CN207021661U - 直流电压供给电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供对于异常发热具备更安全的保护功能的直流电压供给电路。直流电压供给电路包括：插入于正电位线(1)的场效应晶体管(FET)；插入于正电位线(1)与负电位线(2)之间的第一固定电阻(R1)和正特性热敏电阻PTC的分压电路(6)；阳极(A)连接至正电位线(1)、栅极(G)连接至分压电路(6)的连接点(X)、阴极(K)经由第二固定电阻(R2)连接至负电位线(2)的晶闸管(SCR)；以及与晶闸管(SCR)并联连接的第三固定电阻(R3)，当发生异常发热，正特性热敏电阻(PTC)的电阻值上升时，晶闸管(SCR)处在导通状态，其结果场效应晶体管(FET)处在截止状态，停止提供直流电压。

Description

直流电压供给电路

技术领域

本实用新型涉及从直流电源向负载提供直流电压的直流电压供给电路，更详细地说，涉及对于异常发热具有更安全的保护功能的直流电压供给电路。

背景技术

在从直流电源向负载提供直流电压的直流电压供给电路中，当产生过电流、异常发热时，停止向负载提供电压以防止发生更重大的事故于未然较为重要。

在专利文献1(日本专利特开平5－260647号公报)中，公开了具备上述功能的直流电压供给电路。

在图7中，示出专利文献1所公开的直流电压供给电路(电流切断装置)1100。

直流电压供给电路1100具备直流电源101。直流电源101经由正电位线102及负电位线103，将直流电压提供给负载(负载侧基板)104。

在直流电压供给电路1100的正电位线102中插入有正特性热敏电阻105。

直流电压供给电路1100在发生过电流、异常发热的情况下，正特性热敏电阻105的电阻值上升，停止从直流电源101向负载104提供电流电压。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平5－26047号公报

实用新型内容

实用新型所要解决的技术问题

在专利文献1所公开的直流电压供给电路1100中，存在以下问题：在从直流电源101向负载104的供电停止后，若正特性热敏电阻105自然冷却，则正特性热敏电阻105的电阻值下降，从直流电源101向负载104的直流电压供给会自动地重新开始。

即，在从直流电源101向负载104的直流电压供给停止后，消除会导致过电流、异常发热的短路等原因即可，但是若短路等原因未被解除就直接重新开始提供直流电压，则存在会再次发生过电流、异常发热这样的问题。而且，在再次产生过电流、异常发热时，若再次停止提供直流电压失败，则可能会发生冒烟、起火等更重大的事故。

解决技术问题的技术方案

本实用新型是为了解决上述的现有问题而完成的，其技术方案是本实用新型的直流电压供给电路包括正电位线及负电位线，还包括：插入于正电位线的半导体开关；分压电路，该分压电路插入于正电位线与负电位线之间，并且由第一固定电阻和用于监视异常发热的热敏电阻串联连接而成；晶闸管，该晶闸管的阳极连接至正电位线，栅极连接至分压电路的第一固定电阻与热敏电阻的连接点，阴极经由第二固定电阻连接至负电位线；以及并联连接在晶闸管的阳极与阴极之间的第三固定电阻，该直流电压供给电路对于异常发热具备保护功能,当由于异常发热且热敏电阻的电阻值发生变动时，分压电路的第一固定电阻与热敏电阻的连接点的电压发生变动，由于分压电路的第一固定电阻与热敏电阻的连接点的电压发生变动，晶闸管导通，由于晶闸管导通，半导体开关截止，从而停止正电位线的直流电压供给。由上述的结构构成的本实用新型的直流电压供给电路在通过半导体开关停止正电位线的直流电压供给后，即使热敏电阻自然冷却，直流电压的供给也不会自动地重新开始。

晶闸管可以由PNP型晶体管与NPN型晶体管构成，PNP型晶体管的集电极与NPN型晶体管的基极连接，PNP型晶体管的基极与NPN型晶体管的集电极连接，PNP型晶体管的发射极相当于晶闸管的阳极，PNP型晶体管的集电极与NPN型晶体管的基极的连接点相当于晶闸管的栅极。即，晶闸管不需要单体的电子元器件，可以由多个晶体管构成。

热敏电阻可以采用正特性热敏电阻，分压电路的第一固定电阻侧的端部连接至正电位线，分压电路的正特性热敏电阻侧的端部连接至负电位线。在该情况下，若发生异常发热，正特性热敏电阻的温度上升，正特性热敏电阻的电阻值上升，则分压电路的第一固定电阻与正特性热敏电阻的连接点的电压上升，晶闸管导通。

