿着由辊单元217确定的路径进行循环旋转，借助于移送带214'的循环旋转，安放于移送带214'的基板W沿着直线移动路径移送。
移送带214'的移动路径(例如，循环路径)可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。作为一个示例，辊单元217包括第一辊217a、从第一辊217a平行地隔开配置的第二辊217b，移送带214'借助于第一辊217a和第二辊217b而以无限循环方式进行循环旋转。
作为参考，所谓移送带214'的外表面，意味着露出于移送带214'的外侧的外侧表面，在移送带214'的外表面安放基板W。而且，所谓移送带214'的内表面，意味着供第一辊217a和第二辊217b接触的移送带214'的内侧表面。
另外，第一辊217a与第二辊217b中任意一个以上可以向选择性地相互接近及隔开的方向直线移动。作为一个示例，可以构成为第一辊217a固定，第二辊217b向第一辊217a接近及离开的方向直线移动。如上所述，根据制造公差及组装公差等，借助于使第二辊217b相对于第一辊217a接近及隔开，可以调节移送带214'的张力。
其中，所谓调节移送带214'的张力，定义为张紧或放松移送带214'而调节张力。根据情况，也可以配备另外的张力调节辊，使张力调节辊移动，调节移送带的张力。但是，优选使第一辊和第二辊中任意一个以上移动，以便能够提高结构及空间利用性。
另外，基板处理装置包括装载控制部(图上未示出)，所述装载控制部在将基板W从装载部分100移送到研磨部分200的装载移送工序中，使装载部分100移送基板W的装载移送速度与移送带214'移送基板W的皮带移送速度同步。
更具体而言，如果基板W的一端配置于在移送带214'预先定义的安放开始位置SP，装载控制部则使装载移送速度与皮带移送速度同步。
其中，所谓在移送带214'的预先安放开始位置SP，定义为基板W借助于移送带214'的循环旋转而可以开始移送的位置，在安放开始位置SP，赋予移送带214'与基板W间的粘合性。作为一个示例，安放开始位置SP可以从装载部分100起，设置于与被移送的基板W的前端对置的基板容纳部216a的一边(或邻接板容纳部的一边的位置)。
作为参考，如果借助于诸如传感器或视觉相机的通常的感知设备，感知基板容纳部216a的一边位于安放开始位置SP，则移送带214'停止旋转，以便保持基板容纳部216a的一边位于安放开始位置SP的状态。
然后，在移送带214'的旋转停止状态下，如果借助于感知装置而感知基板W的前端配置于安放开始位置SP，则装载控制部使移送带214'旋转(同步旋转)，使得装载部分100移送基板W的装载移送速度与移送带214'移送基板W的皮带移送速度成为相互相同的速度，使得基板W移送到研磨位置。
另外，移送带214'在使完成研磨的基板W移送规定区间以上的状态下，向从基板W的下表面离开的方向移动。
更具体而言，参照图13，移送带214'沿着规定路径进行循环旋转，移送基板W，基板W在移送带214'沿着旋转路径开始移动的位置(移送带沿着顺应第二辊外表面的曲线路径开始移动的位置)，随着移送带214'向从基板W的下表面离开的方向移动而从移送带214'分离。
如上所述，在移送基板W的移送带214'使基板W移动规定区间以上的状态下，移送带214'向从基板W的下表面离开的方向移动，借助于此，无需另外的拾起工序(例如，利用基板吸附装置的拾起工序)，便可以获得从移送带214'自然地分离基板W的有利效果。
以往，为了使供应给装载部的基板装载到研磨部分，需要利用另外的拾起装置(例如，基板吸附装置)，在装载部分拾起基板后，再将基板放置于研磨部分，因而装载基板需要的时间为数秒～数十秒左右，存在处理时间增加的问题。进一步地，以往为了使完成研磨的基板卸载到卸载部分，需要利用另外的拾起装置(例如，基板吸附装置)，在研磨部分拾起基板W后，再将基板放置于卸载部分，因而卸载基板W需要的时间为数秒～数十秒左右，存在处理时间增加的问题。
但是，本实用新型在利用循环旋转的移送带214'直接移送供应给装载部分的基板W的状态下，执行对基板W的研磨工序，使基板W在移送带214'上直接移送到卸载部分300，借助于此，可以获得简化基板W的处理工序、缩短处理时间的有利效果。
另外，本实用新型在基板W的装载及卸载时排除另外的拾起工序，利用循环旋转的移送带214'，以直排(Inline)方式处理基板W，借助于此，可以获得简化基板W装载及卸载工序、缩短基板W装载及卸载需要的时间的有利效果。
进一步地，在本实用新型中，不需要配备基板W装载及卸载时拾起基板W所需的拾起装置，因而可以简化装备及设备，可以获得提高空间利用性的有利效果。
作为移送带的另一示例，移送带也可以从一个方向向另一方向卷取并移送基板W。(图中未示出)
其中，所谓移送带从一个方向向另一方向卷取，定义为移送带以通常的盒式磁带的卷到卷(reel to reel)卷取方式(卷取于第一卷后再向相反方向卷取于第二卷的方式)，沿开放循环形态的移动轨迹进行移动(卷取)。
以上参照本实用新型的优选实施例进行了说明，但只要是本领域技术人员便会理解，在不超出权利要求书记载的本实用新型的思想及领域的范围内，可以对本实用新型进行多种地修订及变更。

