CN207200976U - 用于发声装置的振动组件以及发声装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种用于发声装置的振动组件以及发声装置。该振动组件包括振膜和音圈；所述振膜的一侧表面连接有音圈，所述音圈具有引线段、非引线段和连接段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对位置，所述连接段将引线段与非引线段连接，所述引线段上延伸出引线；所述振膜具有主折环部和副弯折段，所述副弯折段与所述主折环部连接，所述副弯折段位于与所述非引线段对应的位置；所述主折环部向振膜的一侧弯折，所述副弯折段向振膜另一侧弯折。本实用新型的一个技术效果在于，可以改善发声装置的偏振现象。

Description

用于发声装置的振动组件以及发声装置

技术领域

本实用新型属于声电换能技术领域，具体地，本实用新型涉及一种用于发声装置的振动组件以及发声装置。

背景技术

发声装置是电子产品中重要的发声部件，用于将声音信号转变成声音。近些年，随着电子产品的发展，对发声装置性能指标提出了更高的要求，要求扬声器具有更好的音质。

目前，通常采用的发声装置为动圈式发声装置，其中具有音圈，音圈上引出有引线。引线通常从音圈的一侧引出，这导致音圈及引线的整体结构不对称。在发声装置工作时，引线对音圈在引出引线的一侧和未引出引线的一侧的拉扯作用力不同。另一方面，为了防止出现引线音，引线上通常会进行涂胶，涂胶处理更加抑制了音圈引出有引线的一侧的振动。综合上述，现有发声装置易导致音圈出现偏振现象，使发声装置的声学性能余量降低。目前改善偏振问题的主要途径是使用定心支片与FPCB结构，改变音圈出线位置，避免结构不对称。但这种发声装置较无定心支片发声装置，成本增加了30％-40％。

所以需要一个新的技术方案，减小或解决发声装置的偏振问题，从而可以进一步提高声学性能。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种发声装置的振动组件。

根据本实用新型的一个方面，提供一种发声装置的振动组件，包括振膜和音圈；

所述振膜的一侧表面连接有音圈，所述音圈具有引线段、非引线段和连接段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对位置，所述连接段将引线段与非引线段连接，所述引线段上延伸出引线；

所述振膜具有主折环部和副弯折段，所述副弯折段与所述主折环部连接，所述副弯折段位于与所述非引线段对应的位置；

所述主折环部向振膜的一侧弯折，所述副弯折段向振膜另一侧弯折。

可选地，所述振膜还具有中心部和边缘部，所述主折环部围绕在所述中心部周围，所述边缘部位于所述主折环部的外围，所述副弯折段设置在所述主折环部和所述边缘部之间；

或者，所述副弯折段设置在所述主折环部和所述中心部之间。

可选地，与所述非引线段的位置对应的主折环部包括直线段和位于直线段两端的拐角段，所述副弯折段与所述直线段的位置对应并沿着所述直线段延伸。

可选地，所述副弯折段延伸至与直线段两端的拐角段对应的位置。

可选地，与所述非引线段相对应的主折环部的宽度，小于与所述引线段相对应的主折环部的宽度。

可选地，与所述非引线段相对应的主折环部与副弯折段的宽度之和，等于与所述引线段相对应的主折环部的宽度。

可选地，所述副弯折段与主折环部的宽度比小于1:3；所述副弯折段与主折环部的高度比小于1:3。

可选地，所述副弯折段内设置有阻尼材料。

可选地，所述阻尼材料为涂敷在副弯折段内的阻尼剂。

根据本实用新型的另一个方面，还提供了一种发声装置，包括壳体、磁路系统以及所述的振动组件，所述磁路系统和振动组件设置在所述壳体中，所述振膜的边缘连接在所述壳体上，所述音圈位于所述磁路系统中，所述磁路系统被配置为能驱动所述振动组件振动。

本实用新型的一个技术效果在于，可以改善发声装置的偏振现象。

通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1是本实用新型实施例一提供的振动组件的俯视结构示意图；

图2是本实用新型实施例一提供的振动组件的侧面剖视示意图；

图3是本实用新型实施例一提供的振动组件的侧面剖视示意图；

图4是本实用新型实施例二提供的振动组件的俯视结构示意图；

图5是本实用新型实施例二提供的振动组件的侧面剖视示意图；

图6是本实用新型实施例二提供的振动组件的侧面剖视示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

实施例一

本实用新型提供了一种用于发声装置的振动组件，可以改善发声装置的偏振现象。在图1-3所示的一种具体实施方式中，发声装置的振动组件包括振膜1和音圈2，所述音圈2连接于所述振膜1的一侧。所述音圈2具引线段21、非引线段22和连接段23，所述引线段21为音圈上引出引线24的一段，所述非引线段22在整个音圈2中的位置和所述引线段21分布在音圈2中的位置相对，所述连接段23将所述引线段21与非引线段22连接，形成一个闭合的音圈2。

特别地，所述振膜1上具有主折环部11和副弯折段12，所述主折环部1形成一个闭合的环状，所述副弯折段12设置于振膜1与音圈2的所述非引线段22相对应的位置，与所述主折环部11相邻。所述主折环部11向振膜的一侧弯折，所述副弯折段12向振膜的另一侧弯折。

所述副弯折段与主折环部的弯折朝向不同，音圈带动振膜进行振动时，副弯折段会产生的形变，进而抑制了主折环部的形变，抑制了非引线段对应的振膜的振幅，改善发声装置的偏振现象。同时，副折环段的设置，还占据了主折环部一定的宽度，使非引线段对应的振膜的主折环部宽度减小，更加抑制了音圈的非引线段振幅，发声装置的偏振现象进一步得到了改善。

进一步地，所述振膜1还具有中心部和边缘部，所述主折环部11围绕在所述中心部周围，所述边缘部位于所述主折环部11的外围，所述副弯折段12设置在所述主折环部11和所述中心部之间。

如图2所示，所述音圈2连接在振膜1上与副弯折段12的弯折方向相同的一侧。可选地，如图3所示，所述音圈2也可以连接在振膜1上与主折环部11的弯折方向相同的一侧。本实用新型对此不进行限制，具体设置音圈连接在振膜上与主折环部弯折方向相同或相反的一侧，技术人员可以根据发声装置的具体结构来进行设置。

所述振膜可以整体呈矩形结构，相应地，所述主折环部也呈近似矩形环状结构。主折环部具有直线段和位于直线段两端的拐角段，所述拐角段将各个直线段相互首尾连接。所述非引线段和引线段的位置分别与两个对称分布的直线段相对应。特别地，在与所述非引线段相对应的位置处，所述副弯折段与所述直线段的位置相对应，仅沿着所述直线段延伸分布。在这种实施方式中，所述副弯折段不会影响到拐角段的结构。可以在拐角段上布设花纹等结构，以改进振膜的声学性能。

但是，本实用新型并不限制所述副弯折段不能延伸到拐角段处。在其它可选的实施方式中，所述副弯折段也可以从与非引线段对应的直线段一直延伸到直线段的两端。进而延伸到与拐角段对应的位置。

特别地，与所述非引线段相对应的主折环部的宽度，优选小于与所述引线段相对应的主折环部的宽度。减小的宽度由副弯折段所占据。这样，与非引线段对应的主折环部的振动性能下降，能够起到平衡整体振动的作用。

进一步地，与所述非引线段相对应的主折环部与副弯折段的宽度之和，优选等于与所述引线段相对应的主折环部的宽度。这样可以保证振膜整体的结构对称性。

优选地，所述副弯折段12与所述主折环部11的宽度比小于1：3。当副弯折段12与主折环部11宽度比小于1:3时，所述副弯折段12能够适度的抑制所述主折环部11的形变，起到改善偏振现象的作用。若所述副弯折段12与主折环部11的宽度比较大，则所述副弯折段12起到抑制振幅的作用过强，有可能使所述主折环部11产生的振幅低于正常振幅需求。

优选地，所述副弯折段12与所述主折环部11的高度比小于1：3。当副弯折段12与主折环部11高度比小于1:3时，所述副弯折段12能够有效抑制所述主折环部11的形变，起到改善偏振现象的作用。若所述副弯折段12与主折环部11的高度比较大，则所述副弯折段12自身也能够产生较大振幅的形变。相应地，其所对主折环部11的振幅的抑制作用会降低。

优选地，在所述副弯折段12内涂抹有阻尼剂，阻尼剂能够减小副弯折段的形变能力，进而抑制非引线段处对应的振膜的自由振动，达到改善扬声器的偏振现象，提高发声装置产品的声学性能余量的效果。

可选地，上述阻尼剂也可以替换为其他具有阻尼性的物质，本申请对此不作限制，凡是能达到相同技术效果的方案，均属于本申请的保护范围。

优选地，如图2和图3所示，所述副弯折段12为凹槽状。凹槽状的结构可以用于承载阻尼剂，阻尼剂配置于凹槽状的副弯折段内。在给副弯折段涂抹阻尼胶时，凹槽可以起导向作用，便于自动化设备的涂胶作业，提高产品的生产效率。

可选地，上述副弯折段的可以为其他形状和结构，凡是能达到同样技术效果的形状均属于本申请的保护范围。

实施例二

本实用新型提供了一种用于发声装置的振动组件。在图4-6所示的一种具体实施方式中，发声装置的振动组件包括振膜1和音圈2，所述音圈2连接于所述振膜1的一侧。所述音圈2具引线段21、非引线段22和连接段23，所述引线段21为音圈上引出引线24的一段，所述非引线段22在整个音圈2中的位置和所述引线段21分布在音圈2中的位置相对，所述连接段23将所述引线段21与非引线段22连接，形成一个闭合的音圈2。

