CN208335048U - 一种稳压电路 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种稳压电路,包括:带隙基准电路模块、与带隙基准电路模块相连的负反馈电路模块、与带隙基准电路模块及负反馈电路模块均相连的开关管管控比例电路模块;带隙基准电路模块用于向开关管管控比例电路模块输出基准电压,并向负反馈电路模块输出反馈电压;开关管管控比例电路模块用于输出与基准电压成比例的输出电压;负反馈电路模块用于输出与反馈电压对应的控制电压至开关管管控比例电路模块,以便利用开关管管控比例电路模块中的开关管对开关管管控比例电路模块的输出电压进行负反馈调节。本申请电路结构简单,不仅有效降低了电路成本和功耗,而且还降低了对负载电路中负载电容的大小要求,从而有效提高了输出稳定性和适用性。
Description
技术领域
本申请涉及电子技术领域,特别涉及一种稳压电路。
背景技术
作为电路设计中的常用电路,稳压电路是一种在输入电压、负载、环境温度或者电路参数等发生变化时依旧保持输出电压恒定不变的电路。
现有技术中的稳压电路通常是由带隙基准电路和运算放大器电路构成的,如图1所示,图1为现有技术所提供的一种稳压电路的电路结构图。其中,带隙基准电路用于产生基准电压,运算放大器电路用于进行比例放大,运算放大器U接成了负反馈电路,从而得到恒定的输出电压。
但是,运算放大器U不仅价格较贵,而且需要很大的补偿电容来保证输出的稳定性,所以图1所示的稳压电路只有在特定的负载电容CLOAD下才能得到稳定的输出电压。当负载电容CLOAD变化的时候,输出电压的稳定性也会产生变化。
可见,采用何种成本低且稳定性强的稳压电路,是本领域技术人员所亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本申请的目的在于提供一种成本低且稳定性和适用性强的稳压电路。
为解决上述技术问题,本申请提供一种稳压电路,包括带隙基准电路模块、负反馈电路模块与开关管管控比例电路模块;
所述带隙基准电路模块的输入端用于输入带隙工作电流;所述带隙基准电路模块的第一输出端用于输出基准电压,并与所述开关管管控比例电路模块的第一输入端连接;所述带隙基准电路模块的第二输出端用于输出反馈电压,并与所述负反馈电路模块的第一输入端连接;
所述负反馈电路模块的第二输入端与所述稳压电路的输入端连接;所述负反馈电路模块的输出端用于输出与所述反馈电压对应的控制电压,并与所述开关管管控比例电路模块的第二输入端连接,以便利用所述开关管管控比例电路模块中的开关管对所述开关管管控比例电路模块的输出电压进行负反馈调节;
所述开关管管控比例电路模块的第三输入端作为所述稳压电路的输入端;所述开关管管控比例电路模块的输出端作为所述稳压电路的输出端,用于输出与所述基准电压成比例的所述输出电压。
可选地,还包括电流镜电路模块;
所述电流镜电路模块的输入端与所述开关管管控比例电路模块的输出端连接;所述电流镜电路模块的第一输出端用于输出所述带隙工作电流,并与所述带隙基准电路模块的输入端连接;所述电流镜电路模块的第二输出端用于输出第一镜电流,并与所述带隙基准电路模块的第一输出端连接,以便对所述带隙基准电路模块进行电流补偿。
可选地,所述电流镜电路模块为共栅共源电流镜电路模块。
可选地,所述电流镜电路模块包括第一PMOS管、第二PMOS管和第一三极管;
所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、以及所述第一三极管的输入端相互连接,并作为所述电流镜电路模块的输入端;
所述第一PMOS管的漏极和栅极、所述第二PMOS管的栅极、以及所述第一三极管的控制端相互连接;
所述第一三极管的输出端作为所述电流镜电路模块的第一输出端;所述第二PMOS管的漏极作为所述电流镜电路模块的第二输出端。
可选地,所述带隙基准电路模块包括第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻;
