CN207694292U - 冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备。冷阱装置可以用于对从反应腔室排出的尾气进行预处理。冷阱装置包括罐体及位于罐体上的冷却管路，罐体包括罐体上部的冷却区，其冷却区顶部设置有进气口且进气口与反应腔室相连接；罐体还包括位于罐体下部的沉淀区，沉淀区侧壁设置有排气口和排气口。采用本实用新型的冷阱装置能避免粉尘沉积在抽气装置上造成抽气装置停机，减少抽气装置和尾气处理装置的废气处理量且延长设备清洗保养周期以降低生产成本；尾气处理系统能快速高效地处理各种废气以降低对环境的危害，且结构简单，成本低廉；采用本实用新型的半导体生产设备，能减少保养频率，有效降低生产成本。

Description

冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备。

背景技术

化学气相沉积工艺是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。由于其具有能在大大低于成膜材质的熔点或分解温度的沉积温度下制造耐熔金属和各种碳化物、氮化物、硼化物、硅化物和氧化物薄膜且制备的薄膜均匀等优点，化学气相沉积工艺越来越广泛地用于半导体芯片制造、液晶面板制造以及太阳能电池制造等行业中，但化学气相沉积工艺中用到的反应源以及反应后的余气可能存在易燃、易爆和/或有毒的危害性，且反应生成的副产物如果处理不当也容易造成粉尘污染，因此对化学气相沉积工艺中产生的废气进行无害化处理以防止环境污染非常重要。现有的化学气相沉积工艺中，普遍用干泵等抽气装置直接将废气从反应腔室抽出后送入尾气处理装置(GAS SCRUBER)中做燃烧和清洗处理。但这种方式存在诸多问题，比如，由于沉积工艺中用到的气体量很大，绝大部分气体未经反应即被排出，因此抽气装置的工作量非常大，而且排出的废气以及其中含有的反应副产物中很大一部分只在高温下为气态，往往在冷却到室温后会变为固态或液态，这些副产物抽入抽气装置后很可能沉积在抽气装置内造成抽气装置的堵塞或腐蚀，甚至导致抽气装置的报废，更严重的后果是，如果因堵塞造成抽气装置停机，废气可能倒流回反应腔室，造成产品和反应腔室污染乃至造成巨大的经济损失。此外，经抽气装置抽出的大量废气送到尾气处理装置中，也对尾气处理装置的处理能力提出极大挑战。因此，在半导体芯片制造厂和液晶面板工厂里，对抽气装置和尾气处理装置必须经常进行清洗和保养，由于这些设备及其配件昂贵，导致生产成本居高不下。因此，找到更经济有效的尾气处理方法以延长抽气装置和尾气处理装置的清洗和保养周期，降低设备的损耗以降低生产成本显得极为重要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备，用于解决现有技术中因废气排放量太大且废气中含有的粉尘导致抽气装置堵塞以及导致抽气装置和尾气处理装置的清洗、保养成本上升等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种冷阱装置，所述冷阱装置包括罐体及位于所述罐体上的冷却管路，所述罐体具有内壁及外壁且所述罐体包括：

冷却区，位于所述罐体的上部，所述冷却区顶部设置有进气口；

沉淀区，位于所述罐体的下部，与所述冷却区相连通，所述沉淀区侧壁设置有排气口。

优选地，所述冷阱装置的材质包括不锈钢、铝合金、汞合金、铜合金、钼合金、锰合金、铌合金及钛合金。

优选地，所述冷却管路位于所述内壁和所述外壁之间，且所述外壁上设有与所述冷却管路相连通的进口及出口。

优选地，所述冷却区还包括冷却板，所述冷却板设置于所述冷却区的内壁上，且所述冷却板的表面与所述罐体的底面相平行。

在另一优选方案中，所述冷却区还包括冷却板，所述冷却板以1°～89°的角度向下倾斜设置于所述罐体的所述冷却区的内壁上。

优选地，所述冷却板包括相对的固定端及自由端，所述冷却板的固定端与所述冷却区的内壁相连接。

在另一优选方案中，所述冷却板包括第一冷却板及第二冷却板，所述第一冷却板与所述第二冷却板交替间隔排布；所述第二冷却板内形成有通孔，所述第一冷却板在第二冷却板上的正投影覆盖所述第二冷却板的通孔。

