CN207361798U - 一种多晶硅还原炉喷气嘴 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于多晶硅生产技术领域,具体的说是涉及一种多晶硅还原炉喷气嘴,主要是为了提供一种多晶硅还原炉喷气嘴结构，有效的提高多晶硅还原炉在喷射混合气体过程中的喷射效率,提高了一种多晶硅还原炉喷气嘴,该多晶硅还原炉喷气嘴主要由喷气底座、中间套管和喷气板组成；在喷气底座的中心设置有进气口，在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口，喷气板采用圆盘型结构设置，在喷气板上还开设有与射流喷射口相连通的喷气口,该结构设置的多晶硅还原炉喷气嘴，有效的提高了多晶硅还原炉在喷射混合气体过程中的喷射效率，同时也有效的节约了企业的生产资源，降低了企业的生产成本，提高了企业的经济效益。
Description
技术领域
本实用新型属于多晶硅生产技术领域；具体的说是涉及一种多晶硅还原炉喷气嘴。
背景技术
多晶硅属于单质硅的一种形态；其在高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用；具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料；多晶硅又是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料；多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法，西门子法则主要通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，硅芯作为改良西门子法工艺生产多晶硅，还原炉内多晶硅料沉积的载体，它的表面洁净程度直接影响到多晶硅成品的品质；在西门子法工艺生产多晶硅的过程中，其设备主要为还原炉设备，其通过通电高温硅芯将三氯氢硅与氢气的混合气体反应，生成多晶硅并沉积在硅芯上，最终获得沉积在硅芯上的多晶硅，但是通常使用的多晶硅还原炉喷气嘴结构单一，喷射混合气体的效率低，且在喷射气体的过程中由于喷头设备内部沿程阻力的影响，喷射的气体并不能很好的与高温硅芯反应，也给企业带来了生产资源的浪费。
发明内容
本实用新型的发明目的：
主要是为了提供一种多晶硅还原炉喷气嘴结构，有效的提高多晶硅还原炉在喷射混合气体过程中的喷射效率，提高多晶硅的生产产量，同时也有效的节约了企业的生产资源，降低了企业的生产成本，提高了企业的经济效益。
本实用新型的技术方案为：
提高了一种多晶硅还原炉喷气嘴,该多晶硅还原炉喷气嘴主要由喷气底座、中间套管和喷气板组成；在喷气底座的中心设置有进气口，在喷气底座的上部设置有半径大于喷气口的连接口一，在连接口一的内侧设置有连接螺纹一，在中间套管的下部设置有与连接螺纹一相匹配的连接螺纹二，中间套管与喷气底座之间通过连接螺纹一和连接螺纹二相互旋合连接；在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口，在中间套管的上部还设置有连接口二，在连接口二的内侧设置有连接螺纹三；喷气板采用圆盘型结构设置，在喷气板的外圆上设置有与连接螺纹三相匹配的连接螺纹四，喷气板和中间套管之间通过连接螺纹四和连接螺纹三相互旋合连接；在喷气板上还开设有与射流喷射口相连通的喷气口。
所述的射流喷射口主要由收缩段、过渡段和喷射段组成。
所述的喷气口主要由外层喷气口和内层喷气口组成，且外层喷气口和内层喷气口之间交错设置。
所述的外层喷气口和内层喷气口均沿喷气盘圆周设置为10个。
所述的射流喷射口的收缩段的管径沿射流方向逐渐减小，喷射段的管径沿射流方向逐渐增大，过渡段的管径沿射流方向保持不变。
本实用新型的有益效果是：
该结构设置的多晶硅还原炉喷气嘴，有效的提高了多晶硅还原炉在喷射混合气体过程中的喷射效率，提高了多晶硅的生产产量，同时也有效的节约了企业的生产资源，降低了企业的生产成本，提高了企业的经济效益。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的喷气板的结构示意图。
图中；1为喷气底座；2为中间套管；3为喷气板；4为进气口；5为连接口一；6为连接螺纹一；7为连接螺纹二；8为射流喷射口；9为连接口二；10为连接螺纹三；11为连接螺纹四；12为喷气口；13为收缩段；14为过渡段；15为喷射段；16为外层喷气口；17为内层喷气口。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式做出详细的描述。
如图1～2所示，提高了一种多晶硅还原炉喷气嘴,该多晶硅还原炉喷气嘴主要由喷气底座1、中间套管2和喷气板3组成；在喷气底座的中心设置有进气口4，在喷气底座的上部设置有半径大于喷气口的连接口一5，在连接口一的内侧设置有连接螺纹一6，在中间套管的下部设置有与连接螺纹一相匹配的连接螺纹二7，中间套管与喷气底座之间通过连接螺纹一和连接螺纹二相互旋合连接；在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口8，在中间套管的上部还设置有连接口二9，在连接口二的内侧设置有连接螺纹三10；喷气板采用圆盘型结构设置，在喷气板的外圆上设置有与连接螺纹三相匹配的连接螺纹四11，喷气板和中间套管之间通过连接螺纹四和连接螺纹三相互旋合连接；在喷气板上还开设有与射流喷射口相连通的喷气口12。
所述的射流喷射口主要由收缩段13、过渡段14和喷射段15组成。
所述的喷气口主要由外层喷气口16和内层喷气口17组成，且外层喷气口和内层喷气口之间交错设置。
所述的外层喷气口和内层喷气口均沿喷气盘圆周设置为10个。
所述的射流喷射口的收缩段的管径沿射流方向逐渐减小，喷射段的管径沿射流方向逐渐增大，过渡段的管径沿射流方向保持不变。
该结构设置的多晶硅还原炉喷气嘴结构简单适用，喷气底座、中间套管和喷气板之间均可通过连接螺纹任意的组合和拆卸，气体通过喷气底座的进气口进入，在中间套管内进行射流加速运动后，在从喷气板上设置的喷气口内喷出，为了保证喷射气体的均匀性和时效性，在喷气板上设置的喷气口采用外层喷气口和内层喷气口交错布置结合的结构形式；该结构设置的多晶硅还原炉喷气嘴，有效的提高了多晶硅还原炉在喷射混合气体过程中的喷射效率，提高了多晶硅的生产产量，同时也有效的节约了企业的生产资源，降低了企业的生产成本，提高了企业的经济效益。
Claims (5)
1.一种多晶硅还原炉喷气嘴,其特征在于:该多晶硅还原炉喷气嘴主要由喷气底座、中间套管和喷气板组成；在喷气底座的中心设置有进气口，在喷气底座的上部设置有半径大于喷气口的连接口一，在连接口一的内侧设置有连接螺纹一，在中间套管的下部设置有与连接螺纹一相匹配的连接螺纹二，中间套管与喷气底座之间通过连接螺纹一和连接螺纹二相互旋合连接；在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口，在中间套管的上部还设置有连接口二，在连接口二的内侧设置有连接螺纹三；喷气板采用圆盘型结构设置，在喷气板的外圆上设置有与连接螺纹三相匹配的连接螺纹四，喷气板和中间套管之间通过连接螺纹四和连接螺纹三相互旋合连接；在喷气板上还开设有与射流喷射口相连通的喷气口。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉喷气嘴,其特征在于:所述的射流喷射口主要由收缩段、过渡段和喷射段组成。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的一种多晶硅还原炉喷气嘴,其特征在于:所述的喷气口主要由外层喷气口和内层喷气口组成，且外层喷气口和内层喷气口之间交错设置。
4.根据权利要求3所述的一种多晶硅还原炉喷气嘴,其特征在于:所述的外层喷气口和内层喷气口均沿喷气盘圆周设置为10个。
5.根据权利要求2所述的一种多晶硅还原炉喷气嘴,其特征在于:所述的射流喷射口的收缩段的管径沿射流方向逐渐减小，喷射段的管径沿射流方向逐渐增大，过渡段的管径沿射流方向保持不变。
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