CN207731896U - 一种等离子喷嘴以及等离子处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种等离子喷嘴，包括本体，所述本体的一端封闭，本体的另一端设置有盲孔，本体的侧壁上设置有通孔，所述通孔的两端分别连通所述盲孔和外界，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角大于0°且小于180°。还公开了一种等离子处理装置，包括等离子喷嘴，还包括等离子发生器套管和电极，所述等离子发生器套管内包括容置腔，所述电极设置于所述容置腔内；所述等离子喷嘴的另一端连接于所述容置腔的腔口。本实用新型改变了传统方式的等离子束的路径，让等离子束偏斜一定角度从喷嘴中出来，从而使等离子处理装置的适用性更加广泛，不仅可以处理平面产品，而且可以处理内壁槽、隐藏槽、燕尾槽等槽式产品。

Description

一种等离子喷嘴以及等离子处理装置

技术领域

本实用新型涉及等离子设备领域，尤其涉及一种等离子喷嘴以及等离子处理装置。

背景技术

等离子体由于其良好的流动性和、扩散性、导电性和导热性而被广泛应用于各个领域，从我们的日常生活到工业、农业、环保、军事、宇航、能源、天体等方面，它都有非常重要的应用价值，等离子喷枪的使用也越来越多。但是现有的等离子喷枪大多如如1所示的，喷枪的等离子喷嘴3的出口为直筒形，等离子束4只能从中间的圆形小孔中出来，等离子束4的路径与喷枪的长度方向一致。因此，这种等离子喷嘴3只能用于处理平面型的基材，而无法处理具有槽型结构的基材。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种等离子喷嘴以及等离子处理装置，不仅能够处理平面基材，而且能够方便地处理具有槽型结构的基材。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案一为：

一种等离子喷嘴，包括本体，所述本体的一端封闭，本体的另一端设置有盲孔，本体的侧壁上设置有通孔，所述通孔的两端分别连通所述盲孔和外界，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角大于0°且小于180°。

进一步的，所述通孔的数目为一个。

进一步的，所述通孔的数目为两个以上，两个以上的通孔沿本体的周向均匀分布于所述本体的侧壁上。

进一步的，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角为钝角。

进一步的，所述本体包括锥形连接部和柱形延长部，所述柱形延长部连接于所述锥形连接部的底端；所述通孔位于所述柱形延长部上。

进一步的，所述通孔与所述盲孔的孔底相接。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案二为：

一种等离子处理装置，包括技术方案一所述的等离子喷嘴，还包括等离子发生器套管和电极，所述等离子发生器套管内包括容置腔，所述电极设置于所述容置腔内；所述等离子喷嘴的另一端连接于所述容置腔的腔口。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型改变了传统方式的等离子束的路径，让等离子束偏斜一定角度从喷嘴中出来，从而使等离子处理装置的适用性更加广泛，不仅可以处理平面产品，而且可以处理内壁槽、隐藏槽、燕尾槽等槽式产品。

附图说明

图1为现有技术的等离子处理装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一的等离子喷嘴的结构示意图；

图3为本实用新型实施例一的等离子处理装置的结构示意图；

图4为本实用新型实施例二的等离子喷嘴的结构示意图；

图5为本实用新型实施例二的等离子处理装置处理基材时的示意图；

标号说明：

1、等离子发生器套管；2、电极；3、等离子喷嘴；31、锥形连接部；32、柱形延长部；33、盲孔；34、通孔；4、等离子束；5、基材。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本实用新型最关键的构思在于：沿喷嘴的轴向设置盲孔，在喷嘴的侧壁设置通孔，通孔与盲孔相连通，且通孔的轴线和盲孔的轴线之间具有夹角。

请参照图2至图5，一种等离子喷嘴，包括本体，所述本体的一端封闭，本体的另一端设置有盲孔，本体的侧壁上设置有通孔，所述通孔的两端分别连通所述盲孔和外界，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角R大于0°且小于180°。

从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：本实用新型改变了传统方式的等离子束的路径，让等离子束偏斜一定角度从喷嘴中出来，从而使等离子处理装置的适用性更加广泛，不仅可以处理平面产品，而且可以处理内壁槽、隐藏槽、燕尾槽等槽式产品。

进一步的，所述通孔的数目为一个。

进一步的，所述通孔的数目为两个以上，两个以上的通孔沿本体的周向均匀分布于所述本体的侧壁上。

由上述描述可知，等离子束可以分成多束从喷嘴内出来，同时对多个部位进行表面处理。

进一步的，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角R为钝角。

由上述描述可知，所述通孔的轴线是斜向下的，可更方便地处理槽类产品。

进一步的，所述本体包括锥形连接部和柱形延长部，所述柱形延长部连接于所述锥形连接部的底端；所述通孔位于所述柱形延长部上。

由上述描述可知，相对于现有技术的喷嘴，本实用新型增加了柱形延长部，可使喷嘴的长度加长，等离子束离开放电室后，冷却了一部分等离子体的温度，可明显降低基材的温度，提高产品的处理效率，温度的改善降低20％-40％左右，处理效率同时提高10％-20％左右。

