CN208002101U - 借助热力推动流体的装置 - Google Patents

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胡廷东
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Abstract

本实用新型提供了一种借助热力推动流体的装置,其包括:一主体,其内晶粒之间具有空隙,定义孔隙率为空隙的体积与空隙所在主体的比值,所述主体内孔隙率自上而下递增;一丝印电阻,设置于所述主体的上表面,一控制室,设置于所述主体的下表面,当控制室中的预热体对液体进行加热时,所述控制室中的液体受热向上流动进入所述主体中的空隙,并通过空隙向上流动,烟油在向上流动的过程中,由于主体内孔隙率自下而上递减,其速度逐渐增大,压强逐渐增大,最后到达主体的上表面,液体在高速高压下,供丝印电阻雾化,提高烟油的挥发效率,提升口感。

Description

借助热力推动流体的装置
技术领域
本实用新型涉及一种借助热力推动流体的装置。
背景技术
目前常用一种电子烟,其主要包括雾化器,烟弹本体、储油仓、电源、电路板,雾化器包括一外壳,外壳上设置发热丝,导油棉、两个导线柱,两个导线柱分别连接电源的正负极,发热丝的两端分别固定于两个导电柱,发热丝缠绕于导油棉,导油棉的两端浸没在储油仓中,发热丝通过导线连接电路板,电源连接电路板,使用时,电源为发热丝提供电能,供发热丝发热,通过导油棉将储油仓中的烟油吸附上来,发热丝将吸附上来的烟油雾化,雾化后的烟气通过烟弹本体上的烟嘴流出,供人吸食,可这种雾化器普遍存在如下缺陷,雾化器结构复杂,雾化器工作时,主要依靠导油棉将烟油吸附,而导油棉吸附烟油的量是固定的,发热丝的功率太大,导油棉能提供的烟油量不足,此时,发热丝易干烧,有可能将导油棉烧焦,如果发热丝的功率太小,而导油棉提供的烟油量不变,则很容易出现榨油现象,导致雾化后的烟油口感差。
还有一种陶瓷的雾化芯,其包括一陶瓷主体,以及埋设于陶瓷主体的一发热丝,发热丝有一部分显露在陶瓷主体的表面,可这种自调式智能雾化芯存在如下问题,由于发热丝是和陶瓷一体成型的,故这种自调式智能雾化芯一般并不是真正的陶瓷,陶瓷主体内部的晶粒结构没有发生任何变化,因为发热丝在超过1000度的时候,发热丝熔化,故这种自调式智能雾化芯实际上只是简单的将晶粒结构进行整合,陶瓷主体内部晶粒的大小是一样的,发热丝在工作时,发热丝发热,将发热丝周围的烟油雾化。雾化后的烟油受热开始膨胀,位于陶瓷主体中的已经雾化后的烟油将吸附在陶瓷主体中的烟油向外挤压,使已经吸附在陶瓷主体中的烟油向外流出,即漏油,且导致在陶瓷主体中雾化的烟油无法挥发出来,只有一部分烟油被雾化挥发,即显露在陶瓷主体外的发热丝才能将雾化后的烟油挥发出来,其雾化效率低,烟油的挥发效率低下,严重影响使用者的口感,以及下一次烟油的雾化效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷,提供了一种借助热力推动流体的装置,其具有根据热力自动上油,雾化效率高、挥发性高的特性。
本实用新型是这样实现的:一种借助热力推动流体的装置,其包括:
一主体,其内晶粒之间具有空隙,定义孔隙率为所述空隙的体积与所述空隙所在主体的比值,所述主体内孔隙率自上而下递增;
一丝印电阻,设置于所述主体的上表面,
一控制室,设置于所述主体的下表面,当控制室中的预热体对液体进行加热时,所述控制室中的液体受热向上流动进入所述主体中的空隙,并通过空隙向上流动。
进一步地,所述主体内设置至少一第一陶瓷层、一第二陶瓷层,所述第一陶瓷层位于所述第二陶瓷层上方,所述第一陶瓷层的上部设置所述丝印电阻,所述控制室位于所述第二陶瓷层的下表面,所述第一陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q1,所述第二陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q2,Q1<Q2。
