CN208022088U - 缓冲构件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种在将收纳半导体晶片的收纳容器打包到打包盒中时被配置到收纳容器与打包盒之间的缓冲构件，收纳容器具备：箱型的主体，其上表面敞开；盖，其将上表面闭合；保持部，其设置在盖的背侧，与收纳在主体内的半导体晶片的上部周缘抵接，限制移动；缓冲构件具有上部缓冲构件，该上部缓冲构件具备与盖的上表面接触的上部收纳部；上部收纳部具备与盖的上表面离开而对置的上部对置面、和从上部对置面突出并与盖的上表面接触的上部侧肋板；上部侧肋板设置在以下这样的位置：在接触的状态下，与位于至少设有保持部的区域的正上方的盖的上表面区域接触。

Description

缓冲构件

技术领域

本实用新型涉及缓冲构件。

背景技术

在输送半导体晶片的情况下，将多个半导体晶片收纳到收纳容器中，打包到打包盒中，之后，将打包盒用搬运装置输送。

在输送时，有打包盒从搬运装置掉落等而冲击力等外力作用在收纳容器上的情况。因此，需要在外力下半导体晶片不变形/损伤的构造。作为这样的构造，有在收纳容器与打包盒之间设有缓冲构件的构造。

在文献1（日本特开2014－5078号公报）中，记载了一种打包体，设有：收纳箱，收纳包装体；独立托板，搭载包装体；和作为缓冲构件的发泡件，与包装体和独立托板的至少一方接触。

在文献1中，还记载了以下内容：将独立托板用聚烯烃、聚苯乙烯、聚氨酯等缓冲能力较好的发泡材料构成而做成缓冲构件。

在文献2（日本特开2013－249126号公报）中，记载了以下这样的构造：在将收纳半导体晶片的基板收纳容器搭载到托板上的构造中，在托板的搭载面上设有弹性缓冲体。

在文献2中，以肖氏00（Shore 00）硬度为20°～120°的弹性缓冲体为优选。具体举出了弹性体及橡胶。

在文献3（日本特开2010－132331号公报）中，记载了一种打包体，具备：多个内侧发泡缓冲构件，密接在半导体收纳容器的全方位面上而进行保护；瓦楞纸板箱，收纳半导体收纳容器；和多个粘弹性固体缓冲构件，设在内侧发泡缓冲构件与瓦楞纸板箱的内表面之间。

在文献4（日本特开2011－016549号公报）中，记载了一种在半导体晶片盒与托板之间设有底板的构造。底板是将圆柱状弹性体用2片合成树脂瓦楞纸板夹着的缓冲构件。

在文献4中，记载了也可以代替底板而使用发泡苯乙烯制的缓冲构件。还记载了以下这样的构造：在半导体晶片盒的上表面上设置盖体，在盖体的背面设置海绵状的聚氨酯来吸收冲击。

在文献5（日本特开2014－151963号公报）中，记载了一种以将晶片收纳容器的上下包夹的方式设有上部缓冲体及下部缓冲体的打包体。

上部缓冲体具备：上凹部，收纳晶片收纳容器的上部；推压肋板，设在上凹部的外周上，与晶片收纳容器的上端面接触。

在下部缓冲体的底面上设有冲击吸收用突起。冲击吸收用突起在收纳着晶片收纳容器的包装物掉落而撞击到地板上时，通过在撞击的冲击下压扁，将冲击能量吸收，使得冲击不传递给半导体晶片。

收纳容器为了以半导体晶片不相互接触且在容器内不移动的方式保持，在内部具备槽或突起等保持部。

收纳容器的外形并不限于单纯的箱型。有以下这样的构造：具备沿着收纳的半导体晶片的形状的圆弧状的部分、和在放置收纳容器的情况下用于防止底面的碰触的脚部。

因此，在收纳容器中，在被施加了冲击的情况下使半导体晶片变形/损伤的可能性较高的部位是哪里，取决于内部的构造及外形。

此外，如果设置缓冲构件，则打包体的重量或体积增加，作业性恶化，所以需要还留意位置及尺寸。

但是，文献1至文献5中记载的构造如以下这样，不区分使半导体晶片变形/损伤的可能性高的部位和低的部位而设置缓冲构件。因此，存在以下问题：有相对于外力不能保护半导体晶片的情况，及作业性恶化的情况。

文献1、文献2、文献3、文献4中记载的构造中，收纳箱与缓冲构件接触的位置是上表面或底面的整面，不区分使半导体晶片变形/损伤的可能性高的部位和低的部位。

文献2中记载的构造是在托板上以一定间隔设置平面矩形的弹性缓冲体的构造，不区分使半导体晶片变形/损伤的可能性高的部位和低的部位。

文献3中记载的构造是使缓冲构件密接在收纳箱的全方位面上的构造，不区分使半导体晶片变形/损伤的可能性高的部位和低的部位。在这样的构造中，收纳箱的重量及体积增加，作业性恶化。

文献5中记载的构造虽然特定了上表面肋板与收纳箱的位置关系，但它是使得盖体不与肋板接触来防止盖的振动的构造，不是保护使半导体晶片变形/损伤的可能性较高的部位的构造。

文献5中记载的构造虽然特定了冲击吸收用突起的位置及形状，但被设置在不与收纳箱接触的外侧，不是保护使半导体晶片变形/损伤的可能性较高的部位的构造。

实用新型内容

本实用新型是鉴于上述问题而做出的，目的是提供一种能够保护使半导体晶片变形/损伤的可能性较高的部位、作业效率较好的构造的缓冲构件。

有关本实用新型的缓冲构件，是在将收纳半导体晶片的收纳容器打包到打包盒中时被配置到前述收纳容器与前述打包盒之间的缓冲构件，其特征是，前述收纳容器具备：箱型的主体，其上表面敞开；盖，其将前述上表面闭合；和保持部，其设置在前述盖的背侧，与收纳在前述主体内的前述半导体晶片的上部周缘抵接，限制前述半导体晶片的移动；前述缓冲构件具有上部缓冲构件，所述上部缓冲构件具备与前述盖的上表面接触的上部收纳部；前述上部收纳部具备与前述盖的上表面离开而对置的上部对置面、和从前述上部对置面突出并与前述盖的上表面接触的上部侧肋板；前述上部侧肋板设置在以下这样的位置：与位于至少设置有前述保持部的区域的正上方的前述盖的上表面区域接触。

根据该实用新型，在上部缓冲构件上设置上部侧肋板，以推压保持部。保持部是半导体晶片与收纳容器接触的部位，在施加了冲击的情况下，半导体晶片变形/损伤的可能性较高。因此，通过设置上部侧肋板以推压保持部，能够优先地保护在冲击时使半导体晶片变形/损伤的可能性较高的部位。

在有关本实用新型的缓冲构件中，优选的是，前述上部侧肋板的平面形状是十字形。

根据该实用新型，即使相对于收纳容器，缓冲构件的平面上的设置角度偏差90°，上部侧肋板也位于能够推压保持部的位置，所以能够提高设置缓冲构件时的位置的自由度，作业效率较好。

在有关本实用新型的缓冲构件中，优选的是，前述上部侧肋板在十字的交叉部设有上部侧孔。

根据该实用新型，即使在缓冲构件与收纳容器接触的状态下也能够从孔辨识收纳容器。因此，能够容易地确认缓冲构件是否被可靠地保持在收纳容器中。此外，通过抓住孔部的内周，能够容易地将缓冲构件从收纳容器拆卸，所以作业效率较好。

在有关本实用新型的缓冲构件中，优选的是，前述收纳容器具备以从底面突出的方式设置在前述底面上的至少一对脚部；前述缓冲构件具有下部缓冲构件，所述下部缓冲构件具备与前述底面接触的下部收纳部；前述下部收纳部具备从前述脚部离开而与前述收纳容器的前述底面对置的下部对置面、和从前述下部对置面突出并与前述收纳容器的前述底面接触的下部侧肋板。

根据该实用新型，在下部侧肋板与收纳容器的底面接触的状态下，脚部从下部对置面离开。由此，能够防止脚部接触在下部对置面上而收纳容器的底面从下部侧肋板浮起，能够可靠地保护收纳容器的底面。

在有关本实用新型的缓冲构件中，优选的是，前述缓冲构件具有与前述盖及前述底面接触的中部缓冲构件；前述中部缓冲构件具备：板状的中部缓冲构件主体；中部盖收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的底面上，具有与前述盖的上表面离开而对置的盖对置面、和从前述盖对置面突出并与前述盖的上表面接触的盖侧肋板；和中部底面收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的上表面上，具有从前述脚部离开而与前述收纳容器的前述底面对置的底面对置面、和从前述底面对置面突出并与前述收纳容器的前述底面接触的底面侧肋板；前述盖侧肋板设置在以下这样的位置：与位于至少设有前述保持部的区域的正上方的前述盖的上表面区域接触。

根据该实用新型，在中部缓冲构件上设置盖侧肋板，推压保持部。保持部是半导体晶片与收纳容器接触的部位，在施加了冲击的情况下，半导体晶片变形/损伤的可能性较高。因此，通过设置盖侧肋板以推压保持部，能够优先地保护在冲击时使半导体晶片变形/损伤的可能性较高的部位。

此外，根据该实用新型，在底面侧肋板与收纳容器的底面接触的状态下，脚部从底面对置面离开。由此，能够防止脚部接触在底面对置面上而收纳容器的底面从底面侧肋板浮起，能够可靠地保护收纳容器的底面。

进而，根据该实用新型，中部缓冲构件能够既设在收纳容器的上表面上也设在底面上，所以也能够作为上部缓冲构件或下部缓冲构件使用。此外，能够将收纳容器在高度方向上多层地收纳。

在有关本实用新型的缓冲构件中，优选的是，前述上部收纳部、前述下部收纳部、前述中部盖收纳部、前述中部底面收纳部排列有多组。

根据该实用新型，能够用1组上部缓冲构件、中部缓冲构件、下部缓冲构件保护4个以上收纳容器，所以输送及打包时的作业效率较好。

有关本实用新型的缓冲构件优选的是由发泡倍率为20倍以上、40倍以下的发泡体构成。

根据该实用新型，将缓冲构件用发泡倍率为20倍以上、40倍以下的发泡体构成，所以能够兼顾能承受来自外部的冲击的硬度、和将冲击吸收的柔软度。

有关本实用新型的缓冲构件优选的是由发泡聚氨酯、发泡聚乙烯、发泡聚丙烯或发泡聚苯乙烯的某种构成。

根据该实用新型，能够容易地将缓冲构件做成发泡倍率为20倍以上、40倍以下的发泡体。

有关本实用新型的缓冲构件，是在将收纳半导体晶片的收纳容器打包到打包盒中时被配置到前述收纳容器与前述打包盒之间的缓冲构件，其特征是，前述收纳容器具备：箱型的主体，其上表面敞开；盖，其将前述上表面闭合；和保持部，其设置在前述盖的背侧，与收纳在前述主体内的前述半导体晶片的上部周缘抵接，限制前述半导体晶片的移动；和至少一对脚部，其以从底面突出的方式设置在前述底面的端部；前述缓冲构件具有与前述盖的上表面及前述收纳容器的前述底面接触的中部缓冲构件；前述中部缓冲构件具备：板状的中部缓冲构件主体；中部盖收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的底面上，具有与前述盖的上表面离开而对置的盖对置面、和从前述盖对置面突出并与前述盖的上表面接触的盖侧肋板；中部底面收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的上表面上，具有从前述脚部离开而与前述收纳容器的前述底面对置的底面对置面、和从前述底面对置面突出并与前述收纳容器的前述底面接触的底面侧肋板；前述盖侧肋板设置在以下这样的位置：与位于至少设有前述保持部的区域的正上方的前述盖的上表面区域接触。

根据该实用新型，在中部缓冲构件上设置盖侧肋板，以推压保持部。保持部是半导体晶片与收纳容器接触的部位，在施加了冲击的情况下，使半导体晶片变形/损伤的可能性较高。因此，能够优先地保护在冲击时使半导体晶片变形/损伤的可能性较高的部位。

此外，根据该实用新型，在底面侧肋板与收纳容器的底面接触的状态下，脚部从底面对置面离开。由此，能够防止脚部接触在底面对置面上而收纳容器的底面从底面侧肋板浮起，能够可靠地保护收纳容器的底面。

进而，根据该实用新型，中部缓冲构件能够既设在收纳容器的上表面上也设在底面上，所以也能够作为上部缓冲构件或下部缓冲构件使用。此外，能够将收纳容器在高度方向上多层地收纳。

附图说明

图1是表示在收纳容器中设置了缓冲体的状态的立体图。

图2是图1的A1－A1剖视图。

图3是图1的A2－A2剖视图的一部分，收纳容器用侧视图表示。

图4是收纳容器的立体图。

图5A是收纳容器的俯视图。

图5B是盖的背面图。

图6A是从底面侧观察上部缓冲体的立体图。

图6B是上部缓冲体的仰视图。

图6C是表示上部缓冲体的图，是图6B的A3－A3剖视图。

图7A是下部缓冲体的立体图。

图7B是下部缓冲体的俯视图。

图7C是表示下部缓冲体的图，是图7B的A4－A4剖视图。

图8A是中部缓冲体的立体图。

图8B是中部缓冲体的仰视图。

图9A是中部缓冲体的俯视图。

图9B是表示中部缓冲体的图，是图9A的A5－A5剖视图。

具体实施方式

以下，基于附图详细地说明本实用新型优选的实施方式。

首先，参照图1～图3，简单地说明有关本实施方式的缓冲构件的概略结构。

如图1～图3所示，缓冲构件100是在将收纳容器7向未图示的打包盒中打包时被配置在收纳容器7与打包盒之间的缓冲构件，具备上部缓冲构件1、下部缓冲构件3及中部缓冲构件5。

在图1中，在上部缓冲构件1与中部缓冲构件5之间设有3个上层的收纳容器7，在中部缓冲构件5与下部缓冲构件3之间设有3个下层的收纳容器7。

缓冲构件100还具备设置在下部缓冲构件3的底面上的振动吸收构件9。

以上是有关本实施方式的缓冲构件100的概略结构的说明。

接着，对收纳容器7及有关本实施方式的缓冲构件100的结构的详细情况进行说明。

首先，参照图2、图4、图5A及图5B，对收纳容器7的构造进行说明。

收纳容器7是收纳图2所示的半导体晶片200的容器，例如是FOSB（Front OpeningShipping Box，前开门式搬运盒）。收纳容器7如图4所示，具有上表面被敞开的箱型的主体81和将上表面闭合的盖83。

主体81具备脚部87。

脚部87是以从主体81的底面86突出的方式设置在底面86的端部上的至少一对脚。这里在4角各设有1个。

如图2及图4所示，在收纳容器7的主体81内设有梳型的晶片收纳部85，所述晶片收纳部85形成有用于将多个半导体晶片200隔开间隔而收纳的收纳槽。

晶片收纳部85由与半导体晶片200的外缘侧部接触的侧部收纳部85A、和与半导体晶片200的外缘底部接触的底部收纳部85B构成。

这里，侧部收纳部85A在主体81的对置的内周侧面上设有1对。底部收纳部85B在底面86的正上方设有2个。2个侧部收纳部85A在槽的排列方向上相互平行地配置。

盖83是平面形状为矩形的板状部件，如图4、图5A及图5B所示，具有一对锁止部89和保持部91。

锁止部89是将盖83固定到主体81上的部件，如图5A所示，具有锁止棒89A、89B和锁止杆89C。

锁止棒89A、89B是沿着盖83的对置的边设置的部件，能够以图5A的D1、D2的朝向移动。

锁止杆89C是从锁止部89的侧面突出的杆。

锁止杆89C通过向锁止部侧推入，使锁止棒89A以D1的朝向、使锁止棒89B以D2的朝向移动，向盖83的外侧推出。被推出的锁止棒89A、89B的前端卡合到主体81的凹部81A中，将盖83锁止固定到主体81上。在锁止的状态下，通过使锁止杆89C的位置回到原位，将锁止棒89A、89B向盖83的内侧拉回，将锁止解除。

如图5B所示，保持部91是设置在盖83的背侧的纵长的梳形的部件，被设置在锁止部89之间。保持部91通过使被收纳在主体81内的半导体晶片200的上部周缘插入并抵接在梳齿之间，限制半导体晶片200的轴向的移动或径向的转动，保持以使半导体晶片200不相互接触。

在图5B中，保持部91以与构成盖83的矩形的边的1个平行的方式，与半导体晶片200的排列方向（纵向）平行地设在盖83的中央部。

以上是收纳容器7的构造的说明。

接着，参照图2、图6A、图6B及图6C，说明上部缓冲构件1的构造。

上部缓冲构件1是被设置在上层的收纳容器7的上表面上的缓冲构件，是平面形状为矩形的板材。上部缓冲构件1如图6A及图6C所示，具备与收纳容器7的盖83接触的上部收纳部13A、13B、13C。

上部收纳部13A、13B、13C被设置在上部缓冲构件1的底面上，是嵌入于收纳容器7的上端而保持的形状的凹部。这里，是平面形状为矩形的凹部。上部收纳部13A、13B、13C具备上部对置面14、上部侧肋板15、17、上部侧孔19、加强肋板21。

上部对置面14是与收纳容器7的盖83离开而对置的面，是上部收纳部13A、13B、13C的底面。

上部侧肋板15、17是从上部对置面14突出的纵长的肋板，至少一方与盖83的上表面接触，被设置于以下这样的位置：在接触的状态下，与位于至少设有保持部91的区域的正上方的、盖83的上表面区域（这里，是由图5A的附图标记91表示的点划线包围的区域）接触。

这里，如图2所示，在与位于设有保持部91的区域的正上方的、盖83的上表面区域接触的位置，设置上部侧肋板17。进而，上部侧肋板17被设置在其延伸方向（纵向）与保持部91的延伸方向一致的位置。

保持部91是保持半导体晶片200的部件，由于在冲击时使半导体晶片200变形/损伤的可能性较高，所以上部侧肋板17推压保持部91，由此能够优先地保护保持部91。

将上部侧肋板15和上部侧肋板17以相互正交的方式设置，由上部侧肋板15和上部侧肋板17使平面形状成为十字形。通过设为十字形，即使上部缓冲构件1的平面上的设置角度偏差90°，上部侧肋板15、17的某个也会位于能够推压保持部91的位置。

因此，能够提高设置上部缓冲构件1时的位置的自由度，作业效率较好。

上部侧孔19是在上部侧肋板15、17的十字的交叉部设置的贯通孔。

上部侧孔19用于在上部缓冲构件1被设置于收纳容器7的状态下辨识收纳容器7的上表面。上部侧孔19也被用作从收纳容器7将上部缓冲构件1拆卸时的把手的替代物。具体而言，通过抓住上部侧孔19的内周，能够容易地将上部缓冲构件1拆卸。

加强肋板21是设置为将上部收纳部13A、13B、13C的邻接的侧面连结的L字型的肋板，将上部收纳部13A、13B、13C的侧面加强。

以上是上部缓冲构件1的构造的说明。

接着，参照图2、图3、图7A、图7B及图7C，说明下部缓冲构件3的构造。

下部缓冲构件3是设置在下层的收纳容器7的底面上的缓冲构件，是平面形状为矩形的板材。下部缓冲构件3具备与收纳容器7的底面接触的下部收纳部31A、31B、31C。

下部收纳部31A、31B、31C是嵌入到于收纳容器7的下端而保持的形状的凹部。这里是平面形状为矩形的凹部。下部收纳部31A、31B、31C具备下部对置面33、下部侧肋板35、下部侧孔37。

下部对置面33是从脚部87离开而与收纳容器7的底面86对置的面，是下部收纳部31A、31B、31C的底面。

如图2及图3所示，脚部87以跨越下部侧肋板35的方式设置，所以下部侧肋板35不与脚部87的底面接触。

由于下部对置面33从脚部87离开，所以如图2及图3所示，下部侧肋板35的高度H1是在与收纳容器7的底面86接触的状态下脚部87从下部对置面33离开的高度。

由此，能够防止脚部87接触在下部对置面33上而收纳容器7的底面86从下部侧肋板35浮起，能够可靠地保护收纳容器7的底面86。

下部侧肋板35是从下部对置面33突出的肋板，如图2及图3所示，设置在与收纳容器7的底面86接触的位置。

下部侧肋板35优选的是设置在与底部收纳部85B对置的位置（这里是正下方）。理由如下。

在图2及图3中，底部收纳部85B设置在底面86的正上方，所以如果在底面86上施加冲击，则冲击传递给底部收纳部85B，有可能使半导体晶片200变形/损伤。因此，通过将下部侧肋板35设置在与底部收纳部85B对置的位置，能够经由底面86推压底部收纳部85B。由此，能够优先地保护底部收纳部85B，是优选的。

