CN208266256U - 掩模板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种掩模板,包括:掩模板本体,所述掩模板本体的第一表面上设置有具有第一预设深度的第一开槽,所述第一开槽的底面设置有穿透至所述第一表面相对的第二表面、用于蒸镀材料通过的开孔,且所述第一开槽在所述第一表面上所形成开口的尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。本实用新型通过掩模板的结构改进,在掩模板本体上设置开口尺寸大于用于蒸镀材料通过的开孔的尺寸的开槽,能够解决现有技术进行材料蒸镀时,基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示装置制造技术领域,尤其是指一种掩模板。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)制造过程中,通常采用高精度金属掩模板(Fine Metal Mask,FMM)作为蒸镀掩模板,将发光材料蒸镀在阵列基板上对应的开口区域形成OLED器件。
如图1所示,当采用金属掩模板1在待蒸镀基板2上进行材料蒸镀时,金属掩模板1与待蒸镀基板2相贴合,蒸发源3设置于金属掩模板1远离待蒸镀基板2的一侧,经蒸发源3所蒸发出的蒸镀材料穿过金属掩模板1上对应的开孔11沉积在待蒸镀基板2上,在待蒸镀基板2上形成对应的图形。
在采用图1所示设置结构进行蒸镀过程中,蒸发源3能够相对于金属掩模板1平移,在蒸发源3平移进行蒸镀时,由于开孔11位置处金属掩模板1对蒸镀材料的遮挡,形成内阴影(Inner Shadow)效应,造成待蒸镀基板2上形成金属蒸镀图形膜厚不均,如图1所示,待蒸镀基板2上A区域范围内的蒸镀材料相较于中央区域B范围内的蒸镀材料厚度薄,从而使得待蒸镀基板2上有效显示区边缘膜厚均一性差,致使显示时出现边缘不良。
实用新型内容
本实用新型技术方案的目的是提供一种掩模板,用于通过掩模板的结构改进,解决现有技术进行材料蒸镀时,基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题。
本实用新型实施例提供一种掩模板,其中,包括:
掩模板本体,所述掩模板本体的第一表面上设置有具有第一预设深度的第一开槽,所述第一开槽的底面设置有穿透至所述第一表面相对的第二表面、用于蒸镀材料通过的开孔,且所述第一开槽在所述第一表面上所形成开口的尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。
可选地,所述的掩模板,其中,在所述掩模板本体上,所述第一开槽的数量与所述开孔的数量相等,每一所述第一开槽内均设置有一个所述开孔。
可选地,所述的掩模板,其中,所述第一开槽的底面尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。
可选地,所述的掩模板,其中,所述第一开槽的底面的形状、尺寸与所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的形状、尺寸一致。
可选地,所述的掩模板,其中,所述第一开槽的侧壁面垂直于所述第一表面,或者相对于所述第一表面倾斜。
可选地,所述的掩模板,其中,所述第一开槽在所述第一表面上所形成开口的形状与所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的形状相同。
可选地,所述的掩模板,其中,所述第一预设深度位于所述掩模板本体的厚度的四分之一至四分之三之间。
可选地,所述的掩模板,其中,所述第一预设深度为所述掩模板本体的厚度的二分之一。
可选地,所述的掩模板,其中,所述第二表面上设置有具有第二预设深度的第二开槽。
可选地,所述的掩模板,其中,所述第一预设深度与所述第二预设深度之和小于或等于所述掩模板本体的厚度。
本实用新型具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果:
本实用新型实施例所述掩模板,通过在掩模板本体上设置开口尺寸大于用于蒸镀材料通过的开孔的尺寸的开槽,使待蒸镀基板上沉积蒸发材料均一性较差区域的尺寸范围减小,从而达到改善所形成基板上有效显示区边缘膜厚均一性差问题的效果。
附图说明
图1为现有技术掩模板在进行材料蒸镀时的结构示意图;
图2为本实用新型其中一实施例所述掩模板在进行材料蒸镀时的结构示意图;
图3为本实用新型其中一实施例所述掩模板在进行材料蒸镀时的结构示意图;
