CN208091183U - 一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，包括储气罐、在线加热器和烘干槽本体，所述在线加热器通过管路分别与储气罐和烘干槽本体相通，所述烘干槽本体上方设有槽盖，内部设有多路喷淋管路，所述喷淋管路通过管夹固定于烘干槽本体的内部侧壁上，所述喷淋管路上均匀分布有多个喷嘴，所述在线加热器通向烘干槽本体的管路通过三通管件分为多路，分别与烘干槽本体内部的多路喷淋管路一一相通，所述储气罐底部设有烘干模块进气口，所述烘干槽本体底部设有烘干模块出气口，本实用新型利用高温高压氮气对湿法清洗后的晶片进行烘干处理，结构简单，操作便捷，烘干速度快，干燥效果好，全程无污染，且受热均匀对晶片质量没有损害。

Description

一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块

技术领域

本实用新型涉及晶片湿法清洗领域，尤其涉及一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块。

背景技术

晶片作为重要的半导体元件，一旦受到污染，容易造成集成电路晶片内电路功能的损坏，进而导致整个电路的失效。但是，在晶片加工制造过程中又不可避免地会受到各种环境因素的污染，为了严格控制加工环境，保证晶片的清洁度，几乎在晶片加工制造的每一道工序都涉及清洗工艺，而在清洗之后需要及时将晶片进行烘干处理，防止其受到外界环境的污染。此外，在晶片加工制造的过程中，由于加工工艺的需要，晶片表面经常会有油污、化学药剂、蜡、金属等物质的残留，利用清洗站将这些残留物清洗掉之后，同样需要及时对清洗后的晶片进行无污染的烘干处理。

目前，用于晶片湿法清洗后的烘干装置种类有很多，但是普遍存在结构复杂，操作繁琐，受热不均匀，容易损伤晶片质量，烘干效果差，干燥效率低，容易受污染等各种各样的弊端，甚至影响到后期晶片的使用寿命。

有鉴于此，特提出本实用新型。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，利用高温高压氮气对湿法清洗后的晶片进行烘干处理，结构简单，操作便捷，烘干速度快，干燥效果好，全程无污染，且受热均匀对晶片质量没有损害。

为了实现上述目的，本实用新型提供的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，其特征在于，包括储气罐、在线加热器和烘干槽本体，所述在线加热器通过管路分别与储气罐和烘干槽本体相通，所述烘干槽本体上方设有槽盖，内部设有多路喷淋管路，所述喷淋管路上设有喷嘴，所述在线加热器通向烘干槽本体的管路通过三通管件分为多路，分别与烘干槽本体内部的多路喷淋管路一一相通，所述储气罐底部设有烘干模块进气口，所述烘干槽本体底部设有烘干模块出气口。

优选地，所述喷淋管路设置于烘干槽本体的内部侧壁上。

优选地，所述喷淋管路通过管夹固定于烘干槽本体的内部侧壁上。

优选地，所述在线加热器通向烘干槽本体的管路通过三通管件分为四路，分别与烘干槽本体内部的四路喷淋管路一一相通。

优选地，所述喷淋管路上均匀分布有多个喷嘴。

优选地，所述喷淋管路上相邻喷嘴的间隔不大于30mm。

优选地，所述烘干槽本体上方的槽盖为手动槽盖。

优选地，所述烘干槽本体与槽盖之间设有密封装置。

本实用新型提供的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，具有如下有益效果。

1.本实用新型结构简单，操作便捷，烘干速度快，干燥效果好，全程无污染，且受热均匀对晶片质量没有损伤。

2.本实用新型烘干槽本体内的高温气体始终保持快速流动，可将晶体表面的液体迅速气化后带出烘干槽本体，烘干速度快，干燥效果好，且受热均匀对晶片质量没有损伤。

3.本实用新型烘干槽本体在工作时为封闭空间，且其内部气体始终保持一定的压力进行流动，确保了烘干模块内的晶片不被环境污染，具有快速且无污染烘干晶片的特性。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块的结构示意图。

图2为本实用新型提供的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块的烘干槽本体的结构示意图。

图中：

1.储气罐 2.在线加热器 3.烘干槽本体 4.烘干模块进气口 5.槽盖 6.烘干模块出气口 7.三通管件 8.喷淋管路 9.管夹 10.喷嘴。

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图对本实用新型做进一步说明，以助于理解本实用新型的内容。

如图1和2所示，分别为本实用新型提供的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块的结构示意图和烘干槽本体的结构示意图。该氮气烘干模块包括储气罐1、在线加热器2和烘干槽本体3，所述在线加热器2通过管路分别与储气罐1和烘干槽本体3相通，所述烘干槽本体3上方设有槽盖5，内部设有多路喷淋管路8，所述喷淋管路8上设有喷嘴10，所述在线加热器2通向烘干槽本体3的管路通过三通管件7分为多路，分别与烘干槽本体3内部的多路喷淋管路8一一相通，所述储气罐1底部设有烘干模块进气口4，所述烘干槽本体3底部设有烘干模块出气口6。优选地，所述在线加热器2通向烘干槽本体3的管路通过三通管件7分为四路，分别与烘干槽本体3内部的四路喷淋管路8一一相通。所述喷淋管路8设置于烘干槽本体3的内部侧壁上。优选地，所述喷淋管路8通过管夹9固定于烘干槽本体3的内部侧壁上，所述喷淋管路8上均匀分布有多个喷嘴10，所述喷淋管路8上相邻喷嘴10的间隔不大于30mm。优选地，所述烘干槽本体3上方的槽盖5为手动槽盖，所述烘干槽本体3与槽盖5之间设有密封装置。本实用新型利用高温高压氮气对湿法清洗后的晶片进行烘干处理，结构简单，操作便捷，烘干速度快，干燥效果好，全程无污染，且受热均匀对晶片质量没有损伤。

本实用新型的工作原理为：使用时，将湿法清洗后的晶片放置在烘干槽本体3内，氮气通过储气罐1底部的烘干模块进气口4进入储气罐1内，首先通过储气罐1将氮气增压至设定压力值，然后氮气从储气罐1通过管路进入在线加热器2，氮气在在线加热器2中温度迅速上升至设定温度值，再通过管路进入烘干槽本体3，最后通过喷淋管路8的喷嘴10以一定的压力将加热后的氮气喷入烘干槽本体3内部对其内部的晶片进行烘干处理。高温氮气使得晶片表面的液体迅速气化，并随着氮气通过烘干槽本体3底部的烘干模块出气口6快速排出，直至晶片表面的水分完全脱除为止。

本实用新型烘干槽本体3内的高温气体始终保持快速流动，可将晶体表面的液体迅速气化后带出烘干槽本体3，烘干速度快，干燥效果好，且受热均匀对晶片质量没有损伤。且烘干槽本体3在工作时为封闭空间，其内部气体始终保持一定的压力进行流动，确保了烘干模块内的晶片不被环境污染，具有快速且无污染烘干晶片的特性。

本文中应用了具体个例对实用新型构思进行了详细阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离该实用新型构思的前提下，所做的任何显而易见的修改、等同替换或其他改进，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，其特征在于，包括储气罐、在线加热器和烘干槽本体，所述在线加热器通过管路分别与储气罐和烘干槽本体相通，所述烘干槽本体上方设有槽盖，内部设有多路喷淋管路，所述喷淋管路上设有喷嘴，所述在线加热器通向烘干槽本体的管路通过三通管件分为多路，分别与烘干槽本体内部的多路喷淋管路一一相通，所述储气罐底部设有烘干模块进气口，所述烘干槽本体底部设有烘干模块出气口。

2.根据权利要求1所述的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，其特征在于，所述喷淋管路设置于烘干槽本体的内部侧壁上。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，其特征在于，所述喷淋管路通过管夹固定于烘干槽本体的内部侧壁上。

4.根据权利要求3所述的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，其特征在于，所述在线加热器通向烘干槽本体的管路通过三通管件分为四路，分别与烘干槽本体内部的四路喷淋管路一一相通。

5.根据权利要求4所述的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，其特征在于，所述喷淋管路上均匀分布有多个喷嘴。

6.根据权利要求5所述的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，其特征在于，所述喷淋管路上相邻喷嘴的间隔不大于30mm。

7.根据权利要求6所述的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，其特征在于，所述烘干槽本体上方的槽盖为手动槽盖。

8.根据权利要求7所述的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，其特征在于，所述烘干槽本体与槽盖之间设有密封装置。