下部侧孔37是设置在下部侧肋板35上的贯通孔，用于在下部缓冲构件3被设置于收纳容器7的状态下辨识收纳容器7的底面。下部侧孔37也被用于从收纳容器7拆卸下部缓冲构件3时的把手的替代物。具体而言，通过抓住上部侧孔19的内周，能够容易地将下部缓冲构件3拆卸。

以上是下部缓冲构件3的构造的说明。

接着，参照图2、图3、图8A、图8B、图9A及图9B，说明中部缓冲构件5的构造。

中部缓冲构件5是设置在上层的收纳容器7的底面及下层的收纳容器7的上表面上的缓冲构件，具备板状的中部缓冲构件主体51。

中部缓冲构件主体51在底面上具有中部盖收纳部53A、53B、53C。

中部盖收纳部53A、53B、53C是嵌入于收纳容器7的上端而保持的凹部。这里，是平面形状为矩形的凹部。

中部盖收纳部53A、53B、53C具备盖对置面54、盖侧肋板55、57、盖侧孔59、盖侧加强肋板61。

盖对置面54是与收纳容器7的盖83对置的面，是中部盖收纳部53A、53B、53C的底面。

盖侧肋板55、57是从盖对置面54突出的肋板，至少一方与盖83的上表面接触，被设置于以下这样的位置：在接触的状态下，与位于至少设有保持部91的区域的正上方的、盖83的上表面区域接触。这里，如图2所示，在与位于设有保持部91的区域的正上方的、盖83的上表面区域接触的位置，设有盖侧肋板57。进而，盖侧肋板57被设置在其延伸方向（纵向）与保持部91的延伸方向一致的位置。

由此，与上部侧肋板17同样，通过盖侧肋板57推压保持部91，能够优先地保护保持部91。

盖侧肋板55和盖侧肋板57以相互交叉的方式设置，由盖侧肋板55和盖侧肋板57使平面形状成为十字形。

通过设为十字形，即使中部缓冲构件5的平面上的设置角度偏差90°，盖侧肋板55、57的某个也会位于能推压保持部91的位置。

盖侧孔59是在盖侧肋板55、57的十字的交叉部设置的贯通孔，也被用于从收纳容器7将中部缓冲构件5拆卸时的把手的替代物。

盖侧加强肋板61是设置为将中部盖收纳部53A、53B、53C的邻接的侧面连结的L字型的肋板，将中部盖收纳部53A、53B、53C的侧面加强。

中部缓冲构件主体51在上表面上具有中部底面收纳部71A、71B、71C。

中部底面收纳部71A、71B、71C是嵌入于收纳容器7的下端而保持的形状的凹部。这里，是平面形状为矩形的凹部。中部底面收纳部71A、71B、71C具备底面对置面73、底面侧肋板75。

底面对置面73是从脚部87离开而与收纳容器7的底面86对置的面，是中部底面收纳部71A、71B、71C的底面。

底面侧肋板75是从中部底面收纳部71A、71B、71C突出的肋板，如图2及图3所示，被设置在与收纳容器7的底面86接触的位置。

由于底面对置面73从脚部87离开，所以如图2及图3所示，底面侧肋板75的高度H2是在与收纳容器7的底面86接触的状态下脚部87从底面对置面73离开的高度。

由此，能够防止脚部87接触在底面对置面73上而收纳容器7的底面86从下部侧肋板35浮起，能够可靠地保护收纳容器7的底面86。

以上是中部缓冲构件5的构造的说明。

接着，对构成缓冲构件100的材料进行说明。

缓冲构件100需要有能够在不破损的情况下承受来自外部的冲击的硬度、和能够使得冲击不传递给收纳容器7的程度的柔软度。作为满足这样的条件的材料，优选的是发泡倍率为20倍以上40倍以下的发泡体。

