CN207068443U - 一种修复电路、阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种修复电路、阵列基板及显示装置，所述阵列基板包括发光驱动电路，所述发光驱动电路包括发光模块和驱动模块，所述修复电路包括修复模块，所述修复模块的第一端与所述发光模块的阳极连接，所述修复模块的第二端与电压信号输入端连接；其中，当所述发光模块的阳极与阴极之间存在导电异物时，在所述电压信号输入端输入预设电压，电流通过修复模块再流经所述导电异物，以将所述导电异物烧断。当发光模块的阳极与阴极之间存在导电异物时，在修复模块的第二端输入预设电压，可以使电流通过修复模块再流经导电异物，将异物烧断，该电路结构简单，且操作方便，可以准确快捷的修复因发光模块的阳极与阴极之间存在导电异物造成的暗点问题。

Description

一种修复电路、阵列基板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种修复电路及显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)是主动发光器件，与LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)显示方式相比，OLED无需提供背光源，且OLED显示装置具有超薄、亮度高、驱动电压低等优点，被认为是下一代显示装置。

图1为OLED显示器件的结构示意图，EL发光层包括阳极11'、EL发光材料12'和阴极13'，EL发光层位于TFT阵列玻璃基板2'上方，在EL发光层上方还设有封装层3'。但是在实际制备过程中，由于EL发光层主要的通过蒸镀工艺制备，难免有异物4'落到阳极11'上，而EL发光层整体厚度较小，导电异物4'很容易造成阴极13'的膜面产生突起尖端，该处电场强度较大，容易击穿，从而将EL材料的阴极13'与阳极11'连接起来造成短路，其结构示意图参照图2所示。

OLED显示器件短路前后的等效电路图参照图3、图4所示，EL发光材料本身相当于一个二极管，只有当其两端电压达到开启电压时才可以导通，其阳极与TFT的漏极相连，由于TFT工作在饱和区，不论EL材料是否短路，其从TFT漏极输入的电流I_D基本不变，但是当EL材料阴极与阳极短路时，相当于在EL材料形成的二极管的两端并联了一个电阻R1，对I_D起到分流作用，导致二极管的压降不足以达到开启电压，不能正常发光，形成暗点。

修复此类暗点，需要将异物即电阻R1移除或烧断，移除会对整个显示面板造成较大破坏，因此通常采用将异物烧断的方法。现有技术中通常有两种方法，一种是通过反相大电流，将异物烧断，但是此方法大电流会通过TFT器件，大电流可能会对TFT器件造成影响；另一种是不经过TFT器件，利用各种搭线、焊接方式把异物所在线路与基板的ITO导电层连接，在连接点处通入大电流将异物烧断，最后通过激光将连接点切开，完成暗点修复，但是此方法操作复杂，设备成本高，修复效率低，且对修复人员的要求较高。

实用新型内容

本实用新型提供了一种修复电路及显示装置，以解决现有技术中暗点修复操作复杂，修复效率低的问题。

第一方面，本实用新型提供一种修复电路，用于OLED阵列基板，所述OLED阵列基板包括发光驱动电路，所述发光驱动电路包括发光模块和驱动模块，所述修复电路包括修复模块；

所述修复模块的第一端与所述发光模块的阳极连接，所述修复模块的第二端与电压信号输入端连接；

其中，当所述发光模块的阳极与阴极之间存在导电异物时，所述电压信号输入端输入预设电压，电流通过修复模块再流经所述导电异物，以将所述导电异物烧断。

可选地，所述修复模块包括一个开关二极管，所述开关二极管的第一端与所述发光模块的阳极连接，所述开关二极管的第二端与所述电压信号输入端连接。

可选地，所述电压信号输入端与所述发光驱动电路的扫描信号输入端连接。

可选地，所述电压信号输入端与所述发光驱动电路的数据信号输入端连接。

可选地，所述电压信号输入端与所述发光驱动电路的电源电压输入端连接。

可选地，所述电压信号输入端与所述发光驱动电路的感测参考电压输入端连接。

可选地，所述修复电路还包括位于所述阵列基板上的维修线，所述电压信号输入端与所述维修线连接。

可选地，所述开关二极管为PN结型二极管或PIN结型二极管。

第二方面，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括上述修复电路。

第三方面，本实用新型实施例提供了一种显示装置，包括上述阵列基板。

与现有技术相比，本实用新型实施例具有以下优点：

将修复模块的第一端连接至发光模块的阳极，当发光模块的阳极与阴极之间存在导电异物时，在修复模块的第二端输入预设电压，电流不通过发光驱动电路的TFT器件，而通过修复模块再流经导电异物，将异物烧断，该电路结构简单，且操作方便，可以准确快捷的修复因发光模块的阳极与阴极之间存在导电异物造成的暗点问题并且不会对现有的发光驱动电路的TFT造成影响。

附图说明

图1所示为OLED显示器件的结构示意图；

图2所示为OLED显示器件上存在导电异物的结构示意图；

图3所示为OLED显示器件的等效电路图；

图4所示为OLED显示器件上存在导电异物的等效电路图；

图5所示为本实用新型实施例一的一种修复电路示意图；

图6所示为本实用新型实施例一的发光模块阳极与阴极存在导电异物的等效电路图；

图7所示为本实用新型实施例二的一种发光驱动电路与修复电路示意图；

图8所示为本实用新型实施例二的阵列基板结构示意图；

图9所示为图8的A部分的层结构示意图；

图10所示为本实用新型实施例三的一种发光驱动电路与修复电路示意图；

图11所示为本实用新型实施例三的阵列基板结构示意图；

图12所示为图11的A部分的层结构示意图；

图13所示为本实用新型实施例四的一种发光驱动电路与修复电路示意图；

图14所示为本实用新型实施例四的阵列基板结构示意图；

图15所示为图14的A部分的层结构示意图；

图16所示为本实用新型实施例五的一种发光驱动电路与修复电路示意图；

图17所示为本实用新型实施例五的阵列基板结构示意图；

图18所示为图17的A部分的层结构示意图；

图19所示为本实用新型实施例六的一种发光驱动电路与修复电路示意图；

图20所示为本实用新型实施例六的阵列基板结构示意图；

图21所示为图20的A部分的层结构示意图；

图22所示为本实用新型实施例七的一种发光驱动电路与修复电路示意图；

图23所示为本实用新型实施例七的阵列基板结构示意图；

图24所示为图23的A部分的层结构示意图；

图25所示为本实用新型实施例八的一种发光驱动电路与修复电路示意图；

图26所示为本实用新型实施例八的阵列基板结构示意图；

图27所示为图26的A部分的层结构示意图；

图28所示为本实用新型实施例九的一种发光驱动电路与修复电路示意图；

图29所示为本实用新型实施例九的阵列基板结构示意图；

图30所示为图29的A部分的层结构示意图；

图31所示为本实用新型实施例十的一种发光驱动电路与修复电路示意图；

图32所示为本实用新型实施例十的阵列基板结构示意图；

图33所示为图32的A部分的层结构示意图；

图34所示为本实用新型实施例十一的一种发光驱动电路与修复电路示意图；

图35所示为本实用新型实施例十一的阵列基板结构示意图；

图36所示为图35的A部分的层结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

参照图5，为本实用新型实施例一的一种修复电路示意图，该电路用于OLED阵列基板，该OLED阵列基板包括发光驱动电路，发光驱动电路包括发光模块2和驱动模块，该修复电路包括修复模块1，修复模块1的第一端与发光模块2的阳极连接，第二端与电压信号输入端连接。而当发光模块2的阳极与阴极之间存在导电异物时，参照图6所示，导电异物3将发光模块2的阳极与阴极连接，此时，在修复模块1的第二端输入预设电压，电流通过修复模块再流经导电异物3，以将导电异物3烧断。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将修复模块的第一端连接至发光模块的阳极，当发光模块的阳极与阴极之间存在导电异物时，在修复模块的第二端输入预设电压，电流不通过发光驱动电路的TFT器件，而通过修复模块再流经导电异物，将异物烧断，该电路结构简单，且操作方便，可以准确快捷的修复因发光模块的阳极与阴极之间存在导电异物造成的暗点问题并且不会对现有的发光驱动电路的TFT造成影响。

