CN207139554U - 晶圆抛光工艺用的货架 - Google Patents

晶圆抛光工艺用的货架 Download PDF

Info

Publication number
CN207139554U
CN207139554U CN201720375924.9U CN201720375924U CN207139554U CN 207139554 U CN207139554 U CN 207139554U CN 201720375924 U CN201720375924 U CN 201720375924U CN 207139554 U CN207139554 U CN 207139554U
Authority
CN
China
Prior art keywords
spray head
back shroud
upper cover
shelf
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201720375924.9U
Other languages
English (en)
Inventor
李春
黄荣燕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jimsi Semiconductor Technology (Wuxi) Co.,Ltd.
Original Assignee
Gmc Semiconductor Technology (wuxi) Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gmc Semiconductor Technology (wuxi) Co Ltd filed Critical Gmc Semiconductor Technology (wuxi) Co Ltd
Priority to CN201720375924.9U priority Critical patent/CN207139554U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207139554U publication Critical patent/CN207139554U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本实用新型提供一种晶圆抛光工艺用的货架,包括:底板、前下盖板、后盖板、上盖板、进水管、排水管、第一喷淋头、载板、模板、和感应装置;前下盖板竖立连接在底板前端,后盖板竖立连接在底板后端;载板斜向搁置在前下盖板上,向后盖板方向下倾斜;模板放置于载板上,并被载板前端表面设置的凸点所挡住;后盖板的内侧连接第一喷淋头,外侧连接进水管;第一喷淋头位于模板上方;第一喷淋头上排布有喷水孔;所述第一喷淋头与进水管连接;在后盖板底部外侧还连接出水管;上盖板与后盖板连接或独立设置,上盖板上设有感应装置。通过本实用新型,抛光结束后可以把模板和晶圆立即放入喷淋水下,可以延长晶圆的下片时间。

Description

晶圆抛光工艺用的货架
技术领域
本实用新型涉及半导体加工工艺设备,尤其是一种晶圆抛光工艺用的货架结构。
背景技术
化学机械抛光(CMP)技术是晶片表面加工的关键技术之一,抛光可以改善晶片表面的粗糙度,降低晶片的TTV,在晶片表面实现超高的平整度,对于一些光学用晶片还能提高其对光的利用率。CMP过程是一个机械作用和化学作用相平衡的过程。如在硅晶片的抛光过程中,首先将晶片固定在抛光头上,在抛光头的压力下,由晶片的旋转、抛光盘的旋转造成晶片与抛光垫的摩擦。此时化学作用为碱性的抛光液与晶片表面接触发生腐蚀反应,晶片表面会被碱液腐蚀,摩擦则将该腐蚀层去除,通过循环这两个作用过程,就可以实现晶片的抛光。目前把晶片固定在抛光头上的方法主要有水表面张力吸附法(也叫模板法),多孔陶瓷式真空吸附法等。
在抛光结束后,抛好的晶圆要快速的洗掉表面的抛光残留液,以免抛光液腐蚀晶圆表面,造成污染和颜色异常,因此在实际抛光过程中,抛光结束立即把晶圆取出放入水槽中浸泡,然后再重新给抛光机上片,开始抛光。这样在取片的过程中如果时间过长,则晶圆表面就有被腐蚀的风险,同时取片时,抛光机待机,影响了产能。
发明内容
针对现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种晶圆抛光工艺用的货架,方便清洗晶圆表面的抛光残留液。本实用新型采用的技术方案是:
一种晶圆抛光工艺用的货架,包括:底板、前下盖板、后盖板、上盖板、进水管、排水管、第一喷淋头、载板、模板、和感应装置;
前下盖板竖立连接在底板前端,后盖板竖立连接在底板后端;载板斜向搁置在前下盖板上,向后盖板方向下倾斜;模板放置于载板上,并被载板前端表面设置的凸点所挡住;
后盖板的内侧连接第一喷淋头,外侧连接进水管;第一喷淋头位于模板上方;第一喷淋头上排布有喷水孔;所述第一喷淋头与进水管连接;在后盖板底部外侧还连接出水管;
上盖板与后盖板连接或独立设置,上盖板上设有感应装置。
进一步地,在后盖板下部内侧还设有一个或数个间隔设置的内凸起。
进一步地,第一喷淋头上喷水孔方向为向四周呈半球状喷淋。
进一步地,载板上设置卡槽,所述凸点置于卡槽内。
进一步地,所述货架还包括前上盖板和第二喷淋头;
前上盖板连接在上盖板上,并且在前上盖板上设置第二喷淋头。
进一步地,第二喷淋头上喷水孔方向为向四周呈半球状喷淋。
本实用新型的优点在于:
1)本实用新型的结构上面设有喷淋装置和感应装置,抛光结束后可以把模板和晶圆立即放入喷淋水下,可以延长晶圆的下片时间。
2)喷淋装置交叉喷水可以清洗晶圆,使晶圆从模板上下片后直接放入运载盒子里。
附图说明
图1为本实用新型的实施例一结构示意图。
图2为本实用新型的喷淋头示意图。
图3为本实用新型的载板、模板、凸点示意图。
图4为本实用新型的实施例二结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
实施例一;
本实施例提供的晶圆抛光工艺用的货架,如图1所示,包括:底板100、前下盖板113、后盖板101、上盖板104、进水管105、排水管108、第一喷淋头102、载板106、模板109、内凸起107和感应装置103;
前下盖板113竖立连接在底板100前端,后盖板101竖立连接在底板110后端;载板106斜向搁置在前下盖板113上,向后盖板101方向下倾斜;模板109放置于载板106上,并被载板106前端表面设置的凸点112所挡住;更优地,可以在载板106上设置卡槽111,所述凸点112置于卡槽111内;
模板109内用于容置晶圆110;
后盖板101的内侧连接第一喷淋头102,外侧连接进水管105;第一喷淋头102位于模板109上方;第一喷淋头102的高度可以调节;所述第一喷淋头102与进水管105连接;在后盖板101底部外侧还连接出水管108;
第一喷淋头102的结构如图2所示,第一喷淋头102上排布有喷水孔1021,喷水孔1021的数量为1~1000个,直径在50μ~1cm之间,其方向为向四周呈半球状喷淋;
载板106、模板109以及凸点112的设置参见图3;卡槽111对应每个模板109的数量至少为1:1;卡槽111形状可以为方形或圆形;卡槽111中放置凸点112,便于快速组装和拆卸;
更优地,在后盖板101下部内侧还设有一个或数个间隔设置的内凸起107;该内凸起107的作用是调节载板106的倾斜度,以便于调整喷淋工艺;
该货架还设有上盖板104,上盖板104可以跟后盖板101相连,也可以是独立的,其上面设置感应装置103,感应装置103可以是光电传感器,红外传感器等,也可以是手动控制的开关,其作用是控制喷淋装置(包括进水管、喷淋头等)的喷水和关停;
实施例二;
如图4所示,本实施例中的晶圆抛光工艺用的货架,相较于实施例一,增加了前上盖板201和第二喷淋头202;
前上盖板201连接在上盖板104上,并且在前上盖板201上设置第二喷淋头202;同样的,第二喷淋头202上也排布有喷水孔,喷水孔的数量为1~1000个,直径在50μ~1cm之间,其方向为向四周呈半球状喷淋;作业时前后盖板上的喷淋头可以实现交叉式喷水。

Claims (6)

1.一种晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,包括:底板(100)、前下盖板(113)、后盖板(101)、上盖板(104)、进水管(105)、排水管(108)、第一喷淋头(102)、载板(106)、模板(109)、和感应装置(103);
前下盖板(113)竖立连接在底板(100)前端,后盖板(101)竖立连接在底板(100)后端;载板(106)斜向搁置在前下盖板(113)上,向后盖板(101)方向下倾斜;模板(109)放置于载板(106)上,并被载板(106)前端表面设置的凸点(112)所挡住;
后盖板(101)的内侧连接第一喷淋头(102),外侧连接进水管(105);第一喷淋头(102)位于模板(109)上方;第一喷淋头(102)上排布有喷水孔(1021);所述第一喷淋头(102)与进水管(105)连接;在后盖板(101)底部外侧还连接出水管(108);
上盖板(104)与后盖板(101)连接或独立设置,上盖板(104)上设有感应装置(103)。
2.如权利要求1所述的晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,
在后盖板(101)下部内侧还设有一个或数个间隔设置的内凸起(107)。
3.如权利要求1所述的晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,
第一喷淋头(102)上喷水孔方向为向四周呈半球状喷淋。
4.如权利要求1所述的晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,
载板(106)上设置卡槽(111),所述凸点(112)置于卡槽(111)内。
5.如权利要求1、2、3或4所述的晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,
所述货架还包括前上盖板(201)和第二喷淋头(202);
前上盖板(201)连接在上盖板(104)上,并且在前上盖板(201)上设置第二喷淋头(202)。
6.如权利要求5所述的晶圆抛光工艺用的货架,其特征在于,
第二喷淋头(202)上喷水孔方向为向四周呈半球状喷淋。
CN201720375924.9U 2017-04-12 2017-04-12 晶圆抛光工艺用的货架 Active CN207139554U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720375924.9U CN207139554U (zh) 2017-04-12 2017-04-12 晶圆抛光工艺用的货架

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720375924.9U CN207139554U (zh) 2017-04-12 2017-04-12 晶圆抛光工艺用的货架

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207139554U true CN207139554U (zh) 2018-03-27

Family

ID=61658115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201720375924.9U Active CN207139554U (zh) 2017-04-12 2017-04-12 晶圆抛光工艺用的货架

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN207139554U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108787576A (zh) * 2018-06-25 2018-11-13 宁波舜宇光电信息有限公司 一种晶圆清洗装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108787576A (zh) * 2018-06-25 2018-11-13 宁波舜宇光电信息有限公司 一种晶圆清洗装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20100285723A1 (en) Polishing apparatus
CN103586754B (zh) 一种光学元件抛光装置
JPH11138426A (ja) 研磨装置
TW200416108A (en) Substrate holding mechanism, substrate polishing apparatus and substrate polishing method
KR19980081811A (ko) 고평탄도로 기판을 연마할 수 있는 자동연마장치
US8597084B2 (en) Textured platen
JP2010253637A5 (ja) 研磨装置
CN111243979A (zh) 单片式晶圆清洗设备及清洗干燥方法
US7988535B2 (en) Platen exhaust for chemical mechanical polishing system
CN109352513A (zh) 一种晶圆抛光方法
CN207139554U (zh) 晶圆抛光工艺用的货架
CN103009222A (zh) 一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺
CN102496590A (zh) 带超声或兆声振子的异丙醇干燥机
CN111326473A (zh) 一种硅片承载装置及边缘抛光设备
CN102615589B (zh) 一种使用抛光盘接引盘的抛光系统和方法
JP2002079461A (ja) ポリッシング装置
JP2010052090A5 (zh)
CN202006190U (zh) 半导体硅片的清洗工艺腔
US11780050B2 (en) Apparatus of cleaning a polishing pad and polishing device
CN207250463U (zh) 晶圆片快速排水清洗槽
JP3708740B2 (ja) 研磨装置および研磨方法
CN109333335A (zh) 移动手臂、化学机械研磨修整器和研磨设备
CN106423999B (zh) 一种蓝宝石衬底片研磨后的清洗工艺
US8021211B2 (en) Substrate holder with liquid supporting surface
US20210242015A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate cleaning method

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: No. 1 Jingxiang Road, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000

Patentee after: Jimsi Semiconductor Technology (Wuxi) Co.,Ltd.

Address before: No. 45, Yougu Enterprise Park, 58 Jinghong Road, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee before: GMC SEMITECH Co.,Ltd.