特别地，所述振膜1上具有主折环部11和副弯折段12，所述主折环部1形成一个闭合的环状，所述副弯折段12设置于振膜1与音圈2的所述非引线段22相对应的位置，与所述主折环部11相邻。所述主折环部11向振膜的一侧弯折，所述副弯折段12向振膜的另一侧弯折。

进一步地，所述振膜1还具有中心部和边缘部，所述主折环部11围绕在所述中心部周围，所述边缘部位于所述主折环部11的外围，所述副弯折段12设置在所述主折环部11和所述边缘部之间。

如图5所示，所述音圈2连接在振膜1上与副弯折段12的弯折方向相同的一侧。可选地，如图6所示，所述音圈2也可以连接在振膜1上与主折环部11的弯折方向相同的一侧。本实用新型对此不进行限制，具体设置音圈连接在振膜上与主折环部弯折方向相同或相反的一侧，技术人员可以根据发声装置的具体结构来进行设置。

优选地，与所述非引线段相对应的主折环部的宽度，小于与所述引线段相对应的主折环部的宽度。进一步地，与所述非引线段相对应的主折环部与副弯折段的宽度之和，等于与所述引线段相对应的主折环部的宽度。

优选地，所述副弯折段12与所述主折环部11的宽度比小于1:3。

优选地，所述副弯折段12与所述主折环部11的高度比小于1:3。

优选地，在所述副弯折段12内涂抹有阻尼剂。

可选地，上述阻尼剂也可以替换为其他具有阻尼性的物质，本申请对此不作限制，凡是能达到相同技术效果的方案，均属于本申请的保护范围。

优选地，如图5和图6所示，所述副弯折段12为凹槽状。

可选地，上述副弯折段的可以为其他形状和结构，凡是能达到同样技术效果的形状均属于本申请的保护范围。

本实用新型还提供了一种发声装置，包括壳体、磁路系统以及上述实施例一或实施例二提供的振动组件，所述磁路系统和振动组件设置在所述壳体中，所述此路系统驱动所述振动组件振动。

实施例一和实施例二提供的振动组件有效的改善了偏振的现象，因此，本实用新型的发声装置采用这种振动组件，偏振现象也能够得到有效改善，声学性能得到提升。

虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种用于发声装置的振动组件，其特征在于，包括振膜和音圈；

所述振膜的一侧表面连接有音圈，所述音圈具有引线段、非引线段和连接段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对位置，所述连接段将引线段与非引线段连接，所述引线段上延伸出引线；

所述振膜具有主折环部和副弯折段，所述副弯折段与所述主折环部连接，所述副弯折段位于与所述非引线段对应的位置；

所述主折环部向振膜的一侧弯折，所述副弯折段向振膜另一侧弯折。

2.根据权利要求1所述的振动组件，其特征在于，所述振膜还具有中心部和边缘部，所述主折环部围绕在所述中心部周围，所述边缘部位于所述主折环部的外围，所述副弯折段设置在所述主折环部和所述边缘部之间；

或者，所述副弯折段设置在所述主折环部和所述中心部之间。

3.根据权利要求1所述的振动组件，其特征在于，与所述非引线段的位置对应的主折环部包括直线段和位于直线段两端的拐角段，所述副弯折段与所述直线段的位置对应并沿着所述直线段延伸。

4.根据权利要求3所述的振动组件，其特征在于，所述副弯折段延伸至与直线段两端的拐角段对应的位置。

5.根据权利要求1所述的振动组件，其特征在于，与所述非引线段相对应的主折环部的宽度，小于与所述引线段相对应的主折环部的宽度。

6.根据权利要求5所述的振动组件，其特征在于，与所述非引线段相对应的主折环部与副弯折段的宽度之和，等于与所述引线段相对应的主折环部的宽度。

7.根据权利要求1所述的振动组件，其特征在于，所述副弯折段与主折环部的宽度比小于1:3；所述副弯折段与主折环部的高度比小于1:3。

8.根据权利要求1-7任一项所述的振动组件，其特征在于，所述副弯折段内设置有阻尼材料。

9.根据权利要求8所述的振动组件，其特征在于，所述阻尼材料为涂敷在副弯折段内的阻尼剂。

10.一种发声装置，其特征在于，包括壳体、磁路系统以及权利要求1-9任一项所述的振动组件，所述磁路系统和振动组件设置在所述壳体中，所述振膜的边缘连接在所述壳体上，所述音圈位于所述磁路系统中，所述磁路系统被配置为能驱动所述振动组件振动。