CN208507662U - 一种沟槽型半导体功率器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种沟槽型半导体功率器件，包括半导体功率器件本体，所述半导体功率器件本体的两侧壳体上对称等距焊接有引脚，且引脚的底部连接有焊脚，所述焊脚上对称开设有圆形通孔，所述半导体功率器件本体两侧壳体上通过固定架固定有与半导体功率器件本体相互平行的限位条，所述限位条上等距开设有限位凹槽，所述半导体功率器件本体底部壳体上等距开设有水平凹槽和垂直凹槽。本实用新型中，通过设有限位条，可以通过限位条上的限位凹槽对引脚进行支撑限位，提高引脚的强度，防止在焊接时引脚发生变形，从而导致引脚损坏，或引起相邻两个引脚之间相互接触。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种沟槽型半导体功率器件。
背景技术
电力电子器件(Power Electronic Device)又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上，功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设；网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备；消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品；工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等，除了保证这些设备的正常运行以外，功率器件还能起到有效的节能作用。由于电子产品的需求以及能效要求的不断提高，中国功率器件市场一直保持较快的发展速度。
传统的半导体功率器件结构较为简单，缺少对引脚的限位支撑措施，焊接时易导致引脚变形，同时缺少辅助散热措施，在使用时易出现发热的情况，从而导致半导体功率器件使用寿命变短。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种沟槽型半导体功率器件。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种沟槽型半导体功率器件，包括半导体功率器件本体，所述半导体功率器件本体的两侧壳体上对称等距焊接有引脚，且引脚的底部连接有焊脚，所述焊脚上对称开设有圆形通孔，所述半导体功率器件本体两侧壳体上通过固定架固定有与半导体功率器件本体相互平行的限位条，所述限位条上等距开设有限位凹槽，所述半导体功率器件本体底部壳体上等距开设有水平凹槽和垂直凹槽。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述限位凹槽的数量与引脚的数量相等，且任意相邻两个限位凹槽之间的距离与任意相邻两个引脚之间的距离相等。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述相邻两个水平凹槽之间的距离与相邻两个垂直凹槽之间的距离相等，且水平凹槽的深度与垂直凹槽的深度相等。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述任意互交叉连接的水平凹槽和垂直凹槽之间相互导通。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述半导体功率器件本体顶部一侧壳体上开设有焊接标记槽。
本实用新型中，首先通过设有限位条，可以通过限位条上的限位凹槽对引脚进行支撑限位，提高引脚的强度，防止在焊接时引脚发生变形，从而导致引脚损坏，或引起相邻两个引脚之间相互接触，其次，通过设有水平凹槽和垂直凹槽，水平凹槽和垂直凹槽可以使得半导体功率器件本体底部与电路板表面具有多个间隙，从而便于进行通风，提高散热的效果，防止半导体功率器件本体发热，延长该沟槽型半导体功率器件的使用寿命，再有，焊脚上的圆形通孔会对焊锡进行聚集，有效的防止焊锡流出导致相邻的两个焊脚之间连接。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种沟槽型半导体功率器件的整体结构示意图；
图2为本实用新型提出的一种沟槽型半导体功率器件的限位条结构示意图；
图3为本实用新型提出的一种沟槽型半导体功率器件的半导体功率器件本体底部结构示意图。
图例说明：
1-半导体功率器件本体、2-焊接标记槽、3-水平凹槽、4-限位条、5-引脚、 6-焊脚、7-圆形通孔、8-限位凹槽、9-固定架、10-垂直凹槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
参照图1-3，一种沟槽型半导体功率器件，包括半导体功率器件本体1，半导体功率器件本体1的两侧壳体上对称等距焊接有引脚5，且引脚5的底部连接有焊脚6，焊脚6上对称开设有圆形通孔7，半导体功率器件本体1两侧壳体上通过固定架9固定有与半导体功率器件本体1相互平行的限位条4，限位条4上等距开设有限位凹槽8，半导体功率器件本体1底部壳体上等距开设有水平凹槽 3和垂直凹槽10。
限位凹槽8的数量与引脚5的数量相等，且任意相邻两个限位凹槽8之间的距离与任意相邻两个引脚5之间的距离相等，从而可以通过限位条4上的限位凹槽8对引脚5进行支撑限位，提高引脚5的强度，防止在焊接时引脚5发生变形，从而导致半导体功率器件本体1出现故障。
相邻两个水平凹槽3之间的距离与相邻两个垂直凹槽10之间的距离相等，且水平凹槽3的深度与垂直凹槽10的深度相等，任意互交叉连接的水平凹槽3 和垂直凹槽10之间相互导通，半导体功率器件本体1顶部一侧壳体上开设有焊接标记槽2。
工作原理：该沟槽型半导体功率器件使用时，首先通过将该沟槽型半导体功率器件固定在电路板上，然后对引脚5底端的焊脚6进行焊接，在焊接的同时，焊脚6上的圆形通孔7会对焊锡进行聚集，有效的防止焊锡流出导致相邻的两个焊脚6之间连接，焊接完成后，半导体功率器件本体1底部与电路板表面相互贴合，水平凹槽3和垂直凹槽10可以使得半导体功率器件本体1底部与电路板表面具有多个间隙，从而便于进行通风散热，防止半导体功率器件本体1 发热。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种沟槽型半导体功率器件，包括半导体功率器件本体(1)，其特征在于，所述半导体功率器件本体(1)的两侧壳体上对称等距焊接有引脚(5)，且引脚(5)的底部连接有焊脚(6)，所述焊脚(6)上对称开设有圆形通孔(7)，所述半导体功率器件本体(1)两侧壳体上通过固定架(9)固定有与半导体功率器件本体(1)相互平行的限位条(4)，所述限位条(4)上等距开设有限位凹槽(8)，所述半导体功率器件本体(1)底部壳体上等距开设有水平凹槽(3)和垂直凹槽(10)。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽型半导体功率器件，其特征在于，所述限位凹槽(8)的数量与引脚(5)的数量相等，且任意相邻两个限位凹槽(8)之间的距离与任意相邻两个引脚(5)之间的距离相等。
3.根据权利要求1所述的一种沟槽型半导体功率器件，其特征在于，所述相邻两个水平凹槽(3)之间的距离与相邻两个垂直凹槽(10)之间的距离相等，且水平凹槽(3)的深度与垂直凹槽(10)的深度相等。
4.根据权利要求1所述的一种沟槽型半导体功率器件，其特征在于，所述任意互交叉连接的水平凹槽(3)和垂直凹槽(10)之间相互导通。
5.根据权利要求1所述的一种沟槽型半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件本体(1)顶部一侧壳体上开设有焊接标记槽(2)。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118237681A (zh) * | 2024-03-29 | 2024-06-25 | 广东高尔德集团有限公司 | 一种大焊盘脱扣电极片及其焊接工艺 |
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2018
- 2018-07-17 CN CN201821160116.1U patent/CN208507662U/zh not_active Expired - Fee Related
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