CN207973797U - 一种磁控溅射磁场结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种磁控溅射磁场结构，包括基座、第一磁条和第二磁条，基座上端的左右两侧对称安装有第一磁条，前后两侧对称安装有第二磁条，第一磁条和第二磁条围成矩形区域，矩形区域内位于两个第二磁条之间从前往后依次平行布置有第三磁条、第四磁条、第五磁条、第四磁条和第三磁条，第五磁条位于两个第二磁条之间中央位置，第一磁条、第二磁条和第四磁条均是上端为N极、下端为S极，第三磁条和第五磁条均是上端为S极、下端为N极，第三磁条、第四磁条和第五磁条均位于两个第一磁条之间中央位置。本实用通过对磁石的重新分布，使磁力线在靶材表面的分布更加广泛，也就扩大了靶材表面的放电区域，从而提升了靶材的利用率。
Description
技术领域
本实用新型涉及镀膜技术领域，特别是涉及一种磁控溅射磁场结构。
背景技术
在直流磁控溅射镀膜业界中，目前使用的磁控溅射磁场都是低效的，随着产量和成本竞争压力的提升，必定需要有高效的磁控溅射磁场来满足生产需求。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种磁控溅射磁场结构，为矩形高效磁场，电子就以近似摆线形式在靶表面做往复运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。本实用通过对磁石的重新分布，使磁力线在靶材表面的分布更加广泛，也就扩大了靶材表面的放电区域，从而提升了靶材的利用率。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种磁控溅射磁场结构，包括基座、第一磁条和第二磁条，所述的基座上端的左右两侧对称安装有第一磁条，前后两侧对称安装有第二磁条，所述的第一磁条和第二磁条围成矩形区域，该矩形区域内位于两个第二磁条之间从前往后依次平行布置有第三磁条、第四磁条、第五磁条、第四磁条和第三磁条，所述的第五磁条位于两个第二磁条之间中央位置，所述的第一磁条、第二磁条和第四磁条均是上端为N极、下端为S极，所述的第三磁条和第五磁条均是上端为S极、下端为N极，所述的第三磁条、第四磁条和第五磁条均位于两个第一磁条之间中央位置。
作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的第一磁条由三块磁石拼接组成，该第一磁条下端通过第一磁石固定座与基座相连，所述的第一磁石固定座呈凸字形状，其中一个磁石位于凸起部上端，剩下两个磁石位于凸起部的两侧，中间磁石的外侧壁与两侧两个磁石的外侧壁持平，且中间磁石的厚度小于两侧两个磁石的厚度。
作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的第二磁条由四块磁石拼接而成，该第二磁条下端通过第二磁石固定座与基座相连，所述的第二磁石固定座呈凹字形状，其中两个磁石位于第二磁石固定座上端的内凹处，另外两个磁石位于内凹处的两侧。
作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的第三磁条由三个相同规格的磁石拼接组成，该第三磁条下端通过第三磁石固定座与基座相连，所述的第三磁石固定座呈矩形。
作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的第四磁条由两个相同规格的磁石拼接而成，该第四磁条下端通过第四磁石固定座与基座相连，所述的第四磁石固定座呈矩形。
作为对本实用新型所述的技术方案的一种补充，所述的第五磁条由两个相同规格的磁石拼接而成，该第五磁条下端通过第五磁石固定座与基座相连，所述的第五磁石固定座呈矩形。
有益效果：本实用新型涉及一种磁控溅射磁场结构，为矩形高效磁场，电子就以近似摆线形式在靶表面做往复运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。本实用通过对磁石的重新分布，使磁力线在靶材表面的分布更加广泛，也就扩大了靶材表面的放电区域，从而提升了靶材的利用率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型的磁石分布图；
图3是本实用新型所述的基座的结构示意图；
图4是本实用新型所述的第一磁石固定座的结构示意图；
图5是本实用新型所述的第二磁石固定座的结构示意图；
图6是本实用新型所述的第三磁石固定座的结构示意图；
图7是本实用新型所述的第四磁石固定座的结构示意图；
图8是本实用新型所述的第五磁石固定座的结构示意图。
图示：1、基座，2、第四磁条，3、第二磁条，4、第一磁条，5、第一磁条，6、第五磁条，7、第一磁石固定座，8、第二磁石固定座，9、第三磁石固定座，10、第四磁石固定座，11、第五磁石固定座。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
本实用新型的实施方式涉及一种磁控溅射磁场结构，如图1-8所示，包括基座1、第一磁条5和第二磁条3，所述的基座1上端的左右两侧对称安装有第一磁条5，前后两侧对称安装有第二磁条3，所述的第一磁条5和第二磁条3围成矩形区域，该矩形区域内位于两个第二磁条3之间从前往后依次平行布置有第三磁条4、第四磁条2、第五磁条6、第四磁条2和第三磁条4，所述的第五磁条6位于两个第二磁条3之间中央位置，所述的第一磁条5、第二磁条3和第四磁条2均是上端为N极、下端为S极，所述的第三磁条4和第五磁条6均是上端为S极、下端为N极，所述的第三磁条4、第四磁条2和第五磁条6均位于两个第一磁条5之间中央位置。
所述的第一磁条5由三块磁石拼接组成，该第一磁条5下端通过第一磁石固定座7与基座1相连，所述的第一磁石固定座7呈凸字形状，其中一个磁石位于凸起部上端，剩下两个磁石位于凸起部的两侧，中间磁石的外侧壁与两侧两个磁石的外侧壁持平，且中间磁石的厚度小于两侧两个磁石的厚度。
所述的第二磁条3由四块磁石拼接而成，该第二磁条3下端通过第二磁石固定座8与基座1相连，所述的第二磁石固定座8呈凹字形状，其中两个磁石位于第二磁石固定座8上端的内凹处，另外两个磁石位于内凹处的两侧。
所述的第三磁条4由三个相同规格的磁石拼接组成，该第三磁条4下端通过第三磁石固定座9与基座1相连，所述的第三磁石固定座9呈矩形。
所述的第四磁条2由两个相同规格的磁石拼接而成，该第四磁条2下端通过第四磁石固定座10与基座1相连，所述的第四磁石固定座10呈矩形。
所述的第五磁条6由两个相同规格的磁石拼接而成，该第五磁条6下端通过第五磁石固定座11与基座1相连，所述的第五磁石固定座11呈矩形。
实施例
在镀膜过程中,电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。
本实用为矩形高效磁场，电子就以近似摆线形式在靶表面做往复运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。
本实用通过对磁石的重新分布，使磁力线在靶材表面的分布更加广泛，也就扩大了靶材表面的放电区域，从而提升了靶材的利用率。
Claims (7)
1.一种磁控溅射磁场结构，包括基座(1)、第一磁条(5)和第二磁条(3)，其特征在于：所述的基座(1)上端的左右两侧对称安装有第一磁条(5)，前后两侧对称安装有第二磁条(3)，所述的第一磁条(5)和第二磁条(3)围成矩形区域，该矩形区域内位于两个第二磁条(3)之间从前往后依次平行布置有第三磁条(4)、第四磁条(2)、第五磁条(6)、第四磁条(2)和第三磁条(4)，所述的第五磁条(6)位于两个第二磁条(3)之间中央位置，所述的第一磁条(5)、第二磁条(3)和第四磁条(2)均是上端为N极、下端为S极，所述的第三磁条(4)和第五磁条(6)均是上端为S极、下端为N极，所述的第三磁条(4)、第四磁条(2)和第五磁条(6)均位于两个第一磁条(5)之间中央位置。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射磁场结构，其特征在于：所述的第一磁条(5)由三块磁石拼接组成，该第一磁条(5)下端通过第一磁石固定座(7)与基座(1)相连，所述的第一磁石固定座(7)呈凸字形状，其中一个磁石位于凸起部上端，剩下两个磁石位于凸起部的两侧，中间磁石的外侧壁与两侧两个磁石的外侧壁持平，且中间磁石的厚度小于两侧两个磁石的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射磁场结构，其特征在于：所述的第二磁条(3)由四块磁石拼接而成，该第二磁条(3)下端通过第二磁石固定座(8)与基座(1)相连，所述的第二磁石固定座(8)呈凹字形状，其中两个磁石位于第二磁石固定座(8)上端的内凹处，另外两个磁石位于内凹处的两侧。
4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射磁场结构，其特征在于：所述的第三磁条(4)由三个相同规格的磁石拼接组成，该第三磁条(4)下端通过第三磁石固定座(9)与基座(1)相连，所述的第三磁石固定座(9)呈矩形。
5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射磁场结构，其特征在于：所述的第四磁条(2)由两个相同规格的磁石拼接而成，该第四磁条(2)下端通过第四磁石固定座(10)与基座(1)相连，所述的第四磁石固定座(10)呈矩形。
6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射磁场结构，其特征在于：所述的第五磁条(6)由两个相同规格的磁石拼接而成，该第五磁条(6)下端通过第五磁石固定座(11)与基座(1)相连，所述的第五磁石固定座(11)呈矩形。
7.根据权利要求1所述的一种磁控溅射磁场结构，其特征在于：所述的第二磁条(3)的长度大于第三磁条(4)的长度，第三磁条(4)的长度大于第四磁条(2)的长度，第四磁条(2)的长度大于第五磁条(6)。
Priority Applications (1)
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| CN201820321945.7U CN207973797U (zh) | 2018-03-09 | 2018-03-09 | 一种磁控溅射磁场结构 |
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| CN207973797U true CN207973797U (zh) | 2018-10-16 |
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Family Applications (1)
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| CN201820321945.7U Active CN207973797U (zh) | 2018-03-09 | 2018-03-09 | 一种磁控溅射磁场结构 |
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2018
- 2018-03-09 CN CN201820321945.7U patent/CN207973797U/zh active Active
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