Claims (24)

1.一种基板处理装置，用于进行基板的研磨工序，其特征在于，包括：
基板放置部，其放置基板；
研磨单元，其相对于所述基板进行移动，研磨所述基板的上表面；
流体喷射单元，其沿着所述研磨单元相对于所述基板的移动方向，配备于所述研磨单元的后方，向所述基板喷射流体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流体喷射单元在借助于所述研磨单元进行所述基板研磨期间，在所述研磨单元经过的所述基板的研磨完成区域直接喷射所述流体。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流体喷射单元与所述研磨单元一同移动。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
包括使所述研磨单元相对于所述基板移动的门架单元，
所述流体喷射单元加装于所述门架单元。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述门架单元包括：
门架主体，其供所述流体喷射单元加装，沿着所述基板的第一方向进行直线移动；
移动体，其供所述研磨单元加装，加装于所述门架主体，沿着与所述第一方向直交的第二方向进行直线移动。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流体喷射单元相对于所述基板倾斜地配置，以便朝向所述研磨单元的后方。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流体喷射单元形成倾斜地接触所述基板的上表面的线性流体帘幕。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
包括润湿处理单元，其沿着所述研磨单元相对于所述基板的移动方向，配备于所述研磨单元的前方，在所述基板被所述研磨单元研磨之前，预先将所述基板处理成润湿状态。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述润湿处理单元包括朝向所述基板喷射流体的流体喷射喷嘴。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流体喷射喷嘴在所述研磨单元经过所述基板的研磨对象区域前，预先向所述研磨对象区域喷射所述流体。
11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述润湿处理单元与所述研磨单元一同移动。
12.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述润湿处理单元以朝向所述研磨单元前方的方式形成倾斜地接触所述基板的上表面的线性流体帘幕。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
包括清洗部分，其接受完成研磨的所述基板，进行后续清洗工序。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述清洗部分包括非接触式清洗部和接触式清洗部中的任意一个以上，所述非接触式清洗部不与所述基板的表面物理接触的情况下，进行所述后续清洗，所述接触式清洗部在与所述基板的表面物理接触的情况下，进行所述后续清洗。
15.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板放置部包括：
移送带，其能沿规定路径移动，在外表面安放所述基板；
基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带并支撑所述基板的下表面。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板随着所述移送带沿着远离所述基板的下表面的方向移动而从所述移送带分离，卸载于卸载部分。
17.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述移送带沿着规定路径进行循环旋转。
18.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述研磨单元包括：
研磨垫，其以小于所述基板的尺寸形成，在以接触所述基板的状态自转的同时移动。
19.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
包括卡环，其以包围所述基板的外周周边的方式凸出。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
所述卡环具有薄于或等于所述基板的厚度。
21.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
所述研磨单元以接触所述卡环的上表面的状态，研磨所述基板的上表面。
22.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板放置部包括：
基板支撑部；
表面垫，其配备于所述基板支撑部的上表面，提高对所述基板的摩擦系数，抑制滑动，
所述基板安放于所述表面垫的上表面。
23.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在进行对所述基板的机械式研磨期间，一同供应用于化学式研磨的浆料，进行化学机械式研磨工序。
24.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
包括流体收集盆，其配置于所述基板放置部的下部，收集从所述基板排出到外部的所述流体。
CN201820677070.4U 2017-12-27 2018-05-08 基板处理装置 Expired - Fee Related CN208697131U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170180489A KR20190078803A (ko) 2017-12-27 2017-12-27 기판 처리 장치
KR10-2017-0180489 2017-12-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN208697131U true CN208697131U (zh) 2019-04-05

Family

ID=65935108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201820677070.4U Expired - Fee Related CN208697131U (zh) 2017-12-27 2018-05-08 基板处理装置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20190078803A (zh)
CN (1) CN208697131U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI748523B (zh) * 2019-09-24 2021-12-01 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI748523B (zh) * 2019-09-24 2021-12-01 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190078803A (ko) 2019-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN208697130U (zh) 基板处理装置
US6332832B1 (en) CMP polish pad and CMP processing apparatus using the same
KR102333209B1 (ko) 기판 연마 장치
CN206834156U (zh) 基板处理装置
CN208697131U (zh) 基板处理装置
CN208127164U (zh) 基板处理装置
CN105798767B (zh) 板状体的研磨方法及研磨装置
CN208584374U (zh) 基板处理装置
CN208179274U (zh) 基板处理装置
CN209256645U (zh) 基板处理装置
CN208729489U (zh) 基板处理装置
CN208179273U (zh) 基板处理装置
CN208289664U (zh) 基板处理装置
CN208729488U (zh) 基板处理装置
CN109786298A (zh) 基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带
CN109940478B (zh) 一种抛光治具及抛光方法
KR102583017B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102493011B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20200025487A (ko) 기판 처리 장치
KR100344528B1 (ko) 세포조직 구조의 미세 중공 폴리머 다발을 갖는 폴리싱 패드 및 그 제조방법
KR102331074B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101955101B1 (ko) 웨이퍼 폴리싱 장치
KR102085668B1 (ko) 기판 처리 장치
CN110340799A (zh) 基板处理装置
KR20190092859A (ko) 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 연마 패드

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190405

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee