CN207938600U - 一种绝缘封装大功率三极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种绝缘封装大功率三极管，包括安装壳体，所述安装壳体包括绝缘顶板和凹槽，所述安装壳体底部均匀连接有引脚，所述绝缘顶板表面设有定位孔，所述定位孔外侧环绕设有安装孔，所述安装壳体内部设有电路板，所述电路板包括框架散热底板和连接板，所述框架散热底板内部设有散热底板定位孔。本实用新型通过将安装壳体封装形式设置为是THM插脚型封装，晶体管THM封装可以直接进行印制板安装的封装形式，实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定，绝缘底板采用超薄工艺，背板厚度仅有0.4mm，正常的全包封产品背板厚度最少都超过0.6mm，无需在散热板绝缘和晶体管之间加装额外的绝缘垫片，可以节约成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及三极管领域，特别涉及一种绝缘封装大功率三极管。
背景技术
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关，晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件，三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，目前市场上的三极管散热功能较差，特别是用于大功率的三极管，使用寿命低，因此，发明一种绝缘封装大功率三极管来解决上述问题很有必要。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种绝缘封装大功率三极管，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种绝缘封装大功率三极管，包括安装壳体，所述安装壳体包括绝缘顶板和绝缘底板，所述安装壳体底部均匀连接有引脚，所述绝缘顶板表面设有定位孔，所述定位孔外侧环绕设有安装孔，所述安装壳体内部设有电路板，所述电路板包括框架散热底板和连接板，所述框架散热底板内部设有散热底板定位孔，所述散热底板定位孔底部设有芯片，所述芯片表面两侧均设有焊料，所述连接板表面均匀设有绝缘板，所述连接板与框架散热底板连接处设有传输板，所述传输板与焊料之间设有铝线。
优选的，所述安装壳体封装形式设置为THM插脚型封装。
优选的，所述绝缘顶板表面设有凹槽。
优选的，所述绝缘底板采用超薄工艺，厚度设置为0.4mm。
优选的，所述框架散热底板厚度设置为1.3mm，所述框架散热底板由高导热环氧树脂制成，所述框架散热底板整体为中部低四周高设置，所述框架散热底板四周向芯片方向翘起。
优选的，所述散热底板定位孔与定位孔处于同一竖直水平线，所述安装孔外侧均匀连接有紧固螺钉，所述紧固螺钉贯穿绝缘顶板与框架散热底板螺纹连接。
优选的，所述绝缘板数量设置为多个，所述绝缘板与绝缘板之间设有通管，所述通管与引脚相匹配且数量均设置为三个。
优选的，所述连接板顶部依次设有第一连接孔、第二连接孔和第三连接孔，所述第一连接孔、第二连接孔和第三连接孔均与引脚连通，所述第一连接孔和第三连接孔均与传输板连通。
本实用新型的技术效果和优点：通过将安装壳体封装形式设置为是THM插脚型封装，晶体管THM封装可以直接进行印制板安装的封装形式，实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定，绝缘底板采用超薄工艺，背板厚度仅有0.4mm，正常的全包封产品背板厚度最少都超过0.6mm，无需在散热板绝缘和晶体管之间加装额外的绝缘垫片，可以节约成本，通过设有框架散热底板，封装前对框架整形，封装前对框架散热底板，将框架散热底板四周向芯片方向翘起，再利用注塑模具上的顶针将框架散热底板顶平，解决了绝缘底板因框架散热底变形而引起的厚度不一致导致框架散热底外露问题，采用高导热环氧树脂制成框架散热底板，很好地改善产品的散热，提高产品可靠性，通过设有绝缘板，可以将引脚依次排列为基极、集电极和发射极，密封性好，内部芯片不易受潮，提高产品使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构侧视图；
图2为本实用新型的整体结构正视图；
图3为本实用新型的电路板结构示意图；
图中：1安装壳体、2绝缘顶板、21凹槽、3绝缘底板、4引脚、5定位孔、6安装孔、7电路板、8框架散热底板、9连接板、10散热底板定位孔、11芯片、12焊料、13绝缘板、14传输板、15铝线、16第一连接孔、17第二连接孔、18第三连接孔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1-3所示的一种绝缘封装大功率三极管，包括安装壳体1，所述安装壳体1包括绝缘顶板2和绝缘底板3，所述安装壳体1底部均匀连接有引脚4，所述绝缘顶板2表面设有定位孔5，所述定位孔5外侧环绕设有安装孔6，所述安装壳体1内部设有电路板7，所述电路板7包括框架散热底板8和连接板9，所述框架散热底板8内部设有散热底板定位孔10，所述散热底板定位孔10底部设有芯片11，所述芯片11表面两侧均设有焊料12，所述连接板9表面均匀设有绝缘板13，所述连接板9与框架散热底板8连接处设有传输板14，所述传输板14与焊料12之间设有铝线15。