实施例二

在本实用新型的一具体实施例中，参照图7所示，为本实用新型实施例二的一种发光驱动电路与修复电路示意图，该发光驱动电路包括发光模块2和驱动模块4，驱动模块4具体包括开关晶体管T2，存储电容Cst，驱动晶体管T1和补偿晶体管T3。开关晶体管T2的栅极与扫描信号输入端连接，第一极与其对应的数据信号输入端连接，第二极与存储电容Cst的第一端连接；驱动晶体管T1的栅极与存储电容Cst的第一端连接，第一极与电源电压输入端VDD连接，第二极与存储电容Cst的第二端连接；补偿晶体管T3的栅极与感测扫描信号输入端连接，第一极与对应的感测参考电压输入端连接，第二极与存储电容Cst的第二端连接；存储电容Cst的第二端还与发光模块2的阳极连接；发光模块2的阴极与低电压信号端VSS连接。

本实施例中，修复模块1包括一个开关二极管D1，发光模块2具体的为一个发光二极管D2，开关二极管D1的第一端与发光二极管D2的阳极连接，第二端与电压信号输入端连接。

具体的，上述开关二极管D1的第一端为正极，与发光二极管D2的阳极连接，开关二极管D1的第二端为负极，与电压信号输入端连接，其中，电压信号输入端与发光驱动电路的扫描信号输入端连接，即开关二极管D1的负极与发光驱动电路的扫描信号输入端连接。当发光二极管D2的阳极与阴极之间存在导电异物3时，相当于在发光二极管D2的两极之间并联了一个电阻R1，造成发光二极管D2不能正常发光，在显示面板上形成暗点，此时，向该暗点对应的扫描信号输入端通入预设电压，该预设电压为低电平电压。当在扫描信号输入端上加低电压时，电流不会经过任何一个晶体管，该电压可以使开关二极管D1开启，电流经过开关二极管D1传输至电阻R1中，将其烧毁，实现暗点修复。在正常工作状态下，开关二极管D1处于不导通状态，不影响像素区的正常显示。

该实施例对应的阵列基板结构示意图以及开关二极管D1形成位置层结构示意图参照图8与图9所示。本实施例的开关二极管D1由位于扫描线gate与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层与N型半导体层构成，或由位于扫描线gate与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成，在本实施例中，N型半导体层靠近扫描线gate，其具体形成方式为：在gate层之上的绝缘层制备完毕后，通过光刻工艺(曝光、显影等)进行图案化处理，使用刻蚀工艺在绝缘层上开孔，再通过等离子体化学气相沉积工艺沉积N型非晶体硅薄膜(磷烷气体引入N型杂质)20～50nm和P型非晶硅薄膜(三甲基硼气体引入P型杂质)10～50nm形成PN结，或者通过等离子体化学气相沉积工艺沉积N型非晶硅薄膜20～50nm、本征非晶硅薄膜500～3000nm和P型非晶硅薄膜10～50nm形成P-I-N结，最后再使用光刻工艺+干法刻蚀工艺将PN结或P-I-N结周围多余的非晶硅薄膜去除掉。图9中仅示出了开关二极管由PN结构成的层结构图，其P-I-N形式与之类似，不再示出。有关其他层结构的形成方式与现有技术相同，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将开关二极管的正极与发光二极管的阳极连接，负极与扫描线连接，并向暗点所在像素对应的扫描线上通入预设负电压，可以使电流不经过其他晶体管，仅通过开关二极管后传输至电阻，将其烧断，该电路结构简单，操作方便，可以快速准确的修复暗点。

实施例三

参照图10所示，为本实用新型实施例三的一种发光驱动电路与修复电路示意图，该发光驱动电路的具体结构与上述实施例相同，在此不再赘述。

与上述实施例不同点在于，开关二极管D1的第一端为负极，与发光二极管D2的阳极连接，开关二极管D1的第二端为正极，与电压信号输入端连接，其中，电压信号输入端与发光驱动电路的扫描信号输入端连接，即开关二极管D1的正极与发光驱动电路的扫描信号输入端连接。当发光二极管D2的阳极与阴极之间存在导电异物时，相当于在发光二极管D2的两极之间并联了一个电阻R1，造成发光二极管D2不能正常发光，在显示面板上形成暗点，此时，向该暗点对应的扫描信号输入端上通入预设电压，该预设电压为高电平电压，在该过程中，开关晶体管T2不开启，该电压可以使开关二极管D1开启，电流经过开关二极管D1传输至电阻R1中，将其烧毁，实现暗点修复。在正常工作状态下，开启开关晶体管T2的电压达不到开关二极管D1的开启电压，开关二极管D1处于不导通状态，不影响像素区的正常显示。

该实施例对应的阵列基板结构示意图以及开关二极管D1形成位置层结构示意图参照图11和图12所示。本实施例的开关二极管D1由位于扫描线gate与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层与N型半导体层构成，或由位于扫描线gate与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成，在本实施例中，P型半导体层靠近扫描线gate，其具体形成方式为：在gate层之上的绝缘层制备完毕后，通过光刻工艺(曝光、显影等)进行图案化处理，使用刻蚀工艺在绝缘层上开孔，再通过等离子体化学气相沉积工艺沉积P型非晶硅薄膜10～50nm和N型非晶体硅薄膜20～50nm形成PN结，或者通过等离子体化学气相沉积工艺沉积P型非晶硅薄膜10～50nm、本征非晶硅薄膜500～3000nm和N型非晶硅薄膜20～50nm形成P-I-N结，最后再使用光刻工艺+干法刻蚀工艺将PN结或P-I-N结周围多余的非晶硅薄膜去除掉。有关其他层结构的形成方式与现有技术相同，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将开关二极管的负极与发光二极管的阳极连接，正极与扫描线连接，并向暗点所在像素对应的扫描线上通入预设正电压，可以使电流不经过其他晶体管，仅通过开关二极管后传输至电阻，将其烧断，该电路结构简单，操作方便，可以快速准确的修复暗点。

实施例四

参照图13所示，为本实用新型实施例四的一种发光驱动电路与修复电路示意图，该发光驱动电路具体结构与上述实施例相同，在此不再赘述。

与上述实施例不同点在于，开关二极管D1的第一端为正极，与发光二极管D2的阳极连接，开关二极管D1的第二端为负极，与电压信号输入端连接，其中，电压信号输入端与发光驱动电路的数据信号输入端连接，即开关二极管D1的负极与发光驱动电路的数据信号输入端连接。当发光二极管D2的阳极与阴极之间存在导电异物3时，相当于在发光二极管D2的两极之间并联了一个电阻R1，造成发光二极管D2不能正常发光，在显示面板上形成暗点，此时，向该暗点对应的数据信号输入端通入预设电压，该预设电压为低电平电压。当在数据信号输入端上加低电压时，电流不会经过任何一个晶体管，该电压可以使开关二极管D1开启，电流经过开关二极管D1传输至电阻R1中，将其烧毁，实现暗点修复。在正常工作状态下，开关二极管D1处于不导通状态，不影响像素区的正常显示。

该实施例对应的阵列基板的结构示意图以及开关二极管D1形成位置层结构示意图参照图14与图15所示。本实施例的开关二极管D1由位于数据线data与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层与N型半导体层构成，或由位于数据线data与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成，在本实施例中，N型半导体层靠近数据线data，其具体形成方式为：在SD层(源漏层)之上的绝缘层制备完毕后，通过光刻工艺(曝光、显影等)进行图案化处理，使用刻蚀工艺在绝缘层上开孔，再通过等离子体化学气相沉积工艺沉积N型非晶体硅薄膜(磷烷气体引入N型杂质)20～50nm和P型非晶硅薄膜(三甲基硼气体引入P型杂质)10～50nm形成PN结，或者通过等离子体化学气相沉积工艺沉积N型非晶硅薄膜20～50nm、本征非晶硅薄膜500～3000nm和P型非晶硅薄膜10～50nm形成P-I-N结，最后再使用光刻工艺+干法刻蚀工艺将PN结或P-I-N结周围多余的非晶硅薄膜去除掉。有关其他层结构的形成方式与现有技术相同，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将开关二极管的正极与发光二极管的阳极连接，负极与数据线连接，并向暗点所在像素对应的扫描线上通入预设负电压，可以使电流不经过其他晶体管，仅通过开关二极管后传输至电阻，将其烧断，该电路结构简单，操作方便，可以快速准确的修复暗点。

实施例五

参照图16所示，为本实用新型实施例五的一种发光驱动电路与修复电路示意图，该发光驱动电路的具体结构与上述实施例相同，在此不再赘述。

与上述实施例不同点在于，开关二极管D1的第一端为负极，与发光二极管D2的阳极连接，开关二极管D1的第二端为正极，与电压信号输入端连接，其中，电压信号输入端与发光驱动电路的数据信号输入端连接，即开关二极管D1的正极与发光驱动电路的数据信号输入端连接。当发光二极管D2的阳极与阴极之间存在导电异物时，相当于在发光二极管D2的两极之间并联了一个电阻R1，造成发光二极管D2不能正常发光，在显示面板上形成暗点，此时，向该暗点对应的数据信号输入端上通入预设电压，该预设电压为高电平电压，在该过程中，开关晶体管T2不开启，该电压可以使开关二极管D1开启，电流经过开关二极管D1传输至电阻R1中，将其烧毁，实现暗点修复。在正常工作状态下，开启开关晶体管T2的电压达不到开关二极管D1的开启电压，开关二极管D1处于不导通状态，不影响像素区的正常显示。

该实施例对应的阵列基板结构示意图以及开关二极管D1形成位置层结构示意图参照图17和图18所示。本实施例的开关二极管D1由位于数据线data与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层与N型半导体层构成，或由位于数据线data与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成，在本实施例中，P型半导体层靠近数据线data，其具体形成方式为：在SD层之上的绝缘层制备完毕后，通过光刻工艺(曝光、显影等)进行图案化处理，使用刻蚀工艺在绝缘层上开孔，再通过等离子体化学气相沉积工艺沉积P型非晶硅薄膜10～50nm和N型非晶体硅薄膜20～50nm形成PN结，或者通过等离子体化学气相沉积工艺沉积P型非晶硅薄膜10～50nm、本征非晶硅薄膜500～3000nm和N型非晶硅薄膜20～50nm形成P-I-N结，最后再使用光刻工艺+干法刻蚀工艺将PN结或P-I-N结周围多余的非晶硅薄膜去除掉与实施例三类似，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将开关二极管的负极与发光二极管的阳极连接，正极与数据连接，并向暗点所在像素对应的数据线上通入预设正电压，可以使电流不经过其他晶体管，仅通过开关二极管后传输至电阻，将其烧断，该电路结构简单，操作方便，可以快速准确的修复暗点。

实施例六

参照图19所示，为本实用新型实施例六的一种发光驱动电路与修复电路示意图，该发光驱动电路的具体结构与上述实施例相同，在此不再赘述。

与上述实施例不同点在于，开关二极管D1的第一端为正极，与发光二极管D2的阳极连接，开关二极管D1的第二端为负极，与电压信号输入端连接，其中，电压信号输入端与发光驱动电路的电源电压输入端VDD连接，即开关晶体管D1的负极与发光驱动电路的电源电压输入端VDD连接。当发光二极管D2的极与阴极之间存在导电异物3时，相当于在发光二极管D2的两极之间并联了一个电阻R1，造成发光二极管D2不能正常发光，在显示面板上形成暗点，此时，向该暗点对应的电源电压输入端VDD上通入预设电压，该预设电压为低电平电压。当在电源电压线上加低电压时，电流不会经过任何一个晶体管，该电压可以使开关二极管D1开启，电流经过开关二极管D1传输至电阻R1中，将其烧毁，实现暗点修复。在正常工作状态下，开关二极管D1处于不导通状态，不影响像素区的正常显示。

该实施例对应的阵列基板的结构示意图以及开关二极管D1形成位置层结构示意图参照图20与图21所示。本实施例的开关二极管D1由位于电源电压线与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层与N型半导体层构成，或由位于电源电压线与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成，在本实施例中，N型半导体层靠近电源电压线，其具体形成方式与实施例二类似，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将开关二极管的正极与发光二极管的阳极连接，负极与电源电压线连接，并向暗点所在像素对应的电源电压线上通入预设负电压，可以使电流不经过其他晶体管，仅通过开关二极管后传输至电阻，将其烧断，该电路结构简单，操作方便，可以快速准确的修复暗点。

实施例七

参照图22所示，为本实用新型实施例七的一种发光驱动电路与修复电路示意图，该发光驱动电路的具体结构与上述实施例相同，在此不再赘述。

与上述实施例不同点在于，开关二极管D1的第一端为负极，与发光二极管D2的阳极连接，开关二极管D1的第二端为正极，与电压信号输入端连接，其中，电压信号输入端与发光驱动电路的电源电压输入端VDD连接，即开关二极管D1的正极与发光驱动电路的电源电压输入端VDD连接。当发光二极管D2的阳极与阴极之间存在导电异物时，相当于在发光二极管D2的两极之间并联了一个电阻R1，造成发光二极管D2不能正常发光，在显示面板上形成暗点，此时，向该暗点对应的电源电压输入端VDD上通入预设电压，该预设电压为高电平电压，在该过程中，开关晶体管T2不开启，该电压可以使开关二极管D1开启，电流经过开关二极管D1传输至电阻R1中，将其烧毁，实现暗点修复。在正常工作状态下，开启开关晶体管T2的电压达不到开关二极管D1的开启电压，开关二极管D1处于不导通状态，不影响像素区的正常显示。

该实施例对应的阵列基板结构示意图以及开关二极管D1形成位置层结构示意图参照图23和图24所示。本实施例的开关二极管D1由位于电源电压线与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层与N型半导体层构成，或由位于电源电压线与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成，在本实施例中，P型半导体层靠近电源电压线，其具体形成方式与实施例三类似，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将开关二极管的负极与发光二极管的阳极连接，正极与电源电压线连接，并向暗点所在像素对应的电源电压线上通入预设正电压，可以使电流不经过其他晶体管，仅通过开关二极管后传输至电阻，将其烧断，该电路结构简单，操作方便，可以快速准确的修复暗点。

实施例八

参照图25所示，为本实用新型实施例八的一种发光驱动电路与修复电路示意图，该发光驱动电路的具体结构与上述实施例相同，在此不再赘述。

与上述实施例不同点在于，开关二极管D1的第一端为正极，与发光二极管D2的阳极连接，开关二极管D1的第二端为负极，与电压信号输入端连接，其中，电压信号输入端与发光驱动电路的感测参考电压输入端连接，即开关晶体管D1的负极与发光驱动电路的感测参考电压输入端连接。当发光二极管D2的极与阴极之间存在导电异物3时，相当于在发光二极管D2的两极之间并联了一个电阻R1，造成发光二极管D2不能正常发光，在显示面板上形成暗点，此时，向该暗点对应的感测参考电压输入端上通入预设电压，该预设电压为低电平电压。当在感测参考电压输入端上加低电压时，电流不会经过任何一个晶体管，该电压可以使开关二极管D1开启，电流经过开关二极管D1传输至电阻R1中，将其烧毁，实现暗点修复。在正常工作状态下，开关二极管D1处于不导通状态，不影响像素区的正常显示。

该实施例对应的阵列基板的结构示意图以及开关二极管D1形成位置层结构示意图参照图26与图27所示。本实施例的开关二极管D1由位于感测参考电压线Sense与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层与N型半导体层构成，或由位于电源电压线与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成，在本实施例中，N型半导体层靠近感测参考电压线Sense，其具体形成方式与实施例四类似，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将开关二极管的正极与发光二极管的阳极连接，负极与感测参考电压线连接，并向暗点所在像素对应的电源电压线上通入预设负电压，可以使电流不经过其他晶体管，仅通过开关二极管后传输至电阻，将其烧断，该电路结构简单，操作方便，可以快速准确的修复暗点。

实施例九

参照图28所示，为本实用新型实施例九的一种发光电路与修复电路示意图，该发光驱动电路的具体结构与上述实施例相同，在此不再赘述。

与上述实施例不同点在于，开关二极管D1的第一端为负极，与发光二极管D2的阳极连接，开关二极管D1的第二端为正极，与电压信号输入端连接，其中，电压信号输入端与发光驱动电路的感测参考电压输入端连接，即开关二极管D1的正极与发光驱动电路的感测参考电压输入端连接。当发光二极管D2的阳极与阴极之间存在导电异物时，相当于在发光二极管D2的两极之间并联了一个电阻R1，造成发光二极管D2不能正常发光，在显示面板上形成暗点，此时，向该暗点对应的感测参考电压输入端上通入预设电压，该预设电压为高电平电压，在该过程中，开关晶体管T2不开启，该电压可以使开关二极管D1开启，电流经过开关二极管D1传输至电阻R1中，将其烧毁，实现暗点修复。在正常工作状态下，开启开关晶体管T2的电压达不到开关二极管D1的开启电压，开关二极管D1处于不导通状态，不影响像素区的正常显示。

该实施例对应的阵列基板结构示意图以及开关二极管D1形成位置层结构示意图参照图29和图30所示。本实施例的开关二极管D1由位于感测参考电压线Sense与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层与N型半导体层构成，或由位于感测参考电压线Sense与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成，在本实施例中，P型半导体层靠近感测参考电压线Sense，其具体形成方式其具体形成方式与实施例五类似，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将开关二极管的负极与发光二极管的阳极连接，正极与感测参考电压线，并向暗点所在像素对应的感测参考电压线上通入预设正电压，可以使电流不经过其他晶体管，仅通过开关二极管后传输至电阻，将其烧断，该电路结构简单，操作方便，可以快速准确的修复暗点。

实施例十

参照图31所示，为本实用新型实施例十的一种发光驱动电路与修复电路示意图，该发光驱动电路的具体结构与上述实施例相同，在此不再赘述。

与上述实施例不同点在于，开关二极管D1的第一端为正极，与发光二极管D2的阳极连接，开关二极管D1的第二端为负极，与电压信号输入端连接，本实施例的阵列基板上还包括维修线repair，其中，电压信号输入端与维修线repair的一端连接，即开关晶体管D1的负极与维修线repair一端连接。当发光二极管D2的极与阴极之间存在导电异物3时，相当于在发光二极管D2的两极之间并联了一个电阻R1，造成发光二极管D2不能正常发光，在显示面板上形成暗点，此时，向该暗点对应的维修线repair的另一端上加载预设电压，该预设电压为低电平电压。当在维修线repair的另一端加载低电压时，电流不会经过任何一个晶体管，该电压可以使开关二极管D1开启，电流经过开关二极管D1传输至电阻R1中，将其烧毁，实现暗点修复。在正常工作状态下，开关二极管D1处于不导通状态，不影响像素区的正常显示。

本实施例中的维修线repair可以与扫描线gate同层且平行设置，也可以与数据线data同层且平行设置，其具体形成方式与扫描线gate或数据线data的形成方式相同，也可以与其他现有的OLED阵列基板的层结构同层设置，在此不再赘述。

本实施例中以维修线repair与扫描线gate同层且平行设置为例进行说明，对应的阵列基板结构示意图以及开关二极管D1形成位置层结构示意图参照图32与图33所示。本实施例的开关二极管D1由位于维修线repair与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层与N型半导体层构成，或由位于维修线repair与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成，在本实施例中，N型半导体层靠近维修线repair，其具体形成方式与实施例二类似，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将开关二极管的正极与发光二极管的阳极连接，负极与维修线连接，并向暗点所在像素对应的维修线上通入预设负电压，可以使电流不经过其他晶体管，仅通过开关二极管后传输至电阻，将其烧断，该电路结构简单，操作方便，可以快速准确的修复暗点。

实施例十一

参照图34所示，为本实用新型实施例十一的一种发光驱动电路与修复电路示意图，该发光驱动电路的具体结构与上述实施例相同，在此不再赘述。

与上述实施例不同点在于，开关二极管D1的第一端为负极，与发光二极管D2的阳极连接，开关二极管D1的第二端为正极，与电压信号输入端连接，本实施例的阵列基板上还包括维修线repair，其中，电压信号输入端与维修线repair的一端连接，即开关二极管D1的正极与维修线repair的一端连接。当发光二极管D2的阳极与阴极之间存在导电异物时，相当于在发光二极管D2的两极之间并联了一个电阻R1，造成发光二极管D2不能正常发光，在显示面板上形成暗点，此时，向该暗点对应的维修线repair的另一端加载预设电压，该预设电压为高电平电压，在该过程中，开关晶体管T2不开启，该电压可以使开关二极管D1开启，电流经过开关二极管D1传输至电阻R1中，将其烧毁，实现暗点修复。在正常工作状态下，开启开关晶体管T2的电压达不到开关二极管D1的开启电压，开关二极管D1处于不导通状态，不影响像素区的正常显示。

该实施例中的维修线repair的具体位置与实施例十类似，在此不再赘述。

本实施例中以维修线repair与扫描线gate同层且平行设置为例进行说明，对应的阵列基板结构示意图以及开关二极管D1形成位置层结构示意图参照图35和图36所示。本实施例的开关二极管D1由位于维修线repair与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层与N型半导体层构成，或由位于维修线repair与像素电极ITO之间依次形成的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层构成，在本实施例中，P型半导体层靠近维修线repair，其具体形成方式其具体形成方式与实施例三类似，在此不再赘述。

通过上述内容可知，本实用新型实施例包括以下优点：

将开关二极管的负极与发光二极管的阳极连接，正极与维修线连接，并向暗点所在像素对应的维修线上通入预设正电压，可以使电流不经过其他晶体管，仅通过开关二极管后传输至电阻，将其烧断，该电路结构简单，操作方便，可以快速准确的修复暗点。

本实用新型实施例还提供了一种阵列基板包括上述修复电路。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述阵列基板。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于系统实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

尽管已描述了本实用新型实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种修复电路，用于OLED阵列基板，所述OLED阵列基板包括发光驱动电路，所述发光驱动电路包括发光模块和驱动模块，其特征在于，所述修复电路包括修复模块；

所述修复模块的第一端与所述发光模块的阳极连接，所述修复模块的第二端与电压信号输入端连接；

其中，当所述发光模块的阳极与阴极之间存在导电异物时，所述电压信号输入端输入预设电压，电流通过修复模块再流经所述导电异物，以将所述导电异物烧断。

2.根据权利要求1所述的修复电路，其特征在于，所述修复模块包括一个开关二极管，所述开关二极管的第一端与所述发光模块的阳极连接，所述开关二极管的第二端与所述电压信号输入端连接。

3.根据权利要求2所述的修复电路，其特征在于，所述电压信号输入端与所述发光驱动电路的扫描信号输入端连接。

4.根据权利要求2所述的修复电路，其特征在于，所述电压信号输入端与所述发光驱动电路的数据信号输入端连接。

5.根据权利要求2所述的修复电路，其特征在于，所述电压信号输入端与所述发光驱动电路的电源电压输入端连接。

6.根据权利要求2所述的修复电路，其特征在于，所述电压信号输入端与所述发光驱动电路的感测参考电压输入端连接。

7.根据权利要求2所述的修复电路，其特征在于，所述修复电路还包位于所述阵列基板上的维修线，所述电压信号输入端与所述维修线连接。

8.根据权利要求2-7任一项所述的修复电路，其特征在于，所述开关二极管为PN结型二极管或PIN结型二极管。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的修复电路。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。