CN207233734U - 阵列基板和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。所述阵列基板包括：形成在衬底基板上的导电层；形成在所述导电层上的介质层，其中，所述介质层具有暴露所述导电层的开口，所述开口在衬底基板上的垂直投影位于像素间隔区的至少一部分内；形成在所述介质层上的第一电极；具有在所述第一电极上的第一部分和所述开口中的所述导电层上的第二部分的发光层；形成在所述发光层上第二电极；设置在所述发光层的所述第二部分中的电连接，以提供所述导电层到所述第二电极的电连接，并且其中，所述电连接部的导电性大于所述发光层的导电性。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
相比于其它类型的显示器件(例如，液晶显示单元)，OLED显示器件因其轻薄、低功耗、高对比度、高色域、不需要背光照明等优点，作为下一代显示器被广泛研究并得到初步应用。
发明内容
在OLED器件中，存在电压降的现象，从而导致发光效率的降低。
本实用新型的实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，至少能够提高导电层和第二电极之间的电连接，从而至少能够部分地提高 OLED器件的发光效率。
本实用新型的一个目的在于提供一种阵列基板。
本实用新型的第一方面提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括：形成在衬底基板上的导电层；
形成在所述导电层上的介质层，其中，所述介质层具有暴露所述导电层的开口，所述开口在衬底基板上的垂直投影位于像素间隔区的至少一部分内；
形成在所述介质层上的第一电极；
具有在所述第一电极上的第一部分和所述开口中的所述导电层上的第二部分的发光层；
形成在所述发光层上第二电极；
设置在所述发光层的所述第二部分中的电连接，以提供所述导电层到所述第二电极的电连接，并且其中，所述电连接部的导电性大于所述发光层的导电性。
在一个实施例中，所述电连接部具有包括磁性颗粒和导电高分子的复合材料。
在一个实施例中，所述磁性颗粒沿所述电连接部的凸出方向具有逐渐增加的聚集水平。
在一个实施例中，所述磁性颗粒包括下列中的至少一种：磁性金属及其合金以及磁性氧化物；
所述导电高分子材料包括下列中的至少一种：聚吡咯、聚苯硫醚、聚酞菁、聚苯胺和聚噻吩。
在一个实施例中，所述电连接部的顶部在所述衬底基板的表面上的投影的面积小于所述电连接部的底部在所述衬底基板的表面上的投影的面积。
在一个实施例中，所述电连接部的坡度角的范围为75～90度。
在一个实施例中，所述阵列基板，还包括限定像素间隔区的像素定义层，在所述像素间隔区的所述至少一部分内，所述像素定义层具有另一开口，所述像素定义层的所述另一开口与所述介质层的所述开口对准。
本实用新型的另一个目的在于提供一种显示面板。
本实用新型的第二方面提供了一种显示面板。所述显示面板包括如上所述的阵列基板。
本实用新型的又一个目的在于提供一种阵列基板。
本实用新型的第三方面提供了一种显示装置。所述显示装置包括如上所述的显示面板。
本实用新型的实施例所提供的阵列基板、显示面板和显示装置，通过形成在衬底基板上的导电层；形成在所述导电层上的介质层，其中，所述介质层具有暴露所述导电层的开口，所述开口在衬底基板上的垂直投影位于像素间隔区的至少一部分内；形成在所述介质层上的第一电极；具有在所述第一电极上的第一部分和所述开口中的所述导电层上的第二部分的发光层；形成在所述发光层上第二电极；设置在所述发光层的所述第二部分中的电连接，以提供所述导电层到所述第二电极的电连接，并且其中，所述电连接部的导电性大于所述发光层的导电性，能够至少部分地提高导电层和第二电极之间的电连接，从而至少能够部分地提高OLED器件的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制，其中：
图1为根据本实用新型的一个实施例的阵列基板的示意图；
图2为根据本实用新型的一个实施例的阵列基板的示意图；
图3为根据本实用新型的一个实施例的阵列基板的俯视示意图；
图4为根据本实用新型的一个实施例的显示面板的示意图；
图5为根据本实用新型的一个实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图；
图6为根据本实用新型的一个实施例的形成电连接部的方法的流程示意图；
图7为根据本实用新型的一个实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图；
图8为根据本实用新型的一个实施例的显示装置的示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将接合附图，对本实用新型的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，也都属于本实用新型保护的范围。
当介绍本实用新型的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素。用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素。
出于下文表面描述的目的，如其在附图中被标定方向那样，术语“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水平”、“顶”、“底”及其派生词应涉及实用新型。术语“上覆”、“在……顶上”、“定位在……上”或者“定位在……顶上”意味着诸如第一结构的第一要素存在于诸如第二结构的第二要素上，其中，在第一要素和第二要素之间可存在诸如界面结构的中间要素。术语“接触”意味着连接诸如第一结构的第一要素和诸如第二结构的第二要素，而在两个要素的界面处可以有或者没有其它要素。
图1为根据本实用新型的实施例的阵列基板的示意图。如图1所示，根据本实用新型的实施例的阵列基板包括：形成在衬底基板1上的导电层 2；形成在导电层2上的介质层3，其中，介质层3具有暴露导电层2的开口，开口在衬底基板1上的垂直投影位于像素间隔区内；形成在介质层3 上的第一电极4；具有在第一电极4上的第一部分51和开口中的导电层上的第二部分52的发光层5；形成在发光层5上第二电极6；设置在发光层 5的第二部分52中的电连接部7，以提供导电层2到第二电极6的电连接，并且其中，电连接部7的导电性大于发光层5的导电性。
在本实用新型的实施例中，导电层2可以用做辅助电极。对于尤其用于OLED显示面板的情况，由于存在OLED电压降的现象会影响面板的发光效率，设置导电层作为辅助电极，可以改善OLED的电压降低的问题。在实际制造过程中，由于发光层的材料也会存在于介质层的开口中，辅助电极和第二电极(例如，阴极电极)的电连接效果会受到影响。
需要指出，并非是每个像素间隔区中都需要设置有开口。可以根据实际需要，来设置开口的位置和数目。
通过本实用新型的实施例中的电连接部7，可以作为提高辅助电极的导电层2和第二电极6之间的电连接，能够更好的解决OLED电压降低的问题，减少功耗，增加发光效率。
在一个实施例中，电连接部具有包括磁性颗粒和导电高分子的复合材料。磁性颗粒沿所述电连接部的凸出方向具有逐渐增加的聚集水平 (crowding level)。
在一个实施例中，所述磁性颗粒包括下列中的至少一种：磁性金属及其合金以及磁性氧化物。例如，磁性金属及其合金以及磁性氧化物可以包括下列的至少一种：Fe、Co或Ni。例如，磁性材料可以包括四氧化三铁、三氧化二铁等。
在一个实施例中，导电高分子材料包括下列中的至少一种：聚吡咯、聚苯硫醚、聚酞菁、聚苯胺和聚噻吩。
在一个实施例中，电连接部的顶部在衬底基板的表面上的投影的面积小于电连接部的底部在衬底基板的表面上的投影的面积。通过电连接部的这样的“凸起”形状设置，能够使得在形成发光层时，发光层不容易完全覆盖电连接部的“凸起”形状，从而能够通过电连接部的顶部与第二电极接触来提供导电层2到第二电极6的电连接。在一个实施例中，可以将电连接部的坡度角范围设置为约75～90度。
图2为根据本实用新型的一个实施例的阵列基板的示意图。如图2所示，根据本实用新型的一个实施例的阵列基板还包括限定像素间隔区的像素定义层8。在像素间隔区的至少一部分内，像素定义层具有另一开口，像素定义层的另一开口与介质层的开口对准。
图3为根据本实用新型的一个实施例的阵列基板的俯视示意图。在图 3中，为了更清楚地示意，没有绘出第二电极6。从图3可以看出，限定像素间隔区的像素定义层8限定像素间隔区，且能把发光层的第一部分51 和第二部分52隔离开。
介质层3可以被用作平坦化层，其可以包括有机树脂材料。例如，可以包括聚酰亚胺类、聚甲基丙烯酸甲酯类、有机硅树脂类、环氧树脂类。
导电层2可以包括含有金属的材料。例如，可以包括Mo、Nb、Ti、Ag、Ag、Al等。导电层也可以包括诸如ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)的透明导电氧化物。
第一电极4可以为阳极，其可以包括透明导电氧化物。例如，阳极可以包括诸如ITO、IZO(indium-doped zinc oxide，氧化铟锌)的金属氧化物。第二电极6可以为阴极。例如，阴极可以包括下列材料的至少一种： Mo、Al、Nb、Ti、Ag、ITO等。
发光层5可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层等。
图4为根据本实用新型的一个实施例的显示面板的示意图。如图4所示，根据本实用新型的实施例的显示面板2000包括阵列基板1000。阵列基板1000可以为图1、图2和图3中所示的阵列基板。
图5为根据本实用新型的一个实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图。如图5所示，根据本实用新型的一个实施例的阵列基板的制造方法包括：
S1、在衬底基板上形成导电层；
S3、在导电层上形成介质层，该介质层具有暴露导电层的开口，介质层的该开口在基板上的垂直投影位于像素间隔区内；
S5、在介质层上形成第一电极；
S7、在开口中形成电连接部；
S9、在第一电极和开口上形成发光层，发光层具有位于第一电极上的第一部分和位于开口中的第二部分，电连接部的导电性大于发光层的导电性；
S11、在发光层上形成第二电极，其中，电连接部将导电层电连接到第二电极。
在本实用新型的实施例中，导电层可以用做辅助电极。对于尤其用于 OLED显示面板的情况，由于存在OLED电压降的现象会影响面板的发光效率，设置导电层作为辅助电极，可以改善OLED的电压降低的问题。在实际制造过程中，由于发光层的材料也会存在于介质层的开口中，辅助电极和第二电极(例如，阴极电极)的电连接效果会受到影响。
需要指出，并非是每个像素间隔区中都需要设置有开口。可以根据实际需要，来设置开口的位置和数目。
通过本实用新型的实施例中的电连接部，可以作为提高辅助电极的导电层和第二电极之间的电连接，能够更好的解决OLED电压降低的问题，减少功耗，增加发光效率。
在一个实施例中，电连接部具有包括磁性颗粒和导电高分子的复合材料。
在一个实施例中，所述磁性颗粒包括下列中的至少一种：磁性金属及其合金以及磁性氧化物。例如，磁性金属及其合金以及磁性氧化物可以包括下列的至少一种：Fe、Co或Ni。例如，磁性材料可以包括四氧化三铁、三氧化二铁等。
在一个实施例中，导电高分子材料包括下列中的至少一种：聚吡咯、聚苯硫醚、聚酞菁、聚苯胺和聚噻吩。
图6为示出了根据本实用新型的一个实施例的形成电连接部的方法的流程示意图。在一个实施例中，形成电连接部包括：
S71、在介质层的开口中印刷所述复合材料；
S73、在施加磁场的情况下，干燥所述复合材料，以形成电连接部，其中磁场使得磁性颗粒沿凸起的凸出方向具有逐渐增加的聚集水平。
在一个实施例中，磁场的强度的范围为约50-400高斯。
进一步地，电连接部的顶部在衬底基板的表面上的投影的面积小于电连接部的底部在衬底基板的表面上的投影的面积。
在一个实施例中，阵列基板的制造方法还包括：
S6、在形成第一电极之后且在形成所述电连接部之前，形成限定像素间隔区的像素定义层，其中，在像素间隔区的至少一部分内，像素定义层具有另一开口，该像素定义层的另一开口与介质层的开口对准。
图7为根据本实用新型的一个实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图。如图7所示，除了图5示出的步骤之外，图7的实施例还包括步骤S6：在形成第一电极之后且在形成所述电连接部之前，形成限定像素间隔区的像素定义层，其中，在像素间隔区的至少一部分内，像素定义层具有另一开口，该像素定义层的另一开口与介质层的开口对准。
图8为根据本实用新型的一个实施例的显示装置的示意图。如图8所示，根据本实用新型的实施例的显示装置3000包括显示面板2000。显示面板2000可以为图4示出的显示面板，其可以包括如图图1、图2和图3 中所示的阵列基板1000。
本实用新型的实施例还提供了一种显示装置。其中，本实用新型的实施例提供的显示装置包括如上所述的显示面板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
已经描述了某特定实施例，这些实施例仅通过举例的方式展现，而且不旨在限制本实用新型的范围。事实上，本文所描述的新颖实施例可以以各种其它形式来实施；此外，可在不脱离本实用新型的精神下，做出以本文所描述的实施例的形式的各种省略、替代和改变。所附权利要求以及它们的等价物旨在覆盖落在本实用新型范围和精神内的此类形式或者修改。
Claims (9)
1.一种阵列基板，包括：形成在衬底基板上的导电层；
形成在所述导电层上的介质层，其中，所述介质层具有暴露所述导电层的开口，所述开口在衬底基板上的垂直投影位于像素间隔区的至少一部分内；
形成在所述介质层上的第一电极；
具有在所述第一电极上的第一部分和所述开口中的所述导电层上的第二部分的发光层；
形成在所述发光层上第二电极；
设置在所述发光层的所述第二部分中的电连接部，用于提供从所述导电层到所述第二电极的电连接，并且其中，所述电连接部的导电性大于所述发光层的导电性。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述电连接部具有包括磁性颗粒和导电高分子的复合材料。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述磁性颗粒沿所述电连接部的凸出方向具有逐渐增加的聚集水平。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述磁性颗粒包括下列中的至少一种：磁性金属及其合金以及磁性氧化物；
所述导电高分子材料包括下列中的至少一种：聚吡咯、聚苯硫醚、聚酞菁、聚苯胺和聚噻吩。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述电连接部的顶部在所述衬底基板的表面上的投影的面积小于所述电连接部的底部在所述衬底基板的表面上的投影的面积。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述电连接部的坡度角的范围为75～90度。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，还包括限定像素间隔区的像素定义层，在所述像素间隔区的所述至少一部分内，所述像素定义层具有另一开口，所述像素定义层的所述另一开口与所述介质层的所述开口对准。
8.一种显示面板，包括根据权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，包括根据权利要求8所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721113989.2U CN207233734U (zh) | 2017-09-01 | 2017-09-01 | 阵列基板和显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721113989.2U CN207233734U (zh) | 2017-09-01 | 2017-09-01 | 阵列基板和显示面板 |
Publications (1)
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| CN207233734U true CN207233734U (zh) | 2018-04-13 |
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| CN201721113989.2U Active CN207233734U (zh) | 2017-09-01 | 2017-09-01 | 阵列基板和显示面板 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107393949A (zh) * | 2017-09-01 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板、阵列基板的制造方法和显示面板的制造方法 |
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2017
- 2017-09-01 CN CN201721113989.2U patent/CN207233734U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107393949A (zh) * | 2017-09-01 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板、阵列基板的制造方法和显示面板的制造方法 |
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