或者，热敏电阻可以采用负特性热敏电阻，分压电路的负特性热敏电阻侧的端部连接至正电位线，分压电路的第一固定电阻侧的端部连接至负电位线。在该情况下，若发生异常发热，负特性热敏电阻的温度上升，负特性热敏电阻的电阻值下降，则分压电路的负特性热敏电阻与第一固定电阻的连接点的电压上升，晶闸管导通。

优选为分压电路的热敏电阻与电容器并联连接。在该情况下，能够经由该电容器使噪声流入至负电位线，因此能抑制由于噪声导致的误动作引起的晶闸管导通。

正电位线及负电位线分别在中途断开，断开的正电位线与负电位线一并用1对连接器连接，热敏电阻监视连接器附近的异常发热。在该情况下，能够利用热敏电阻检测由于异物夹在连接器的连接点等引起的异常发热，并停止正电位线的直流电压供给。连接器例如能使用USB连接器。

实用新型效果

本实用新型的直流电压供给电路在检测到异常发热并停止提供正电位线的直流电压后，即使热敏电阻自然冷却温度降低，晶闸管也持续导通状态，半导体开关也持续截止状态，因此直流电压的供给也不会自动地重新开始。因而，在停止了正电位线的直流电压供给后，暂时使直流电源停止，调查异常发热的原因，并消除异常发热的原因，在此基础上再次启动直流电源，从而能安全地重新开始提供直流电压。

附图说明

图1是第1实施方式的直流电压供给电路100的等效电路图。

图2是第2实施方式的直流电压供给电路200的等效电路图。

图3是第3实施方式的直流电压供给电路300的等效电路图。

图4是第4实施方式的直流电压供给电路400的等效电路图。

图5是第5实施方式的直流电压供给电路500的等效电路图。

图6是将第6实施方式的直流电压供给电路600组装至适配器51、电缆52、USB连接器53、电子设备54时的说明图。

图7是专利文献1所公开的直流电压供给电路1100的等效电路图。

具体实施方式

下面，对于本实用新型的实施方式，参照附图进行说明。

此外，各实施方式是用于例示本实用新型的实施方式，并非将本实用新型仅限定于实施方式的内容。能将不同的实施方式中所记载的内容组合来进行实施，此时的实施内容也包含在本实用新型中。此外，附图适用于帮助理解实施方式，不一定被严格地绘制。例如，被绘制的构成要素以及构成要素间的尺寸的比例有时与说明书中所记载的它们的尺寸的比例不一致。记载在说明书中的构成要素有时在图中被省略，有时会省略个数来进行绘制等。

[第1实施方式]

图1是表示第1实施方式的直流电压供给电路100。图1是直流电压供给电路100的等效电路图。

直流电压供给电路100具备正电位线1和负电位线2。正电位线1及负电位线2分别一端连接至直流电源3，另一端连接至负载4。

电源开关5连接至正电位线1。

作为半导体开关的场效应晶体管FET连接至正电位线1。更具体而言，场效应晶体管FET的源极S连接至正电位线1的直流电源3侧，场效应晶体管FET的漏极D连接至正电位线1的负载4侧。

在正电位线1与负电位线2之间，连接有分压电路6。分压电路6由第一固定电阻R1与正特性热敏电阻PTC在连接点X串联连接来构成。分压电路6的第一固定电阻R1侧连接至正电位线1。分压电路6的正特性热敏电阻PTC侧连接至负电位线2。正特性热敏电阻PTC用于监视异常发热，在直流电压供给电路100中配置于要监视异常发热的规定位置。

直流电压供给电路100具备利用PNP型晶体管Q1与NPN型晶体管Q2构成的晶闸管SCR。在晶闸管SCR中，PNP型晶体管Q1的集电极C与NPN型晶体管Q2的基极B连接，PNP型晶体管Q1的基极B与NPN型晶体管Q2的集电极C连接。

PNP型晶体管Q1的发射极E相当于晶闸管SCR的阳极A。PNP型晶体管Q1的集电极C与NPN型晶体管Q2的基极B的连接点相当于晶闸管SCR的栅极G。NPN型晶体管Q2的发射极E相当于SCR晶闸管的阴极K。