进一步地,所述第一陶瓷层的孔隙率为L1,所述第二陶瓷层的孔隙率为L2, L1<L2。
进一步地,所述第一陶瓷层的底部设置一第一加热体,所述预热体位于第二陶瓷层的底部。
进一步地,所述第一陶瓷层的底部设置一第一加热体,所述预热体位于控制室的底壁。
进一步地,所述第二陶瓷层的底部设置第二加热体,且控制室的底壁设置预热体。
进一步地,所述控制室设置一进液口,所述预热体工作时,所述进液口关闭,所述控制室中的预热体不工作时,所述进液口开启。
进一步地,所述主体内设置至少一第一陶瓷层、一第二陶瓷层、一第三陶瓷层,所述第一陶瓷层位于所述第二陶瓷层上方,所述第二陶瓷层位于所述第三陶瓷层上方,所述第一陶瓷层的上表面设置所述丝印电阻,所述第一陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q1,所述第二陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q2,所述第三陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q3,Q1<Q2<Q3,所述第一陶瓷层的孔隙率为L1,所述第二陶瓷层的孔隙率为L2,所述第三陶瓷层的孔隙率为L3,L1<L2<L3,所述第一陶瓷层的底部设置一第一加热体,所述第二陶瓷层的底部设置一第二加热体,所述第三陶瓷层的底部设置一第三加热体,所述控制室位于所述第三陶瓷层的下表面,所述预热体位于控制室中的底部。
本实用新型通过控制室中的预热体对控制室中的液体进行加热,所述液体受热膨胀,受热后的液体向上运动,进入到所述主体中,沿着所述主体内晶粒之间的空隙向上流动,由于所述主体内孔隙率自下而上递减,即所述主体内晶粒之间的空隙自下而上递减,故液体在向上流动的过程中,其速度逐渐增大,压强逐渐增大,最后送到所述主体的上表面,供丝印电阻雾化,提高烟油的挥发效率,提升口感。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的借助热力推动流体的装置的立体图;
图2为本实用新型提供的借助热力推动流体的装置的正视图;
图3为本实用新型提供的图2中A-A方向的剖面示意图;
图4为本实用新型提供的图2中B-B方向的剖面示意图;
图5为本实用新型提供的图2中C-C方向的剖面意图;
图6为本实用新型提供的借助热力推动流体的装置第一种设计示意图.
图7为本实用新型提供的借助热力推动流体的装置第二种设计示意图.
图8为本实用新型提供的借助热力推动流体的装置第三种设计示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1-图8,本实用新型实施例提供一种借助热力推动流体的装置,其包括:一主体1,其内晶粒之间具有空隙,定义孔隙率为所述空隙的体积与所述空隙所在主体1的比值,所述主体1内孔隙率自上而下递增;一丝印电阻2,设置于所述主体1的上表面,一控制室3,设置于所述主体1的下表面,当控制室3中的预热体141对液体进行加热时,所述控制室3中的液体受热向上流动进入所述主体1中的空隙,并通过空隙向上流动。
通过控制室3中的预热体141对控制室3中的液体进行加热,所述液体受热膨胀,受热后的液体向上运动,进入到所述主体1中,沿着所述主体1内晶粒之间的空隙向上流动,由于所述主体1内孔隙率自下而上递减,即所述主体1 内晶粒之间的空隙自下而上递减,故液体在向上流动的过程中,其速度逐渐增大,压强逐渐增大,最后送到所述主体1的上表面,供丝印电阻2雾化,位于丝印电阻2两侧的雾化后的烟油则直接从所述主体1的上表面挥发出去,位于丝印电阻2下侧的雾化后的烟油由于具有很高的速度、压强,故雾化后的烟油将继续向上,或者斜向上运动,便于雾化后烟油从主体1中挥发出来,还有下面的烟油持续的向上高速运动,可以防止雾化后的烟油向下流动,提高烟油的挥发效率,提升口感。
所述主体1内设置至少一第一陶瓷层11、一第二陶瓷层12,所述第一陶瓷层11位于所述第二陶瓷层12上方,所述第一陶瓷层11的上部设置所述丝印电阻2,所述控制室3位于所述第二陶瓷层12的下表面,所述第一陶瓷层11中晶粒之间的空隙111为Q1,第一陶瓷层11中晶粒之间的空隙111与烟油量分子基团的半径有关,所述第二陶瓷层12中晶粒之间的空隙121为Q2,Q1<Q2。所述第一陶瓷层11的孔隙率为L1,所述第二陶瓷层12的孔隙率为L2,L1<L2。
所述控制室3设置一进液口,所述控制室3中的预热体141工作时,所述进液口关闭,便于受热后液体直接向上流动,所述控制室3中的预热体141不工作时,所述进液口开启,便于液体进入到控制室3中,便于下一次液体的预热,重复工作。
所述第一陶瓷层11的底部设置一第一加热体112,所述预热体141位于第二陶瓷层12的底部,此种为通过第二陶瓷层12的底部的预热体141对控制室3 中的烟油或者液体进行加热,液体受热后膨胀,所述进液口关闭,受热膨胀后的液体开始向上运动,进入到第二陶瓷层12,当液体到达第二陶瓷层12的顶部的时候,位于第二陶瓷层12的顶部即第一陶瓷层11的底部的第一加热体112,同时对这部分液体进行加热,液体从第二陶瓷层12中晶粒之间的空隙进入到第一陶瓷层11中晶粒之间的空隙,由于Q1<Q2,故液体流动的速度变大,其受到的压强也变大,在第一陶瓷层11的底部又给这部分液体提供了外界的能量,这部分液体则继续上升,向上运动,进入到第一陶瓷层11的上部,在第一陶瓷层11的上部被丝印电阻2加热雾化,从第一陶瓷层11中挥发出。
还可以设计为所述第一陶瓷层11的底部设置一第一加热体112,所述预热体141位于控制室3的底壁。这种设计则通过控制室3的底壁的预热体141对烟油进行加热,使烟油受热进入到第二陶瓷层12,其运动过程同上。
还可设计为在所述第二陶瓷层12的底部设置第二加热体122,且控制室3 的底壁设置预热体141,通过第二加热体122、预热体141同时地对控制室3中的烟油进行加热,使受热后的烟油进入到第二陶瓷层12,向上运动,其运动过程同上。还可在第二陶瓷层12的底部设置第三陶瓷层13,第三陶瓷层13的底部设置第三加热体132,第三陶瓷层13中晶粒之间的空隙131为Q3,以三层为例,其中Q1<Q2<Q3,空隙也可以理解为多向孔径,还可理解为单位时间内通过的流量。第一陶瓷层、第二陶瓷层、第三陶瓷层通过分别烧结,最后将烧结后的第一陶瓷层、第二陶瓷层、第三陶瓷层放在一起,高温烧结,得到一整块的陶瓷。可以概括为,所述主体内设置至少一第一陶瓷层、一第二陶瓷层、一第三陶瓷层,所述第一陶瓷层位于所述第二陶瓷层上方,所述第二陶瓷层位于所述第三陶瓷层上方,所述第一陶瓷层的上表面设置所述丝印电阻,所述第一陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q1,所述第二陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q2,所述第三陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q3,Q1<Q2<Q3,所述第一陶瓷层的孔隙率为L1,所述第二陶瓷层的孔隙率为L2,所述第三陶瓷层的孔隙率为L3,L1 <L2<L3,所述第一陶瓷层的底部设置一第一加热体,所述第二陶瓷层的底部设置一第二加热体,所述第三陶瓷层的底部设置一第三加热体,所述控制室位于所述第三陶瓷层的下表面,所述预热体位于控制室中的底部,便于控制室中上、下同时加热,对控制室中烟油的预热速速更快。
本设计中以第一陶瓷层11、第二陶瓷层12为例进行说明,当然也可以设置 N层陶瓷层,从上之下以次排序为1、2、3、…、N-1、N,每一层分别配置一加热部件(如加热电阻),从上之下以次排序为R1、R2、R3、…、R(N-1)、R (N),从上之下,其加热电阻的温度要求为T1、T2、T3、…、T(N-1)、T(N),其加热的要求为T1≤T2≤T3、…、T(N-1)≤T(N),以此实现逐层的加热,在第N层将烟油(液体)加热,液体进入到第N-1层,在N-1又被加热,直至第1层,随着从下往上晶粒之间的空隙逐渐减小(即孔隙率自下而上逐渐减小),液体的流速逐渐增大,所受压强逐渐增大,最后被第1层的丝印电阻2加热雾化,甚至可以降低丝印电阻雾化烟油需要的电能,因为液体达到最上层的时候本身就具体很高的能量,有些可能不需要加热就可以挥发出去,提高了能量的利用率,使烟油的雾化更加充分。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种借助热力推动流体的装置,其特征在于,包括:
一主体,其内晶粒之间具有空隙,定义孔隙率为所述空隙的体积与所述空隙所在主体的比值,所述主体内孔隙率自上而下递增;
一丝印电阻,设置于所述主体的上表面,
一控制室,设置于所述主体的下表面,当控制室中的预热体对液体进行加热时,所述控制室中的液体受热向上流动进入所述主体中的空隙,并通过空隙向上流动。
2.如权利要求1所述的一种借助热力推动流体的装置,其特征在于:所述主体内设置至少一第一陶瓷层、一第二陶瓷层,所述第一陶瓷层位于所述第二陶瓷层上方,所述第一陶瓷层的上部设置所述丝印电阻,所述控制室位于所述第二陶瓷层的下表面,所述第一陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q1,所述第二陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q2,Q1<Q2。
3.如权利要求2所述的一种借助热力推动流体的装置,其特征在于:所述第一陶瓷层的孔隙率为L1,所述第二陶瓷层的孔隙率为L2,L1<L2。
4.如权利要求2所述的一种借助热力推动流体的装置,其特征在于:所述第一陶瓷层的底部设置一第一加热体,所述预热体位于第二陶瓷层的底部。
5.如权利要求2所述的一种借助热力推动流体的装置,其特征在于:所述第一陶瓷层的底部设置一第一加热体,所述预热体位于控制室的底壁。
6.如权利要求2所述的一种借助热力推动流体的装置,其特征在于:所述第二陶瓷层的底部设置第二加热体,且控制室的底壁设置预热体。
7.如权利要求1所述的一种借助热力推动流体的装置,其特征在于:所述控制室设置一进液口,所述预热体工作时,所述进液口关闭,所述控制室中的预热体不工作时,所述进液口开启。
8.如权利要求1所述的一种借助热力推动流体的装置,其特征在于:所述主体内设置至少一第一陶瓷层、一第二陶瓷层、一第三陶瓷层,所述第一陶瓷层位于所述第二陶瓷层上方,所述第二陶瓷层位于所述第三陶瓷层上方,所述第一陶瓷层的上表面设置所述丝印电阻,所述第一陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q1,所述第二陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q2,所述第三陶瓷层中晶粒之间的空隙为Q3,Q1<Q2<Q3,所述第一陶瓷层的孔隙率为L1,所述第二陶瓷层的孔隙率为L2,所述第三陶瓷层的孔隙率为L3,L1<L2<L3,所述第一陶瓷层的底部设置一第一加热体,所述第二陶瓷层的底部设置一第二加热体,所述第三陶瓷层的底部设置一第三加热体,所述控制室位于所述第三陶瓷层的下表面,所述预热体位于控制室中的底部。
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