作为具体的发泡体，可以举出发泡聚氨酯、发泡聚乙烯、发泡聚丙烯或发泡聚苯乙烯。

以上是构成缓冲构件100的材料的说明。

接着，参照图2及图3说明振动吸收构件9的构造。

振动吸收构件9是在将收纳容器7用缓冲构件100打包的状态下、将向地板放置时产生的振动吸收的部件，具备板材9A、9B及弹性体9C。

板材9A、9B相互对置而设置，分别是与缓冲构件及地板接触的部件。板材9A、9B例如由塑料板构成。

弹性体9C是通过相对于振动弹性变形而将振动吸收的部件，以被板材9A、9B夹着的方式设置。弹性体9C例如由聚氨酯、合成橡胶、聚乙烯构成。

以上是振动吸收构件9的构造的说明。

以上是有关本实施方式的缓冲构件100及收纳容器7的结构的详细的说明。

这样，根据本实施方式，缓冲构件100具有上部缓冲构件1；上部缓冲构件1具备上部侧肋板17，所述上部侧肋板17与盖83接触，被设置于以下这样的位置：在接触的状态下，与位于至少设有保持部91的区域的正上方的、盖83的上表面区域接触。

因此，如果在收纳容器7上设置上部缓冲构件1，则上部侧肋板17能够推压保持部91，能够优先地保护在冲击时使半导体晶片200变形/损伤的可能性较高的保持部91。

根据本实施方式，上部侧肋板15、17其平面形状是十字形，所以即使相对于收纳容器7、上部缓冲构件1的平面上的设置角度偏差90°，上部侧肋板15、17的某个也会位于能够推压保持部91的位置。

因此，能够提高设置上部缓冲构件1时的位置的自由度，作业效率较好。

根据本实施方式，在上部侧肋板15、17的交叉部设有上部侧孔19，所以即使在上部缓冲构件1与收纳容器7接触的状态下也能够从上部侧孔19辨识收纳容器7。

因此，能够容易地确认上部缓冲构件1是否被可靠地保持于收纳容器7。此外，在从收纳容器7将上部缓冲构件1拆卸时，通过代替把手而抓住上部侧孔19的内周，能够容易地从收纳容器7将上部缓冲构件1拆卸，所以作业效率较好。

根据本实施方式，缓冲构件100具有下部缓冲构件3，下部缓冲构件3具备从脚部87离开而与收纳容器7的底面86对置的下部对置面33、和与收纳容器7的底面86接触的下部侧肋板35。

因此，能够防止脚部87接触在下部对置面33上而收纳容器7的底面86从下部侧肋板35浮起，能够可靠地保护收纳容器7的底面86。

根据本实施方式，缓冲构件100具有中部缓冲构件5，中部缓冲构件5具备盖侧肋板57，所述盖侧肋板57与盖83接触，被设置于以下这样的位置：在接触的状态下，与位于至少设有保持部91的区域的正上方的、盖83的上表面区域接触。

因此，如果将中部缓冲构件5设置于收纳容器7，则盖侧肋板57能够推压保持部91，能够将在冲击时使半导体晶片200变形/损伤的可能性较高的保持部91优先地保护。

此外，中部缓冲构件5具备：底面对置面73，从脚部87离开并与收纳容器7的底面86对置；底面侧肋板75，与收纳容器7的底面86接触。

因此，能够防止脚部87接触在底面对置面73上而收纳容器7的底面86从底面侧肋板75浮起，能够可靠地保护收纳容器7的底面86。

进而，中部缓冲构件5具备盖侧肋板55、57和底面侧肋板75两者，所以既设在收纳容器7的上表面也设在底面上。

由此，中部缓冲构件5也能够作为上部缓冲构件1或下部缓冲构件3使用。此外，能够将收纳容器7在高度方向上多层地收纳。

根据本实施方式，缓冲构件100由发泡倍率为20倍以上40倍以下的发泡体构成。因此，能够兼顾能承受来自外部的冲击的硬度和将冲击吸收的柔软度。

根据本实施方式，缓冲构件100由发泡聚氨酯、发泡聚乙烯、发泡聚丙烯或发泡聚苯乙烯的某种构成。

因此，能够容易地将缓冲构件100做成发泡倍率为20倍以上、40倍以下的发泡体。

根据本实施方式，在缓冲构件100中，排列有多组上部收纳部13A、13B、13C、下部收纳部31A、31B、31C、中部盖收纳部53A、53B、53C、中部底面收纳部71A、71B、71C。这里排列有3组。