晶闸管SCR的阳极A连接至正电位线1。晶闸管SCR的栅极G连接至分压电路6的第一固定电阻R1与正特性热敏电阻PTC的连接点X。晶闸管SCR的阴极K经由第二固定电阻R2连接至负电位线2。晶闸管SCR(阴极K)与第二固定电阻R2在连接点Y串联连接。

在晶闸管SCR的阳极A与阴极K之间，并联连接有第三固定电阻R3。即，在正电位线1与连接点Y之间，连接有第三固定电阻R3。

晶闸管SCR的阴极K与第二固定电阻R2以及第三固定电阻R3的连接点、即连接点Y连接至场效应晶体管FET的栅极G。

由上述结构构成的直流电压供给电路100如下进行动作。

若使直流电压供给电路100的电源开关5导通，则从直流电源3向负载4提供直流电压。即，在使电源开关5导通的初始状态，场效应晶体管FET为导通状态，从直流电源3向负载4提供直流电压。

此时，晶闸管SCR处于截止状态。即，由第一固定电阻R1的电阻值与正特性热敏电阻PTC的电阻值决定的分压电路6的连接点X的电压处在低于使晶闸管SCR导通的阈值电压的状态。由于利用第三固定电阻R3与第二固定电阻R2构成分压电路(与分压电路6不同的电路)，场效应晶体管FET的栅极G的电压、即连接点Y的电压处在低于正电位线1的电压的状态。而且，由于场效应晶体管FET的栅极G的电压处在低于正电位线1的电压的状态，因此如上所述场效应晶体管FET处在导通状态。

在从直流电源3向负载4提供直流电压的状态下，若由于某种原因发生异常发热，则正特性热敏电阻PTC的温度上升。若正特性热敏电阻PTC的温度上升，则正特性热敏电阻PTC的电阻值上升，分压电路6的连接点X的电压上升。

而且，若分压电路6的连接点X的电压上升，晶闸管SCR的栅极G的电压超过使晶闸管SCR导通的阈值电压，则首先NPN型晶体管Q2导通，接着PNP型晶体管Q1导通，晶闸管SCR的阳极A与阴极K之间导通。即，晶闸管SCR处于导通状态。

而且，由于晶闸管SCR处在导通的状态，场效应晶体管FET为截止状态，通过场效应晶体管FET，停止从直流电源3向负载4提供直流电压。即，直流电压供给电路100中，通过正特性热敏电阻PTC检测异常发热，停止从直流电源3向负载4提供电流电压。

晶闸管SCR暂时处在导通状态，只要电源开关5不断开，就不会恢复至截止状态。即，停止从直流电源3向负载4提供直流电压，异常发热停止，正特性热敏电阻PTC自然冷却，正特性热敏电阻PTC的电阻值降低，分压电路6的连接点X的电压低于使晶闸管SCR导通的阈值电压，即使这样，晶闸管SCR也不会恢复至截止状态。这是因为，若NPN型晶体管Q2暂时导通，PNP型晶体管Q1随之导通，则即使分压电路6的连接点X的电压降低，在NPN型晶体管Q2的基极B持续施加PNP型晶体管Q1的集电极C的电流(电压)，因此NPN型晶体管Q2持续导通状态，PNP型晶体管Q1也随之持续导通状态。

因此，直流电压供给电路100通过停止从直流电源3向负载4提供直流电压，异常发热停止，正特性热敏电阻PTC自然冷却，正特性热敏电阻PTC的电阻值降低，即使分压电路6的连接点X的电压低于使晶闸管SCR导通的阈值电压，场效应晶体管FET也不会变成导通状态，直流电压的供给不会自动地重新开始。

如上所述，直流电压供给电路100若由于异常发热而暂时停止从直流电源3向负载4提供直流电压，则即使在之后正特性热敏电阻PTC的温度降低，电源开关5也暂时断开，只要电源开关5不再次导通，从直流电源3向负载4的直流电压的供给就不会自动地重新开始。

因而，在本实施方式的直流电压供给电路100中，在停止从直流电源3向负载4提供直流电压后，使电源开关5断开，调查异常发热的原因，并消除异常发热的原因，在此基础上使电源开关5再次导通，从而能安全地重新开始提供直流电压。

[第2实施方式]

图2中表示第2实施方式的直流电压供给电路200。图2是直流电压供给电路200的等效电路图。

直流电压供给电路200对第1实施方式的直流电压供给电路100的一部分进行了变更。

在直流电压供给电路100中，分压电路6由串联连接的第一固定电阻R1与正特性热敏电阻PTC构成，第一固定电阻R1侧连接至正电位线1，正特性热敏电阻PTC侧连接至负电位线2。直流电压供给电路200对此进行了变更，使分压电路16由串联连接的负特性热敏电阻NTC与第一固定电阻R11构成，将负特性热敏电阻NTC侧连接至正电位线1，将第一固定电阻R11侧连接至负电位线2。直流电压供给电路200的其他结构与直流电压供给电路100相同。

