CN207458922U - 一种高压mos管的封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种高压MOS管的封装结构，包括底板、焊接于底板上端的过渡层、焊接在过渡层上端的芯片、以及连接于底板的散热器，所述散热器间隔设有若干散热片，本实用新型通过将散热器设置为多个分立的散热片，增加了散热面积，从而提高了空气对流效率及热辐射效率，加快了散热速度，提高整个高压MOS管的散热效能，从而提高了MOS管的可靠性。

Description

一种高压MOS管的封装结构

技术领域

本实用新型涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种高压MOS管的封装结构。

背景技术

新一代半导体功率器件场效应晶体管，具有很低的导通电阻，输入阻抗高、驱动电流小、开关速度快、动态损耗小以及热稳定性高等优异性能，广泛应用在电源电路、电机调速、汽车电器等领域。

场效应晶体管的高压大电流的工作条件使得其功耗及自热效应相当明显，而温度的升高又必然会加速微电子器件的性能退化和参数嬗变，对其可靠性造成严重影响甚至引起器件的失效和系统故障，因此，要提高MOS功率晶体管的可靠性，降低失效率，首先要改善其散热性能。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本实用新型的目的在于提供一种散热性能好的高压MOS管的封装结构。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种高压MOS管的封装结构，包括底板、焊接于底板上端的过渡层、焊接在过渡层上端的芯片、以及连接于底板的散热器，所述散热器间隔设有若干散热片。

进一步的，所述散热器的宽度为5-15mm。

进一步的，散热器的宽度为10mm。

进一步的，散热片为铝片或铜片，散热片的长度为6-8mm。

进一步的，散热片的数量为5-8片，散热片均匀的分布于散热器的底部。

进一步的，过渡层包括从下往上依次贴合的第一铜层、陶瓷层、第二铜层。

进一步的，过渡层中的第一铜层、陶瓷层、第二铜层的厚度比为1：5：1。

进一步的，底板的厚度与过渡层的厚度之和为12mm。

进一步的，底板的厚度为7mm，过渡层的厚度为5mm。

进一步的，过渡层2中第一铜层、陶瓷层及第二铜层的厚度分别为0.8mm、3.5mm、0.7mm。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型通过将散热器设置为多个分立的散热片，增加了散热面积，从而提高了空气对流效率及热辐射效率，加快了散热速度，提高整个高压MOS管的散热效能，从而提高了MOS管的可靠性。

附图说明

图1是本实用新型的剖面示意图。

附图标记为：

1-底板； 2-过渡层； 3-IGBT芯片；

4-散热器； 21-第一铜层； 22-陶瓷层；

23-第二铜层； 41-散热片。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。

请参阅附图1，一种高压MOS管的封装结构，包括底板1、焊接于底板1上端的过渡层2、焊接在过渡层2上端的芯片、以及连接于底板1的散热器4，所述散热器4间隔设有若干散热片41。

本实用新型通过将散热器4设置为多个分立的散热片41，增加了散热面积，从而提高了空气对流效率及热辐射效率，加快了散热速度，提高整个高压MOS管的散热效能，从而提高了MOS管的可靠性。

进一步的，所述散热器4的宽度为10mm，且其宽度大于底板1的宽度。

本实用新型通过设置将散热器4的宽度设置为大于底板1的宽度，提高了散热效率。

进一步的，散热片41为铝片或铜片，散热片41的长度为8mm。

本实用新型通过将散热片41的长度设置为8mm，保证了好的散热效能的同时，节约空间，减少器件的尺寸，并节约成本。

进一步的，散热片41的数量为5-8片，散热片41均匀分布于散热器4的底部。

本实用新型通过将散热片41均匀的分布于散热器4，使得气流均匀流过散热片41，散热均匀，提高器件的热稳定性。

进一步的，过渡层2包括从下往上依次贴合的第一铜层21、陶瓷层22、第二铜层23。

本实用新型的过渡层2从下到上依次设置为第一铜层21、陶瓷层22、第二铜层23，使得封装器件的散热能力更强，且采用陶瓷层22作为过渡层2的中间层，使得整个器件重量减轻，适合器件轻量化的要求，另外，陶瓷层22于铜层可通过超声波焊接牢固的结合在一起，提高了器件的抗震能力。

进一步的，过渡层2中的第一铜层21、陶瓷层22、第二铜层23的厚度比为1：5：1。

本实用新型通过设置过渡层2中的第一铜层21、陶瓷层22、第二铜层23的厚度比为1：5：1，可保证散热性能好的同时，减轻器件质量，节约成本。

进一步的，底板1的厚度与过渡层2的厚度之和为12mm。

优选的，底板1的厚度为7mm，过渡层2的厚度为5mm。

经试验验证，通过将底板1的厚度为7mm，过渡层2的厚度为5mm，器件的散热效果最佳。

进一步的，过渡层2中第一铜层21、陶瓷层22及第二铜层23的厚度分别为0.8mm、3.5mm、0.7mm。

本实用新型通过设计底板1厚度为5mm，过渡层2中第一铜层21、陶瓷层22及第二铜层23的厚度分别为0.8mm、3.5mm、0.7mm时，封装器件导热性能最佳，且生产成本较低。

上述实施例为本实用新型较佳的实现方案，除此之外，本实用新型还可以其它方式实现，在不脱离本实用新型构思的前提下任何显而易见的替换均在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种高压MOS管的封装结构，其特征在于：包括底板、焊接于底板上端的过渡层、焊接在过渡层上端的芯片、以及连接于底板的散热器，所述散热器间隔设有若干散热片，所述散热片的数量为5-8片，散热片均匀的分布于散热器的底部，所述过渡层包括从下往上依次贴合的包括第一铜层、陶瓷层、第二铜层，所述第一铜层、陶瓷层、第二铜层的厚度比为1：5：1。

2.根据权利要求1所述的一种高压MOS管的封装结构，其特征在于：所述散热器的宽度为5-15mm。

3.根据权利要求2所述的一种高压MOS管的封装结构，其特征在于：所述散热器的宽度为10mm。

4.根据权利要求3所述的一种高压MOS管的封装结构，其特征在于：所述散热片为铝片或铜片，散热片的长度为6-8mm。

5.根据权利要求1所述的一种高压MOS管的封装结构，其特征在于：所述底板的厚度与过渡层的厚度之和为12mm。

6.根据权利要求5所述的一种高压MOS管的封装结构，其特征在于：底板的厚度为7mm，过渡层的厚度为5mm。

7.根据权利要求6所述的一种高压MOS管的封装结构，其特征在于：过渡层中第一铜层、陶瓷层及第二铜层的厚度分别为0.8mm、3.5mm、0.7mm。