CN208508936U - 用于驱动近场通信设备的天线的电路和近场通信设备 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及用于驱动近场通信设备的天线的电路和近场通信设备。一种用于驱动近场通信(NFC)设备的天线的电路包括:经由第一电容器耦合到天线的第一端子的第一可变电阻器;经由第二电容器耦合到天线的第二端子的第二可变电阻器;以及控制电路,该控制电路被配置为使得第一可变电阻器和第二可变电阻器各自具有第一电阻水平、第二电阻水平和第三电阻水平中的基于电路的操作阶段选择的一个电阻水平。

Description

用于驱动近场通信设备的天线的电路和近场通信设备
技术领域
本公开涉及近场通信(NFC)设备的领域,并且特别地涉及用于驱动NFC设备的天线的电路。
背景技术
移动电话和其他类型的移动设备越来越多地配备有NFC接口,这使得除了它们的其它功能外,它们能够执行电磁应答器(transponder)功能。特别地,这种设备能够仿真电磁应答器的功能,该电磁应答器可以是非接触式卡类型(被称为“卡仿真模式”)或者非接触式读数器类型(被称为“读数器模式”)的。例如,这种功能通过允许移动设备用于各种应用(例如作为针对访问服务(诸如运输网)允许进行支付的电子钱包),来增强移动设备。
为了仿真非接触式卡的操作,移动设备一般配备有非接触式前端集成电路(CLF)(还被称为NFC路由器)。该路由器配备有耦合到低距天线的射频(RF)收发器前端,以匹配电磁应答器的通信能力。
在卡仿真模式中,一般要求天线的谐振频率落在相对有限的频率范围内。然而,天线的部件和天线电感自身的各种机械公差导致谐振频率的总公差,总公差可以使得该频率落在所要求的频率范围之外。
实用新型内容
尽管存在一些解决方案用于调谐在制造后NFC天线的谐振频率,但这些解决方案倾向于向电路添加显著的表面积、复杂度和/或成本。因此在该领域需要备选的解决方案用于调谐NFC天线的谐振频率,以及用于驱动NFC天线,以实现所期望的谐振频率。
提供了一种用于驱动近场通信设备的天线的电路,所述电路包括:第一可变电阻器,所述第一可变电阻器经由第一电容器被耦合到所述天线的第一端子;第二可变电阻器,所述第二可变电阻器经由第二电容器被耦合到所述天线的第二端子;以及控制电路,所述控制电路被配置为使得所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器各自具有第一电阻水平、第二电阻水平和第三电阻水平中的基于所述电路的操作阶段选择的一个电阻水平。
根据一些实施例,所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第一电阻水平使得所述天线具有第一谐振频率,并且其中所述第二电阻水平使得所述天线具有高于所述第一谐振频率的第二谐振频率。
根据一些实施例,所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第一谐振频率小于14MHz并且所述第二谐振频率大于14MHz。
根据一些实施例,所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第三电阻水平引起所述天线的电压振荡的阻尼。
根据一些实施例,所述第一电阻水平小于3欧姆;所述第二电阻水平大于3欧姆并且小于100欧姆;以及所述第三电阻水平大于25欧姆并且与所述第二电阻水平不同。
根据一些实施例,所述控制电路进一步被配置为:在与读数器模式相对应的所述近场通信设备的第一操作阶段期间,选择所述第一电阻水平;在所述近场通信设备的第二操作阶段期间,选择所述第二电阻水平,所述第二操作阶段与在所述近场通信设备的卡仿真模式期间所述天线的发射突发的时段相对应;以及在所述近场通信设备的第三操作阶段期间,选择所述第三电阻水平,所述第三操作阶段与在所述卡仿真模式期间所述天线的发射突发之间的非发射时段的一部分相对应。
根据一些实施例,所述控制电路进一步被配置为执行自动天线调谐过程,以确定用于将所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器编程为具有所述第二电阻水平的控制信号的值。
根据一些实施例,所述控制电路被配置为通过执行以下操作来确定所述控制信号:选择所述控制信号的初始值,以选择所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器的初始电阻水平;检测在发射突发期间所述天线上存在的信号的振幅和/或相位;比较所述振幅与参考振幅,和/或比较所述相位与参考相位;基于所述比较,修改所述控制信号的所述初始值,以修改所述初始电阻水平;以及重复所述选择、检测、比较和修改的操作至少一次。