优选地，所述罐体的沉淀区上设有可视窗口，且所述可视窗口与所述罐体可拆卸密封连接。

优选地，所述排气口位于所述沉淀区上，且所述排气口的高度高于所述可视窗口的高度。

本实用新型还提供一种尾气处理系统，用于对从反应腔室排出的尾气进行处理，所述尾气处理系统包括：

如上述任一方案中所述的冷阱装置；

抽气装置，包含进气口和排气口，所述抽气装置的进气口与所述冷阱装置的沉淀区的所述排气口相连接；

尾气处理装置，包含进气口和排气口，所述尾气处理装置的进气口与所述抽气装置的排气口相连接；

排气管路，连接于所述反应腔室与所述冷阱装置之间、所述冷阱装置与所述抽气装置之间及所述抽气装置与所述尾气处理装置之间，及，

至少一个阀门，所述阀门设置于连接所述反应腔室与所述冷阱装置之间的所述排气管路上。

本实用新型还提供一种半导体生产设备，所述半导体生产设备包括：

反应腔室；

如上述方案中所述的尾气处理系统，所述尾气处理系统中连接于所述反应腔室与所述冷阱装置之间的排气管路的一端与所述反应腔室的内部相连通。

如上所述，本实用新型的冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备，具有以下有益效果：本实用新型提供的冷阱装置包括罐体及位于所述罐体上的冷却管路，所述冷阱装置可以连接于反应腔室和抽气装置之间，用于对从反应腔室排出的尾气进行预处理。从反应腔室排出的废气经冷阱装置的冷却，原废气中含有的粉尘以及废气中含有的在常温下为固态或液态的气体都将沉淀到冷阱装置的罐体底部，从而避免粉尘沉积在抽气装置上造成抽气装置停机，同时减少抽气装置和尾气处理装置的废气处理量以及延长设备清洗和保养的周期以降低生产成本；本实用新型的尾气处理系统能快速高效地处理各种废气以降低对环境的危害，并且结构简单，成本低廉；采用本实用新型的半导体生产设备，能有效减少设备维修和保养频率，降低生产成本。

附图说明

图1及图2显示为本实用新型的实施例一中的冷阱装置的剖面结构示意图。

图3及图4显示为本实用新型的实施例二中的冷阱装置的剖面结构示意图。

图5显示为本实用新型的实施例三中的冷阱装置的局部剖面结构示意图。

图6显示为本实用新型的实施例四中的尾气处理系统的结构示意图。

图7显示为本实用新型的实施例五中的半导体生产设备的结构示意图。

元件标号说明

1 冷阱装置

10 罐体

11 冷却区

101 内壁

102 外壁

111 冷却管路

112 进口

113 出口

114 冷却板

114a 第一冷却板

114b 第二冷却板

115 进气口

12 沉淀区

122 可视窗口

123 排气口

2 抽气装置

3 尾气处理装置

31 排气口

4 排气管路

5 阀门

6 反应腔室

61 进气口

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。

请参阅图1至图7。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

实施例一

请参阅图1至图7。

请参考图1及图2。本实用新型提供一种上下一体型的冷阱装置1，所述冷阱装置1包括罐体10及位于所述罐体10上的冷却管路111，所述罐体10具有内壁101及外壁102且所述罐体10包括：