图4为本实用新型其中一实施例所述掩模板的平面结构示意图;
图5为本实用新型其中一实施例所述掩模板的平面结构示意图;
图6为本实用新型其中一实施例所述掩模板在进行材料蒸镀时的结构示意图;
图7为本实用新型其中一实施例所述掩模板的剖面结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
为解决现有技术进行材料蒸镀时,基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题,本实用新型实施例提供一种掩模板,通过在掩模板本体上设置开口尺寸大于用于蒸镀材料通过的开孔的尺寸的开槽,使用于蒸镀材料通过的开孔设置于开槽内,使得蒸镀材料通过开孔时,减小掩模板对蒸镀材料的遮挡区域,改善所形成基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题。
具体地,如图2所示,本实用新型实施例一所述掩模板100包括:
掩模板本体110,其中掩模板本体110的第一表面111上设置有具有第一预设深度的第一开槽112,该第一开槽112的底面1121设置有穿透至第一表面111相对的第二表面113、用于蒸镀材料通过的开孔120,且第一开槽112在第一表面111上所形成开口的尺寸L1大于开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的尺寸L2。
采用本实用新型实施例所述掩模板,在掩模板本体110的第一表面111上,围绕开孔120设置第一开槽112,根据图2,当在进行材料蒸镀,蒸发源3在掩模板本体110的一侧平移,蒸发源3内的蒸发材料透过开孔沉积至待蒸镀基板2上时,在掩模板本体110的厚度固定,且蒸发材料由蒸发源3蒸出时的角度固定的情况下,若掩模板本体110上未设置第一开槽112,开孔120直接开设在第一表面111上,待蒸镀基板2在A区域范围内形成内阴影效应;若第一表面111上设置第一开槽112,开孔120设置在第一开槽112的底面1121,待蒸镀基板2在A’区域范围内形成内阴影效果;因此,通过第一开槽112的设置,减小了掩模板本体110对蒸发材料的遮挡区域,进一步使待蒸镀基板2上沉积蒸发材料均一性较差区域的尺寸范围减小,从而改善所形成基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题。可以理解的是,掩模板本体110上所设置开孔120的形状和大小依据待蒸镀基板2上所需要沉积形成图形的形状和大小确定。本实用新型实施例中,掩模板本体110所设置第一开槽112的数量与开孔120的数量相等,每一第一开槽112内均设置有一个开孔120,也即掩模板本体110上每一开孔120的外围均围绕设置有第一开槽112。
另外,本实用新型实施例一中,如图2所示,第一开槽112的底面1121尺寸大于开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的尺寸L2,可选地,第一开槽112的侧壁面垂直于第一表面111,基于该设置结构,第一开槽112形成为从第一表面111至底面1121处,各位置尺寸相等的结构;另外,第一开槽112的侧壁面也可以相对于第一表面111倾斜,如图3所示,基于该设置结构,第一开槽112形成为从第一表面111至底面1121处,各位置尺寸逐渐减小的结构。
本实用新型实施例中,可选地,第一开槽112在第一表面111上所形成开口的形状与开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的形状相同,可选地,第一开槽112的底面1121的形状与开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的形状也相同,当然并不以此为限,只要能够以本实用新型所述掩模板的设置原理,达到减小掩模板本体对蒸发材料的遮挡区域即可。
具体地,如图4所示为图2中待蒸镀基板2的其中一实施结构的平面结构示意图,图5所示为图3中待蒸镀基板2的其中一实施结构的平面结构示意图,可以理解的是,基于上述设置结构,若开孔120在底面1121的开口形状为四边形时,则第一开槽112在第一表面111上所形成开口的形状也为四边形,且每一位置处,第一开槽112在第一表面111上所形成开口与开孔120在底面1121上的开口为固定间隔距离,以方便第一开槽112和开孔120在掩模板本体110上的定位,并简化制作工艺。
另外,本实用新型实施例所述掩模板,掩模板本体110的第一表面111上所设置具有第一预设深度的第一开槽112,其中第一预设深度位于掩模板本体110的厚度的四分之一至四分之三之间,具体地,第一开槽112所设置深度以不影响掩模板本体110的蒸镀工艺要求为准,优选地,第一预设深度为掩模板本体110的厚度的二分之一,以方便第一开槽112的制作。
另外,第一开槽112在第一表面111上所形成开口与开孔120在底面1121上的开口之间的间隔距离D2,设计基准为:间隔距离D2不能过小,当蒸发源3处于开孔120的边缘位置处,蒸发材料由蒸发源3以预设角度蒸发出时,掩模板本体110位于第一表面111的部分不会对蒸发材料造成遮挡;间隔距离D2不能过大,以使得第一开槽112的设置影响掩模板本体110上其他位置开孔的设置,或者影响掩模板本体110的蒸镀工艺性能。
结合图2至图5,采用本实用新型实施例所述掩模板,通过对掩模板的结构改进,在掩模板本体上设置开口尺寸大于用于蒸镀材料通过的开孔的尺寸的开槽,能够解决现有技术进行材料蒸镀时,基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题。
如图2所示,以掩模板本体110的厚度为150微米,第一开槽112在第一表面111上的设置深度(第一预设深度)为掩模板本体110的厚度的二分之一为例,当当蒸发源3处于开孔120的边缘位置处,蒸发材料由蒸发源3蒸出时的角度相较于开孔120的中心线之间的角度为37度时,若掩模板本体110上未设置第一开槽112,开孔120直接开设在第一表面111上,待蒸镀基板2上形成内阴影效应的A区域范围的计算方式为:
A=150×tan(37°)=90.27(微米);
若第一表面111上设置第一开槽112,开孔120设置在第一开槽112的底面1121,待蒸镀基板2上形成内阴影效果的A’区域范围的计算方式为:
A’=150×0.5×tan(37°)=45.14(微米)。
因此,比较上述计算结果,本实用新型实施例所述掩模板,通过第一开槽112的设置,减小了掩模板本体110对蒸发材料的遮挡区域,使待蒸镀基板2上沉积蒸发材料均一性较差区域的尺寸范围减小,从而达到改善所形成基板上有效显示区边缘膜厚均一性差问题的效果。
另外,本实用新型还提供实施例二所述掩模板,如图6所示,本实用新型实施例二所述掩模板100包括:
掩模板本体110,其中掩模板本体110的第一表面111上设置有具有第一预设深度的第一开槽112,该第一开槽112的底面1121设置有穿透至第一表面111相对的第二表面113、用于蒸镀材料通过的开孔120,且第一开槽112在第一表面111上所形成开口的尺寸L1大于开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的尺寸L2。
本实用新型实施例二中,第一开槽112的底面1121的形状、尺寸与开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的形状、尺寸一致,基于该设置结构,由于第一开槽112在第一表面111上所形成开口的尺寸L1大于开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的尺寸L2,因此第一开槽112的侧壁面相对于第一表面111倾斜,如图6所示,第一开槽112形成为从第一表面111至底面1121处,各位置尺寸逐渐减小的结构。
采用实施例二所述掩模板,结合图6,通过在掩模板本体110的第一表面111上,围绕开孔120设置第一开槽112,且使第一开槽112在第一表面111上所形成开口的尺寸L1大于开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的尺寸L2,当通过蒸发源3进行材料蒸镀时,与实施例一相同,同样能够减小掩模板本体110对蒸发材料的遮挡区域,进一步使待蒸镀基板2上沉积蒸发材料均一性较差区域的尺寸范围减小,从而改善所形成基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题。
进一步,与实施例一相同,实施例二中,掩模板本体110所设置第一开槽112的数量与开孔120的数量相等,每一第一开槽112内均设置有一个开孔120,也即掩模板本体110上每一开孔120的外围均围绕设置有第一开槽112;可选地,第一开槽112在第一表面111上所形成开口的形状与开孔120在第一开槽112的底面1121上所形成开口的形状相同;可选地,掩模板本体110的第一表面111上所设置具有第一预设深度的第一开槽112,其中第一预设深度位于掩模板本体110的厚度的四分之一至四分之三之间,具体地,第一开槽112所设置深度以不影响掩模板本体110的蒸镀工艺要求为准,优选地,第一预设深度为掩模板本体110的厚度的二分之一,以方便第一开槽112的制作。
本实用新型实施例所述掩模板与实施例一相同设置结构各部分的具体设置方式,可以参阅以上关于实施例一部分的描述,在此不再赘述。
另外,本实用新型上述各实施例的所述掩模板中,所述掩模板本体的第二表面上设置有具有第二预设深度的第二开槽,以实施例一为例,如图7所示,并结合图2,在掩模板本体110的第二表面113上设置有具有第二预设深度的第二开槽114,其中当掩模板本体110用于对待蒸镀基板2进行材料蒸镀时,该第二表面113与待蒸镀基板2贴合连接。
基于上述设置结构,通过第二表面113上第二开槽114的设置,以避免待蒸镀基板2上所制成的凸起的膜层与掩模板本体110产生摩擦或者挤压,造成待蒸镀基板2上膜层产生结构损坏。因此,该第二开槽114的设置位置、形状与大小,与待蒸镀基板2上凸起的膜层相对应,在此不作任何限定。
另外,较佳地,第一表面111上所设置第一开槽112的深度(第一预设深度)与第二表面113上所设置第二开槽114的深度(第二预设深度)之和小于或等于掩模板本体110的厚度,以避免第一开槽112的设置与第二开槽114的设置相互影响。可选地,第二开槽114的深度(第二预设深度)为掩模板本体110的厚度的二分之一。
本实用新型上述各实施例的所述掩模板,掩模板本体上所设置的第一开槽与第二开槽可以采用刻蚀方式制成,基于所述掩模板的上述详细结构描述,本领域技术人员应该能够了解上述各实施结构所述掩模板的具体制成方式,在此不再详细说明。
本实用新型实施例所述掩模板,在应用于蒸镀设备上进行材料蒸镀时,掩模板本体的第二表面与待蒸镀基板贴合连接,第一表面朝向设置蒸发源的方向,通过第一表面上、用于蒸镀材料通过的开孔的外围设置开槽,减小了掩模板本体对蒸发材料的遮挡区域,从而在应用于显示面板制作时,改善所形成基板上有效显示区边缘膜厚均一性差的问题,以及改善蒸镀形成显示面板上边缘列像素由于内阴影效应造成的边缘显示不良,达到有效提升显示面板制作良率的效果。
以上所述的是本实用新型的优选实施方式,应当指出对于本技术领域的普通人员来说,在不脱离本实用新型所述原理前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种掩模板,其特征在于,包括:
掩模板本体,所述掩模板本体的第一表面上设置有具有第一预设深度的第一开槽,所述第一开槽的底面设置有穿透至所述第一表面相对的第二表面、用于蒸镀材料通过的开孔,且所述第一开槽在所述第一表面上所形成开口的尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,在所述掩模板本体上,所述第一开槽的数量与所述开孔的数量相等,每一所述第一开槽内均设置有一个所述开孔。
3.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述第一开槽的底面尺寸大于所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的尺寸。
4.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述第一开槽的底面的形状、尺寸与所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的形状、尺寸一致。
5.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述第一开槽的侧壁面垂直于所述第一表面,或者相对于所述第一表面倾斜。
6.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述第一开槽在所述第一表面上所形成开口的形状与所述开孔在所述第一开槽的底面上所形成开口的形状相同。
7.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述第一预设深度位于所述掩模板本体的厚度的四分之一至四分之三之间。
8.根据权利要求7所述的掩模板,其特征在于,所述第一预设深度为所述掩模板本体的厚度的二分之一。
9.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述第二表面上设置有具有第二预设深度的第二开槽。
10.根据权利要求9所述的掩模板,其特征在于,所述第一预设深度与所述第二预设深度之和小于或等于所述掩模板本体的厚度。
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