CN208111452U - 一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池 - Google Patents
一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208111452U CN208111452U CN201820674262.XU CN201820674262U CN208111452U CN 208111452 U CN208111452 U CN 208111452U CN 201820674262 U CN201820674262 U CN 201820674262U CN 208111452 U CN208111452 U CN 208111452U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- shell structure
- nuclear shell
- zno
- nano line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池。其包括衬底层、层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜、层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜的一端设有金属钛电极,另端设有金属金电极。层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜包括N层CdxZn1‑xSe/ZnO核壳结构纳米线,相邻层CdxZn1‑xSe/ZnO核壳结构纳米线从下至上组分递变且它们之间设有透明介电层。本实用新型所涉及的层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,能够实现高能量光子被上层材料吸收,低能量光子被下层材料吸收,提高了纳米线水平阵列太阳光利用率。
Description
技术领域:
本实用新型设计太阳能电池领域,特别是涉及一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池。
背景技术:
半导体纳米线具有结晶质量好、光利用率高、耗材少、设计灵活等优点。基于半导体纳米线的光伏器件的研究,如:纳米线核壳结构、纳米线径向p-i-n结构、纳米线十字交叉结构太阳能电池等,近年来取得了长足的进步。单根纳米线太阳能电池由于实际输出功率小,大多数是被当作纳米集成系统里的供能单元或者是用于指导材料制备或者器件构筑的原型器件。阵列结构纳米太阳能电池既可以保有单个器件的优异性质又可以实现大的功率输出,成为近年来的研究热点。目前,大多数研究者将目光聚焦在纳米线的竖直阵列结构,而此类结构的制备往往需要额外的生长辅助模板或者条件苛刻的外延衬底。而基于纳米线的水平阵列结构则可依据自下至上的制备方法,实现器件衬底以及纳米材料在种类、组分、掺杂、形貌上的灵活选择。此特点不但可以弱化材料合成条件的限制,还可以丰富器件的构筑手段,如:可先通过研究单根原型器件性能以优化尺寸、组分、掺杂、表/界面缺陷等材料参数,然后再设计优化阵列堆叠方式、堆叠层数、纳米线组合形式等器件因素。但是,目前对于纳米线水平排布阵列光伏器件的研究还存在诸多不足之处,如此类结构的平面利用率较差、组装步骤复杂且效率低等。
发明内容:
本实用新型针对现有技术的不足,提出了一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,旨在克服传统纳米线竖直阵列太阳能电池制备困难的问题,获得能具有高太阳光平面利用率纳米线水平阵列太阳能电池。
为了实现上述目的,本实用新型提出了一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:包括一层衬底层(1),所述衬底层(1)上设有层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜 (2),所述层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜(2)的一端设有金属钛电极(3),所述层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜(2)的另一端设有金属金电极(4)。
作为优选,其特征在于:所述衬底层(1)为PET(Polyethylene terephthalate,聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PDMS (Polydimethylsiloxane,聚二甲基硅氧烷)、PI(Polyimide,聚酰亚胺)。
作为优选,其特征在于:所述层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜(2)包括N层CdxZn1-xSe/ZnO 核壳结构纳米线,相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线之间设有透明介电层,相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线水平排布,相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中的CdxZn1-xSe核组分递变。
作为优选,其特征在于:所述CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中x为Cd原子数量与Cd和Zn原子数量总和的比值,x的取值范围为0<x<1,所述CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的长度为340-500μm,所述 CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的CdxZn1-xSe核的直径为200-300nm,所述CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的ZnO壳层厚度为80-120nm,所述CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线一端的CdxZn1-xSe核裸露且裸露长度为50-100μm。
作为优选,其特征在于:所述N层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线,N的取值为2、3、4,每一层中 CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线平行排布,每一层中CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露CdxZn1-xSe核的一端朝向一致。
作为优选,其特征在于:所述透明介电层为二氧化锆,所述透明介电层厚度为20-40nm。
作为优选,其特征在于:相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露CdxZn1-xSe核的一端朝向一致。
作为优选,其特征在于:相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中的CdxZn1-xSe核组分递变,具体的:
(a)N取值为2时,从下至上的顺序,第1层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.8<x<1,第2层 CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0<x<0.2;
(b)N取值为3时,从下至上的顺序,第1层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.8<x<1,第2层 CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.2<x<0.8,第3层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中 0<x<0.2;
(c)N取值为4时,从下至上的顺序,第1层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.8<x<1,第2层 CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.5<x<0.8,第3层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中 0.2<x<0.5,第4层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0<x<0.2。
作为优选,其特征在于:所述金属钛电极(3)与每一层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线无裸露CdxZn1-xSe 核一端的ZnO壳层形成欧姆接触。
作为优选,其特征在于:所述金属金电极(4)与每一层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露的CdxZn1-xSe 核形成欧姆接触。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益结果:
1.本实用新型中,采用层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜构筑纳米太阳能电池,设计自下而上不同层组分递变的组合方式,实现高能量光子被上层材料吸收,低能量光子被下层材料吸收,提高纳米线水平阵列太阳光利用率。
2.本实用新型中,采用CdxZn1-xSe/CdS核壳结构纳米线作为纳米太阳能电池的光伏材料,CdxZn1-xSe能实现在1.7-2.7eV之间的依赖于组分的带隙连续可调,这覆盖了大部分太阳光频率范围,并且能增加对短波段可见光区域的吸收,可满足层电池在带隙匹配上的要求。
附图说明:
图1是本实用新型的剖面结构示意图。
图2是本实用新型的俯视结构示意图。
具体实施方式:
参考图1和图2,本实用新型包括一层衬底层(1),所述衬底层(1)上设有层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜(2),所述层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜(2)的一端设有金属钛电极(3),所述层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜(2)的另一端设有金属金电极(4)。
以下给出三个实施例:
实施例1.