冷却区11，位于所述罐体10的上部，所述冷却区11顶部设置有进气口115；

沉淀区12，位于所述罐体10的下部，与所述冷却区11相连通，所述沉淀区12侧壁设置有排气口122。

所述冷却管路111位于所述内壁101和所述外壁102之间的夹层内，且所述外壁102上设有与所述冷却管路111相连通的进口112及出口113。具体的，所述冷却管路111可以覆盖所述内壁101和所述外壁102之间的整个区域，具体如图1所示；在其他示例中，所述冷却管路111也可以根据实际需要设置在所述内壁101和所述外壁102之间的某些区域，比如，只设置于所述冷却区11的内壁和外壁之间，具体如图2所示。当然，在其他示例中，所述冷却管路111也可以只设置于所述冷却区11的内壁和外壁之间的部分区域以及所述沉淀区12的内壁和外壁之间的部分区域，具体不做限制。当然，为加强冷却效果以利于沉淀物的冷却以及考虑所述冷阱装置1制作的简便，所述冷却管路111优选为覆盖所述罐体10的所述内壁101和所述外壁102之间的整个区域。所述冷却管路111可以为特定形状的槽道组成的结构，也可以为连通的空腔结构。

需处理的废气通过所述冷却区11的所述进气口115进入所述罐体10的所述冷却区11内，在所述冷却管路111的作用下，所述废气将被冷却。

需要说明的是，为保证冷却效果，所述冷却管路111的管壁不能太厚，且尽量优选与所述罐体10的材质相匹配的，导热效果好的材质，比如不锈钢、铝合金、汞合金、铜合金、钼合金、锰合金、铌合金及钛合金等；同样地，所述罐体10的材质亦需采用导热效果优良的材质，比如不锈钢、铝合金、汞合金、铜合金、钼合金、锰合金、铌合金及钛合金等，考虑到废气中可能含有多种腐蚀性及有毒有害性气体，同时兼顾经济性和坚固等特性，优选不锈钢，并且内壁最好做进一步的防腐蚀处理。

所述冷却管路111中的冷却介质可以为冷却气体或冷却水，优选为冷却水。在半导体芯片制造厂或液晶面板厂中，利用冷却水的所述冷却管路111可与厂务的供水系统相连通，不仅可以实现水的循环利用，而且由冷却水带走的热量可用于厂务系统的供热，特别是在冬天，这种热量回收利用可极大节约厂务的用电量。

为使进入所述罐体10的所述冷却区11内的废气在所述冷却区11内停留的时间延长以加强冷却效果，所述冷却区11内可设置冷却板114，所述冷却板114可设置于所述冷却区11的内壁上。本实施例中，所述冷却板114的表面与所述罐体10的底面相平行。废气进入所述冷却区11后将与所述冷却板114的表面充分接触并逐渐冷却。

需要说明的是，所述冷却板114既可固定于所述冷却区11的内壁上，也可活动安装于所述冷却区11的内壁上，根据需要可拆卸以便于向后的清洗。且所述冷却板114的材质亦需考虑导热效果好和抗腐蚀等特性，优选为不锈钢等合金材质。所述冷却板114可以为单层结构，也可为进一步加强冷却效果而设置成带腔体结构，内部可以填充冷却介质。为增大和废气的接触面积，所述冷却板114的表面积应该尽量大，但其外形设计需考虑和所述罐体10的匹配以及后续清洗的便利。所述冷却板114的外形可以相同也可以不相同。为避免冷却后的颗粒沉积于所述冷却板114的表面，所述冷却板114的表面应该尽可能光滑，在所述冷却板114上还可设置多个通孔，且上下相邻的所述冷却板114的通孔位置在纵向上尽量对齐，且所述通孔不宜太小或太大，太小容易堵塞，太大则起不到好的冷却效果。

为避免废气堵在所述冷却区11的所述进气口115处，第一块所述冷却板114的位置应该与所述进气口115在纵向上保持一定距离，且该距离最好大于等于所述冷却区11的总高度的1/15，具体地，该距离可以为5～8cm左右。所述冷却板114的设置数量需根据所述冷却区11的高度而定，且相邻的所述冷却板114在纵向上的间隔距离亦不能太大或太小，多块所述冷却板114在纵向上的间隔距离可以相同，也可以不相同，优选为相同，比如，为3～5cm。

在所述冷却板114的表面与所述罐体10的底面相平行且当所述冷却板114的表面积与所述罐体10的底面积不一致时，则所述冷却板114将形成相对的固定端及自由端，所述冷却板114的长度最好大于或等于所述罐体10的内径的1/2，所述冷却板114的固定端与所述冷却区11的内壁相连接。当所述冷却板114有多块时，所述冷却板114最好交错分布于所述罐体10的所述冷却区11的内壁上，引导进入所述冷却区11的废气按Z字型方向移动。经冷却后产生的沉淀物将掉入所述罐体10的底部中。相邻的所述冷却板114在纵向上的间隔距离可以相同也可以不同，所述多块冷却板114的长度可以相同也可以不同。

为便于观察所述沉淀区12中的沉淀物的沉积量以及时进行清理，所述沉淀区12的侧壁上设有透明的可视窗口122，且考虑到以后清洗的便利，所述可视窗口122与所述罐体10的所述沉淀区12可拆卸密封连接，因此需清理沉淀物时打开所述可视窗口122将沉淀物倒出即可。

为避免经冷却处理余下的需排放的气体将沉淀物吹起，所述沉淀区12的排气口123应设置于所述沉淀区12上，且所述排气口123的高度应高于所述可视窗口122的高度，否则若所述排气口123的高度低于所述可视窗口122的高度时，不仅沉淀物容易被吹起，而且此时沉淀物可能已经沉淀到一定高度甚至堵塞掉所述排气口123。而且为了便于通过所述可视窗口122观察所述排气口123处的情况，所述排气口123和所述可视窗口122最好位于所述罐体10的所述沉淀区12的相对的两侧。所述罐体10可以为正方体或圆柱体，为便于清洗，优选为圆柱体，所述罐体10的高度亦可根据需要设置，其材质亦可根据需要设置，比如为不锈钢、铝合金、汞合金、铜合金、钼合金、锰合金、铌合金及钛合金等，优选为不锈钢，且内部需考虑做抗腐蚀处理。

所述罐体10可以为带通孔的密封罐结构，也可是上表面带可移动盖体的结构，为便于清洗，优选为带可移动盖体的结构。

实施例二

请参阅图3至图4。本实施例还提供一种上下一体型冷阱装置1，本实施例中的冷阱装置1的结构与实施例一中所述的冷阱装置1的结构大致相同，二者区别在于：实施例一中，所述冷却板114的表面与所述罐体10的底面相平行，而本实施例中，所述冷却板114以1°～89°的角度向下倾斜设置于所述罐体10的内壁上。为便于冷却后的沉淀物更容易滑落且尽量增大废气与所述冷却板114的接触面积，此外还兼顾安装的便利，较佳的倾斜角度建议为30°～45°。本实施例中的冷阱装置1的其他结构与实施例一中的冷阱装置1的其他结构相同，具体请参阅实施例一，此处不再累述。将所述冷却板114向下倾斜设置有利于增大进入所述罐体10内的废气和所述冷却板114的表面接触的机会并使冷却后的沉淀物更容易滑入到所述罐体10的底部。需要说明的是，当所述冷却板114为倾斜设置时，设置的多块所述冷却板114的表面积可以不一样，比如，设置于最下端的靠近所述冷却罐11的罐底的所述冷却板114可能比其他板小。当然，最底部的所述冷却板114也可以延伸入所述沉淀区12中，所述冷却区11和所述沉淀区12之间并未明显的分界。所述冷却板114的设置也可参考图5所示，此处不再累述。

同样需要说明的是，所述冷却管路111也可以是位于所述罐体10的内壁101和外壁102之间，且所述外壁102上设有与所述冷却管路111相连通的进口112及出口113。具体的，所述冷却管路111可以覆盖所述内壁101和所述外壁102之间的整个区域，如图3所示；在其他示例中，所述冷却管路111也可以根据实际需要设置在所述内壁101和所述外壁102之间的某些区域，比如，只设置于所述冷却区11的内壁和外壁之间，具体如图4所示。当然，在其他示例中，所述冷却管路111也可以只设置于所述冷却区11的内壁和外壁之间的部分区域以及所述沉淀区12的内壁和外壁之间的部分区域，具体不做限制。为加强冷却效果以利于沉淀物的冷却以及考虑所述冷阱装置1制作的简便，所述冷却管路111优选为覆盖所述内壁101和所述外壁102之间的整个区域。所述冷却管路111可以为特定形状的槽道组成的结构，也可以为连通的空腔结构。

实施例三

请参阅图5。本实施例还提供一种上下一体型冷阱装置1，本实施例中的冷阱装置1的结构与实施例一及实施例二中所述的冷阱装置1的除所述冷却板114的设置不同外，其他部分结构均相同，因此，图5只示意本实施例中的所述冷阱装置1的局部结构图，其余结构部分请参考实施例一及实施例二，此处不再累述。

本实施例中，所述冷却板114包括第一冷却板114a及第二冷却板114b，所述第一冷却板114a与所述第二冷却板114b交替间隔排布；所述第二冷却板114b内形成有通孔，所述第一冷却板114a在第二冷却板上114b的正投影覆盖所述第二冷却板114b的通孔，且所述正投影面积大于所述通孔面积。更具体的，所述第一冷却板114a可以设置为椭圆形而所述第二冷却板114b设置为内含圆形通孔的结构。由于越靠近所述冷阱罐11的所述内壁101处温度越低，因此此方案下能引导废气在进入所述冷阱装置1后尽量沿靠近所述内壁101的方向流动，并且和每层的所述冷却板114都能充分接触，由此冷却效果将极大提升。所述第一冷却板114a和所述第二冷却板114b可以均为一体型的板结构，也可以各自由两块结构对称的板构成，比如，所述第二冷却板114b由两块对称的内含半月形通孔的板构成。当然，所述第一冷却板114a和所述第二冷却板114b的结构还可以做其他调整，此处不做限定。

实施例四

请参阅图6。本实用新型还提供一种尾气处理系统，用于对从反应腔室排出的尾气进行处理，所述尾气处理系统包括：

如实施例一、实施例二或实施例三中所述的冷阱装置1；

抽气装置2，包含进气口(未图示)和排气口(未图示)，所述抽气装置2的进气口与所述冷阱装置1的所述沉淀区11的排气口122相连接；

尾气处理装置3，包含进气口(未图示)和排气口31，所述尾气处理装置3的进气口与所述抽气装置2的排气口相连接；

排气管路4，连接于所述反应腔室6与所述冷阱装置1之间、所述冷阱装置1与所述抽气装置2之间及所述抽气装置2与所述尾气处理装置3之间，及，

至少一个阀门5，所述阀门5设置于连接所述反应腔室6与所述冷阱装置1之间的所述排气管路4上，所述阀门5是在对所述冷阱装置1进行清理或其他保养作业时，用于关闭气体管路以避免废气继续进入。

需要说明的是，根据设备的不同以及不同制造厂工艺的差异，所述抽气装置2可以是单独的干泵，也可以是其他带负压功能的装置，更或者是现有的一些尾气处理设备已经将所述抽气装置2和所述尾气处理装置3的功能相结合，且在所述冷阱装置1和所述抽气装置2之间还可以安装过滤器以进一步对余下的废气进行过滤净化，即所述尾气处理系统的设置可根据需要做调整。

从所述反应腔室6排出的废气先进入所述冷阱装置1中，经所述冷阱装置1的冷却，其中的在常温下固态或液态的气体将被冷却成固态或液态沉淀在所述冷阱装置1中，废气中原含有的粉尘也将沉淀下来，废气被初步净化后被所述抽气装置2抽出并送到所述尾气处理装置3中进行进一步的燃烧清洗处理，经过这样的双重处理，废气将完全被净化，其中的无害气体将由所述尾气处理装置3的排气口31排入大气环境中。

实施例五

请参阅图7。本实用新型还提供一种半导体生产设备，所述半导体生产设备包括：

反应腔室6；

如实施例四中所述的尾气处理系统，所述尾气处理系统中连接于所述反应腔室6与所述冷阱装置1之间的排气管路4的一端与所述反应腔室6的内部相连通。

所述反应腔室6包含进气口61和排气口(未图示)，反应气体经所述进气口61进入所述反应腔室6中进行反应，反应后的废气及反应副产物经由所述尾气处理系统净化处理后排入大气环境中。