提供了一种近场通信设备,其包括:近场通信天线;主动负载调制驱动电路,其被耦合到所述近场通信天线;以及电池,所述电池将供应电压供应给所述主动负载调制驱动电路。所述主动负载调制驱动电路包括:第一可变电阻器,所述第一可变电阻器经由第一电容器被耦合到所述近场通信天线的第一端子;第二可变电阻器,所述第二可变电阻器经由第二电容器被耦合到所述近场通信天线的第二端子;以及控制电路,所述控制电路被配置为使得所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器各自具有第一电阻水平、第二电阻水平和第三电阻水平中的基于所述电路的操作阶段选择的一个电阻水平。
根据一些实施例,近场通信设备进一步包括与所述主动负载调制驱动电路通信的主机处理设备。
根据一些实施例,所述控制电路进一步被配置为:在与读数器模式相对应的所述近场通信设备的第一操作阶段期间,选择所述第一电阻水平;在所述近场通信设备的第二操作阶段期间,选择所述第二电阻水平,所述第二操作阶段与在所述近场通信设备的卡仿真模式期间所述天线的发射突发的时段相对应;以及在所述近场通信设备的第三操作阶段期间,选择所述第三电阻水平,所述第三操作阶段与在所述卡仿真模式期间所述天线的发射突发之间的非发射时段的一部分相对应。
根据一些实施例,所述控制电路进一步被配置为执行自动天线调谐过程,以确定用于将所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器编程为具有所述第二电阻水平的控制信号的值。
根据一些实施例,所述控制电路被配合为通过执行以下操作来确定所述控制信号:选择所述控制信号的初始值,以选择所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器的初始电阻水平;检测在发射突发期间所述近场通信天线上存在的信号的振幅和/或相位;比较所述振幅与参考振幅,和/或比较所述相位与参考相位;基于所述比较,修改所述控制信号的所述初始值,以修改所述初始电阻水平;以及重复所述选择、检测、比较和修改的操作至少一次。
根据一些实施例,所述第一电阻水平小于3欧姆;所述第二电阻水平大于3欧姆并且小于100欧姆;以及所述第三电阻水平大于25欧姆并且与所述第二电阻水平不同。
根据一些实施例,所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第一电阻水平使得所述近场通信天线具有第一谐振频率,并且其中所述第二电阻水平使得所述近场通信天线具有高于所述第一谐振频率的第二谐振频率。
根据一些实施例,所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第一谐振频率小于14MHz并且所述第二谐振频率大于14MHz。
根据一个方面,提供了主动负载调制(ALM)驱动电路,用于驱动NFC设备的NFC天线,ALM驱动电路包括:经由第一电容器耦合到NFC天线的第一端子的第一可变电阻器;经由第二电容器耦合到NFC天线的第二端子的第二可变电阻器;以及控制电路,控制电路被适配为或者被配置为将第一和第二可变电阻器编程为各自具有第一、第二和第三电阻水平中选择的一个电阻水平,控制电路基于NFC电路的操作阶段来选择第一、第二和第三电阻水平之一。
根据一个实施例,第一和第二可变电阻器被配置为以使第一电阻水平使得NFC天线具有第一谐振频率,并且第二电阻水平使得NFC天线具有高于第一谐振频率的第二谐振频率。
根据一个实施例,第一和第二可变电阻器被配置为以使第一谐振频率小于14MHz,并且第二谐振频率大于14MHz。
根据一个实施例,第一和第二可变电阻器被配置为以使第三电阻水平引起NFC天线的振荡的阻尼。
根据一个实施例,第一电阻水平小于3欧姆;第二电阻水平大于3欧姆并且小于100欧姆;以及第三电阻水平大于25欧姆并且与第二电阻水平不同。
根据一个实施例,控制电路被适配为:在与读数器模式相对应的NFC设备的第一操作阶段期间,选择第一电阻水平;在与NFC设备的卡仿真模式期间NFC天线的发射突发的时段相对应的NFC设备的第二操作阶段期间,选择第二电阻水平;以及在与卡仿真模式期间NFC天线的发射突发之间的非发射时段的一部分相对应的NFC设备的第三操作阶段期间,选择第三电阻水平。
根据一个实施例,控制电路进一步被配置为执行自动天线调谐过程,以确定用于将第一和第二可变电阻器编程为具有第二电阻水平的控制信号的值。
根据一个实施例,控制电路被配置为通过执行以下操作来确定控制信号:a)选择控制信号的初始值,以编程第一和第二可变电阻器的初始电阻水平;b)检测在发射突发期间NFC天线上存在的信号的振幅和/或相位;c)比较检测的振幅与参考振幅,和/或比较检测的相位与参考相位;d)基于比较,修改控制信号的初始值,以修改初始电阻水平;以及e)重复操作b)到d)一次或者多次。
根据另一方面,提供了NFC设备,其包括:NFC天线、耦合到NFC天线的上文描述的ALM驱动电路、以及将供应电压供应给ALM驱动电路的电池。
