CN208384043U - 一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置 - Google Patents
一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208384043U CN208384043U CN201821143225.2U CN201821143225U CN208384043U CN 208384043 U CN208384043 U CN 208384043U CN 201821143225 U CN201821143225 U CN 201821143225U CN 208384043 U CN208384043 U CN 208384043U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- capacitor
- transistor
- connect
- flip chip
- bus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn - After Issue
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012854 evaluation process Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置，所述装置包括：复位总线、刻度输入总线、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一晶体管MR、第二晶体管MF、第三晶体管MS、第四晶体管ML、列总线、电源、电压发生器；所述第三电容C3的一端与所述刻度输入总线连接，所述第三电容C3的另一端与所述第一电容C1的一端连接，所述第三电容C3的另一端还与所述第一晶体管MR的发射极连接，所述第一电容C1的另一端接地。本实用新型中的装置可以对焊点的连通性精确检测。
Description
技术领域
本实用新型涉及倒装焊工艺评估领域，特别是涉及一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置。
背景技术
传统的倒装焊工艺评估方法大多都通过光学检测的办法完成倒装焊工艺评估。即，首先完成样片的倒装焊工艺试制，然后通过X光检测设备对倒装焊焊点阵列进行透视成像，逐一观察焊点的形态，形态异常的焊点标记为异常焊点。最后，进一步通过机械外力将已完成倒装焊的模组撬开，并在光学显微镜下观察焊点的断面和形态，断面异常或者没有断面的焊点确定为倒装失效焊点。可见，这一倒装焊工艺评估过程大量依赖人力观察，如要精确确定工艺的良点率时效率极低；同时，工艺评估效果严重依赖成像设备的精度，当倒装焊焊点直径减小至十几微米时，仅通过外形观察已经很难分辨焊点的连通与否。
另一类方法主要基于简单的电连通性测试，在即将进行倒装焊的底片和负载片上首先进行金属布线，保证上下两个样片的金属布线形成一定的对应模式。理想情况下，完成倒装焊工艺后，通过焊点连接的上下两个样片的金属布线可以形成通路；当倒装焊存在焊点连通性问题时，金属连通性就会存在问题，形成断路。这样将金属布线的两端引出到片外进行探针通断测试，就可以验证倒装焊点阵的整体连通性。然而，由于探针可探测的引脚只能分布在芯片四周，数量有限，这种方法只能对倒装焊点阵的整体连通性进行评估，并且无法实现对故障的精确定位。即使通过区域分割的方法，缩小对焊点点阵的测试范围，提高评估精度，在大规模点阵中也很难做到对每个焊点的连通性都进行精确评估。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置，以实现对焊点的连通性精确检测。
为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：
一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置，所述装置包括：
复位总线、刻度输入总线、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一晶体管MR、第二晶体管MF、第三晶体管MS、第四晶体管ML、列总线、电源、电压发生器；
所述第三电容C3的一端与所述刻度输入总线连接，所述第三电容C3的另一端与所述第一电容C1的一端连接，所述第三电容C3的另一端还与所述第一晶体管MR的发射极连接，所述第一电容C1的另一端接地；
所述第二电容C2的一端与所述被测焊点连接，所述第二电容C2的另一端接地，所述第一晶体管MR与所述列总线连接，所述第一晶体管MR的集电极与所述电源连接；所述第二晶体管MF基极与所述第一晶体管MR的发射极连接，所述第二晶体管MF的集电极与所述电源连接，所述第二晶体管MF的发射极与所述第三晶体管MS的集电极连接，所述第三晶体管MS的发射极与所述列总线连接；所述第四晶体管ML的基极与所述电压发生器连接，所述第四晶体管ML的发射极接地，所述第四晶体管ML的集电极与所述列总线连接。
可选的，所述第一电容C1为基准电容、第二电容C2为负载电容、第三电容C3为刻度电容。
根据本实用新型提供的具体实施例，本实用新型公开了以下技术效果：
本实用新型中的上述装置，通过设置复位总线、刻度输入总线、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一晶体管MR、第二晶体管MF、第三晶体管MS、第四晶体管ML、列总线、电源、电压发生器，可以实现对被测倒装焊焊点连通性以及寄生参数的精确定量测试。相比传统评估方法仅观察焊点外形，或者仅评估阵列整体连通性，其测试精度大大提高。对于以像素探测和成像为代表的低噪声阵列应用来说，由于输入端寄生电容将直接导致电路噪声增加，因此定量衡量倒装焊工艺引入的寄生参数，对于电路和工艺优化也有很大帮助。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置电路结构图；