需要说明的是，本实用新型的冷阱装置及尾气处理系统不仅可以用于半导体制造领域，可以用于其他任何涉及到多种有毒有害的废气排放的制造领域，比如液晶面板制造领域、太阳能电池制造领域等，即本实用新型的冷阱装置及尾气处理系统除了可以用于半导体生产设备，还可以用于任意领域的有毒有害的废气排放的生产领域。

综上所述，本实用新型的冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备，具有以下有益效果：本实用新型提供的冷阱装置包括罐体及位于所述罐体上的冷却管路，能够对从反应腔室排出的尾气进行预处理。从反应腔室排出的废气经冷阱装置的冷却，原废气中含有的粉尘以及废气中含有的在常温中为固态或液态的气体都将冷却沉淀到所述冷阱装置的罐体底部，从而避免粉尘沉积在抽气装置上造成抽气装置停机，同时减少抽气装置和尾气处理装置的废气处理量以及延长设备清洗和保养的周期以降低生产成本；本实用新型的尾气处理系统能快速高效地处理各种废气以降低对环境的危害，并且结构简单，成本低廉；采用本实用新型的半导体生产设备，能有效减少设备维修和保养频率，降低生产成本。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种冷阱装置，其特征在于，所述冷阱装置包括罐体及位于所述罐体上的冷却管路，所述罐体具有内壁及外壁且所述罐体包括：

冷却区，位于所述罐体的上部，所述冷却区顶部设置有进气口；

沉淀区，位于所述罐体的下部，与所述冷却区相连通，所述沉淀区上设置有排气口。

2.根据权利要求1所述的冷阱装置，其特征在于：所述冷阱装置的材质包括不锈钢、铝合金、汞合金、铜合金、钼合金、锰合金、铌合金及钛合金。

3.根据权利要求1所述的冷阱装置，其特征在于：所述冷却管路位于所述内壁和所述外壁之间，且所述外壁上设有与所述冷却管路相连通的进口及出口。

4.根据权利要求1所述的冷阱装置，其特征在于：所述冷却区还包括冷却板，所述冷却板设置于所述冷却区的内壁上，且所述冷却板的表面与所述罐体的底面相平行或所述冷却板以1°～89°的角度向下倾斜设置于所述冷却区的所述内壁上。

5.根据权利要求4所述的冷阱装置，其特征在于：所述冷却板包括相对的固定端及自由端，所述冷却板的固定端与所述冷却区的内壁相连接。

6.据权利要求4所述的冷阱装置，其特征在于：所述冷却板包括第一冷却板及第二冷却板，所述第一冷却板与所述第二冷却板交替间隔排布；所述第二冷却板内形成有通孔，所述第一冷却板在第二冷却板上的正投影覆盖所述第二冷却板的通孔。

7.根据权利要求1所述的冷阱装置，其特征在于：所述罐体的沉淀区上设有可视窗口，且所述可视窗口与所述罐体可拆卸密封连接。

8.根据权利要求7所述的冷阱装置，其特征在于：所述排气口位于所述沉淀区上，且所述排气口的高度高于所述可视窗口的高度。

9.一种尾气处理系统，用于对从反应腔室排出的尾气进行处理，其特征在于，所述尾气处理系统包括：

如权利要求1至8中任一项所述的冷阱装置；

抽气装置，包含进气口和排气口，所述抽气装置的进气口与所述冷阱装置的所述沉淀区的所述排气口相连接；

尾气处理装置，包含进气口和排气口，所述尾气处理装置的进气口与所述抽气装置的排气口相连接；

排气管路，连接于所述反应腔室与所述冷阱装置之间，所述冷阱装置与所述抽气装置之间及所述抽气装置与所述尾气处理装置之间，及，

至少一个阀门，所述阀门设置于连接所述反应腔室与所述冷阱装置之间的所述排气管路上。

10.一种半导体生产设备，其特征在于，所述半导体生产设备包括：

反应腔室；

如权利要求9所述的尾气处理系统，所述尾气处理系统中连接于所述反应腔室与所述冷阱装置之间的排气管路的一端与所述反应腔室的内部相连通。