CN207139554U - 晶圆抛光工艺用的货架 - Google Patents
晶圆抛光工艺用的货架 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207139554U CN207139554U CN201720375924.9U CN201720375924U CN207139554U CN 207139554 U CN207139554 U CN 207139554U CN 201720375924 U CN201720375924 U CN 201720375924U CN 207139554 U CN207139554 U CN 207139554U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- spray head
- back shroud
- upper cover
- shelf
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 48
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种晶圆抛光工艺用的货架,包括:底板、前下盖板、后盖板、上盖板、进水管、排水管、第一喷淋头、载板、模板、和感应装置;前下盖板竖立连接在底板前端,后盖板竖立连接在底板后端;载板斜向搁置在前下盖板上,向后盖板方向下倾斜;模板放置于载板上,并被载板前端表面设置的凸点所挡住;后盖板的内侧连接第一喷淋头,外侧连接进水管;第一喷淋头位于模板上方;第一喷淋头上排布有喷水孔;所述第一喷淋头与进水管连接;在后盖板底部外侧还连接出水管;上盖板与后盖板连接或独立设置,上盖板上设有感应装置。通过本实用新型,抛光结束后可以把模板和晶圆立即放入喷淋水下,可以延长晶圆的下片时间。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体加工工艺设备,尤其是一种晶圆抛光工艺用的货架结构。
背景技术
化学机械抛光(CMP)技术是晶片表面加工的关键技术之一,抛光可以改善晶片表面的粗糙度,降低晶片的TTV,在晶片表面实现超高的平整度,对于一些光学用晶片还能提高其对光的利用率。CMP过程是一个机械作用和化学作用相平衡的过程。如在硅晶片的抛光过程中,首先将晶片固定在抛光头上,在抛光头的压力下,由晶片的旋转、抛光盘的旋转造成晶片与抛光垫的摩擦。此时化学作用为碱性的抛光液与晶片表面接触发生腐蚀反应,晶片表面会被碱液腐蚀,摩擦则将该腐蚀层去除,通过循环这两个作用过程,就可以实现晶片的抛光。目前把晶片固定在抛光头上的方法主要有水表面张力吸附法(也叫模板法),多孔陶瓷式真空吸附法等。
在抛光结束后,抛好的晶圆要快速的洗掉表面的抛光残留液,以免抛光液腐蚀晶圆表面,造成污染和颜色异常,因此在实际抛光过程中,抛光结束立即把晶圆取出放入水槽中浸泡,然后再重新给抛光机上片,开始抛光。这样在取片的过程中如果时间过长,则晶圆表面就有被腐蚀的风险,同时取片时,抛光机待机,影响了产能。
发明内容
针对现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种晶圆抛光工艺用的货架,方便清洗晶圆表面的抛光残留液。本实用新型采用的技术方案是:
一种晶圆抛光工艺用的货架,包括:底板、前下盖板、后盖板、上盖板、进水管、排水管、第一喷淋头、载板、模板、和感应装置;
前下盖板竖立连接在底板前端,后盖板竖立连接在底板后端;载板斜向搁置在前下盖板上,向后盖板方向下倾斜;模板放置于载板上,并被载板前端表面设置的凸点所挡住;
后盖板的内侧连接第一喷淋头,外侧连接进水管;第一喷淋头位于模板上方;第一喷淋头上排布有喷水孔;所述第一喷淋头与进水管连接;在后盖板底部外侧还连接出水管;
上盖板与后盖板连接或独立设置,上盖板上设有感应装置。
进一步地,在后盖板下部内侧还设有一个或数个间隔设置的内凸起。
进一步地,第一喷淋头上喷水孔方向为向四周呈半球状喷淋。
进一步地,载板上设置卡槽,所述凸点置于卡槽内。
进一步地,所述货架还包括前上盖板和第二喷淋头;
前上盖板连接在上盖板上,并且在前上盖板上设置第二喷淋头。
进一步地,第二喷淋头上喷水孔方向为向四周呈半球状喷淋。
本实用新型的优点在于:
1)本实用新型的结构上面设有喷淋装置和感应装置,抛光结束后可以把模板和晶圆立即放入喷淋水下,可以延长晶圆的下片时间。
2)喷淋装置交叉喷水可以清洗晶圆,使晶圆从模板上下片后直接放入运载盒子里。
附图说明
图1为本实用新型的实施例一结构示意图。
图2为本实用新型的喷淋头示意图。
图3为本实用新型的载板、模板、凸点示意图。
图4为本实用新型的实施例二结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
实施例一;
本实施例提供的晶圆抛光工艺用的货架,如图1所示,包括:底板100、前下盖板113、后盖板101、上盖板104、进水管105、排水管108、第一喷淋头102、载板106、模板109、内凸起107和感应装置103;
前下盖板113竖立连接在底板100前端,后盖板101竖立连接在底板110后端;载板106斜向搁置在前下盖板113上,向后盖板101方向下倾斜;模板109放置于载板106上,并被载板106前端表面设置的凸点112所挡住;更优地,可以在载板106上设置卡槽111,所述凸点112置于卡槽111内;
模板109内用于容置晶圆110;
后盖板101的内侧连接第一喷淋头102,外侧连接进水管105;第一喷淋头102位于模板109上方;第一喷淋头102的高度可以调节;所述第一喷淋头102与进水管105连接;在后盖板101底部外侧还连接出水管108;
第一喷淋头102的结构如图2所示,第一喷淋头102上排布有喷水孔1021,喷水孔1021的数量为1~1000个,直径在50μ~1cm之间,其方向为向四周呈半球状喷淋;
载板106、模板109以及凸点112的设置参见图3;卡槽111对应每个模板109的数量至少为1:1;卡槽111形状可以为方形或圆形;卡槽111中放置凸点112,便于快速组装和拆卸;
更优地,在后盖板101下部内侧还设有一个或数个间隔设置的内凸起107;该内凸起107的作用是调节载板106的倾斜度,以便于调整喷淋工艺;
该货架还设有上盖板104,上盖板104可以跟后盖板101相连,也可以是独立的,其上面设置感应装置103,感应装置103可以是光电传感器,红外传感器等,也可以是手动控制的开关,其作用是控制喷淋装置(包括进水管、喷淋头等)的喷水和关停;
实施例二;
如图4所示,本实施例中的晶圆抛光工艺用的货架,相较于实施例一,增加了前上盖板201和第二喷淋头202;
前上盖板201连接在上盖板104上,并且在前上盖板201上设置第二喷淋头202;同样的,第二喷淋头202上也排布有喷水孔,喷水孔的数量为1~1000个,直径在50μ~1cm之间,其方向为向四周呈半球状喷淋;作业时前后盖板上的喷淋头可以实现交叉式喷水。
Claims (6)
1.一种晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,包括:底板(100)、前下盖板(113)、后盖板(101)、上盖板(104)、进水管(105)、排水管(108)、第一喷淋头(102)、载板(106)、模板(109)、和感应装置(103);
前下盖板(113)竖立连接在底板(100)前端,后盖板(101)竖立连接在底板(100)后端;载板(106)斜向搁置在前下盖板(113)上,向后盖板(101)方向下倾斜;模板(109)放置于载板(106)上,并被载板(106)前端表面设置的凸点(112)所挡住;
后盖板(101)的内侧连接第一喷淋头(102),外侧连接进水管(105);第一喷淋头(102)位于模板(109)上方;第一喷淋头(102)上排布有喷水孔(1021);所述第一喷淋头(102)与进水管(105)连接;在后盖板(101)底部外侧还连接出水管(108);
上盖板(104)与后盖板(101)连接或独立设置,上盖板(104)上设有感应装置(103)。
2.如权利要求1所述的晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,
在后盖板(101)下部内侧还设有一个或数个间隔设置的内凸起(107)。
3.如权利要求1所述的晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,
第一喷淋头(102)上喷水孔方向为向四周呈半球状喷淋。
4.如权利要求1所述的晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,
载板(106)上设置卡槽(111),所述凸点(112)置于卡槽(111)内。
5.如权利要求1、2、3或4所述的晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,
所述货架还包括前上盖板(201)和第二喷淋头(202);
前上盖板(201)连接在上盖板(104)上,并且在前上盖板(201)上设置第二喷淋头(202)。
6.如权利要求5所述的晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,
第二喷淋头(202)上喷水孔方向为向四周呈半球状喷淋。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720375924.9U CN207139554U (zh) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | 晶圆抛光工艺用的货架 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720375924.9U CN207139554U (zh) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | 晶圆抛光工艺用的货架 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN207139554U true CN207139554U (zh) | 2018-03-27 |
Family
ID=61658115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201720375924.9U Active CN207139554U (zh) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | 晶圆抛光工艺用的货架 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN207139554U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108787576A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-13 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 一种晶圆清洗装置 |
-
2017
- 2017-04-12 CN CN201720375924.9U patent/CN207139554U/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108787576A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-13 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 一种晶圆清洗装置 |
CN108787576B (zh) * | 2018-06-25 | 2024-05-24 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 一种晶圆清洗装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20100285723A1 (en) | Polishing apparatus | |
CN103586754B (zh) | 一种光学元件抛光装置 | |
US6106369A (en) | Polishing system | |
TW200830395A (en) | Substrate polishing apparatus and method | |
TW200416108A (en) | Substrate holding mechanism, substrate polishing apparatus and substrate polishing method | |
KR19980081811A (ko) | 고평탄도로 기판을 연마할 수 있는 자동연마장치 | |
JP2010253637A5 (ja) | 研磨装置 | |
US8597084B2 (en) | Textured platen | |
CN111243979A (zh) | 单片式晶圆清洗设备及清洗干燥方法 | |
US7988535B2 (en) | Platen exhaust for chemical mechanical polishing system | |
CN109352513A (zh) | 一种晶圆抛光方法 | |
KR20200018279A (ko) | 기판용 세정구, 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판용 세정구의 제조 방법 | |
CN207139554U (zh) | 晶圆抛光工艺用的货架 | |
CN103009222A (zh) | 一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺 | |
CN202142510U (zh) | 一种清洗装置及抛光装置 | |
CN111326473A (zh) | 一种硅片承载装置及边缘抛光设备 | |
CN102496590A (zh) | 带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 | |
JP2016197690A (ja) | 研磨装置 | |
CN102615589B (zh) | 一种使用抛光盘接引盘的抛光系统和方法 | |
CN109860083A (zh) | 用于晶硅制绒的链式设备及单面倒金字塔制绒的制备方法 | |
JP2002079461A (ja) | ポリッシング装置 | |
JP2010052090A5 (zh) | ||
TWI824755B (zh) | 一種用於承載和清潔矽片的裝置 | |
CN202006190U (zh) | 半导体硅片的清洗工艺腔 | |
US11780050B2 (en) | Apparatus of cleaning a polishing pad and polishing device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 1 Jingxiang Road, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee after: Jimsi Semiconductor Technology (Wuxi) Co.,Ltd. Address before: No. 45, Yougu Enterprise Park, 58 Jinghong Road, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: GMC SEMITECH Co.,Ltd. |