因此，能够用1组上部缓冲构件1、下部缓冲构件3、中部缓冲构件5保护4个以上（这里是6个）收纳容器7，所以输送及打包时的作业效率较好。

以上，基于实施方式说明了本实用新型，但本实用新型并不限定于上述实施方式。当然，只要是本领域技术人员，在本实用新型的思想的范围内能想到各种变形例及改良例，它们也包含在本实用新型的范围中。

Claims (9)

1.一种缓冲构件，在将收纳半导体晶片的收纳容器打包到打包盒中时，被配置到前述收纳容器与前述打包盒之间，其特征在于，

前述收纳容器具备：

箱型的主体，其上表面敞开；盖，其将前述上表面闭合；和保持部，其设置在前述盖的背侧，与收纳在前述主体内的前述半导体晶片的上部周缘抵接，限制前述半导体晶片的移动；

前述缓冲构件具有上部缓冲构件，所述上部缓冲构件具备与前述盖的上表面接触的上部收纳部；

前述上部收纳部具备与前述盖的上表面离开而对置的上部对置面、和从前述上部对置面突出并与前述盖的上表面接触的上部侧肋板；

前述上部侧肋板设置在以下这样的位置：与位于至少设置有前述保持部的区域的正上方的前述盖的上表面区域接触。

2.如权利要求1所述的缓冲构件，其特征在于，

前述上部侧肋板的平面形状是十字形。

3.如权利要求2所述的缓冲构件，其特征在于，

前述上部侧肋板在十字的交叉部设有上部侧孔。

4.如权利要求1所述的缓冲构件，其特征在于，

前述收纳容器具备以从底面突出的方式设置在前述底面上的至少一对脚部；

前述缓冲构件具有下部缓冲构件，所述下部缓冲构件具备与前述底面接触的下部收纳部；

前述下部收纳部具备从前述脚部离开而与前述收纳容器的前述底面对置的下部对置面、和从前述下部对置面突出并与前述收纳容器的前述底面接触的下部侧肋板。

5.如权利要求4所述的缓冲构件，其特征在于，

前述缓冲构件具有与前述盖及前述底面接触的中部缓冲构件；

前述中部缓冲构件具备：

板状的中部缓冲构件主体；

中部盖收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的底面上，具有与前述盖的上表面离开而对置的盖对置面、和从前述盖对置面突出并与前述盖的上表面接触的盖侧肋板；和

中部底面收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的上表面上，具有从前述脚部离开而与前述收纳容器的前述底面对置的底面对置面、和从前述底面对置面突出并与前述收纳容器的前述底面接触的底面侧肋板；

前述盖侧肋板设置在以下这样的位置：与位于至少设有前述保持部的区域的正上方的前述盖的上表面区域接触。

6.如权利要求5所述的缓冲构件，其特征在于，

前述上部收纳部、前述下部收纳部、前述中部盖收纳部、前述中部底面收纳部排列有多组。

7.如权利要求1～6中任一项所述的缓冲构件，其特征在于，

由发泡倍率为20倍以上、40倍以下的发泡体构成。

8.如权利要求1～6中任一项所述的缓冲构件，其特征在于，

由发泡聚氨酯、发泡聚乙烯、发泡聚丙烯或发泡聚苯乙烯的某种构成。

9.一种缓冲构件，在将收纳半导体晶片的收纳容器打包到打包盒中时，被配置到前述收纳容器与前述打包盒之间，其特征在于，

前述收纳容器具备：

箱型的主体，其上表面敞开；盖，其将前述上表面闭合；和保持部，其设置在前述盖的背侧，与收纳在前述主体内的前述半导体晶片的上部周缘抵接，限制前述半导体晶片的移动；和

至少一对脚部，其以从底面突出的方式设置在前述底面的端部；

前述缓冲构件具有与前述盖的上表面及前述收纳容器的前述底面接触的中部缓冲构件；

前述中部缓冲构件具备：

板状的中部缓冲构件主体；

中部盖收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的底面上，具有与前述盖的上表面离开而对置的盖对置面、和从前述盖对置面突出并与前述盖的上表面接触的盖侧肋板；

中部底面收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的上表面上，具有从前述脚部离开而与前述收纳容器的前述底面对置的底面对置面、和从前述底面对置面突出并与前述收纳容器的前述底面接触的底面侧肋板；

前述盖侧肋板设置在以下这样的位置：与位于至少设有前述保持部的区域的正上方的前述盖的上表面区域接触。