进一步的，所述通孔与所述盲孔的孔底相接。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案二为：

一种等离子处理装置，包括技术方案一所述的等离子喷嘴，还包括等离子发生器套管和电极，所述等离子发生器套管内包括容置腔，所述电极设置于所述容置腔内；所述等离子喷嘴的另一端连接于所述容置腔的腔口。

由上述描述可知，电极释放出等离子体后即可经由容置腔的腔口进入等离子喷嘴中，然后从等离子喷嘴中呈一定角度喷出。

实施例一

请参照图2以及图3，本实用新型的实施例一为：一种等离子处理装置包括等离子发生器套管1、电极2和等离子喷嘴3，所述等离子发生器套管1内包括容置腔，所述电极2设置于所述容置腔内；所述等离子喷嘴3的另一端连接于所述容置腔的腔口。

所述等离子喷嘴3包括本体，所述本体的底端封闭，本体的顶端上开设有盲孔33，所述盲孔33的孔底靠近所述本体的底端。所述本体的侧壁上设置有一个通孔34，所述通孔34的两端分别连通所述盲孔33和外界，所述通孔34的轴线与所述盲孔33的轴线之间的夹角R大于0°且小于180°。优选的，所述通孔34的轴线与所述盲孔33的轴线之间的夹角R为钝角，也就是说通孔34的轴线是斜向下的。在本实施例中，所述通孔34的轴线与所述盲孔33的轴线之间的夹角R为135°。所述通孔34的内端口与所述盲孔33的孔底相接，当然的，在其他实施例中，所述通孔34的内端口也可以与所述盲孔33的孔壁相接。如图3所示，所述等离子束4是斜向下射出的。

为提高等离子处理装置的处理效率，在本实施例中，所述本体包括锥形连接部31和柱形延长部32，所述锥形连接部31的顶端与所述等离子发生器套管1相连接，所述柱形延长部32连接于所述锥形连接部31的底端，所述柱形延长部32和锥形连接部31一体成型。所述盲孔33从所述锥形连接部31一直延伸至所述柱形延长部32中，所述盲孔33的孔底靠近所述柱形延长部32的底端。所述通孔34位于所述柱形延长部32上。等离子体刚形成时温度非常高，所述柱形延长部32能够将等离子体进行一定程度的冷却，可降低处理基材5时的温度，提高处理效率。所述柱形延长部32的长度能够保证是在等离子体在聚合之前等离子束4能够从等离子喷嘴3中出去。本实施例的温度可降低20％-40％左右，处理效率可提高10％-20％左右。

实施例二

请参照图4，本实用新型的实施例二为：本实施例与实施例一的不同之处在于，所述通孔34的数目为两个以上，两个以上的通孔34沿本体的周向均匀分布于所述本体的侧壁上。优选的，在本实施例中，所述通孔34的数目为两个，两个通孔34对称设置于所述等离子喷嘴3的左右两侧。等离子束4从容置腔进入盲孔33，然后在盲孔33的底端被分为两束，两束等离子束4分别沿左下方和右下方倾斜，可同时对不同能够部位进行表面处理。如图5所示，左右两束等离子束4可对基材5上的凹槽的两侧槽壁同时进行表面处理，加快了处理效率。

综上所述，本实用新型提供的等离子喷嘴3以及等离子处理装置不仅可处理平面类基材5，而且能够处理带槽类基材5，适用范围更广；且本实用新型在喷嘴上增加了柱形延长部32，增加了喷嘴的长度，可降低基材5的温度，提高处理效率。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种等离子喷嘴，其特征在于，包括本体，所述本体的一端封闭，本体的另一端设置有盲孔，本体的侧壁上设置有通孔，所述通孔的两端分别连通所述盲孔和外界，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角大于0°且小于180°。

2.如权利要求1所述的等离子喷嘴，其特征在于，所述通孔的数目为一个。

3.如权利要求1所述的等离子喷嘴，其特征在于，所述通孔的数目为两个以上，两个以上的通孔沿本体的周向均匀分布于所述本体的侧壁上。

4.如权利要求1所述的等离子喷嘴，其特征在于，所述通孔的轴线与所述盲孔的轴线之间的夹角为钝角。

5.如权利要求1所述的等离子喷嘴，其特征在于，所述本体包括锥形连接部和柱形延长部，所述柱形延长部连接于所述锥形连接部的底端；所述通孔位于所述柱形延长部上。

6.如权利要求1所述的等离子喷嘴，其特征在于，所述通孔与所述盲孔的孔底相接。

7.一种等离子处理装置，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的等离子喷嘴，还包括等离子发生器套管和电极，所述等离子发生器套管内包括容置腔，所述电极设置于所述容置腔内；所述等离子喷嘴的另一端连接于所述容置腔的腔口。