衬底层为PET,层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜包括2层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线,相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线之间设有厚度为20nm的二氧化锆;所用CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的长度为350μm,CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的CdxZn1-xSe核的直径为300nm,ZnO壳层厚度为120nm,CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线一端的CdxZn1-xSe核裸露且裸露长度为50μm:每一层中 CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线平行排布,每一层中CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露CdxZn1-xSe核的一端朝向一致;相邻层CdxZn1- xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露CdxZn1-xSe核的一端朝向一致;相邻层 CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中的CdxZn1-xTe核组分递变,具体为:从下至上的顺序,第1层 CdxZn1-xSee/ZnO核壳结构纳米线中0.8<x<1,第2层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0<x<0.2;金属钛电极与每一层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线无裸露CdxZn1-xSe核一端的ZnO壳层形成欧姆接触;金属金电极与每一层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露的CdxZn1-xSe核形成欧姆接触。
实施例2.
衬底层为PDMS,层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜包括3层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线,相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线之间设有厚度为30nm的二氧化锆;所用CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的长度为400μm,CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的CdxZn1-xSe核的直径为250nm,ZnO壳层厚度为100nm,CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线一端的CdxZn1-xSe核裸露且裸露长度为75μm;每一层中CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线平行排布,每一层中CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露CdxZn1-xSe核的一端朝向一致;相邻层CdxZn1- xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露CdxZn1-xSe核的一端朝向一致;相邻层 CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中的CdxZn1-xTe核组分递变,具体为:从下至上的顺序,第1层 CdxZn1-xSee/ZnO核壳结构纳米线中0.8<x<1,第2层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.2<x<0.8,第3 层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0<x<0.2;金属钛电极与每一层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线无裸露CdxZn1-xSe核一端的ZnO壳层形成欧姆接触;金属金电极与每一层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露的CdxZn1-xSe核形成欧姆接触。
实施例3.
衬底层为PET,层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜包括4层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线,相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线之间设有厚度为40nm的二氧化锆;所用CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的长度为450μn,CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的CdxZn1-xSe核的直径为200nm,ZnO壳层厚度为80nm,CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线一端的CdxZn1-xSe核裸露且裸露长度为100μm;每一层中 CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线平行排布,每一层中CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露CdxZn1-xSe核的一端朝向一致;相邻层CdxZn1- xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露CdxZn1-xSe核的一端朝向一致;相邻层 CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中的CdxZn1-xTe核组分递变,具体为:从下至上的顺序,第1层 CdxZn1-xSee/ZnO核壳结构纳米线中0.8<x<1,第2层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.5<x<0.8,第3 层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.2<x<0.5,第4层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0<x<0.2;金属钛电极与每一层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线无裸露CdxZn1-xSe核一端的ZnO壳层形成欧姆接触;金属金电极与每一层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露的CdxZn1-xSe核形成欧姆接触。
Claims (10)
1.一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:包括一层衬底层(1),所述衬底层(1)上设有层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜(2),所述层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜(2)的一端设有金属钛电极(3),所述层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜(2)的另一端设有金属金电极(4)。
2.根据权利要求1所述的一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:所述衬底层(1)为PET、PDMS、PI。
3.根据权利要求1所述的一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:所述层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜(2)包括N层CdxZn1- xSe/ZnO核壳结构纳米线,相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线之间设有透明介电层,相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线水平排布,相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中的CdxZn1-xSe核组分递变。
4.根据权利要求3所述的一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:所述CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中x为Cd原子数量与Cd和Zn原子数量总和的比值,x的取值范围为0<x<1,所述CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的长度为340-500μm,所述CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的CdxZn1-xSe核的直径为200-300nm,所述CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线的ZnO壳层厚度为80-120nm,所述CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线一端的CdxZn1-xSe核裸露且裸露长度为50-100μm。
5.根据权利要求3所述的一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:所述N层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线,N的取值为2、3、4,每一层中CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线平行排布,每一层中CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露CdxZn1-xSe核的一端朝向一致。
6.根据权利要求3所述的一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:所述透明介电层为二氧化锆,所述透明介电层厚度为20-40nm。
7.根据权利要求3所述的一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露CdxZn1-xSe核的一端朝向一致。
8.根据权利要求3所述的一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:相邻层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中的CdxZn1-xSe核组分递变,具体的:
(a)N取值为2时,从下至上的顺序,第1层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.8<x<1,第2层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0<x<0.2;
(b)N取值为3时,从下至上的顺序,第1层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.8<x<1,第2层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.2<x<0.8,第3层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0<x<0.2;
(c)N取值为4时,从下至上的顺序,第1层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.8<x<1,第2层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.5<x<0.8,第3层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0.2<x<0.5,第4层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线中0<x<0.2。
9.根据权利要求1所述的一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:所述金属钛电极(3)与每一层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线无裸露CdxZn1-xSe核一端的ZnO壳层形成欧姆接触。
10.根据权利要求1所述的一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池,其特征在于:所述金属金电极(4)与每一层CdxZn1-xSe/ZnO核壳结构纳米线裸露的CdxZn1-xSe核形成欧姆接触。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201820674262.XU CN208111452U (zh) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | 一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201820674262.XU CN208111452U (zh) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | 一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN208111452U true CN208111452U (zh) | 2018-11-16 |
Family
ID=64114765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201820674262.XU Expired - Fee Related CN208111452U (zh) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | 一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN208111452U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108400179A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-08-14 | 安阳师范学院 | 一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池 |
-
2018
- 2018-04-27 CN CN201820674262.XU patent/CN208111452U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108400179A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-08-14 | 安阳师范学院 | 一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池 |
CN108400179B (zh) * | 2018-04-27 | 2023-08-25 | 安阳师范学院 | 一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hou et al. | Efficient tandem solar cells with solution-processed perovskite on textured crystalline silicon | |
Du et al. | Light-trapping in perovskite solar cells | |
Vanecek et al. | Nanostructured three-dimensional thin film silicon solar cells with very high efficiency potential | |
Tsakalakos et al. | Silicon nanowire solar cells | |
Jain et al. | High-efficiency inverted metamorphic 1.7/1.1 eV GaInAsP/GaInAs dual-junction solar cells | |
TWI409963B (zh) | 同軸奈米線結構的太陽能電池 | |
CN106067493B (zh) | 一种微晶格失配量子阱太阳能电池及其制备方法 | |
CN108336154A (zh) | 晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
CN104106145A (zh) | 垂直结太阳能电池的结构和方法 | |
Li et al. | CdS/CdSe cosensitized oriented single-crystalline TiO2 nanowire array for solar cell application | |
TW201001726A (en) | Techniques for enhancing efficiency of photovoltaic devices using high-aspect-ratio nanostructures | |
Jheng et al. | Effects of ZnO-nanostructure antireflection coatings on sulfurization-free Cu2ZnSnS4 absorber deposited by single-step co-sputtering process | |
Makita et al. | Mechanical stacked GaAs//CuIn1− yGaySe2 three‐junction solar cells with 30% efficiency via an improved bonding interface and area current‐matching technique | |
CN208111452U (zh) | 一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池 | |
Feng et al. | Fabrication and properties of ZnO nanorods within silicon nanostructures for solar cell application | |
CN102437226A (zh) | 一种碳纳米管-硅薄膜叠层太阳能电池及其制备方法 | |
Boukortt et al. | All-perovskite tandem solar cells: From certified 25% and beyond | |
CN208111451U (zh) | 一种层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜太阳能电池 | |
CN108400179A (zh) | 一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池 | |
Zhao et al. | Three-dimensional ZnO/ZnxCd1− xS/CdS nanostructures modified by microwave hydrothermal reaction-deposited CdSe quantum dots for chemical solar cells | |
Pathirane et al. | Hybrid ZnO nanowire/a-Si: H thin-film radial junction solar cells using nanoparticle front contacts | |
JP2011124474A (ja) | 多接合型太陽電池、該多接合型太陽電池を備えた太陽電池モジュール、及び該多接合型太陽電池の製造方法 | |
Cheng et al. | Nanowires improved charge separation and light utilization in metal-oxide solar cells | |
CN108400178A (zh) | 一种层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜太阳能电池 | |
CN209104173U (zh) | 一种太阳能电池叠层结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20181116 Termination date: 20200427 |