CN207361796U - 一种多晶硅还原炉喷气装置 - Google Patents
一种多晶硅还原炉喷气装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207361796U CN207361796U CN201721413063.5U CN201721413063U CN207361796U CN 207361796 U CN207361796 U CN 207361796U CN 201721413063 U CN201721413063 U CN 201721413063U CN 207361796 U CN207361796 U CN 207361796U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- jet
- polycrystalline silicon
- reducing furnace
- intermediate casing
- silicon reducing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本实用新型属于多晶硅生产技术领域，具体的说是涉及一种多晶硅还原炉喷气装置，主要是为了提供一种结构简单方便，喷射效率高，且进料气体在还原炉内均匀分布的新型多晶硅还原炉喷气装置，该喷气装置主要由喷气底座、中间套管和喷气板组成，在喷气底座的中心设置有进气口，在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口，在中间套管的内部射流喷射口的外侧还分别设置有相互对称的分流口，在中间套管的外部还套接设置有导流套，在喷气板上设置有与射流喷射口相连通的喷气口，在喷气板上喷气口的外侧还设置有旋流风道口，该喷气装置使得进料气体在还原炉内更加均匀分布，有效的降低了喷射过程中的能量消耗，提高了气体的喷射效率和喷射质量。
Description
技术领域
本实用新型属于多晶硅生产技术领域；具体的说是涉及一种多晶硅还原炉喷气装置。
背景技术
多晶硅属于单质硅的一种形态；其在高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用；具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料；多晶硅又是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料；多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法，西门子法则主要通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，硅芯作为改良西门子法工艺生产多晶硅，还原炉内多晶硅料沉积的载体，它的表面洁净程度直接影响到多晶硅成品的品质；在西门子法工艺生产多晶硅的过程中，其设备主要为还原炉设备，其通过通电高温硅芯将三氯氢硅与氢气的混合气体反应，生成多晶硅并沉积在硅芯上，最终获得沉积在硅芯上的多晶硅，然而在进行混合气体喷射的过程中，还原炉内进料气体分布的是否均匀以及喷射的时间对于多晶硅的生产质量都起到了非常关键的作用。
发明内容
本实用新型的发明目的：
主要是为了提供一种结构简单方便，喷射效率高，且进料气体在还原炉内均匀分布的新型多晶硅还原炉喷气装置，有效的提高多晶硅硅粉原材料的下料效率和下料质量，有效的降低了硅粉送料过程中的能量消耗；降低了企业的能源消耗，有效的提高了企业的生产效率，降低了企业的生产成本，提高了企业的经济效益。
本实用新型的技术方案为：
提供了一种多晶硅还原炉喷气装置,该多晶硅还原炉喷气装置主要由喷气底座、中间套管和喷气板组成，喷气底座与中间套管之间以及中间套管与喷气板之间均通过连接螺纹相互连接，在喷气底座的中心设置有进气口，在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口，在中间套管的内部射流喷射口的外侧还分别设置有相互对称的分流口，在中间套管的外部还套接设置有导流套，其中分流口的位置与导流套的位置相互对应；喷气板采用圆盘型结构设置，在喷气板上设置有与射流喷射口相连通的喷气口，在喷气板上喷气口的外侧还设置有旋流风道口。
所述的射流喷射口主要由加速段、过渡段和喷射段组成。
所述的导流套采用渐开线型向外侧发散设置。
中间套管和导流套之间通过锁紧螺钉相固定。
述的射流喷射口内加速段的直径沿气流方向逐渐减小，喷射段的直径沿气流方向逐渐增大，过渡段的直径沿气流方向保持不变。
所述的旋流风道口主要由内旋流风道和外旋流风道组成。
所述的内旋流风道和外旋流风道采用相反旋流风道结构设置。
所述的分流口采用折线型结构设置。
在分流口内部折线型转角处还设置有导流板。
本实用新型的有益效果是：
该结构设置的新型多晶硅还原炉喷气装置，结构简单方便，喷射效率高，且进料气体在还原炉内更加均匀分布，有效的提高了多晶硅硅粉原材料的下料效率和下料质量，有效的降低了硅粉送料过程中的能量消耗；降低了企业的能源消耗，有效的提高了企业的生产效率，降低了企业的生产成本，提高了企业的经济效益。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的旋流风道口的结构示意图。
