CN208422897U - 一种降低功耗的三极管封装结构 - Google Patents

一种降低功耗的三极管封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN208422897U
CN208422897U CN201821099192.6U CN201821099192U CN208422897U CN 208422897 U CN208422897 U CN 208422897U CN 201821099192 U CN201821099192 U CN 201821099192U CN 208422897 U CN208422897 U CN 208422897U
Authority
CN
China
Prior art keywords
dao
paster
casing
base portion
curren
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201821099192.6U
Other languages
English (en)
Inventor
林陈财
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Chengda Industrial Development Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Chengda Industrial Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Chengda Industrial Development Co Ltd filed Critical Shenzhen Chengda Industrial Development Co Ltd
Priority to CN201821099192.6U priority Critical patent/CN208422897U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN208422897U publication Critical patent/CN208422897U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种降低功耗的三极管封装结构,包括机壳、基部贴片基岛、芯片、发射极和散热腔体,所述散热腔体内部的一侧设有散热片,所述散热腔体上方的机壳内部中心位置处设有集电部贴片基岛,所述集电部镀银区的顶端设有集电极,所述集电部贴片基岛一侧的机壳内部设有基部贴片基岛,所述基部贴片基岛表面的机壳内部设有芯片,芯片外侧的机壳内部设有保护壳,所述基部贴片基岛顶端的中心位置处设有基极,所述集电部贴片基岛远离基部贴片基岛一侧的机壳内部设有发射部贴片基岛,所述发射部镀银区的顶端设有发射极。本实用新型不仅延长了三极管的使用寿命,提高了三极管使用时的安全性,还提高了三极管使用时的稳定性。