所述安装壳体1封装形式设置为THM插脚型封装，这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定，所述绝缘顶板2表面设有凹槽21，可以起到限定内部框架散热底板8位置的作用，所述绝缘底板3采用超薄工艺，厚度设置为0.4mm，正常的全包封产品背板厚度最少都超过0.6mm，无需在散热板绝缘和晶体管之间加装额外的绝缘垫片，可以节约成本，所述框架散热底板8厚度设置为1.3mm，所述框架散热底板8由高导热环氧树脂制成，所述框架散热底板8整体为中部低四周高设置，所述框架散热底板8四周向芯片11方向翘起，封装前对框架散热底板8，将框架散热底板8四周向芯片11方向翘起，再利用注塑模具上的顶针将框架散热底板8顶平，解决了绝缘底板因框架散热底变形而引起的厚度不一致导致框架散热底外露问题，采用高导热环氧树脂制成框架散热底板，很好地改善产品的散热，提高产品可靠性，所述散热底板定位孔10与定位孔5处于同一竖直水平线，所述安装孔6外侧均匀连接有紧固螺钉，所述紧固螺钉贯穿绝缘顶板2与框架散热底板8螺纹连接，所述绝缘板13数量设置为多个，所述绝缘板13与绝缘板13之间设有通管，所述通管与引脚4相匹配且数量均设置为三个，所述连接板9顶部依次设有第一连接孔16、第二连接孔17和第三连接孔18，所述第一连接孔16、第二连接孔17和第三连接孔18均与引脚4连通，所述第一连接孔16和第三连接孔18均与传输板14连通，可以将引脚4依次排列为基极、集电极和发射极，密封性好，内部芯片11不易受潮，提高产品使用寿命。
本实用工作原理：安装时，将框架散热底板8四周向芯片11方向翘起，再利用注塑模具上的顶针将框架散热底板8顶平，解决了绝缘底板因框架散热底变形而引起的厚度不一致导致框架散热底外露问题，紧固螺钉贯穿绝缘顶板2与框架散热底板8螺纹连接，凹槽21可以起到限定内部框架散热底板8位置的作用，安装壳体1封装形式是THM插脚型封装，这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定，采用高导热环氧树脂制成框架散热底板，很好地改善产品的散热，提高产品可靠性，绝缘底板3采用超薄工艺，厚度设置为0.4mm，正常的全包封产品背板厚度最少都超过0.6mm，无需在散热板绝缘和晶体管之间加装额外的绝缘垫片，可以节约成本，通过绝缘板13可以将引脚4依次排列为基极、集电极和发射极，密封性好，内部芯片11不易受潮，提高产品使用寿命。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种绝缘封装大功率三极管，包括安装壳体(1)，其特征在于：所述安装壳体(1)包括绝缘顶板(2)和绝缘底板(3)，所述安装壳体(1)底部均匀连接有引脚(4)，所述绝缘顶板(2)表面设有定位孔(5)，所述定位孔(5)外侧环绕设有安装孔(6)，所述安装壳体(1)内部设有电路板(7)，所述电路板(7)包括框架散热底板(8)和连接板(9)，所述框架散热底板(8)内部设有散热底板定位孔(10)，所述散热底板定位孔(10)底部设有芯片(11)，所述芯片(11)表面两侧均设有焊料(12)，所述连接板(9)表面均匀设有绝缘板(13)，所述连接板(9)与框架散热底板(8)连接处设有传输板(14)，所述传输板(14)与焊料(12)之间设有铝线(15)。
2.根据权利要求1所述的一种绝缘封装大功率三极管，其特征在于：所述安装壳体(1)封装形式设置为THM插脚型封装。
3.根据权利要求1所述的一种绝缘封装大功率三极管，其特征在于：所述绝缘顶板(2)表面设有凹槽(21)。
4.根据权利要求1所述的一种绝缘封装大功率三极管，其特征在于：所述绝缘底板(3)采用超薄工艺，厚度设置为0.4mm。
5.根据权利要求1所述的一种绝缘封装大功率三极管，其特征在于：所述框架散热底板(8)厚度设置为1.3mm，所述框架散热底板(8)由高导热环氧树脂制成，所述框架散热底板(8)整体为中部低四周高设置，所述框架散热底板(8)四周向芯片(11)方向翘起。
6.根据权利要求1所述的一种绝缘封装大功率三极管，其特征在于：所述散热底板定位孔(10)与定位孔(5)处于同一竖直水平线，所述安装孔(6)外侧均匀连接有紧固螺钉，所述紧固螺钉贯穿绝缘顶板(2)与框架散热底板(8)螺纹连接。
7.根据权利要求1所述的一种绝缘封装大功率三极管，其特征在于：所述绝缘板(13)数量设置为多个，所述绝缘板(13)与绝缘板(13)之间设有通管，所述通管与引脚(4)相匹配且数量均设置为三个。
8.根据权利要求1所述的一种绝缘封装大功率三极管，其特征在于：所述连接板(9)顶部依次设有第一连接孔(16)、第二连接孔(17)和第三连接孔(18)，所述第一连接孔(16)、第二连接孔(17)和第三连接孔(18)均与引脚(4)连通，所述第一连接孔(16)和第三连接孔(18)均与传输板(14)连通。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820186027.8U CN207938600U (zh) | 2018-02-02 | 2018-02-02 | 一种绝缘封装大功率三极管 |
| DE202018107205.6U DE202018107205U1 (de) | 2018-02-02 | 2018-12-17 | Isolierend verkapselte Hochleistungstriode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207938600U true CN207938600U (zh) | 2018-10-02 |
Family
ID=63651364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201820186027.8U Active CN207938600U (zh) | 2018-02-02 | 2018-02-02 | 一种绝缘封装大功率三极管 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN207938600U (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108133925A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-06-08 | 珠海锦泰电子科技有限公司 | 一种绝缘封装大功率三极管 |
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