图中；1为喷气底座；2为中间套管；3为喷气板；4为连接螺纹；5为进气口；6为射流喷射口；7为分流口；8为导流套；9为喷气口；10为旋流风道口；11为加速段；12为过渡段；13为喷射段；14为锁紧螺钉；15为内旋流风道；16为外旋流风道；17为导流板。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式做出详细的描述。
如图1～2所示，提供了一种多晶硅还原炉喷气装置,该多晶硅还原炉喷气装置主要由喷气底座1、中间套管2和喷气板3组成，喷气底座与中间套管之间以及中间套管与喷气板之间均通过连接螺纹4相互连接，在喷气底座的中心设置有进气口5，在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口6，在中间套管的内部射流喷射口的外侧还分别设置有相互对称的分流口7，在中间套管的外部还套接设置有导流套8，其中分流口的位置与导流套的位置相互对应；喷气板采用圆盘型结构设置，在喷气板上设置有与射流喷射口相连通的喷气口9，在喷气板上喷气口的外侧还设置有旋流风道口10。
所述的射流喷射口主要由加速段11、过渡段12和喷射段13组成。
所述的导流套采用渐开线型向外侧发散设置。
中间套管和导流套之间通过锁紧螺钉14相固定。
述的射流喷射口内加速段的直径沿气流方向逐渐减小，喷射段的直径沿气流方向逐渐增大，过渡段的直径沿气流方向保持不变。
所述的旋流风道口主要由内旋流风道15和外旋流风道16组成。
所述的内旋流风道和外旋流风道采用相反旋流风道结构设置。
所述的分流口采用折线型结构设置。
在分流口内部折线型转角处还设置有导流板17。
该结构设置的新型多晶硅还原炉喷气装置简单适用，喷射气流在经过进气口后进入中间套管内部，在中间套管内部经过射流加速口，有效的提高了喷射气流在喷射设备间的沿程阻力，提高了喷射过程中的喷射效率，在经过射流加速后的喷射气体，然后直接加速射入喷气口和旋流风道口，旋流风道口设置在喷气口的四周，在喷射气流的过程中旋转气流和喷射气流混合作用，更加有效的了保证了多晶硅棒上的气流场的均匀分布，不会出现喷射死角的产生；同时从进气口进入的气流进入中间套管的分流口内，分流口由于采用折线型结构设置，由于气流的流向转变消耗了气体动能，所以该部分气流经过导流套的导流作用后，呈现低速气流流动，这样一来极大的满足了硅棒下段供料和冷却的要求，同时又极大的减小了气体振动对硅棒的影响，有效的避免了在制取多晶硅生产过程中产生倒棒的安全隐患；该结构设置的新型多晶硅还原炉喷气装置，结构简单方便，喷射效率高，且进料气体在还原炉内更加均匀分布，有效的提高了多晶硅硅粉原材料的下料效率和下料质量，有效的降低了硅粉送料过程中的能量消耗；降低了企业的能源消耗，有效的提高了企业的生产效率，降低了企业的生产成本，提高了企业的经济效益。
Claims (9)
1.一种多晶硅还原炉喷气装置,其特征在于：该多晶硅还原炉喷气装置主要由喷气底座、中间套管和喷气板组成，喷气底座与中间套管之间以及中间套管与喷气板之间均通过连接螺纹相互连接，在喷气底座的中心设置有进气口，在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口，在中间套管的内部射流喷射口的外侧还分别设置有相互对称的分流口，在中间套管的外部还套接设置有导流套，其中分流口的位置与导流套的位置相互对应；喷气板采用圆盘型结构设置，在喷气板上设置有与射流喷射口相连通的喷气口，在喷气板上喷气口的外侧还设置有旋流风道口。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉喷气装置，其特征在于：所述的射流喷射口主要由加速段、过渡段和喷射段组成。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉喷气装置，其特征在于：所述的导流套采用渐开线型向外侧发散设置。
4.根据权利要求1或3中任一项所述的一种多晶硅还原炉喷气装置，其特征在于：中间套管和导流套之间通过锁紧螺钉相固定。
5.根据权利要求2所述的一种多晶硅还原炉喷气装置，其特征在于：所述的射流喷射口内加速段的直径沿气流方向逐渐减小，喷射段的直径沿气流方向逐渐增大，过渡段的直径沿气流方向保持不变。
6.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉喷气装置，其特征在于：所述的旋流风道口主要由内旋流风道和外旋流风道组成。
7.根据权利要求6所述的一种多晶硅还原炉喷气装置，其特征在于：所述的内旋流风道和外旋流风道采用相反旋流风道结构设置。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的一种多晶硅还原炉喷气装置，其特征在于：所述的分流口采用折线型结构设置。
9.根据权利要求8所述的一种多晶硅还原炉喷气装置，其特征在于：在分流口内部折线型转角处还设置有导流板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721413063.5U CN207361796U (zh) | 2017-10-30 | 2017-10-30 | 一种多晶硅还原炉喷气装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721413063.5U CN207361796U (zh) | 2017-10-30 | 2017-10-30 | 一种多晶硅还原炉喷气装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207361796U true CN207361796U (zh) | 2018-05-15 |
