CN207926907U - 一种非对称磁路发声装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种非对称磁路发声装置。该非对称磁路发声装置包括音圈和磁路系统，所述音圈具有引线段和非引线段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对的位置，所述引线段上延伸出引线，所述磁路系统中形成有磁间隙，所述音圈位于所述磁间隙中，所述引线段所在的磁间隙的区域为引线磁间隙，所述非引线段所在的磁间隙的区域为非引线磁间隙；所述引线磁间隙的宽度小于所述非引线磁间隙的宽度。本实用新型非对称磁路发声装置可以平衡引线段与非引线段受到的作用力，减弱偏振。

Description

一种非对称磁路发声装置

技术领域

本实用新型属于电声换能技术领域，具体地，涉及一种非对称磁路发声装置。

背景技术

发声装置是电子产品中用于将声音信号转化为声音的电子器件，其广泛应用于消费类电子产品中。手机、平板电脑等电子产品近年来发展迅速，技术更新快。相应的，发声装置的性能也需要提高，以满足电子产品的声学性能要求。

在现有技术中，电子产品中应用的发声装置通常为动圈式发声装置，这种发声装置通过引线和振膜悬挂音圈。但是，由于引线从音圈中引出，所以引线对音圈具有牵引作用力。在动圈式发声装置中，引线的牵引力有可能导致音圈的不同区域受到的力不一致。这一问题进一步会导致音圈的振动不平衡，使音圈在工作时容易出现偏振。

音圈的偏振问题一方面会影响发声装置的声学性能，无法满足电子产品对音质的要求；另一方面，有可能导致引线断线，对发声装置的使用寿命和可靠性形成了潜在风险。

所以需要对发声装置进行改进，减小或解决发声装置的偏振问题，进而提高声学性能和改善产品可靠性。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是，提供一种改进的发声装置。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种非对称磁路发声装置，包括音圈和磁路系统，所述音圈具有引线段和非引线段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对的位置，所述引线段上延伸出引线，所述磁路系统中形成有磁间隙，所述音圈位于所述磁间隙中，所述引线段所在的磁间隙的区域为引线磁间隙，所述非引线段所在的磁间隙的区域为非引线磁间隙；所述引线磁间隙的宽度小于所述非引线磁间隙的宽度。

可选地，所述非引线磁间隙的宽度与引线磁间隙的宽度的比例范围为1.1-1.4。

可选地，所述磁路系统为单磁路系统，包括中心磁体和下导磁板，所述下导磁板上具有侧壁，所述中心磁体设置于下导磁板上，所述中心磁体和侧壁之间形成有所述磁间隙。

可选地，所述磁路系统为双磁路系统，包括中心磁体和边磁体，所述边磁体设置于中心磁体的周围，所述中心磁体和边磁体之间形成有所述磁间隙。

可选地，所述音圈还具有连接段，所述连接段将引线段与非引线段连接。

可选地，所述连接段所在的磁间隙的宽度等于所述引线磁间隙的宽度。

可选地，连接段所处的磁间隙的宽度等于所述非引线磁间隙的宽度。

可选地，所述侧壁为从所述下导磁板上延伸出的弯折侧壁。

可选地，所述双磁路系统还包括下导磁板，所述中心磁体和边磁体设置在所述下导磁板上，所述音圈还具有连接段，所述连接段将引线段与非引线段连接，所述下导磁板形成有侧壁，所述侧壁与所述中心磁体之间形成有磁间隙，所述连接段位于所述侧壁与中心磁体之间。

可选地，上述非对称磁路发声装置还包括振膜、壳体以及中心华司；所述磁路系统设置在所述壳体中，所述音圈连接在所述振膜的一侧，所述振膜的边缘与壳体连接，所述中心华司设置在所述中心磁体上。

本实用新型的一个技术效果在于：本实用新型的非对称磁路发声装置能够平衡引线段与非引线段受到的作用力，减弱偏振。

实用新型通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1是本实用新型具体实施方式提供的发声装置的侧面剖视图；

图2是本实用新型具体实施方式提供的发声装置的侧面剖视图；

图3是本实用新型具体实施方式提供的音圈与引线的结构示意图；

图4是本实用新型具体实施方式提供的中心磁体与边磁体的结构示意图；

图5是本实用新型具体实施方式提供的下导磁板的结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

本实用新型提供了一种非对称磁路发声装置，包括音圈5和磁路系统，所述磁路系统中形成有磁间隙，音圈5位于所述磁间隙中，如图1所示。当音圈1通入声音信号后，磁路系统形成的磁场对音圈1产生电磁驱动力，进而驱动音圈振动。其中，音圈上未引出引线的部分受到的音圈牵引作用力较弱，能够更自由的振动。本实用新型使音圈未引出引线的部分所处的磁间隙较宽，受到的电磁驱动力相对较小。这样，能够使音圈引出有引线的部分与未引出引线的部分受到的作用力相对平衡。降低音圈产生偏振的可能性。

如图1-3所示，音圈5具有引线段11和非引线段12。引线14通常从音圈5的一侧引出，音圈5的另一侧则不引出引线，引出引线的一侧与不引出引线的一侧在音圈整体上分布在相对的位置处。引出有引线14的区域为音圈的引线段11，音圈5上与所述引线段11相对的区域为非引线段12。当音圈5在通入声音信号后，磁路系统形成的磁场对音圈5产生电磁驱动力，驱动音圈振动，进而使发声装置产生声音。

本实用新型所述音圈1的形状不限于如图3所示的矩形，也可以为椭圆等形状，这些音圈形状的改变，均属于本实用新型的保护范围。

所述磁间隙中可以形成有匀强磁场或者场强较强的磁场，便于驱动音圈5振动。所述引线段11所在的磁间隙的区域为引线磁间隙1，所述非引线段12所在的磁间隙的区域为非引线磁间隙2。特别地，所述引线磁间隙1的宽度小于所述非引线磁间隙2的宽度。磁间隙的宽度越小，所能产生的磁场强度越强，进而能够对音圈产生更强的电磁驱动作用力；相反的，磁间隙的宽度越宽，所能产生的磁场强度越弱，对音圈产生的点此驱动作用力越弱。本实用新型通过上述调节引线磁间隙1与非引线磁间隙2的宽度大小，使非引线段12受到的驱动力较弱，以免非引线段产生过大的振幅；使引线段11受到的驱动力较强，即使引线段受到引线牵引作用力的制约，仍能够达到发声装置所要求的振幅。

通过这种配置方式，可以平衡引线段与非引线段的受力，从而防止引线14由于受力不平衡而出现断线的情况，进一步地，减小或解决产品的偏振问题，提高声学性能。

在本实用新型的一种可选实施方式中，所述磁路系统为单磁路系统。参考图2，所述单磁路系统括中心磁体8和下导磁板9，所述下导磁板9上具有侧壁10，所述中心磁体8设置于下导磁板9上，所述侧壁10在中心磁体8周围，此侧壁10与中心磁体8之间留有空隙，该空隙构成所述磁间隙，侧壁10和中心磁体8之间的距离为磁间隙的宽度。该下导磁板9的侧壁10可以是下导磁板9本身弯折延伸出的一部分，也可以是额外的焊接或粘接上的侧壁10结构。本实用新型不对侧壁10具体的形成方式做出限定，可以根据实际的应用情况做出选择。中心磁体8与下导磁板9的侧壁10之间形成的磁间隙用于放置音圈5，引线段11与非引线段12处于其中。

在本实用新型的另一种可选实施方式中，所述磁路系统为双磁路系统。参考图1，包括中心磁体8和边磁体7。所述边磁体7设置于中心磁体8的周围，所述中心磁体8和边磁体7之间形成有所述磁间隙。该中心磁体8与边磁体7之间形成的磁间隙为放置音圈5的磁间隙，引线段11和非引线段12位于其中。用于形成上述引线磁间隙1和非引线磁间隙2的边磁体可以是分别独立的边磁体7，两块边磁体分别设置在中心磁体8的两侧。

在本实用新型的一种可选实施例中，如图3所示，所述音圈5还具有连接段13，所述连接段13将引线段11与非引线段12首尾相连，形成完整的环状音圈5结构。连接段13也可以位于磁间隙中。发声装置工作时连接段13也受到较强的电磁驱动作用力。这样，所述音圈5能够产生的振幅更大，灵敏度较好。

可选地，在上述音圈5具有连接段13的实施方式中，所述连接段13所处的磁间隙的宽度可以等于所述引线磁间隙1的宽度。在发声装置工作时，连接段13受到的电磁驱动作用力更强，使得音圈5整体能够产生更大的振幅，提高灵敏度，发声装置的声学性能更好。

可选地，在上述音圈5具有连接段13的实施方式中，所述连接段13所处的磁间隙的宽度也可以等于所述非引线磁间隙2的宽度。在发声装置工作时，连接段13受到的电磁驱动作用力相对较小，可以增加音圈5的平稳性，提高发声装置的结构可靠性，减小断线等情况的发生。

需要说明的是，本实用新型并不限制连接段所对应的位置处形成的磁间隙宽度是否和引线段磁间隙或非引线磁间隙的宽度大小一样。本领域技术人员可以根据实际产品的应用环境和性能要求，选择不同的实施方式。

本实用新型一种优选地实施例中，参考图1、3、4、5，磁路系统为双磁路系统，其中还包括下导磁板9，中心磁体8和边磁体7设置在下导磁板9上。中心磁体8与边磁体7之间形成有磁间隙。下导磁板9形成有侧壁10，侧壁10与中心磁体8之间也形成有磁间隙。音圈5还具有连接段13，连接段13将引线段1与非引线段2连接。所述连接段13位于侧壁10与中心磁体8之间。引线磁间隙1和非引线磁间隙2则分别位于中心磁体8和边磁体7之间。

在本实用新型实施例中，优选地，所述非引线磁间隙2的宽度与引线磁间隙1的宽度的比例范围为1.1-1.4。宽度比例在此范围内可以有效地平衡引线段与非引线段之间受到的作用力，达到平衡振动的效果。进一步地，能够有效提高发声装置的声学性能。本实用新型并不限制非引线磁间隙与引线磁间隙的比例必须在此范围内，可以根据具体的使用情况，将比例配置为上述范围之外的值。

在本实用新型提供的非对称磁路发声装置中，还可以包括振膜3、壳体6以及中心华司4，如图1所示。所述磁路系统可以设置在所述壳体6中，所述中心华司4设置在所述中心磁体8上。所述音圈5连接在所述振膜3的一侧，所述振膜3的边缘与壳体6连接。非对称磁路发声装置工作时，引线14将声音信号传入音圈5，音圈5在磁场产生的点此驱动作用力下发生振动，从而振膜3随着音圈5的振动一同产生振动，由振膜3振动引起空气的振动从而发出声音。

虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种非对称磁路发声装置，其特征在于，包括音圈和磁路系统，所述音圈具有引线段和非引线段，所述引线段和非引线段分布在音圈的相对的位置，所述引线段上延伸出引线，所述磁路系统中形成有磁间隙，所述音圈位于所述磁间隙中，所述引线段所在的磁间隙的区域为引线磁间隙，所述非引线段所在的磁间隙的区域为非引线磁间隙；所述引线磁间隙的宽度小于所述非引线磁间隙的宽度。

2.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述非引线磁间隙的宽度与引线磁间隙的宽度的比例范围为1.1-1.4。

3.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述磁路系统为单磁路系统，包括中心磁体和下导磁板，所述下导磁板上具有侧壁，所述中心磁体设置于下导磁板上，所述中心磁体和侧壁之间形成有所述磁间隙。

4.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述磁路系统为双磁路系统，包括中心磁体和边磁体，所述边磁体设置于中心磁体的周围，所述中心磁体和边磁体之间形成有所述磁间隙。

5.根据权利要求1所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述音圈还具有连接段，所述连接段将引线段与非引线段连接。

6.根据权利要求5所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述连接段所在的磁间隙的宽度等于所述引线磁间隙的宽度。

7.根据权利要求5所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述连接段所处的磁间隙的宽度等于所述非引线磁间隙的宽度。

8.根据权利要求3所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述侧壁为从所述下导磁板上延伸出的弯折侧壁。

9.根据权利要求4所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，所述双磁路系统还包括下导磁板，所述中心磁体和边磁体设置在所述下导磁板上，所述音圈还具有连接段，所述连接段将引线段与非引线段连接，所述下导磁板形成有侧壁，所述侧壁与所述中心磁体之间形成有磁间隙，所述连接段位于所述侧壁与中心磁体之间。

10.根据权利要求3或4所述的非对称磁路发声装置，其特征在于，还包括振膜、壳体以及中心华司；所述磁路系统设置在所述壳体中，所述音圈连接在所述振膜的一侧，所述振膜的边缘与壳体连接，所述中心华司设置在所述中心磁体上。