图2为本实用新型实施例负载电容电路原理图；
图3为本实用新型实施例倒装焊工艺评估阻容网络模型结构图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型的目的是提供一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置，以实现对焊点的连通性精确检测。
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1为本实用新型实施例倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置电路结构图，如图1所示，所述装置包括：
复位总线、刻度输入总线、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一晶体管MR、第二晶体管MF、第三晶体管MS、第四晶体管ML、列总线、电源、电压发生器；
所述第一电容C1为基准电容、第二电容C2为负载电容、第三电容C3为刻度电容。
所述第三电容C3的一端与所述刻度输入总线连接，所述第三电容C3的另一端与所述第一电容C1的一端连接，所述第三电容C3的另一端还与所述第一晶体管MR的发射极连接，所述第一电容C1的另一端接地；
所述第二电容C2的一端与所述被测焊点连接，所述第二电容C2的另一端接地，所述第一晶体管MR与所述列总线连接，所述第一晶体管MR的集电极与所述电源连接；所述第二晶体管MF基极与所述第一晶体管MR的发射极连接，所述第二晶体管MF的集电极与所述电源连接，所述第二晶体管MF的发射极与所述第三晶体管MS的集电极连接，所述第三晶体管MS的发射极与所述列总线连接；所述第四晶体管ML的基极与所述电压发生器连接，所述第四晶体管ML的发射极接地，所述第四晶体管ML的集电极与所述列总线连接。
图2为本实用新型实施例负载电容电路原理图，如图2所示，图2给出了电容负载片的原理图，只需在电路底片单元相同的尺寸内实现对地电容，且倒装焊焊点的位置与电路底片精确对应，为了以相对简单的工艺完成电容负载片的制作，各个对地电容的底板可以连接到公共地网络上，这样仅需两层金属的半导体工艺即可实现，电容负载片的公共地网络可以进一步通过倒装焊焊点的方式连接至电路底片。
具体的，可以根据A点的电压来评估焊点的连通性，所述A点电压为第一电容C1一端与第二晶体管MF基极以及被测焊点连接的交叉点；若A点电压等于V*C3/(C1+C2+C3)时则表示焊点断开，若A点电压等于V*C3/(C1+C3)时，则表示焊点连通。
具体的，还可以根据被测焊点的寄生电阻值评估焊点的连通性能，当所述寄生电阻的阻值小于等于0.05Ω时，则表示被测焊点连通性高。
在实际应用中，倒装焊焊点不可避免的引入寄生电阻和寄生电容，对于低噪声的探测器件来说，由于寄生电容会增加电路噪声，因此倒装焊引入的寄生效应对电路性能评估十分重要。图3为本实用新型实施例倒装焊工艺评估阻容网络模型结构图，如图3所示，Rp和Cp分别表示倒装焊焊点引入的寄生电阻和寄生电容。其中Rp＝(C1+C2+C3)tr/[0.7π*C2(C1+C3)]，其中Rp为寄生电阻值，C1为第一电容C1的容量，C2为第二电容C2的容量，C3为第三电容C3的容量，tr为上升时间；其中C1为第一电容C1的容量，C2为第二电容C2的容量，C3为第三电容C3的容量，V为脉冲幅度，V”为A点分压后的电压。但是由于寄生电容Cp为对地电容，因此，实际上仅仅是引入了一个寄生电阻。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (2)
1.一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置，其特征在于，所述装置包括：
复位总线、刻度输入总线、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一晶体管MR、第二晶体管MF、第三晶体管MS、第四晶体管ML、列总线、电源、电压发生器；
所述第三电容C3的一端与所述刻度输入总线连接，所述第三电容C3的另一端与所述第一电容C1的一端连接，所述第三电容C3的另一端还与所述第一晶体管MR的发射极连接，所述第一电容C1的另一端接地；
所述第二电容C2的一端与所述被测焊点连接，所述第二电容C2的另一端接地，所述第一晶体管MR与所述列总线连接，所述第一晶体管MR的集电极与所述电源连接；所述第二晶体管MF基极与所述第一晶体管MR的发射极连接，所述第二晶体管MF的集电极与所述电源连接，所述第二晶体管MF的发射极与所述第三晶体管MS的集电极连接，所述第三晶体管MS的发射极与所述列总线连接；所述第四晶体管ML的基极与所述电压发生器连接，所述第四晶体管ML的发射极接地，所述第四晶体管ML的集电极与所述列总线连接。
2.根据权利要求1所述的一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置，其特征在于，所述第一电容C1为基准电容、第二电容C2为负载电容、第三电容C3为刻度电容。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821143225.2U CN208384043U (zh) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | 一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821143225.2U CN208384043U (zh) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | 一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208384043U true CN208384043U (zh) | 2019-01-15 |
Family
