CN208045200U - 电阻器 - Google Patents

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黄宗熙
蔡承琪
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Guangshuo Applied Materials Co ltd
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Abstract

本实用新型披露一种电阻器。电阻器包括基材、阻抗组件以及两个导电端子。阻抗组件设置于该基材上。两个导电端子设置于该基材上,并分别连接该阻抗组件的两侧,该两个导电端子分别具有多个导电粒子,每一个该导电粒子包含核心层及包覆该核心层的包覆层。本实用新型可符合电机电子产品中有害物质禁限用指令(RoHS)所规定的有害物质要求。

Description

电阻器
技术领域
本实用新型关于一种电阻器。
背景技术
欧盟议会和欧盟部长级理事会一致同意自2006年7月起禁止在电子电器设备中使用铅、镉、汞、铬等四种重金属。因此,销往欧盟的电子电器产品需要符合电机电子产品中有害物质禁限用指令(RoHS)所规定的有害物质要求。
实用新型内容
本实用新型的目的为提供一种电阻器。本实用新型的电阻器可符合电机电子产品中有害物质禁限用指令(RoHS)所规定的有害物质要求。
本实用新型提出一种电阻器,包括基材、阻抗组件以及两个导电端子。阻抗组件设置于基材上。两个导电端子设置于基材上,并分别连接阻抗组件的两侧,两个导电端子分别具有多个导电粒子,每一个导电粒子包含核心层及包覆核心层的包覆层。
承上所述,在本实用新型的一种电阻器中,包括基材、阻抗组件以及两个导电端子。阻抗组件设置于基材上。两个导电端子设置于基材上,并分别连接阻抗组件的两侧,两个导电端子分别具有多个导电粒子,每一个导电粒子包含核心层及包覆核心层的包覆层。本实用新型的电阻器可符合电机电子产品中有害物质禁限用指令(RoHS)所规定的有害物质要求。
附图说明
图1为本实用新型较佳实施例的一种电阻器的制造方法的流程步骤图。
图2A至图2F分别为本实用新型较佳实施例的电阻器的制造过程示意图。
图3为本实用新型较佳实施例的电阻器制造方法的另一流程步骤图。
具体实施方式
以下将参照相关附图,说明依本实用新型较佳实施例的电阻器,其中相同的组件将以相同的参照符号加以说明。
请参照图1、图2A至图2F所示,其中,图1为本实用新型较佳实施例的一种电阻器1的制造方法的流程步骤图,而图2A至图2F分别为本实用新型较佳实施例的电阻器1的制造过程示意图。
如图1所示,电阻器1的制造方法可包括:设置阻抗组件于基材上(步骤 S01);将多个导电粒子与溶剂混合,以形成混合材料,其中导电粒子包含核心层及包覆核心层的包覆层,核心层的材料包含金属或其合金,且包覆层的材料包含石墨烯、石墨、纳米碳管、纳米碳球、或其组合(步骤S02);设置混合材料于基材上,并使混合材料分别连接阻抗组件的两侧(步骤S03);以及进行烧结处理,以于基材上形成两个导电端子(步骤S04)。以下,请分别配合图2A至图2F所示,以说明电阻器1的制造过程。
首先,如图2A所示,步骤S01为:设置阻抗组件12于基材11上。其中,基材11可为硬性基材或软性基材,硬性基材可为玻璃、金属、陶瓷或树脂基材、或是复合式基材。本实施例的基材11是以氧化铝(Al2O3)的硬性基材为例。另外,阻抗组件12为电阻材料所构成,不含铅、镉、汞、铬等四种重金属,以符合电机电子产品中有害物质禁限用指令(RoHS)所规定的有害物质要求。在图2A中,基材11具有第一表面S1、两个第二表面S2与第三表面 S3,第一表面S1与第三表面S3为基材11的相反表面,且两个第二表面S2 位于基材11的左右侧,并分别连接第一表面S1与第三表面S3,而阻抗组件 12是设置于基材11的第一表面S1。
另外,如图2B与图2C所示,步骤S02为:将多个导电粒子131与溶剂S 混合,以形成混合材料,其中导电粒子131包含核心层1311及包覆核心层1311 的包覆层1312,核心层1311的材料包含金属或其合金,且包覆层1312的材料包含石墨烯(graphene)、石墨(graphite)、纳米碳管(carbon nanotube,CNT)、纳米碳球(carbon nanoball)、或其组合。于此,可将包含多个导电粒子131的导电端子材料混合于溶剂S中并搅拌均匀,以得到膏状的混合材料。其中,导电粒子131的核心层1311为不含铅、镉、汞、铬等四种重金属的金属,例如银、铜、锰、镍、金、铝、铁或锡等金属,或上述金属的任意组合的合金,并不限定。另外,若导电粒子131的包覆层1312的材料是石墨时,其可为天然石墨或人工石墨,并不限制。在本实施例的导电粒子131中,包覆层1312包覆核心层1311的目的是为了可快速导热,避免使用时温度太高而烧毁电阻器 1。
另外,溶剂S可例如为水、二甲基甲酰胺(DMF)、四氢呋喃(THF)、酮类、醇类、醋酸乙脂、或甲苯。本实施例的溶剂S是以水为例。在不同的实施例中,当溶剂S为酮类时,其可为N-甲基吡咯烷酮(NMP)、或丙酮;当溶剂 S为醇类时,其可为乙醇(Ethanol)、或乙二醇(Ethylene glycol)。此外,溶剂S也可为上述溶剂(水、二甲基甲酰胺、四氢呋喃、酮类、或醇类)的任意混合,并不限定。
接着,如图2D所示,进行步骤S03为:设置混合材料M于基材11上,并使混合材料M分别连接阻抗组件12的两侧。混合材料M可利用涂布、沾粘、印刷或溅镀(supptering)等方式设置于基材11上。于此,涂布可为喷射涂布(spray coating)、或旋转涂布(spin coating),而印刷可为喷墨打印(inkjet printing)、或网版印刷(screen printing),并不限定。值得一提的是,上述设置于基材11的顺序依序为步骤S01的阻抗组件12与步骤S02、S03的混合材料 M,然并不以此为限,在不同的实施例中,也可先进行步骤S02、S03的混合材料M的设置,再进行步骤S01的阻抗组件12的设置。
接着,进行烧结处理,以于基材11上形成两个导电端子13a、13b(步骤 S04)。其中,烧结处理的烧结温度可介于800℃~1050℃,以去除混合材料M 中的溶剂S(例如水分),并使混合材料M中留下来的导电端子材料(多个导电粒子131)的分子重新排列,经冷却(可为室温冷却)后可在基材11上形成两个导电端子13a、13b。如图2D所示,导电端子13a、13b分别位于基材11 的第一表面S1上,并分别连接阻抗组件12的两侧,且经由两个第二表面S2 而延伸至第三表面S3,使得本实施例的电阻器1为表面贴装组件(surface-mount device,SMD)。在不同的实施例,电阻器1也可为不同型式的电阻,本实用新型并不限制其实际呈现的方式。在一些实施例中,导电端子13a、13b的成分及其重量百分比可如下:铜粉,80%~90%;锰粉,5%~15%;镍粉,1%~10%;锡粉,1%~10%;碳,1%~10%。
再说明的是,在阻抗的公式中,电阻值=电阻常数(ρ)×长度/面积,因此,影响导电端子13a、13b的阻抗值的因素可包括材料本身(导电粒子131的核心层1311与包覆层1312)特性、导电粒子131的粒径大小、导电粒子131的截面积或厚度与处理温度,设计者可由上述因素通过适当的调配组成成分来控制导电端子13a、13b(混合材料)的阻抗值,使其阻抗值越低越好,以成为可适用于电阻器1的导电端子。
另外,请参照图3所示,其为本实用新型较佳实施例的电阻器1制造方法的另一流程步骤图。与图1不同的是,除了步骤S01至步骤S04之外,图3 的制造方法还可包括步骤S05:设置保护层14覆盖在阻抗组件12上。如图2E 与图2F所示,保护层14是设置并覆盖在阻抗组件12上,以保护阻抗组件12 不被异物破坏其特性。在一些实施例中,保护层14的材料例如但不限于为环氧树脂(Epoxy)或压克力。
因此,本实施例的电阻器1为表面贴装组件(SMD),其包括基材11、阻抗组件12、两个导电端子13a、13b及保护层14。阻抗组件12设置于基材11 上,两个导电端子13a、13b设置于基材11上,并分别连接阻抗组件12的两侧,其中,两个导电端子13a、13b分别具有多个导电粒子131,每个导电粒子 131包含核心层1311及包覆核心层1311的包覆层1312,核心层1311的材料包含金属或其合金,而包覆层1312的材料包含石墨烯、石墨、纳米碳管、纳米碳球、或其组合。另外,保护层14覆盖在阻抗组件12上,以保护阻抗组件 12免于被异物破坏其特性。
通过上述的导电端子材料,可使本实施例所制得的电阻器1可符合电机电子产品中有害物质禁限用指令(RoHS)所规定的有害物质要求(无铅、镉、汞、铬等四种重金属)。
综上所述,在本实用新型的一种电阻器中,包括基材、阻抗组件以及两个导电端子。阻抗组件设置于基材上。两个导电端子设置于基材上,并分别连接阻抗组件的两侧,两个导电端子分别具有多个导电粒子,每一个导电粒子包含核心层及包覆核心层的包覆层。本实用新型的电阻器可符合电机电子产品中有害物质禁限用指令(RoHS)所规定的有害物质要求。
以上所述仅为举例性,而非为限制性者。任何未脱离本实用新型的精神与范畴,而对其进行的等效修改或变更,均应包含于后附的权利要求书的范围中。

Claims (3)

1.一种电阻器,其特征在于,包括:
基材;
阻抗组件,设置于该基材上;以及
两个导电端子,设置于该基材上,并分别连接该阻抗组件的两侧,该两个导电端子分别具有多个导电粒子,每一个该导电粒子包含核心层及包覆该核心层的包覆层。
2.如权利要求1所述的电阻器,其特征在于,该基材具有第一表面、两个第二表面与第三表面,该阻抗组件设置于该第一表面,该两个第二表面分别连接该第一表面与该第三表面,且该两个导电端子分别位于该第一表面上,并经由该两个第二表面延伸至该第三表面。
3.如权利要求1所述的电阻器,其特征在于,还包括:
保护层,覆盖在该阻抗组件上。
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