Description

一种降低功耗的三极管封装结构
技术领域
本实用新型涉及三极管封装结构技术领域,具体为一种降低功耗的三极管封装结构。
背景技术
三极管,全称为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关,晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件,三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,目前市面上的三极管封装其内部温度较高,容易造成损坏,且内部的芯片与空气中的一些物质相接触,也容易老化,三极管的封装脚序一般为发射极、基极、集电极,且封装脚上并无相关隔离装置,如发生漏电现象会自动导通,其安全性得不到保障。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种降低功耗的三极管封装结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种降低功耗的三极管封装结构,包括机壳、基部贴片基岛、芯片、发射极和散热腔体,所述机壳内部的底端设有散热腔体,散热腔体内部的一侧设有散热片,所述散热腔体上方的机壳内部中心位置处设有集电部贴片基岛,集电部贴片基岛顶端的机壳内部固定有集电部镀银区,所述集电部镀银区的顶端设有集电极,且集电极远离集电部镀银区的一端延伸至机壳的外部,所述集电部贴片基岛一侧的机壳内部设有基部贴片基岛,基部贴片基岛表面的机壳内部设有芯片,所述芯片外侧的机壳内部设有保护壳,保护壳内部的一侧设有硅氟橡胶,所述基部贴片基岛顶端的中心位置处设有基极,且基极远离基部贴片基岛的一端延伸至机壳的外部,所述集电部贴片基岛远离基部贴片基岛一侧的机壳内部设有发射部贴片基岛,发射部贴片基岛的顶端设有发射部镀银区,所述发射部镀银区的顶端设有发射极,且发射极远离发射部镀银区的一端延伸至机壳的外部。
优选的,所述机壳的内部填充有石墨离子。
优选的,所述基部贴片基岛的底端设有等间距的散热孔,且散热孔远离基部贴片基岛的一端贯穿散热腔体并延伸至机壳的外部。
优选的,所述基极、集电极与发射极的顶端皆设有橡胶隔离套,且橡胶隔离套与基极、集电极以及发射极相配合。
优选的,所述散热片顶端的拐角位置处皆设有紧固螺栓,且紧固螺栓的一端贯穿散热片并与机壳的内壁螺纹连接。
优选的,所述硅氟橡胶一侧的保护壳内部设有环氧树脂。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该降低功耗的三极管封装结构通过在基部贴片基岛底端设等间距的散热孔,散热腔体内部一侧设散热片,散热片顶端拐角位置处设紧固螺栓,实现了三极管使用时的散热功能,从而延长了三极管的使用寿命,通过在基部贴片基岛顶端中心位置处设基极,电部镀银区顶端设集电极,基极、集电极与发射极顶端设橡胶隔离套,降低了三极管漏电时自动导通的概率,从而提高了三极管使用时的安全性,同时通过在芯片外侧机壳内部设保护壳,保护壳内部一侧设硅氟橡胶,硅氟橡胶一侧保护壳内部设环氧树脂,实现了三极管内部芯片的保护,从而提高了三极管使用时的稳定性,本实用新型不仅延长了三极管的使用寿命,提高了三极管使用时的安全性,还提高了三极管使用时的稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的主视结构示意图;
图2为本实用新型的外部结构示意图;
图3为本实用新型的保护壳剖视结构示意图;
图4为本实用新型的侧视结构示意图。
图中:1、机壳;2、基部贴片基岛;3、芯片;4、保护壳;5、基极;6、橡胶隔离套;7、集电极;8、发射极;9、集电部镀银区;10、发射部镀银区;11、发射部贴片基岛;12、散热腔体;13、散热片;14、紧固螺栓;15、集电部贴片基岛;16、散热孔;17、石墨离子;18、硅氟橡胶;19、环氧树脂。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4,本实用新型提供的一种实施例:一种降低功耗的三极管封装结构,包括机壳1、基部贴片基岛2、芯片3、发射极8和散热腔体12,机壳1内部的底端设有散热腔体12,散热腔体12内部的一侧设有散热片13,散热片13顶端的拐角位置处皆设有紧固螺栓14,且紧固螺栓14的一端贯穿散热片13并与机壳1的内壁螺纹连接,便于散热片13固定于散热腔体12内,机壳1的内部填充有石墨离子17,提高了机壳1的硬度,散热腔体12上方的机壳1内部中心位置处设有集电部贴片基岛15,集电部贴片基岛15顶端的机壳1内部固定有集电部镀银区9,集电部镀银区9的顶端设有集电极7,且集电极7远离集电部镀银区9的一端延伸至机壳1的外部,集电部贴片基岛15一侧的机壳1内部设有基部贴片基岛2,基部贴片基岛2的底端设有等间距的散热孔16,且散热孔16远离基部贴片基岛2的一端贯穿散热腔体12并延伸至机壳1的外部,便于三极管进行散热,基部贴片基岛2表面的机壳1内部设有芯片3,芯片3外侧的机壳1内部设有保护壳4,保护壳4内部的一侧设有硅氟橡胶18,硅氟橡胶18一侧的保护壳4内部设有环氧树脂19,提高了对芯片3的保护性,基部贴片基岛2顶端的中心位置处设有基极5,基极5、集电极7与发射极8的顶端皆设有橡胶隔离套6,且橡胶隔离套6与基极5、集电极7以及发射极8相配合,提高了三极管的安全性,且基极5远离基部贴片基岛2的一端延伸至机壳1的外部,集电部贴片基岛15远离基部贴片基岛2一侧的机壳1内部设有发射部贴片基岛11,发射部贴片基岛11的顶端设有发射部镀银区10,发射部镀银区10的顶端设有发射极8,且发射极8远离发射部镀银区10的一端延伸至机壳1的外部。
工作原理:当三极管使用时,将外部系统与三极管相连接,首先通过基部贴片基岛2顶端中心位置处的基极5与集电部镀银区9顶端的集电极7位置互换,基极5、集电极7与发射极8顶端的橡胶隔离套6对封装脚进行隔离,避免漏电时出现自动导通的现象,在通过散热腔体12内部一侧的散热片13对三极管内部进行散热,并与基部贴片基岛2底端的散热孔16相配合提高其散热效果,最后通过芯片3外侧机壳1内部的保护壳4对基部贴片基岛2表面机壳1内部的芯片3进行保护,由于保护壳4内部一侧的硅氟橡胶18与硅氟橡胶18一侧保护壳4内部的环氧树脂19的存在,使其保护效果得到一定的提高,从而完成三极管的使用。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (6)

1.一种降低功耗的三极管封装结构,包括机壳(1)、基部贴片基岛(2)、芯片(3)、发射极(8)和散热腔体(12),其特征在于:所述机壳(1)内部的底端设有散热腔体(12),散热腔体(12)内部的一侧设有散热片(13),所述散热腔体(12)上方的机壳(1)内部中心位置处设有集电部贴片基岛(15),集电部贴片基岛(15)顶端的机壳(1)内部固定有集电部镀银区(9),所述集电部镀银区(9)的顶端设有集电极(7),且集电极(7)远离集电部镀银区(9)的一端延伸至机壳(1)的外部,所述集电部贴片基岛(15)一侧的机壳(1)内部设有基部贴片基岛(2),基部贴片基岛(2)表面的机壳(1)内部设有芯片(3),所述芯片(3)外侧的机壳(1)内部设有保护壳(4),保护壳(4)内部的一侧设有硅氟橡胶(18),所述基部贴片基岛(2)顶端的中心位置处设有基极(5),且基极(5)远离基部贴片基岛(2)的一端延伸至机壳(1)的外部,所述集电部贴片基岛(15)远离基部贴片基岛(2)一侧的机壳(1)内部设有发射部贴片基岛(11),发射部贴片基岛(11)的顶端设有发射部镀银区(10),所述发射部镀银区(10)的顶端设有发射极(8),且发射极(8)远离发射部镀银区(10)的一端延伸至机壳(1)的外部。
2.根据权利要求1所述的一种降低功耗的三极管封装结构,其特征在于:所述机壳(1)的内部填充有石墨离子(17)。
3.根据权利要求1所述的一种降低功耗的三极管封装结构,其特征在于:所述基部贴片基岛(2)的底端设有等间距的散热孔(16),且散热孔(16)远离基部贴片基岛(2)的一端贯穿散热腔体(12)并延伸至机壳(1)的外部。
4.根据权利要求1所述的一种降低功耗的三极管封装结构,其特征在于:所述基极(5)、集电极(7)与发射极(8)的顶端皆设有橡胶隔离套(6),且橡胶隔离套(6)与基极(5)、集电极(7)以及发射极(8)相配合。
5.根据权利要求1所述的一种降低功耗的三极管封装结构,其特征在于:所述散热片(13)顶端的拐角位置处皆设有紧固螺栓(14),且紧固螺栓(14)的一端贯穿散热片(13)并与机壳(1)的内壁螺纹连接。
6.根据权利要求1所述的一种降低功耗的三极管封装结构,其特征在于:所述硅氟橡胶(18)一侧的保护壳(4)内部设有环氧树脂(19)。
CN201821099192.6U 2018-07-12 2018-07-12 一种降低功耗的三极管封装结构 Expired - Fee Related CN208422897U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201821099192.6U CN208422897U (zh) 2018-07-12 2018-07-12 一种降低功耗的三极管封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201821099192.6U CN208422897U (zh) 2018-07-12 2018-07-12 一种降低功耗的三极管封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN208422897U true CN208422897U (zh) 2019-01-22

Family

ID=65126406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201821099192.6U Expired - Fee Related CN208422897U (zh) 2018-07-12 2018-07-12 一种降低功耗的三极管封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN208422897U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN208422897U (zh) 一种降低功耗的三极管封装结构
CN208580736U (zh) 一种稳定性三极管
CN207132309U (zh) 一种led灯的散热器
CN207303071U (zh) 一种大功率贴片封装三极管
CN209747500U (zh) 一种具有防碰撞保护结构的塑封表贴封装晶体管
CN207409475U (zh) 一种新型三极管结构
CN205959970U (zh) 一种新型简易光敏三极管控制装置
CN209675290U (zh) 一种防水稳压三极管
CN207475476U (zh) 带山字形散热结构的光伏接线盒
CN209312796U (zh) 一种新型贴片二极管
CN207765442U (zh) 高可靠性晶体三极管
CN208889642U (zh) 一种散热效果好的三极管
CN209266402U (zh) 一种保护型贴片三极管
CN207474464U (zh) 一种快速拆卸的半导体三极管
CN208580732U (zh) 一种耐高温式三极管
CN209087815U (zh) 一种大功率插接式贴片封装三极管
CN202452186U (zh) Led灯
CN209216964U (zh) 一种散热型贴片三极管
CN207282485U (zh) 抗高温大功率二极管
CN207009892U (zh) 半导体激光器的封装结构
CN207849317U (zh) 一种用于led灯散热的散热器
CN214848672U (zh) 一种高效节能的新型二极管
CN219017632U (zh) 一种防水稳压三极管
CN205016530U (zh) 一种高稳定开关半导体三极管
CN213656337U (zh) 一种便于拆卸的多功能led灯

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190122

Termination date: 20200712