直流电压供给电路200中，若发生异常发热，则负特性热敏电阻NTC的温度上升，负特性热敏电阻NTC的电阻值下降，分压电路16的连接点X的电压上升。而且，通过使分压电路6的连接点X的电压超过使晶闸管SCR导通的阈值电压，从而使晶闸管SCR导通。其结果，场效应晶体管FET的栅极G的电压与正电位线1的电压相等，场效应晶体管FET截止，利用场效应晶体管FET，停止从直流电源3向负载4提供直流电压。

在本实施方式的直流电压供给电路200中，在由于异常发热而停止提供直流电压后，即使之后负特性热敏电阻NTC的温度降低，电源开关5也暂时断开，只要不再次将电源开关5导通，就不会重新开始提供直流电压，因此能在调查异常发热的原因并消除异常发热的原因的基础上，安全地重新开始提供直流电压。

[第3实施方式]

在图3中，示出第3实施方式的直流电压供给电路300。图3是直流电压供给电路300的等效电路图。

直流电压供给电路300对第1实施方式的直流电压供给电路100的一部分进行了变更。

直流电压供给电路300中，与直流电压供给电路100的分压电路6的正特性热敏电阻PTC并联地还连接有电容器C1。

直流电压供给电路300附加有电容器C1，从而避免如下情况：因噪声的误动作导致晶闸管SCR变为导通状态，结果使场效应晶体管FET变为截止状态，错误地停止从直流电源3向负载4提供直流电压。即，在直流电压供给电路300中，即使在晶闸管SCR的栅极G上施加噪声，也能够使该噪声经由电容器C1流入负电位线2，因此不会由于噪声所导致的误动作使晶闸管SCR变为导通状态，而且场效应晶体管FET不会变为截止状态，从而不会错误地停止从直流电源3向负载4提供直流电压。

本实施方式的直流电压供给电路300除了直流电压供给电路100所起到的效果以外，还起到了以下效果：不会由于噪声所导致的误动作而错误地停止从直流电源3向负载4提供直流电压。

[第4实施方式]

在图4中，示出第4实施方式的直流电压供给电路400。图4是直流电压供给电路400的等效电路图。

直流电压供给电路400对第1实施方式的直流电压供给电路100的一部分进行了变更。

在直流电压供给电路100中，正电位线1连接有场效应晶体管FET来作为半导体开关。直流电压供给电路400中对此进行了变更，正电位线1连接有PNP型晶体管Q3来作为半导体开关。更具体而言，将PNP型晶体管Q3的发射极E连接至正电位线1的直流电源3侧。将PNP型晶体管Q3的集电极C连接至正电位线1的负载4侧。将PNP型晶体管Q3的基极B连接至晶闸管SCR与第二固定电阻R2以及第三固定电阻的连接点Y。直流电压供给电路400的其他结构与直流电压供给电路100相同。

直流电压供给电路400与直流电压供给电路100同样地进行动作。

一般，直流电压供给电路400中用作为半导体开关的PNP型晶体管Q3比直流电压供给电路100中用作为半导体开关的场效应晶体管FET更廉价。

根据直流电压供给电路400，能够比直流电压供给电路100更廉价地制作具备了与直流电压供给电路100相同功能的直流电压供给电路。

[第5实施方式]

在图5中，示出第5实施方式的直流电压供给电路500。图5是直流电压供给电路500的等效电路图。

直流电压供给电路500也对第1实施方式的直流电压供给电路100的一部分进行了变更。

在直流电压供给电路100中，晶闸管SCR由PNP型晶体管Q1与NPN型晶体管Q2构成。直流电压供给电路500中对此进行了变更，使用了单体的电子元器件来作为晶闸管SCR。直流电压供给电路400的其他结构与直流电压供给电路100相同。

由单体的电子元器件构成的晶闸管SCR也具有与由PNP型晶体管Q1与NPN型晶体管Q2构成的晶闸管SCR相同的功能。

由此，在本实用新型的直流电压供给电路中，所使用的晶闸管SCR可以由PNP型晶体管Q1与NPN型晶体管Q2构成，也可以由单体的电子元器件来构成。

[第6实施方式]