ID=64962100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821143225.2U Withdrawn - After Issue CN208384043U (zh) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | 一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208384043U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108710056A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-10-26 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置及方法 |
| CN110488134A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-11-22 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于焦平面器件倒焊工艺的快速验证评估芯片和方法 |
-
2018
- 2018-07-19 CN CN201821143225.2U patent/CN208384043U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108710056A (zh) * | 2018-07-19 | 2018-10-26 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置及方法 |
| CN108710056B (zh) * | 2018-07-19 | 2024-06-18 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置及方法 |
| CN110488134A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-11-22 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于焦平面器件倒焊工艺的快速验证评估芯片和方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104792255B (zh) | 一种膜厚测试装置及膜厚测试方法 | |
| CN208384043U (zh) | 一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置 | |
| CN101576565B (zh) | 集成电路缺陷定位测试系统 | |
| CN101149391A (zh) | 差分电容式传感器检测电路 | |
| CN103308817B (zh) | 阵列基板线路检测装置及检测方法 | |
| CN1769916A (zh) | 对不可达短路连接进行非接触测试和诊断的方法与装置 | |
| US20110184694A1 (en) | Depth measurements of narrow holes | |
| CN103487955B (zh) | 一种短路测量方法 | |
| CN107167724B (zh) | 一种小信号量测的去嵌方法 | |
| CN107636476A (zh) | 支持执行并行测量的多引脚探针 | |
| CN105548713B (zh) | 阻抗调节器校准系统及校准方法 | |
| CN101915876A (zh) | 一种高激励电压的压电晶片电阻抗测试系统 | |
| CN108710056A (zh) | 一种倒装焊工艺良率和寄生参数定量评估装置及方法 | |
| CN101322037B (zh) | 用于纳米尺度故障离析和测量的方法和系统 | |
| CN201242582Y (zh) | 一种集成电路缺陷定位测试系统 | |
| CN106443549B (zh) | 一种用于校准电池内阻测试仪的模拟交流电阻装置 | |
| CN104678339B (zh) | 一种用于探针式微波电压测量系统的校准装置、系统及方法 | |
| Kim et al. | A novel low-cost approach to MCM interconnect test | |
| CN209541864U (zh) | 一种汽车液位诊断仪 | |
| CN111239557B (zh) | 基于在线校准的局部放电定位方法 | |
| CN103178708B (zh) | 静态电荷源及其校准方法 | |
| US20090167338A1 (en) | Test pattern for analyzing capacitance of interconnection line | |
| CN209327519U (zh) | 一种测试芯片及系统 | |
| Thomsen et al. | Wafer level characterization of row-column addressed CMUT arrays | |
| CN204964671U (zh) | 电路配线检测装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20190115 Effective date of abandoning: 20240618 |
|
| AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20190115 Effective date of abandoning: 20240618 |
|
| AV01 | Patent right actively abandoned | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned |