CN207652685U - 非对称磁路发声装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种非对称磁路发声装置。该非对称磁路发声装置包括音圈和磁路系统，所述音圈置于所述磁路系统中；所述音圈具有引线段、非引线段和连接段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对位置，所述连接段将引线段与非引线段连接，所述引线段上延伸出引线；所述磁路系统中形成有磁间隙，至少所述引线段位于所述磁间隙中，所述磁路系统在与所述非引线段对应的位置处不形成磁间隙。本实用新型的非对称磁路发声装置能够平衡引线侧与非引线侧受到的作用力，减弱偏振。

Description

非对称磁路发声装置

技术领域

本实用新型属于电声换能技术领域，具体地，本实用新型涉及一种非对称磁路发声装置。

背景技术

发声装置是电子产品中用于将声音信号转化为声音的电子器件，其广泛应用于消费类电子产品中。手机、平板电脑等电子产品近年来发展迅速，技术更新快。相应的，发声装置的性能也需要提高，以满足电子产品的声学性能要求。

在现有技术中，电子产品中应用的发声装置通常为动圈式发声装置，这种发声装置通过引线和振膜悬挂音圈。但是，由于引线从音圈中引出，所以引线对音圈具有牵引作用力。在动圈式发声装置中，引线的牵引力有可能导致音圈的不同区域受到的力不一致。这一问题进一步会导致音圈的振动不平衡，使音圈在工作时容易出现偏振。

音圈的偏振问题一方面会影响发声装置的声学性能，无法满足电子产品对音质的要求；另一方面，有可能导致引线断线，对发声装置的使用寿命和可靠性形成了潜在风险。

所以需要对发声装置进行改进，减小或解决发声装置的偏振问题，进而提高声学性能和改善产品可靠性。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是，提供一种改进的发声装置。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种非对称磁路发声装置，包括音圈和磁路系统，所述音圈置于所述磁路系统中；所述音圈具有引线段、非引线段和连接段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对位置，所述连接段将引线段与非引线段连接，所述引线段上延伸出引线；所述磁路系统中形成有磁间隙，至少所述引线段位于所述磁间隙中，所述磁路系统在与所述非引线段对应的位置处不形成磁间隙。

可选地，所述磁路系统为单磁路系统，所述单磁路系统包括：下导磁板和中心磁体，所述中心磁体设置在所述下导磁板上；所述下导磁板具有侧壁，所述磁间隙位于所述侧壁与中心磁体之间，至少所述下导磁板与所述引线段对应的位置处具有侧壁，下导磁板与非引线段对应的位置处不具有侧壁。

可选地，所述下导磁板在与连接段对应的位置处具有侧壁。

可选地，所述磁路系统为双磁路系统，所述双磁路系统包括：中心磁体和边磁体，所述边磁体位于所述中心磁体周围；所述中心磁体与边磁体之间形成有所述磁间隙，至少所述引线段位于所述中心磁体与边磁体之间。

可选地，所述连接段位于所述边磁体与中心磁体之间。

可选地，所述双磁路系统还包括下导磁板，所述中心磁体和边磁体设置于所述下导磁板上。

可选地，所述下导磁板在与所述连接段对应的位置处具有侧壁，所述侧壁与所述中心磁体之间形成有磁间隙，所述连接段位于所述侧壁与中心磁体之间。

可选地，所述侧壁为从下导磁板延伸出的弯折侧壁。

可选地，所述单磁路系统或双磁路系统的非对称磁路发声装置，还包括中心华司，所述中心华司设置于所述中心磁体上。

可选地，所述的非对称磁路发声装置还包括壳体和振膜，所述磁路系统置于所述壳体内，所述音圈连接在所述振膜的一侧，所述振膜边缘与所述壳体连接，使所述音圈悬于所述磁路系统中。

本实用新型的一个技术效果在于：本实用新型的非对称磁路发声装置提供的非对称磁路系统能够平衡引线侧与非引线侧受到的作用力，减弱偏振。

本实用新型通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1是本实用新型具体实施方式提供的发声装置的侧面剖视图；

图2是本实用新型具体实施方式提供的发声装置的侧面剖视图；

图3是本实用新型具体实施方式提供的音圈与引线的结构示意图；

图4是本实用新型具体实施方式提供的下导磁板的结构示意图；

图5是本实用新型具体实施方式提供的边磁体和中心磁体的结构示意图；

图6是本实用新型具体实施方式提供的下导磁板的结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

本实用新型提供的非对称磁路发声装置包括音圈和磁路系统，如图1所示，所述音圈1置于所述磁路系统中，当音圈1通入声音信号后，磁路系统形成的磁场对音圈1产生电磁驱动力，进而驱动音圈振动。其中，音圈上未引出引线的部分受到的音圈牵引作用力较弱，能够更自由的振动。本实用新型使音圈未引出引线的部分不处在磁路系统产生的磁间隙中，受到的电磁驱动力相对较小。这样，能够使音圈引出有引线的部分与未引出引线的部分受到的作用力相对平衡。降低音圈产生偏振的可能性。