所述第二三极管的输入端作为所述带隙基准电路模块的输入端;所述第二三极管的控制端作为所述带隙基准电路模块的第一输出端;
所述第二三极管的输出端、所述第一电阻的第一端、以及所述第二电阻的第一端相互连接;所述第一电阻的第二端与所述第三三极管的输入端连接,并作为所述带隙基准电路模块的第二输出端;
所述第三三极管的控制端、所述第四三极管的输入端和控制端、以及所述第二电阻的第二端相互连接;所述第四三极管的输出端与所述第三电阻的第一端连接;所述第三电阻的第二端与所述第三三极管的输出端均接地。
可选地,
所述第二三极管、所述第三三极管、以及所述第四三极管均为NPN三极管;
所述NPN三级管的集电极作为所述NPN三级管的输入端,所述NPN三极管的发射极作为所述NPN三级管的输出端,所述NPN三级管的基极作为所述NPN三级管的控制端。
可选地,所述负反馈电路模块包括第五三极管和第四电阻;
所述第五三极管的控制端作为所述负反馈电路模块的第一输入端;
所述第五三极管的输出端接地;所述第五三极管的输入端与所述第四电阻的第一端连接,并作为所述负反馈电路模块的输出端;
所述第四电阻的第二端作为所述负反馈电路模块的第二输入端。
可选地,所述开关管管控比例电路模块包括第一开关管、第五电阻和第六电阻;
所述第一开关管的输入端作为所述开关管管控比例电路模块的第三输入端;
所述第一开关管的控制端作为所述开关管管控比例电路模块的第二输入端;
所述第一开关管的输出端与所述第五电阻的第一端连接,并作为所述开关管管控比例电路模块的输出端;
所述第五电阻的第二端与所述第六电阻的第一端连接,并作为所述开关管管控比例电路模块的第一输入端;
所述第六电阻的第二端接地。
可选地,所述第一开关管为MOS管。
可选地,所述第一开关管为PMOS管;
所述PMOS管的源极作为所述PMOS管的输入端,所述PMOS管的漏极作为所述PMOS管的输出端,所述PMOS管的栅极作为所述PMOS管的控制端。
本申请所提供的稳压电路包括带隙基准电路模块、负反馈电路模块与开关管管控比例电路模块;所述带隙基准电路模块的输入端用于输入带隙工作电流;所述带隙基准电路模块的第一输出端用于输出基准电压,并与所述开关管管控比例电路模块的第一输入端连接;所述带隙基准电路模块的第二输出端用于输出反馈电压,并与所述负反馈电路模块的第一输入端连接;所述负反馈电路模块的第二输入端与所述稳压电路的输入端连接;所述负反馈电路模块的输出端用于输出与所述反馈电压对应的控制电压,并与所述开关管管控比例电路模块的第二输入端连接,以便利用所述开关管管控比例电路模块中的开关管对所述开关管管控比例电路模块的输出电压进行负反馈调节;所述开关管管控比例电路模块的第三输入端作为所述稳压电路的输入端;所述开关管管控比例电路模块的输出端作为所述稳压电路的输出端,用于输出与所述基准电压成比例的所述输出电压。
可见,相比于现有技术,本申请所提供的稳压电路,通过开关管管控比例电路模块对基准电压的比例放大而得到了输出电压,并利用负反馈电路模块的负反馈调节作用保障了输出电压的稳定性。由于本申请利用开关管取代了运算放大器,电路结构简单,不仅有效降低了电路成本和功耗,而且还降低了对负载电路中负载电容的大小要求,从而有效提高了输出稳定性和适用性。
附图说明
为了更清楚地说明现有技术和本申请实施例中的技术方案,下面将对现有技术和本申请实施例描述中需要使用的附图作简要的介绍。当然,下面有关本申请实施例的附图描述的仅仅是本申请中的一部分实施例,对于本领域普通技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图,所获得的其他附图也属于本申请的保护范围。
图1为现有技术中所提供的一种稳压电路的电路结构图;
图2为本申请所提供的一种稳压电路的结构框图;
图3为本申请所提供的另一种稳压电路的结构框图;
图4为本申请所提供的一种稳压电路的电路结构图;
