CN208622919U - 紧凑型s波段3通道大功率合成器 - Google Patents

紧凑型s波段3通道大功率合成器 Download PDF

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刘建波
梁云忠
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Abstract

本实用新型公开了紧凑型S波段3通道大功率合成器,涉及电子工程领域,合成路径简单,结构紧凑,增加了发射机的合成效率,实现发射机小型化。本实用新型包括:第一介质板、第二介质板、第三介质板、传输线、耦合线。第一介质板、第三介质板、第二介质板依次叠放,第一介质板的左端设置第一端口,右端设置第四端口,第一介质板的长边上还设置第二端口和第三端口。第三介质板上铺设耦合线,耦合线连接第二端口和第三端口,第二端口和第三端口,处分别安装第一耦合器和第二耦合器,传输线安装在第三介质板上,贯穿左右两侧,连接第一端口和第四端口。本实用新型具有方向性好,结构紧凑,合成效率高的优点。

Description

紧凑型S波段3通道大功率合成器
技术领域
本实用新型涉及电子工程领域,尤其涉及紧凑型S波段3通道大功率合成器。
背景技术
在固态发射机中,功率合成器是不可缺少的部分,功率合成技术的种类很多,一般有Wilkinson、微带耦合、巴伦变压器、T结功分、空间合成技术等。
Wilkinson的优点是便于实现,缺点则是体积大,插入损耗大,不适用于大功率合成;巴伦变压器工作带宽较宽,一般用于频率较低的场合,且合成效率较差;T结电路适合大功率合成,但是多路合成效率较差,路间隔离差;空间合成技术的效率高,耐功率大,但尺寸较大。
微带耦合电路实现功率合成,主要包括:3dB电桥支线耦合器为主体的合成电路、以微带线为耦合方式的合成电路、以带状线为耦合方式的合成电路。3dB电桥支线耦合器为主体的合成电路,其特点是易于实现,路间隔离好,但多路合成的效率较差,尺寸较大。微带线耦合器,传输线电场在两种介质间(空气、介质基片)间传输,造成其奇、偶模传输相速不等,从而方向性差,能量易分散,合成效率差。
综上,现有技术中缺乏一种功率合成器,方向性好,结构紧凑,合成效率高。
发明内容
本实用新型提供了紧凑型S波段3通道大功率合成器,能够合成路径简单,结构紧凑,增加了发射机的合成效率,实现发射机小型化。
为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
紧凑型S波段3通道大功率合成器,包括:第一介质板、第二介质板、第三介质板、传输线、耦合线。
第一介质板、第三介质板、第二介质板依次叠放,第一介质板的左端设置第一端口,右端设置第四端口,第一介质板的长边上还设置第二端口和第三端口。
第三介质板上铺设耦合线,耦合线连接第二端口和第三端口,第二端口和第三端口,处分别安装第一耦合器和第二耦合器,
传输线安装在第三介质板上,贯穿左右两侧,连接第一端口和第四端口。
进一步的,对于等功率串馈功率合成器,从输入端到输出端能量是通过内部的每一个定向耦合器来进行能量分配的,其耦合度理论计算为CN=10log10N(N为对应的输出通路),本设计是八路合成,第一耦合器和第二耦合器的耦合度分别为C1=10log102=3.01,C2=10log103=4.77。
进一步的,第一介质板和第二介质板采用50mil厚的ROGERS6002板材。
进一步的,传输线的线宽为2mm。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型采用串馈形功率合成,具有较好的方向性,尺寸小、合成效率高,本实用新型采用ROGERS6002板材作为介质材料,使得本实用新型的合成输出功率超过200W(30%占空比),工作带宽为15%,八路幅度平衡度±0.35dB,驻波小于1.35,插入损耗0.6dB,因此,具有方向性好,结构紧凑,合成效率高的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为耦合示意图;
图2为第一介质板正反面图形;
图3为第二介质板正反面图形;
图4为第三介质板正反面图形。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
本实用新型实施例提供紧凑型S波段3通道大功率合成器,包括:
第一介质板1、第二介质板2、第三介质板3、传输线4、耦合线5。
第一介质板1、第三介质板3、第二介质板2依次叠放,第一介质板1和第二介质板2采用50mil厚的ROGERS6002板材。
第一介质板1的左端设置第一端口11,右端设置第四端口14,第一介质板1的长边上还设置第二端口12和第三端口13,第三介质板3上铺设耦合线5,耦合线5连接第二端口12和第三端口13,第二端口12和第三端口13,处分别安装第一耦合器15和第二耦合器16,传输线4安装在第三介质板3上,线宽为2mm,贯穿左右两侧,连接第一端口11和第四端口14。
对于等功率串馈功率合成器,从输入端到输出端能量是通过内部的每一个定向耦合器来进行能量分配的,其耦合度理论计算为CN=10log10N,N为对应的输出通路,本设计是八路合成,如图1所示,第一耦合器15和第二耦合器16的耦合度分别为C1=10log102=3.01,C2=10log103=4.77。
本实用新型的试验数据如下:
由此可以看出,本实用新型合成输出功率超过200W(30%占空比),工作带宽为15%,八路幅度平衡度±0.35dB,驻波小于1.35,插入损耗0.6dB。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型采用串馈形功率合成,具有较好的方向性,尺寸小、合成效率高,本实用新型采用ROGERS6002板材作为介质材料,使得本实用新型的合成输出功率超过200W(30%占空比),工作带宽为15%,八路幅度平衡度±0.35dB,驻波小于1.35,插入损耗0.6dB,因此,具有方向性好,结构紧凑,合成效率高的优点。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (4)

1.紧凑型S波段3通道大功率合成器,其特征在于,包括:第一介质板(1)、第二介质板(2)、第三介质板(3)、传输线(4)、耦合线(5),
第一介质板(1)、第三介质板(3)、第二介质板(2)依次叠放,
第一介质板(1)的左端设置第一端口(11),右端设置第四端口(14),第一介质板(1)的长边上还设置第二端口(12)和第三端口(13),
第三介质板(3)上铺设耦合线(5),耦合线(5)连接第二端口(12)和第三端口(13),第二端口(12)和第三端口(13),处分别安装第一耦合器(15)和第二耦合器(16),
传输线(4)安装在第三介质板(3)上,贯穿左右两侧,连接第一端口(11)和第四端口(14)。
2.根据权利要求1所述的紧凑型S波段3通道大功率合成器,其特征在于,所述第一耦合器(15)和第二耦合器(16)的耦合度分别为C1=10log102=3.01,C2=10log103=4.77。
3.根据权利要求1所述的紧凑型S波段3通道大功率合成器,其特征在于,所述第一介质板(1)和第二介质板(2)采用50mil厚的ROGERS6002板材。
4.根据权利要求1所述的紧凑型S波段3通道大功率合成器,其特征在于,所述传输线(4)的线宽为2mm。
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