Family
ID=62345059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201721413063.5U Expired - Fee Related CN207361796U (zh) | 2017-10-30 | 2017-10-30 | 一种多晶硅还原炉喷气装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207361796U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109592686A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-04-09 | 亚洲硅业（青海）有限公司 | 用于还原炉的进料管、还原炉及进料管孔径的调节方法 |
| CN116621180A (zh) * | 2023-05-23 | 2023-08-22 | 河南硅烷科技发展股份有限公司 | 一种制备低内应力区熔用电子级多晶硅浸润性调控的系统 |
-
2017
- 2017-10-30 CN CN201721413063.5U patent/CN207361796U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109592686A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-04-09 | 亚洲硅业（青海）有限公司 | 用于还原炉的进料管、还原炉及进料管孔径的调节方法 |
| CN109592686B (zh) * | 2018-12-21 | 2019-10-25 | 亚洲硅业（青海）有限公司 | 用于还原炉的进料管、还原炉及进料管孔径的调节方法 |
| CN116621180A (zh) * | 2023-05-23 | 2023-08-22 | 河南硅烷科技发展股份有限公司 | 一种制备低内应力区熔用电子级多晶硅浸润性调控的系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN207361796U (zh) | 一种多晶硅还原炉喷气装置 | |
| CN100369803C (zh) | 一种制备气相法纳米氧化物的方法和装置 | |
| CN106400141B (zh) | 一种静压熔融纺丝装置 | |
| CN101476153B (zh) | 多晶硅的还原生产工艺及其生产用还原炉 | |
| CN209267921U (zh) | 一种集装箱储能电站使用的风道系统 | |
| CN101456557B (zh) | 多晶硅生产用还原炉 | |
| CN204159238U (zh) | 双层射流粉体混合装置 | |
| CN106076076A (zh) | 一种新型液体分布器 | |
| CN204643854U (zh) | 还原炉及其喷嘴组件 | |
| CN204455022U (zh) | 渣气逆流水激冷气化炉 | |
| CN207430271U (zh) | 一种声波辅助的粒状多晶硅流化床生产装置 | |
| CN101445241B (zh) | 多晶硅生产用还原炉的进气口和出气口 | |
| CN103466628B (zh) | 反冲式多晶硅还原炉喷嘴 | |
| CN207361797U (zh) | 一种新型多晶硅还原炉喷气嘴 | |
| CN203498098U (zh) | 反冲式多晶硅还原炉喷嘴 | |
| CN207243476U (zh) | 电子级多晶硅还原炉 | |
| CN108545745A (zh) | 一种72对棒多晶硅还原炉 | |
| CN208454818U (zh) | 一种预制棒沉积反应室 | |
| CN103466627B (zh) | 多晶硅还原炉喷嘴 | |
| CN107101523A (zh) | 非均匀分区配水系统及安装该系统的湿式冷却塔 | |
| CN106493377A (zh) | 环形排布对撞式气流雾化钛合金粉末制取设备及制取方法 | |
| CN203830730U (zh) | 一种制备金属锌粉的雾化器 | |
| CN207108505U (zh) | 一种泡罩式可调节多晶硅还原炉喷嘴 | |
| CN213326755U (zh) | 用于多晶硅生产中还原炉的抽吸式喷嘴 | |
| CN107720756A (zh) | 一种多晶硅还原炉 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180515 Termination date: 20181030 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |