CN207495157U - 一种半导体晶圆减薄装置 - Google Patents
一种半导体晶圆减薄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207495157U CN207495157U CN201721238327.8U CN201721238327U CN207495157U CN 207495157 U CN207495157 U CN 207495157U CN 201721238327 U CN201721238327 U CN 201721238327U CN 207495157 U CN207495157 U CN 207495157U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grinding wheel
- thinning device
- semiconductor crystal
- crystal wafer
- wafer thinning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种半导体晶圆减薄装置,包括减薄装置,所述减薄装置下侧设置有机组箱,在机组箱上表面固定安装有升降台,所述升降台上侧设置有固定板,在固定板上表面固定安装有吸附平台,所述机组箱两侧设置有左撑杆和右撑杆,所述机组箱和所述控制柜通过右撑杆固定连接,所述左撑杆和所述右撑杆顶部固定安装有横梁,在横梁中部设置有固定块,所述固定块内部设置有液压轴,在液压轴下端固定安装有转轴板;该一种半导体晶圆减薄装置,粗磨轮、细磨轮和精磨轮可同时工作,大大提高了工作效率,吸附平台中间设置有真空吸口,在减薄时,可以更加稳固硅片,提高合格率,细磨轮和精磨轮内部设置有伸缩轴,可以精准硅片的厚度。
Description
技术领域
本实用新型涉及减薄装置领域,特别涉及一种半导体晶圆减薄装置。
背景技术
集成电路制造技术的进步首先来源于市场需求的要求,其次是竞争的要求。在集成电路制造中,半导体硅材料由于其资源丰富,制造成本低,工艺性好,是集成电路重要的基体材料,从集成电路断面结构来看,大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的要求,对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求,因此在几百道工艺流程中,不可采用较薄的晶片,只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片,通常在集成电路封装前,需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺,对应装备就是晶片减薄机;
但是目前减薄装置只有一个精磨砂轮,而半导体圆片级封装领域对同一片晶圆又有不同的研磨品质的要求,例如有些产品需进行粗磨、细磨和精磨,其作业顺序只能是:先进行硅面粗磨减薄,再洗磨减薄,最后进行精磨减薄,这样导致需要多次进行磨轮的更换,不但浪费材料,还大大降低了设备的利用率
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种半导体晶圆减薄装置。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案为一种半导体晶圆减薄装置,包括减薄装置,所述减薄装置下侧设置有机组箱,在机组箱上表面固定安装有升降台,所述升降台上侧设置有固定板,在固定板上表面固定安装有吸附平台,所述机组箱两侧设置有左撑杆和右撑杆,所述机组箱和所述控制柜通过右撑杆固定连接,所述左撑杆和所述右撑杆顶部固定安装有横梁,在横梁中部设置有固定块,所述固定块内部设置有液压轴,在液压轴下端固定安装有转轴板,所述转轴板设置有粗磨轮、细磨轮和精磨轮,所述粗磨轮、所述细磨轮和所述精磨轮下端设置有磨齿,所述控制柜顶部设置有报警器,在报警器下侧固定安装有显示屏,所述显示屏左侧设置有开关,所述显示屏下端固定安装有操作键盘。
进一步的,所述粗磨轮、所述细磨轮和所述精磨轮的磨齿是金刚石材质,且粗磨轮的磨齿是粗糙度最大,精磨轮的磨齿粗糙度最小。
进一步的,所述吸附平台中间设置有真空吸口。
进一步的,所述吸附平台周围设置有密封环。
进一步的,所述转轴板与固定板的圆心在同一条直线上,且转轴板可旋转,每次旋转120°。
进一步的,所述粗磨轮所述细磨轮和所述精磨轮内部设置有伸缩轴。
本实用新型的有益效果是:该一种半导体晶圆减薄装置,粗磨轮、细磨轮和精磨轮可同时工作,大大提高了工作效率,细磨轮和精磨轮内部设置有伸缩轴,可以精准硅片的厚度,磨齿是金刚石材质,粗磨轮的磨齿是粗糙度最大,精磨轮的磨齿粗糙度最小,提高磨齿使用寿命且提高减薄效率,吸附平台中间设置有真空吸口,可以更加稳固硅片,在减薄时可以防止因为放置不牢固导致硅片损坏。
附图说明
图1为本实用新型整体外观图;
图2为本实用新型转轴板示意图;
图3为本实用新型固定板示意图;
图4为本实用新型磨轮示意图。
图中,1-机组箱,2-左撑杆,3-升降台,4-固定板,5-转轴板,6-液压轴,7-减薄装置,8-固定块,9-横梁,10-右撑杆,11-报警器,12-开关,13-显示屏,14-操作键盘,15-控制柜,16-粗磨轮,17-细磨轮,18-精磨轮,19-吸附平台,20-磨齿。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是,对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型,但并不构成对本实用新型的限定。此外,下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
请参阅图1、图2、图3和图4,本实用新型提供一种技术方案:一种半导体晶圆减薄装置,包括减薄装置7,减薄装置7下侧设置有机组箱1,在机组箱1上表面固定安装有升降台3,升降台3上侧设置有固定板4,在固定板4上表面固定安装有吸附平台19,吸附平台19周围设置有密封环,起到密封作用,提高真空度,吸附平台19中间设置有真空吸口,在减薄时,可以更加稳固硅片,机组箱1两侧设置有左撑杆2和右撑杆10,机组箱1和控制柜15通过右撑杆10固定连接,左撑杆2和右撑杆10顶部固定安装有横梁9,在横梁9中部设置有固定块8,固定块8内部设置有液压轴6,在液压轴6下端固定安装有转轴板5,转轴板5与固定板4的圆心在同一条直线上,且转轴板5可旋转,每次旋转120°,为了更加精准且有效率的减薄,转轴板5设置有粗磨轮16、细磨轮17和精磨轮18,粗磨轮16、细磨轮17和精磨轮18下端设置有磨齿20,粗磨轮16、细磨轮17和精磨轮18的磨齿20是金刚石材质,提高磨齿20使用寿命,粗磨轮16的磨齿20是粗糙度最大,精磨轮18的磨齿20粗糙度最小,提高减薄效率,细磨轮17和精磨轮18内部设置有伸缩轴,可以精准硅片的厚度,控制柜15顶部设置有报警器11,在报警器11下侧固定安装有显示屏13,显示屏13左侧设置有开关12,显示屏13下端固定安装有操作键盘14。
本实用新型可以起到以下作用:
(1)细磨轮和精磨轮内部设置有伸缩轴,有利于可以精准硅片的厚度;
(2)磨齿是金刚石材质,粗磨轮的磨齿是粗糙度最大,精磨轮的磨齿粗糙度最小,有利于提高磨齿使用寿命且提高减薄效率;
(3)吸附平台中间设置有真空吸口,在减薄时,有利于可以更加稳固硅片;
以上结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明,但本实用新型不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言,在不脱离本实用新型原理和精神的情况下,对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型,仍落入本实用新型的保护范围内涉及减薄装置技术领域。
Claims (6)
1.一种半导体晶圆减薄装置,包括减薄装置(7),其特征在于:所述减薄装置(7)下侧设置有机组箱(1),在机组箱(1)上表面固定安装有升降台(3),所述升降台(3)上侧设置有固定板(4),在固定板(4)上表面固定安装有吸附平台(19),所述机组箱(1)两侧设置有左撑杆(2)和右撑杆(10),所述机组箱(1)和设有的控制柜(15)通过右撑杆(10)固定连接,所述左撑杆(2)和所述右撑杆(10)顶部固定安装有横梁(9),在横梁(9)中部设置有固定块(8),所述固定块(8)内部设置有液压轴(6),在液压轴(6)下端固定安装有转轴板(5),所述转轴板(5)设置有粗磨轮(16)、细磨轮(17)和精磨轮(18),所述粗磨轮(16)、所述细磨轮(17)和所述精磨轮(18)下端设置有磨齿(20),所述控制柜(15)顶部设置有报警器(11),在报警器(11)下侧固定安装有显示屏(13),所述显示屏(13)左侧设置有开关(12),所述显示屏(13)下端固定安装有操作键盘(14)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆减薄装置,其特征在于:所述粗磨轮(16)、所述细磨轮(17)和所述精磨轮(18)的磨齿(20)是金刚石材质,且粗磨轮(16)的磨齿(20)是粗糙度最大,精磨轮(18)的磨齿(20)粗糙度最小。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆减薄装置,其特征在于:所述吸附平台(19)中间设置有真空吸口。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆减薄装置,其特征在于:所述吸附平台(19)周围设置有密封环。
5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆减薄装置,其特征在于:所述转轴板(5)与固定板(4)的圆心在同一条直线上,且转轴板(5)可旋转,每次旋转120°。
6.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆减薄装置,其特征在于: 所述粗磨轮所述细磨轮(17)和所述精磨轮(18)内部设置有伸缩轴。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201721238327.8U CN207495157U (zh) | 2017-09-26 | 2017-09-26 | 一种半导体晶圆减薄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201721238327.8U CN207495157U (zh) | 2017-09-26 | 2017-09-26 | 一种半导体晶圆减薄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN207495157U true CN207495157U (zh) | 2018-06-15 |
Family
ID=62498821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201721238327.8U Active CN207495157U (zh) | 2017-09-26 | 2017-09-26 | 一种半导体晶圆减薄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN207495157U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109676515A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-26 | 江苏纳沛斯半导体有限公司 | 一种带清洗功能的半导体晶圆研磨装置 |
-
2017
- 2017-09-26 CN CN201721238327.8U patent/CN207495157U/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109676515A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-26 | 江苏纳沛斯半导体有限公司 | 一种带清洗功能的半导体晶圆研磨装置 |
CN109676515B (zh) * | 2018-12-26 | 2020-09-11 | 江苏纳沛斯半导体有限公司 | 一种带清洗功能的半导体晶圆研磨装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4986568B2 (ja) | ウエーハの研削加工方法 | |
CN203380772U (zh) | 化学机械研磨修整器 | |
CN104733300B (zh) | 一种键合晶片的减薄方法 | |
CN207495157U (zh) | 一种半导体晶圆减薄装置 | |
CN203817995U (zh) | 研磨砂轮结构 | |
CN106625204A (zh) | 一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法 | |
CN104992921B (zh) | 一种大尺寸超薄晶圆的夹持装置 | |
CN103870813A (zh) | 指纹传感器和电子设备 | |
CN103878680B (zh) | 降低晶圆被刮伤的方法、化学机械研磨机台及清洗器 | |
CN105150120B (zh) | 一种Roll‑to‑Roll化学机械抛光机用固结磨料抛光辊的刚性层及其制备方法 | |
CN101941180B (zh) | 化学机械抛光方法 | |
CN202952160U (zh) | 一种化学机械抛光修整器 | |
CN204149007U (zh) | 一种研磨垫调整器 | |
CN105215840B (zh) | 一种硅通孔的减薄方法 | |
CN110253421A (zh) | Iii-v族半导体晶圆的减薄方法 | |
CN104576350A (zh) | 晶圆减薄方法 | |
CN103029035A (zh) | 一种研磨垫及利用该研磨垫进行研磨时的损耗检测方法 | |
CN107891459A (zh) | Pcb电路板加工装置 | |
CN102044408B (zh) | 用于动态调整化学机械抛光速率的方法 | |
CN103522167B (zh) | 研磨头及研磨装置 | |
CN207058334U (zh) | 一种新型研磨机 | |
CN207309690U (zh) | 一种可循环晶片研磨装置 | |
CN102962762A (zh) | 晶圆研磨用承载盘组件 | |
CN209078512U (zh) | 一种芯片夹具抛光研磨装置 | |
CN102800580B (zh) | 抛光方法以及栅极的形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 230000 in Hefei Comprehensive Bonded Zone, Xinzhan District, Hefei City, Anhui Province Patentee after: Hefei xinhuicheng Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 230000 in Hefei Comprehensive Bonded Zone, Xinzhan District, Hefei City, Anhui Province Patentee before: Hefei Xinhuicheng Microelectronics Co.,Ltd. |