如图1-3所示，所述音圈1具有引线段12、非引线段13和连接段14。所述引线段12上延伸出引线11，所述引线段12为音圈1引出引线11的一段区域，所述非引线段13在整个音圈1中的位置和引线段12分布在音圈1的位置相对，所述连接段14将引线段12与非引线段13连接，形成一个完整的环状的音圈1。所述磁路系统中形成有磁间隙10，所述磁间隙10中形成有适于驱动音圈振动的匀强磁场或较强的磁场。至少所述引线段12位于所述磁间隙10中，所述连接段14对应的位置处可选地形成有磁间隙10或者不形成有磁间隙10，所述磁路系统在与所述非引线段13对应的位置处则不形成磁间隙10。

本实用新型所述音圈1的形状不限于如图3所示的矩形，也可以为椭圆等形状，这些音圈形状的改变，均属于本实用新型的保护范围。

本实用新型采用磁路的不对称的设计，在所述引线段12对应的位置设置磁间隙10，引线段12位于磁间隙10中；在所述非引线段13对应的位置处则不设置磁间隙10，非引线段13不位于磁间隙10中。这样，音圈的引线段12受到的电磁驱动力较强，即使引线段12受到引线牵引作用力的制约，仍能够达到发声装置所要求的振幅；而非引线段13不受引线牵引作用力的制约，相应的非引线段13受到的电磁驱动力相对较弱，以免非引线段13产生过大的振幅。通过这种设计，减弱了引线段12与非引线段13的振幅不平衡、偏振等问题，进而提高了发声装置的声学性能。由于引线段12与非引线段13的偏振问题得到控制，发声装置的断线、听音不良等问题得到了解决，改善了发声装置的声学性能和可靠性。

如图1所示，在本实用新型的一种可选实施方式中，所述磁路系统为单磁路系统。所述单磁路系统包括：下导磁板4和中心磁体5，所述中心磁体5设置在所述下导磁板4上，所述下导磁板4的至少一部分区域具有侧壁3。所述侧壁3包围在所述中心磁体5的周围，侧壁3与中心磁体5的侧表面之间留有一定宽度的间隙，所述磁间隙10位于所述侧壁3与中心磁体5之间。至少所述引线段12对应的下导磁板4处具有侧壁3，如图1所示，所述侧壁3与所述中心磁体5形成磁间隙10，所述引线段12位于磁间隙10中。非引线段13对应的下导磁板4处不具有侧壁3，不形成磁间隙10，进而非引线段13所对应位置处无磁间隙10。

进一步地，如图4所示，在上述实施方式中，所述下导磁板4在对应所述连接段14的位置处也可以形成侧壁3，并形成磁间隙10。这样，所述连接段14也位于磁间隙10中。发声装置工作时连接段14也受到较强的电磁驱动作用力。这样，所述音圈1能够产生的振幅更大，灵敏度较好。

可选地，本实用新型并不限制，是否必须在连接段14所对应的位置处形成磁间隙10。在可选地实施方式中，也可以在所述连接段14对应的下导磁板4处不形成侧壁3，进而不形成磁间隙10。本领域技术人员可以根据实际产品的应用环境和性能要求，对上述不同实施方式进行选择。

如图2所示，在本实用新型的另一种实施方式中，所述磁路系统为双磁路系统，所述双磁路系统包括：中心磁体5和边磁体8，所述边磁体8位于所述中心磁体5周围，边磁体8的侧表面与中心磁体5的侧表面之间留有一定宽度的间隙。所述中心磁体5与边磁体8之间的间隙构成所述磁间隙10。至少所述引线段12位于所述中心磁体5与边磁体8之间。所述中心磁体5与所述边磁体8之间形成有磁间隙10，所述引线段12位于磁间隙10中。非引线段13对应的位置处无边磁体8，不形成磁间隙10，进而非引线段13所对应位置处无磁间隙10。

进一步地，在上述实施方式中，所述连接段相对应的位置的外侧，设置有边磁体，并形成磁间隙。这样，所述连接段也位于磁间隙中，发声装置工作时连接段也受到较强的电磁驱动作用力。因此，所述音圈能够产生的振幅更大，灵敏度较好。

可选地，本实用新型并不限制，是否必须在连接段所对应的位置处形成磁间隙。在可选地实施方式中，也可以在所述连接段对应的位置处不设置边磁体，进而不形成磁间隙。本领域技术人员可以根据实际产品的应用环境和性能要求，对上述不同实施方式进行选择。

进一步地，所述引线段和连接段对应的边磁体可以分别为独立的一段，或者所述连接段对应的边磁体与所述引线段对应的边磁体为一个U型的整体。本实用新型不对所述边磁体的具体形状结构进行限制。

可选地，所述双磁路系统还可以包括下导磁板4，所述中心磁体5和边磁体8设置于所述下导磁板4上。进一步地，如图6所示，所述下导磁板4在与所述连接段12对应的位置处设置有侧壁3，所述侧壁3包围在所述中心磁体5的周围，侧壁3与中心磁体5的侧表面之间留有一定宽度的间隙，所述磁间隙10位于所述侧壁3与中心磁体5之间间隙处。所述连接段12位于所述侧壁3与中心磁体5之间，即所述连接段12位于所述磁间隙10中。在采用双磁路系统的非对称磁路发声装置中，可以采用边磁体与中心磁体形成磁间隙的方式，也可以采用边磁体、导磁板的侧壁与中心磁体组合形成磁间隙的方式，本实用新型不对此进行限制。

可选地，在上述采用了下导磁板4并且导磁板上具有侧壁3的实施方式中，所述侧壁3可是直接从下导磁板4上延伸出的弯折侧壁3，如图4所示。采用这种方式形成的侧壁3与下导磁板4是一体成型，具有结构简单、强度大、制作工艺简单等优点。

可选地，本实用新型所述下导磁板上形成侧壁并不只限制于上述所采用的方法，还可以采用其它方式在下导磁板上形成所述侧壁。可选地，所述侧壁3还可以通过焊接或粘接固定连接在下导磁板4上。侧壁为独立于下导磁板的单独部件。这些侧壁设置方式的改变，均属于本实用新型的保护范围。

可选地，所述非对称磁路装置还可以包括中心华司6，所述中心华司6设置于中心磁体5上，用于调整磁路系统的磁场。

可选地，所述非对称磁路发声装置可以还包括壳体7和振膜2，所述磁路系统设置于所述壳体内，所述音圈1连接在所述振膜2的一侧，所述振膜2的边缘与所述壳体7连接，使所述音圈1悬于所述磁路系统中。由于所述音圈1和所述振膜2相连，从而振膜2随着音圈1的振动一同产生振动，由振膜2振动引起空气的振动从而发出声音。

虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种非对称磁路发声装置，其特征在于，包括音圈和磁路系统，所述音圈置于所述磁路系统中；所述音圈具有引线段、非引线段和连接段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对位置，所述连接段将引线段与非引线段连接，所述引线段上延伸出引线；所述磁路系统中形成有磁间隙，至少所述引线段位于所述磁间隙中，所述磁路系统在与所述非引线段对应的位置处不形成磁间隙。

2.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述磁路系统为单磁路系统，所述单磁路系统包括：下导磁板和中心磁体，所述中心磁体设置在所述下导磁板上；所述下导磁板具有侧壁，所述磁间隙位于所述侧壁与中心磁体之间，至少所述下导磁板与所述引线段对应的位置处具有侧壁，下导磁板与非引线段对应的位置处不具有侧壁。

3.根据权利要求2所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述下导磁板在与连接段对应的位置处具有侧壁。

4.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述磁路系统为双磁路系统，所述双磁路系统包括：中心磁体和边磁体，所述边磁体位于所述中心磁体周围；所述中心磁体与边磁体之间形成有所述磁间隙，至少所述引线段位于所述中心磁体与边磁体之间。

5.根据权利要求4所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述连接段位于所述边磁体与中心磁体之间。

6.根据权利要求4所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述双磁路系统还包括下导磁板，所述中心磁体和边磁体设置于所述下导磁板上。

7.根据权利要求6所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述下导磁板在与所述连接段对应的位置处具有侧壁，所述侧壁与所述中心磁体之间形成有磁间隙，所述连接段位于所述侧壁与中心磁体之间。

8.根据权利要求2、3、7任意之一所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述侧壁为从下导磁板延伸出的弯折侧壁。

9.根据权利要求2或4所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，还包括中心华司，所述中心华司设置于所述中心磁体上。

10.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，还包括壳体和振膜，所述磁路系统置于所述壳体内，所述音圈连接在所述振膜的一侧，所述振膜边缘与所述壳体连接，使所述音圈悬于所述磁路系统中。