图5为图4所示稳压电路在第一组参数下的波特图;
图6为图4所示稳压电路在第二组参数下的波特图;
图7为图4所示稳压电路在第三组参数下的波特图;
图8为图4所示稳压电路在第四组参数下的波特图。
具体实施方式
本申请的核心在于提供一种成本低且稳定性和适用性强的稳压电路。
为了对本申请实施例中的技术方案进行更加清楚、完整地描述,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行介绍。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
请参考图2,图2为本申请所提供的一种稳压电路的结构框图,主要包括带隙基准电路模块1、负反馈电路模块2与开关管管控比例电路模块3;
带隙基准电路模块1的输入端用于输入带隙工作电流;带隙基准电路模块1的第一输出端用于输出基准电压,并与开关管管控比例电路模块3的第一输入端连接;带隙基准电路模块1的第二输出端用于输出反馈电压,并与负反馈电路模块2的第一输入端连接;
负反馈电路模块2的第二输入端与稳压电路的输入端连接;负反馈电路模块2的输出端用于输出与反馈电压对应的控制电压,并与开关管管控比例电路模块3的第二输入端连接,以便利用开关管管控比例电路模块3中的开关管对开关管管控比例电路模块3的输出电压进行负反馈调节;
开关管管控比例电路模块3的第三输入端作为稳压电路的输入端连接;开关管管控比例电路模块3的输出端作为稳压电路的输出端,用于输出与基准电压成比例的输出电压。
具体地,本申请所提供的稳压电路中,并没有像现有技术中那样使用到运放比例放大电路,而是使用了开关管管控比例电路模块3。开关管管控比例电路模块3可具体由开关管和一些电阻等常用元器件构成,并设计为合理的放大比例,从而将带隙基准电路模块1所输出的基准电压进行比例放大,得到理想大小的输出电压。当然,也可以对基准电压进行比例缩小后得到其他理想大小的输出电压,以下不再赘述。
为了保证输出电压的稳定性,本申请所提供的稳压电路中,还利用了负反馈电路模块2对开关管管控比例电路模块3的输出电压进行负反馈调节。负反馈电路模块2可以获取带隙基准电路模块1所生成的反馈电压,并进而输出相应的控制电压至开关管管控比例电路3,通过调整开关管管控比例电路3的工作状态,实际上主要是调整了开关管的工作状态,来实现稳定输出电压的目的。
容易理解的是,这里所说的负反馈调节,是针对于开关管管控比例电路模块3的输出电压的,而又由于带隙基准电路模块1与开关管管控比例电路模块3之间的关系,带隙基准电路模块1中电路状态的变化信息可反映出开关管管控比例电路模块3输出电压的变化信息,因此,可将带隙基准电路模块1中某处的电压信息作为反馈信息,以便进行负反馈调节。
需要说明的是,对于带隙基准电路模块1,所输入的带隙工作电流(图2中未示出)是为了维持带隙基准电路模块1各元器件正常工作状态的,该带隙工作电流也可具体由稳压电路的输入电压来提供,也可采用单独的供应电源,本领域技术人员可以自行设计实现,本申请对此并不进行限定。
可见,本申请所提供的稳压电路,通过开关管管控比例电路模块3对基准电压的比例放大而得到了输出电压,并利用负反馈电路模块2的负反馈调节作用保障了输出电压的稳定性。由于本申请利用开关管取代了运算放大器,电路结构简单,不仅有效降低了电路成本和功耗,而且还降低了对负载电路中负载电容的大小要求,从而有效提高了输出稳定性和适用性。
本申请所提供的稳压电路,在上述实施例的基础上:
请参考图3,图3为本申请所提供的一种稳压电路的电路结构框图;作为一种优选实施例,还包括电流镜电路模块4;
电流镜电路模块4的输入端与开关管管控比例电路模块3的输出端连接;电流镜电路模块4的第一输出端用于输出带隙工作电流,并与带隙基准电路模块1的输入端连接;电流镜电路模块4的第二输出端用于输出第一镜电流,并与带隙基准电路模块1的第一输出端连接,以便对带隙基准电路模块1进行电流补偿。
具体地,本申请所提供的稳压电路在图2的基础上还可以增设电流镜电路模块4,如图3所示。具体地,电流镜电路模块4可以起到为带隙基准电路模块1提供带隙工作电流和补偿电流的作用。其中,带隙工作电流是为了向带隙基准电路模块1各元器件提供电源以维持正常工作状态,而补偿电流则是为了对带隙基准电路模块1进行电流补偿,以防止带隙基准电路模块1吸取开关管管控比例电路模块3中的电路电流而影响输出电压的稳定性。
请参考图4,图4为本申请所提供的一种稳压电路的电路结构图。
作为一种优选实施例,电流镜电路模块4为共栅共源电流镜电路模块。具体地,电流镜电路模块4包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2和第一三极管Q1;
第一PMOS管MP1的源极、第二PMOS管MP2的源极、以及第一三极管Q1的输入端相互连接,并作为电流镜电路模块4的输入端;
第一PMOS管MP1的漏极和栅极、第二PMOS管MP2的栅极、以及第一三极管Q1的控制端相互连接;
第一三极管Q1的输出端作为电流镜电路模块4的第一输出端;第二PMOS管MP2的漏极作为电流镜电路模块4的第二输出端。
具体地,采用如图4所示的由MOS管组成的共栅共源电流镜,由于管子的衬底与源极短接,因而不会产生体效应问题;而又由于管子漏极和栅极短接,因而具有较低的交流输入电阻,从而具有较强的驱动能力。
作为一种优选实施例,带隙基准电路模块1包括第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3;
第二三极管Q2的输入端作为带隙基准电路模块1的输入端;第二三极管Q2的控制端作为带隙基准电路模块1的第一输出端;
第二三极管Q2的输出端、第一电阻R1的第一端、以及第二电阻R2的第一端相互连接;第一电阻R1的第二端与第三三极管Q3的输入端连接,并作为带隙基准电路模块1的第二输出端;
第三三极管Q3的控制端、第四三极管Q4的输入端和控制端、以及第二电阻R2的第二端相互连接;第四三极管Q4的输出端与第三电阻R3的第一端连接;第三电阻R3的第二端与第三三极管Q3的输出端均接地。
具体地,图4提供了一种如上所述的带隙基准电压电路模块1的具体电路结构。其中,第二三极管Q2控制端的电位即为基准电压VREF;第二三极管Q2输出端的电位为Vcm;第三三极管Q3控制端的电位即第四三级管Q4控制端的电位为V1;第三三极管Q3输入端的电位为V2;第三电阻R3中的电流约等于第二电阻R2中的电流,电流大小为IPTAT。
根据图4所示电路关系可得第三电阻R3中的电流IPTAT为:
IPTAT=(Vbe_3-Vbe_4)/R3;
其中,Vbe_3和Vbe_4分别为第三三极管Q3和第四三级管Q4的基极-发射极电压。
因此,可得基准电压VREF为:
VREF=Vbe_2+R2·IPTAT+Vbe_3=Vbe_2+Vbe_3+(Vbe_3-Vbe_4)/R3;
其中,Vbe_2为第二三极管Q2的基极-发射极电压。
作为一种优选实施例,第二三极管Q2、第三三极管Q3、以及第四三极管Q4均为NPN三极管;
NPN三级管的集电极作为NPN三级管的输入端,NPN三极管的发射极作为NPN三级管的输出端,NPN三级管的基极作为NPN三级管的控制端。
具体地,如图4所示,带隙基准电路模块1中的各个三极管具体可采用NPN型三极管。本领域技术人员应当理解的是,对于NPN型三极管,其基极即为三极管的控制端,集电极即为三极管的输入端,而发射极即为三极管的输出端。
作为一种优选实施例,负反馈电路模块2包括第五三极管Q5和第四电阻R4;
第五三极管Q5的控制端作为负反馈电路模块2的第一输入端;
第五三极管Q5的输出端接地;第五三极管Q5的输入端与第四电阻R4的第一端连接,并作为负反馈电路模块2的输出端;
第四电阻R4的第二端作为负反馈电路模块2的第二输入端。
具体地,如图4所示的负反馈电路模块2将第三三极管Q3输入端V2作为反馈电压,并输出控制电压Vg,即第四电阻R4第一端的电压。
作为一种优选实施例,开关管管控比例电路模块3包括第一开关管G1、第五电阻R5和第六电阻R6;
第一开关管G1的输入端作为开关管管控比例电路模块3的第三输入端;
第一开关管G1的控制端作为开关管管控比例电路模块3的第二输入端;
第一开关管G1的输出端与第五电阻R5的第一端连接,并作为开关管管控比例电路模块3的输出端;
第五电阻R5的第二端与第六电阻R6的第一端连接,并作为开关管管控比例电路模块3的第一输入端;
第六电阻R6的第二端接地。
具体地,如图4所示的开关管管控比例电路模块3,通过串联的第五电阻R5和第六电阻R6实现了对基准电压VREF的比例放大,从而得到了输出电压VOUT,放大比例为(R5+R6)/R6,即:
VOUT=VREF*(R5+R6)/R6。
其中,第一开关管G1的控制端作为了开关管管控比例电路模块3的第二输入端,用于接收来自负反馈电路模块2输出的控制电压Vg。整个负反馈调节的过程是:当输出电压VOUT增大时,相应地,基准电压VREF增大,因而Vcm和V1也都将增大,并导致反馈电压V2减小;反馈电压V2的减小使得控制电压Vg增大,进而使得第一开关管G1的控制端与输入端之间的电压减小,导致第一开关管G1中的电流同时也是第五电阻R5和第六电阻R6中的电流减小,因而最终又使得输出电压VOUT减小。相反地,当输出电压VOUT减小时,基准电压VREF、Vcm和V1也均减小,并导致反馈电压V2增大;而反馈电压V2的增大导致了控制电压Vg的减小,使得第一开关管G1的控制端与输入端之间的电压增大,进而增大了第一开关管G1中的电流,令输出电压VOUT增大。
此外,图4中所示的电流镜电路模块4输出有第一镜电流Icc,该第一镜电流Icc流入了第二三极管Q2的控制端,从而可以避免地第二三极管Q2从第五电阻R5上获取电流,保证了第五电阻R5与第六电阻R6中电流的一致,从而保障放大比例的精确度,确保输出电压VOUT的稳定性。
作为一种优选实施例,第一开关管G1为MOS管。
具体地,本申请所提供的开关管管控比例电路模块3中的开关管可具体为MOS管,即利用MOS管的栅极-源极电压来实现对第一开关管G1中的漏极电流的控制。
作为一种优选实施例,第一开关管G1为PMOS管;
PMOS管的源极作为PMOS管的输入端,PMOS管的漏极作为PMOS管的输出端,PMOS管的栅极作为PMOS管的控制端。
具体地,如图4所示,可选用合适型号的PMOS管作为第一开关管。
进一步地,还可以从环路特性上对图4所示稳压电路的稳定性进行分析。对于图4所示的稳压电路,其存在有主极点p1和次极点p2,其中,主极点p1为((R5+R6)//RL)*CL,次极点p2为R4*Cgs;其中,CL为负载电容,通常很大,在1μF以上;Cgs为第一开关管G1栅极和源极间的等效电容,相对较小,仅在几十pF左右。根据控制理论,对于本电路系统来说,主极点与次极点对应的频率在波特图之间的距离越远系统就越稳定。
当输出电压VOUT为5V、最大输出电流IOUT为10mA时,即输出阻抗RL为RL=VOUT/IOUT=500Ω。由于第五电阻R5与第六电阻R6的阻值要远大于输出阻抗RL,因此主极点p1接近为p1=RL*CL。假设负载电容CL为1μF;Cgs为50pF,则此时的主极点和次极点在波特图中对应的频率分别为:
f1=1/(2π*p1)=318.47Hz;
f2=1/(2π*p2)=31840Hz。
可见,f1与f2相差较大,足够保证该稳压电路在无需任何补偿电容的情况下即可实现自稳定。并且,输出电压VOUT越大,主极点对应的频率f1就越小,更容易保证环路稳定。
此外,图5至图8还提供了图4所示稳压电路在其他几组参数下的波特图。
其中,图5为图4所示稳压电路在第一组参数下的波特图,对应的输出阻抗RL=5kΩ、负载电容CL=1μF。从波特图中可见,其主极点M2的频率为33.09Hz;而点M3即单位增益带宽处的频率为2.662kHz,并且,点M3对应的相位大小即环路的相位裕度接近90度;此外,次极点的频率远远高于单位增益带宽处的频率。因此,此时环路是稳定的。
图6为图4所示稳压电路在第二组参数下的波特图,对应的输出阻抗RL=500kΩ、负载电容CL=1μF。从图6中可以看出,其主极点M5的频率为535.8mHz;点M6即单位增益带宽处的频率为330.8Hz,并且从波特图上可见,点M6对应的相位大小即环路的相位裕度也接近90度;此外,其次极点的频率远远高于单位增益带宽的频率。因此,此时环路也是稳定的。
图7为图4所示稳压电路在第三组参数下的波特图,对应的输出阻抗RL=5kΩ、负载电容CL=4.7μF。从图7中可以看出,其主极点M8的频率为10.14Hz;点M9即单位增益带宽处的频率为560.9Hz,并且从波特图上可见,点M9对应的相位大小即环路的相位裕度同样接近90度;此外,其次极点的频率远远高于单位增益带宽的频率。因此,此时环路同样是稳定的。
图8为图4所示稳压电路在第四组参数下的波特图,对应的输出阻抗RL=500kΩ、负载电容CL=4.7μF。从图8中可以看出,其主极点M11的频率为125.9mHz;点M11对应的相位大小即单位增益带宽处的频率为70.79Hz,并且从波特图上可见,点M9对应的相位大小即环路的相位裕度同样接近90度;此外,其次极点的频率远远高于单位增益带宽的频率。因此,此时环路同样是稳定的。
根据图5至图8可以看出,图4所示稳压电路在上述几组阻性和容性负载参数下均可有效保障稳定性,可见本申请所提供的稳压电路具有较高的稳定性和适用性。
本申请中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
还需说明的是,在本申请文件中,诸如“第一”和“第二”之类的关系术语,仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或者操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。此外,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、电路、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、电路、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、电路、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本申请所提供的技术方案进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的电路及其核心思想。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以对本申请进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种稳压电路,其特征在于,包括带隙基准电路模块、负反馈电路模块与开关管管控比例电路模块;
所述带隙基准电路模块的输入端用于输入带隙工作电流;所述带隙基准电路模块的第一输出端用于输出基准电压,并与所述开关管管控比例电路模块的第一输入端连接;所述带隙基准电路模块的第二输出端用于输出反馈电压,并与所述负反馈电路模块的第一输入端连接;
所述负反馈电路模块的第二输入端与所述稳压电路的输入端连接;所述负反馈电路模块的输出端用于输出与所述反馈电压对应的控制电压,并与所述开关管管控比例电路模块的第二输入端连接,以便利用所述开关管管控比例电路模块中的开关管对所述开关管管控比例电路模块的输出电压进行负反馈调节;
所述开关管管控比例电路模块的第三输入端作为所述稳压电路的输入端;所述开关管管控比例电路模块的输出端作为所述稳压电路的输出端,用于输出与所述基准电压成比例的所述输出电压。
2.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,还包括电流镜电路模块;
所述电流镜电路模块的输入端与所述开关管管控比例电路模块的输出端连接;所述电流镜电路模块的第一输出端用于输出所述带隙工作电流,并与所述带隙基准电路模块的输入端连接;所述电流镜电路模块的第二输出端用于输出第一镜电流,并与所述带隙基准电路模块的第一输出端连接,以便对所述带隙基准电路模块进行电流补偿。
3.根据权利要求2所述的稳压电路,其特征在于,所述电流镜电路模块为共栅共源电流镜电路模块。
4.根据权利要求3所述的稳压电路,其特征在于,所述电流镜电路模块包括第一PMOS管、第二PMOS管和第一三极管;
所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、以及所述第一三极管的输入端相互连接,并作为所述电流镜电路模块的输入端;
所述第一PMOS管的漏极和栅极、所述第二PMOS管的栅极、以及所述第一三极管的控制端相互连接;
所述第一三极管的输出端作为所述电流镜电路模块的第一输出端;所述第二PMOS管的漏极作为所述电流镜电路模块的第二输出端。
5.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,所述带隙基准电路模块包括第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻;
所述第二三极管的输入端作为所述带隙基准电路模块的输入端;所述第二三极管的控制端作为所述带隙基准电路模块的第一输出端;
所述第二三极管的输出端、所述第一电阻的第一端、以及所述第二电阻的第一端相互连接;所述第一电阻的第二端与所述第三三极管的输入端连接,并作为所述带隙基准电路模块的第二输出端;
所述第三三极管的控制端、所述第四三极管的输入端和控制端、以及所述第二电阻的第二端相互连接;所述第四三极管的输出端与所述第三电阻的第一端连接;所述第三电阻的第二端与所述第三三极管的输出端均接地。
6.根据权利要求5所述的稳压电路,其特征在于,
所述第二三极管、所述第三三极管、以及所述第四三极管均为NPN三极管;
所述NPN三级管的集电极作为所述NPN三级管的输入端,所述NPN三极管的发射极作为所述NPN三级管的输出端,所述NPN三级管的基极作为所述NPN三级管的控制端。
7.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于,所述负反馈电路模块包括第五三极管和第四电阻;
所述第五三极管的控制端作为所述负反馈电路模块的第一输入端;
所述第五三极管的输出端接地;所述第五三极管的输入端与所述第四电阻的第一端连接,并作为所述负反馈电路模块的输出端;
所述第四电阻的第二端作为所述负反馈电路模块的第二输入端。
8.根据权利要求1至7任一项所述的稳压电路,其特征在于,所述开关管管控比例电路模块包括第一开关管、第五电阻和第六电阻;
所述第一开关管的输入端作为所述开关管管控比例电路模块的第三输入端;
所述第一开关管的控制端作为所述开关管管控比例电路模块的第二输入端;
所述第一开关管的输出端与所述第五电阻的第一端连接,并作为所述开关管管控比例电路模块的输出端;
所述第五电阻的第二端与所述第六电阻的第一端连接,并作为所述开关管管控比例电路模块的第一输入端;
所述第六电阻的第二端接地。
9.根据权利要求8所述的稳压电路,其特征在于,所述第一开关管为MOS管。
10.根据权利要求9所述的稳压电路,其特征在于,所述第一开关管为PMOS管;
所述PMOS管的源极作为所述PMOS管的输入端,所述PMOS管的漏极作为所述PMOS管的输出端,所述PMOS管的栅极作为所述PMOS管的控制端。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN208335048U (zh) |
Cited By (1)
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