根据一个实施例,NFC设备进一步包括与ALM驱动电路通信的主机处理设备。
根据又一方面,提供了使用主动负载调制驱动电路来驱动NFC(近场通信)设备的NFC天线的方法,该方法包括:通过控制电路,生成至少一个控制信号,至少一个控制信号用于将第一和第二可变电阻器编程为各自具有第一、第二和第三电阻水平中的基于NFC设备的操作阶段选择的一个电阻水平,第一可变电阻器经由第一电容器耦合到NFC天线的第一端子,并且第二可变电阻器经由第二电容器耦合到NFC天线的第二端子;以及通过控制电路,向第一和第二可变电阻器应用至少一个控制信号。
根据一个实施例,生成至少一个控制信号,以便将第一和第二可变电阻器编程为:在与读数器模式相对应的NFC设备的第一操作阶段期间,选择第一电阻水平;在与NFC设备的卡仿真模式期间NFC天线的发射突发的时段相对应的NFC设备的第二操作阶段期间,选择第二电阻水平;以及在与卡仿真模式期间NFC天线的发射突发之间的非发射时段的一部分相对应的NFC设备的第三操作阶段期间,选择第三电阻水平。
根据一个实施例,方法进一步包括执行自动天线调谐过程,以确定第二控制信号的值。
根据一个实施例,自动天线调谐过程包括:a)使用初始控制信号值,选择第一和第二可变电阻器的初始电阻水平;b)检测在发射突发期间NFC天线上存在的信号的振幅和/或相位;c)比较检测的振幅与参考振幅,和/或比较检测的相位与参考相位;d)基于比较,修改初始控制信号值,以修改初始电阻水平;以及e)重复操作b)到d)一次或者多次,并且存储经修改的初始控制信号值。
本文描述的实施例的优点是:NFC天线的谐振频率可以使用可变电阻器以相对简单的方式被控制,可变电阻器还用于在频率锁定阶段之前提供阻尼的目的。因此可以在表面积相对小的增加的情况下提供频率调谐。
附图说明
通过实施例的以下详细描述,参考附图,上述和其它特征和优点将变得明显,通过说明性而非限制性方式来给出实施例,其中:
图1示意性地图示了根据本公开的一个示例实施例的有NFC通信能力的NFC设备;
图2更详细地示意性地图示了根据本公开的一个示例实施例的图1的NFC设备;
图3示意性图示了NFC天线和NFC天线的接口电路的一个示例;
图4A和图4B是图示根据一个示例实施例的NFC读数器的频率特点的图表;
图5示意性地图示了根据本公开的一个示例实施例的NFC天线以及NFC天线的接口电路和驱动电路;
图6更详细地示意性地图示了根据一个示例实施例的图5的NFC驱动电路的可变电阻器;
图7是图示了根据一个示例实施例的图5的电路中的信号的示例的时序图;
图8是表示根据本公开的一个示例实施例的驱动NFC天线的方法中的操作的流程图;
图9A是表示根据一个示例实施例的作为阻尼电阻的函数的NFC天线的谐振频率的图表;
图9B是表示根据一个示例实施例的作为NFC天线的谐振频率的函数的RF天线信号的相位和振幅的图表;
图9C是表示根据一个示例实施例的作为阻尼电阻的函数的RF天线信号的相位和振幅的图表;以及
图10是表示根据一个示例实施例的NFC天线的自动天线调谐的方法中的操作的流程图。
具体实施方式
贯穿本说明书,术语“连接”被用于指定在电路部件之间的直接电连接,而术语“耦合”被用于指定在电路部件之间的可以是直接的、或者可以是经由一个或多个中间部件(诸如电阻器、电容器、晶体管等)的电连接。术语“大约”暗示讨论中的值的正负10%的范围。
图1示意性地图示了NFC设备102,NFC设备102是有NFC通信能力的设备。例如,设备102是配备有NFC电路(图1中未图示)的移动设备(诸如移动电话、智能电话、平板电脑、数字媒体播放器等)。
示出了NFC设备102与读数器104通信,读数器104包括NFC应答器106。例如,读数器104被定位在受限制的区域(诸如运输网等)的入口屏障处。备选地,读数器104被定位在商店或餐厅中的销售点处。例如,当与这种读数器一起使用时,NFC设备102的NFC电路以标签仿真模式操作。
根据一个示例实施例,图2更详细地示意性地图示了NFC设备102。
例如,如图示的,设备102包括NFC路由器202,NFC路由器202在本领域还被称为非接触式前端(CLF)。NFC路由器202被耦合到NFC天线电路204,并且路由器202和天线电路204共同提供NFC电路,以用于仿真NFC应答器的行为。
NFC路由器202还被耦合到NFC设备102的主机处理设备206。设备206包括在存储在指令存储器208中的指令的控制下的一个或多个处理器。例如指令存储器208是闪速存储器,并且存储已被加载在设备上的一个或多个应用(图2中未图示)。NFC路由器202还被耦合到其它设备,其它设备中的安全元件(SE)210和通用用户识别模块(USIM)电路212被图示。安全元件210是经由单线协议(SWP)链路被耦合到NFC路由器的嵌入式SE(eSE),并且例如USIM电路212是经由SWP链路被耦合到NFC路由器的通用集成电路卡(UICC),并且USIM电路212附加地被耦合到主机处理设备206。尽管没有在图2中图示,可以存在进一步的安全元件(诸如一个或者多个微安全数字(μSD)卡)。
主机处理设备206还被耦合到一个或者多个天线214,一个或者多个天线214许可在蜂窝网络内的电信、和/或根据其它标准(诸如Wi-Fi、蓝牙等)的无线通信。
NFC天线电路204包括NFC天线和接口电路(图2中未示出),接口电路提供频率匹配、输入/输出接口等。NFC路由器202包括主动负载调制(ALM)驱动电路216,以用于驱动NFC天线电路204。驱动电路216向电路204提供调制数据以用于发射,并且从电路204接收经由NFC无线接口接收的RF信号。
例如,包括驱动电路216的NFC路由器202由电源(诸如NFC设备的电池(未图示))来供电。
根据一个典型的示例,图3更详细地示意性地图示了图2的NFC天线电路204。
图3的电路204包括NFC天线302,NFC天线302被表示为由电感器304、电阻器306和电容308的并联连接形成的RLC模型,NFC天线302被耦合在天线的差分输入/输出端子310、312之间。图3的电路204还包括天线接口,天线接口定位在天线端子310、312与天线驱动电路(图3中未图示)的端子RFI1、RFI2、RFO1和RFO2之间。特别地,天线的端子310、312被耦合到匹配电路,匹配电路包括:在端子310、312之间并联耦合的电阻器314和电容器316、将端子310耦合到节点320的电容器318、以及将端子312耦合到节点324的电容器322。例如,经由由一对电容器326、328和一对电感器330、332形成的电磁干扰(EMI)滤波器,节点320和324分别被耦合到驱动电路的RF输出端子RFO1、RFO2。电容器326和328在节点320和324之间串联耦合,电容器326、328之间的中间节点334被耦合到地。电感器330、332分别将节点320、324耦合到端子RFO1、RFO2。电路204还包括去耦部件,去耦部件许可RF信号从天线被提供给驱动电路216。例如,节点320经由电阻器334被耦合到天线驱动电路的RF输入端子RFI1。类似地,例如节点324经由电阻器344被耦合到天线驱动电路的RF输入端子RFI2。
例如,电路204还包括电容阻尼(CDMP)电路,电容阻尼(CDMP)电路包括:在节点310和地之间耦合的阻尼电容器352和阻尼电阻器354的串联连接,以及在节点312和地之间耦合的阻尼电容器356和阻尼电阻器358的串联连接。在一些实施例中,电阻器354和358被集成在驱动电路216内,在电容器352和电阻器354之间的中间节点被提供给驱动电路的端子CDMP1,并且在电容器356和电阻器358之间的中间节点被提供给驱动电路的端子CDMP2。
例如,天线302具有大约475nH的电感、大约5pF的电容、和大约1500欧姆的电阻。例如,电容器316具有大约7.5pF的电容,电容器318和322各自具有大约200pF的电容,并且电阻器316具有大约1500欧姆的电阻。电感器330、332例如各自具有大约75nH的电感,并且电容器326、328例如各自具有大约560pF的电容。例如,电阻器334和344各自具有大约100欧姆的电阻。
在操作中,在卡仿真模式期间,例如NFC天线电路204使用主动负载调制(ALM)操作。特别地,ISO/IEC 14443限定具有使用接近耦合操作的NFC标签的非接触式芯片卡。使用在副载波频率的信号,NFC标签发射数据给读数器,副载波频率等于载波频率(一般等于13.56MHz)的整数分频。根据标准,NFC标签由读数器的场供电,并且通过向读数器的信号应用被动负载调制来发射数据。然而,操作范围受到读数器的天线和标签之间的耦合因子的限制。当在具有电源(诸如电池)的NFC设备上仿真非接触式芯片卡时,操作范围可以通过主动生成在副载波频率的负载调制信号而被大大增加,并且该技术在本领域被称为主动负载调制。
在采用主动负载调制的系统中的困难是:以相对高的精度在卡仿真期间生成载波频率和相位。已被提出的解决方案是帧内同步方法,该方法包含锁定至在发射突发之间的时段期间从NFC读数器接收的信号的频率。例如,发射突发具有与在例如847MHz的副载波信号的时段相等的时段。每个发射突发可以引起NFC天线在每个发射突发的末尾之后振荡达一段时间。因此,为了在下一个发射突发之前阻尼天线振荡并许可频率锁定,阻尼电容器352、356和阻尼电阻器354和358在每个发射突发之后使用对应的开关(图3中未图示)被分别耦合到节点310和312达短时段。例如,这种技术被更详细地描述在公开为US2015/0347892、题为“Method and circuit of an actively transmitting tag”的美国专利申请中,其内容在法律许可的程度上通过引用并入于此。
在诸如图3中的NFC天线电路中,天线302的实际谐振频率可以距离期望的频率水平相对较远,然而存在递增的需求来提供具有落入相对窄的频带内的谐振频率的NFC天线,如现在将参照图4A和图4B所描述的。
图4A和图4B图示了假设NFC读数器分别具有13.4MHz和13.8MHz的最小频率和最大频率,以mm为单位的事务范围。的确,存在递增的需求来提供NFC天线,该NFC天线可以以可接受的性能与对应于各种不同协议的读数器通信,并且这些读数器的频率可以相应地变化。
在图4A的情况下,假设75mm的可接受的事务范围,对于在13.4MHz的频率谐振的读数器,在从大约13.25MHz到大于13.56MHz的相对大的频带之上的NFC天线的谐振频率是可接受的。然而,在图4B的情况下,其中NFC读数器被调谐到13.8MHz的频率,NFC天线应该具有在大约13.4MHz和13.56MHz之间的更受限制的频带(即大约160kHz的频带)中的谐振频率。然而NFC天线的电感、电容、电阻等的公差(它们各自在1%和5%之间)可以容易地导致谐振频率的总变化高达500kHz。天线调谐提供用于使谐振频率在所期望的频带内的机制。尽管用于调谐谐振频率的解决方案可以使用可变电容器,这种解决方案倾向于要求相对高的表面积。
图5示意性地图示了根据本公开的一个实施例的天线驱动电路216,连同天线接口502和与NFC读数器506通信的NFC天线504。
例如,天线接口502与图3的接口类似,并且相似的特征已用相似的参考标号标记,并将不再详细描述。在图5的示例中,阻尼电容器352和356分别被耦合在天线端子310、312与天线驱动电路216的端子CDMP1和CDMP2之间。在驱动电路216内,端子CDMP1经由可变电阻器508被耦合到地,并且端子CDMP2经由可变电阻器510被耦合到地。例如,可变电阻器508、510由数字控制信号CTRL控制。在图5的示例中,可变电阻器508、510由天线驱动电路216的开关单元514中的开关实施。
例如,天线驱动电路216还包括接收器516、模拟-数字转换器(ADC)520、控制电路522、具有参考时钟输入525的时钟发生器524、和天线驱动器526。例如,控制电路522包括存储控制信号CTRL的一个或者多个值的可编程非易失性存储器527,如下面将更详细描述的。
在数据接收阶段期间,例如,经由天线504接收的信号是经由RF输入端子RFI1、RFI2提供给开关单元514的。该信号的路径在图5中由虚线528表示。开关单元514将在端子RFI1、RFI2处接收到的信号提供给接收器516。例如,接收器516执行包络检测以便解调接收到的信号,并将解调信号提供给ADC 520。ADC 520将解调信号转换为数字信号。如下面更详细描述的,例如,ADC 520还能执行对天线504发出的载波信号的振幅和相位测量。转而,ADC520将产生的数字数据提供给控制电路522。例如,控制电路522还将数据提供给天线驱动器526,例如天线驱动器526基于时钟发生器524提供的时钟信号来调制数据,并且在RF输出端子RFO1、RFO2处,提供相对于接收到的RF信号具有特定相位移动的发射信号。该信号的路径在图5中由虚线532表示。
在下面更详细描述的阻尼阶段期间,例如,控制电路522控制可变电阻器508、510各自具有电阻水平D,电阻水平D引起天线504上的信号的阻尼,以为频率锁定阶段作准备。例如,电阻水平D在50欧姆和500欧姆之间。
当NFC设备在卡仿真模式中、而不在阻尼阶段中时,例如,控制电路522控制可变电阻器508、510各自具有电阻水平R,电阻水平R将NFC天线的谐振频率修改到所期望的频带。该电阻水平R例如在3欧姆到100欧姆之间,并且例如低于在阻尼阶段期间的电阻水平D。
在读数器模式期间,例如控制电路522控制可变电阻器508、510各自具有小于3欧姆、并且例如大约1欧姆的相对低的电阻水平(M)。此外,在读数器模式期间,时钟发生器524提供时钟信号给天线驱动器526,该时钟信号是基于在输入525接收到的参考时钟信号生成的。例如,尽管图5中没有图示,参考时钟由晶体振荡器生成,或基于主机设备的系统时钟生成。在晶体振荡器的情况下,27.12MHz的时钟信号例如由晶体振荡器生成,并且时钟发生器524例如包括用于把该时钟信号的频率减半的电路,以生成在13.56MHz的载波。在系统时钟的情况下,这种时钟信号通常在19.2MHz或26MHz,并且时钟发生器524例如包括锁相环路(PLL),以用于将该信号转变为在13.56MHz的载波频率的时钟信号。
在频率锁定阶段期间,例如接收器516从自读数器506接收到的信号提取时钟信号,并且将提取的时钟信号提供给时钟发生器524。时钟发生器524基于提取的时钟信号生成时钟信号,生成的时钟信号被提供给天线驱动器526。提取的时钟的路径在图5中由虚线箭头530表示。
根据一个示例实施例,图6示意性地图示了实施图5的可变电阻器508的电路。例如,可变电阻器510由相似的电路实施。
例如,可变电阻器508包括晶体管的组602和晶体管的其它组604,组602、604中的每个组的晶体管在端子CDMP1和地之间相互并联耦合。组602、604的晶体管中的每个晶体管由控制信号CTRL的对应比特控制。例如,晶体管是n沟道MOS晶体管,并且由控制信号的对应比特的高水平激活。因此,当晶体管中的一个晶体管的控制比特低时,该晶体管提供例如几百欧姆或者更大的相对高的电阻路径,然而当控制比特高时,该晶体管提供等于其导通(ON)电阻的相对低的电阻路径。在备选的实施例中,组602、604的晶体管可以由p沟道MOS晶体管实施。
在NFC设备的读数器模式期间,例如组602的晶体管同时被激活,以提供可变电阻器508的相对低的电阻M。例如,当全部被激活时,组602的晶体管例如提供大约1欧姆或者更小的组合电阻。
激活组604的晶体管,以提供阻尼电阻水平D、或者用于获得所期望的NFC天线的谐振频率的电阻水平R。例如,组604的晶体管许可在相对宽的范围内(例如在3欧姆到几百欧姆的范围内)选择电阻。组604中的晶体管可以各自具有相同的ON电阻,或者可以具有变化的ON电阻,从而允许选择电阻的更宽范围。
在图6的示例中,组602包括四个晶体管,组604包括5个晶体管,并且控制信号CTRL是9比特信号,一个比特控制每个晶体管的栅极。然而,在备选的实施例中,组602可以包括至少一个晶体管,组604可以包括至少两个晶体管,并且控制信号CTRL具有对应数目的比特。此外,不是仅由晶体管的ON电阻确定,每个路径的电阻还可以由固定电阻确定,固定电阻是由例如多晶硅电阻器与每个晶体管串联实施的。
图7是时序图,其图示了:由NFC天线504发射的数据信号DATA、数据信号与副载波频率的组合、向天线应用的产生的调制RF信号S(t)、天线上存在的信号S'(t)、控制NFC天线的阻尼阶段的信号DAMP、控制NFC天线的频率和相位锁定阶段的信号LOCK、以及控制信号CTRL的示例。
如图示的,数据信号例如使用曼彻斯特编码被编码在副载波上的,在曼彻斯特编码中,副载波的相位对于“1”比特是在0°,并且对于“0”比特是在180°。因此,信号S(t)包括由停顿间隔的发射频率的突发,发射频率例如等于13.56MHz。信号S'(t)示出:考虑到天线的特点,跟随数据和副载波信号的每个边缘,振幅渐进地上升和下降。然而,在发射突发之间的停顿将用于频率锁定,并且因此在每个突发之后不久就应用阻尼,如由信号DAMP所表示的。在这些阻尼时段期间,控制信号CTRL处在编程电阻水平D的值。然而,在这些阻尼时段之外,控制信号CTRL处在编程电阻水平R的值,以将NFC天线504的谐振频率调整为落在所期望的频率范围内。
在一些实施例中,为了减少在发射突发期间的应答器负载效应,卡仿真模式中的谐振频率被控制为高于读数器的操作频率的谐振频率。例如,卡仿真模式中的谐振频率被控制在14MHz到16MHz的范围内,并且例如在14MHz和15MHz之间。例如,在NFC设备的读数器模式期间的谐振频率被控制为在13.56MHz或者接近13.56MHz。
根据本公开的一个示例实施例,图8是流程图,其表示使用ALM驱动NFC天线的方法中的操作。
操作901包含通过控制电路522生成控制信号CTRL,控制信号CTRL用于将可变电阻器508、510编程为各自具有基于NFC电路的操作阶段来选择的第一电阻水平M、第二电阻水平R和第三电阻水平D之一。例如,操作阶段是控制电路522的输入参数。
在操作902中,控制电路向第一和第二可变电阻器应用生成的控制信号,以便编程它们的电阻水平。
如现在将参照图9A至图9C描述的,可变电阻器508、510中的每个可变电阻器的电阻水平R,并且更特别地用于获得所期望的NFC天线的谐振频率的控制信号CTRL的值,例如是在自动调谐阶段期间基于NFC天线504上存在的信号的振幅和/或相位的检测而确定的。
根据一个示例实施例,图9A是表示作为阻尼电阻的函数的图5的NFC天线504的谐振频率的图表。可以看出,谐振频率随着阻尼电阻相对线性地变化,从对于20欧姆的阻尼电阻的接近14.2MHz的频率变化到对于50欧姆的阻尼电阻的接近15.05MHz的频率。
根据一个示例实施例,图9B是表示作为NFC天线的谐振频率的函数的RF天线信号的相位和振幅的图表。可以看出,随着频率从14.4MHz增大到15MHz,相位从接近-101°的水平减小到接近-108.5°的水平,并且振幅从接近1.9V的水平增大到接近2.4V的水平。
根据一个示例实施例,图9C是表示作为阻尼电阻的函数的RF天线信号的相位和振幅的图表。可以看出,随着阻尼电阻从20欧姆变化到50欧姆,相位和振幅以与当谐振频率从14.4MHz变化到15MHz时相位和振幅变化类似的方式变化。
因此,图9A到图9C证明在RF天线信号的振幅和谐振频率之间有单调增加的关系,并且在RF天线信号的振幅和阻尼电阻之间也有单调增加的关系。此外,在RF天线信号的相位和谐振频率之间有单调减小的关系,并且在RF天线信号的相位和阻尼电阻之间也有单调减小的关系。因此,通过已知与NFC天线的所期望的谐振频率相对应的振幅和/或相位,以及通过当向天线应用已知的信号时检测振幅和/或相位,朝向所期望的谐振频率来调谐NFC天线是可能的。例如,假设14.7MHz的谐振频率是所期望的,这对应于接近2.2V的振幅和接近-105°的相位。因此,通过调整可变电阻器508、510的控制信号CTRL直到实现接近2.2V的振幅和/或接近-105°的相位,谐振频率可以被带到所期望的水平。现在将参考图10描述执行该类型的调谐操作的方法。
图10是表示由图5的驱动电路216实施的NFC天线的自动天线调谐的方法中的操作的流程图。
在操作1001中,例如在发射突发期间,当向天线应用具有给定相位和振幅的信号时,检测NFC天线上存在的RF信号的振幅和/或相位。例如,在天线的自动校准期间,基于提供在输入线525上的参考时钟信号,天线驱动器526驱动天线。例如,初始地,控制信号CTRL被用于将可变电阻器508、510设置在中间的电阻水平,该中间的电阻水平大约在每个电阻器的最大和最小电阻水平之间的中点。
例如,参照图5,天线上的RF信号经由驱动电路216的RF输入端子RFI1、RFI2接收,并且被接收器516和ADC 520处理,以便生成表示在天线处存在的RF信号的数字信号。例如,ADC 520还执行RF信号的振幅和相位的测量,并且向控制电路522提供产生的振幅和相位。
在操作1002中,比较检测的振幅与参考振幅,和/或比较检测的相位与参考相位。参考振幅和参考相位对应于所期望的谐振频率。例如,参考振幅和/或参考相位由在控制电路522的非易失性存储器527中存储的数字值表示。
在操作1003中,基于在操作1002中执行的比较的结果,修改控制信号CTRL。例如,在检测振幅的情况下,如果检测的振幅低于参考振幅,修改控制信号以增加可变电阻器508、510的电阻,并且如果检测的振幅高于参考振幅,修改控制信号以减小可变电阻器508、510的电阻。在检测相位的情况下,如果检测的相位低于参考相位,修改控制信号以减小可变电阻器508、510的电阻,并且如果检测的相位高于参考相位,修改控制信号以增大可变电阻器508、510的电阻。
在操作1004中,确定调谐操作是否已结束。在一些实施例中,在给定数目的迭代后,调谐操作结束,给定数目的迭代取决于可编程的电阻水平的数目。在其它实施例中,调谐操作继续,直到检测到控制信号已稳定到一个或者两个值。如果调谐操作尚未结束,重复操作1001到1004。一旦调谐操作已结束,在操作1005中,确定的最终控制信号被存储到存储器(诸如图5的非易失性存储器527)。
本文描述的实施例的优点是:NFC天线的谐振频率可以使用可变电阻器以相对简单的方式被控制,可变电阻器还用于在频率锁定阶段之前提供阻尼的目的。因此可以在表面积相对小的增加的情况下提供频率调谐。
因此,已描述了至少一个说明性实施例,本领域的技术人员将容易地想到各种改变、修改和改善。例如,尽管已联系图10描述了算法的一些特定示例以用于确定用于获得所期望的谐振频率的电阻器控制信号,对于本领域的技术人员将明显的是,可以使用其它算法(诸如蛮力(brute force)方法)。

Claims (16)

1.一种用于驱动近场通信设备的天线的电路,其特征在于,所述电路包括:
第一可变电阻器,所述第一可变电阻器经由第一电容器被耦合到所述天线的第一端子;
第二可变电阻器,所述第二可变电阻器经由第二电容器被耦合到所述天线的第二端子;以及
控制电路,所述控制电路被配置为使得所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器各自具有第一电阻水平、第二电阻水平和第三电阻水平中的基于所述电路的操作阶段选择的一个电阻水平。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第一电阻水平使得所述天线具有第一谐振频率,并且其中所述第二电阻水平使得所述天线具有高于所述第一谐振频率的第二谐振频率。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第一谐振频率小于14MHz并且所述第二谐振频率大于14MHz。
4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第三电阻水平引起所述天线的电压振荡的阻尼。
5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于:
所述第一电阻水平小于3欧姆;
所述第二电阻水平大于3欧姆并且小于100欧姆;以及
所述第三电阻水平大于25欧姆并且与所述第二电阻水平不同。
6.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述控制电路进一步被配置为:
在与读数器模式相对应的所述近场通信设备的第一操作阶段期间,选择所述第一电阻水平;
在所述近场通信设备的第二操作阶段期间,选择所述第二电阻水平,所述第二操作阶段与在所述近场通信设备的卡仿真模式期间所述天线的发射突发的时段相对应;以及
在所述近场通信设备的第三操作阶段期间,选择所述第三电阻水平,所述第三操作阶段与在所述卡仿真模式期间所述天线的发射突发之间的非发射时段的一部分相对应。
7.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述控制电路进一步被配置为执行自动天线调谐过程,以确定用于将所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器编程为具有所述第二电阻水平的控制信号的值。
8.根据权利要求7所述的电路,其特征在于,所述控制电路被配置为通过执行以下操作来确定所述控制信号:
选择所述控制信号的初始值,以选择所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器的初始电阻水平;
检测在发射突发期间所述天线上存在的信号的振幅和/或相位;
比较所述振幅与参考振幅,和/或比较所述相位与参考相位;
基于所述比较,修改所述控制信号的所述初始值,以修改所述初始电阻水平;以及
重复所述选择、检测、比较和修改的操作至少一次。
9.一种近场通信设备,其特征在于,包括:
近场通信天线;
主动负载调制驱动电路,其被耦合到所述近场通信天线,其中所述主动负载调制驱动电路包括:
第一可变电阻器,所述第一可变电阻器经由第一电容器被耦合到所述近场通信天线的第一端子;
第二可变电阻器,所述第二可变电阻器经由第二电容器被耦合到所述近场通信天线的第二端子;以及
控制电路,所述控制电路被配置为使得所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器各自具有第一电阻水平、第二电阻水平和第三电阻水平中的基于所述电路的操作阶段选择的一个电阻水平;以及
电池,所述电池将供应电压供应给所述主动负载调制驱动电路。
10.根据权利要求9所述的近场通信设备,其特征在于,进一步包括与所述主动负载调制驱动电路通信的主机处理设备。
11.根据权利要求9所述的近场通信设备,其特征在于,所述控制电路进一步被配置为:
在与读数器模式相对应的所述近场通信设备的第一操作阶段期间,选择所述第一电阻水平;
在所述近场通信设备的第二操作阶段期间,选择所述第二电阻水平,所述第二操作阶段与在所述近场通信设备的卡仿真模式期间所述天线的发射突发的时段相对应;以及
在所述近场通信设备的第三操作阶段期间,选择所述第三电阻水平,所述第三操作阶段与在所述卡仿真模式期间所述天线的发射突发之间的非发射时段的一部分相对应。
12.根据权利要求9所述的近场通信设备,其特征在于,所述控制电路进一步被配置为执行自动天线调谐过程,以确定用于将所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器编程为具有所述第二电阻水平的控制信号的值。
13.根据权利要求12所述的近场通信设备,其特征在于,所述控制电路被配合为通过执行以下操作来确定所述控制信号:
选择所述控制信号的初始值,以选择所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器的初始电阻水平;
检测在发射突发期间所述近场通信天线上存在的信号的振幅和/或相位;
比较所述振幅与参考振幅,和/或比较所述相位与参考相位;
基于所述比较,修改所述控制信号的所述初始值,以修改所述初始电阻水平;以及
重复所述选择、检测、比较和修改的操作至少一次。
14.根据权利要求9所述的近场通信设备,其特征在于:
所述第一电阻水平小于3欧姆;
所述第二电阻水平大于3欧姆并且小于100欧姆;以及
所述第三电阻水平大于25欧姆并且与所述第二电阻水平不同。
15.根据权利要求9所述的近场通信设备,其特征在于,所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第一电阻水平使得所述近场通信天线具有第一谐振频率,并且其中所述第二电阻水平使得所述近场通信天线具有高于所述第一谐振频率的第二谐振频率。
16.根据权利要求15所述的近场通信设备,其特征在于,所述第一可变电阻器和所述第二可变电阻器被配置为以使所述第一谐振频率小于14MHz并且所述第二谐振频率大于14MHz。
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