在图6中，示出第6实施方式的直流电压供给电路600。图6是直流电压供给电路600的说明图。

直流电压供给电路600中，将第5实施方式的直流电压供给电路500组装至适配器51、电缆52、USB连接器53、电子设备54。另外，USB是通用串行总线(Universal Serial Bus)的缩写，是用于将周边设备连接至计算机等信息设备的串行总线标准之一。

适配器51具备有直流电源3和电源开关5。直流电源3例如将交流的商用电源变换成期望的直流电压的电源。另外，虽然在本实施方式中使用了适配器51，但也可以使用个人计算机等的电源作为直流电源来代替适配器51。此外，电源开关5不是必须的，也可以通过使后述的USB连接器53的公型USB连接器53a与母型USB连接器53b嵌合、脱离来代替电源开关5。

在电缆52中，包含有多个信号线55、正电位线1以及负电位线2。信号线55用于适配器51与电子设备54之间的信号交换。如上所述，在使用了个人计算机来代替适配器51的情况下，信号线55用于个人计算机与电子设备54之间的信号交换。

USB连接器53由公型USB连接器53a与母型USB连接器53b构成。公型USB连接器53a与母型USB连接器53b能相互嵌合与脱离。公型USB连接器53a与母型USB连接器53b分别具备接点，通过使各自的接点彼此接触，从而能测量规定的线路彼此的电连接。

公型USB连接器53a经由电缆52连接至适配器51。母型USB连接器53b安装于电子设备54的壳体。

在公型USB连接器53a的绝缘体部分埋设由第一固定电阻R1与正特性热敏电阻PTC构成的分压电路6。第一固定电阻R1的一端连接至正电位线1，另一端连接至连接点X。正特性热敏电阻PTC的一端连接至负电位线2，另一端连接至连接点X。连接点X经由母型USB连接器53b，通过异常发热检测线56连接至设置于电子设备54内的晶闸管SCR的栅极G。

电子设备54的种类是任意的，例如是移动电话、智能手机、音乐播放器等。在电子设备54的内部设置晶闸管SCR、场效应晶体管FET、第二固定电阻R2、第三固定电阻R3、以及负载4。负载4是例如电子设备54的蓄电池等。

如上所述，晶闸管SCR的栅极G连接至分压电路6的连接点X。晶闸管SCR的阳极A连接至正电位线1。晶闸管SCR的阴极K经由第二固定电阻R2连接至负电位线2。

在晶闸管SCR的阳极A与阴极K之间，并联连接有第三固定电阻R3。即，在正电位线1与连接点Y之间，连接有第三固定电阻R3。

作为半导体开关的场效应晶体管FET连接至正电位线1。更具体而言，场效应晶体管FET的源极S连接至正电位线1的直流电源3侧。场效应晶体管FET的漏极D连接至正电位线1的负载4侧。场效应晶体管FET的栅极G连接至晶闸管SCR的阴极与第二固定电阻R2以及第三固定电阻R3的连接点。

在直流电压供给电路600中，经由正电位线1及负电位线2，从直流电源3向负载4提供直流电压。另外，如上所述，正电位线1及负电位线2分别在中途断开，断开的正电位线1与负电位线2一并利用由公型USB连接器53a及母型USB连接器53b构成的USB连接器连接。

直流电压供给电路600中，通过正特性热敏电阻PTC监视USB53附近的异常发热，在检测到异常发热的情况下，使晶闸管SCR处在导通状态，进而使场效应晶体管FET处在截止状态，停止从直流电源3向负载4提供电流电压。

直流电压供给电路600中，在检测到异常发热并停止提供直流电压后，即使正特性热敏电阻PTC自然冷却温度降低，只要电源开关5不断开，晶闸管SCR就会持续导通状态，场效应晶体管FET持续截止状态，直流电压的供给也不会自动地重新开始。因而，直流电压供给电路600中，在停止提供直流电压后，暂时使电源开关5断开，调查异常发热的原因，并消除异常发热的原因，在此基础上使电源开关5再次导通，从而能安全地重新开始提供直流电压。

以上，对于第1实施方式～第6实施方式的直流电压供给电路100～600进行了说明。然而，本实用新型并不限定于上述的内容，根据实用新型的主旨，能够增加各种变更。

例如，各实施方式的等效电路图是提取与本实用新型相关的结构并示出，也可以增加其他功能。此外，在不脱离本实用新型的宗旨的范围内，可以变更电路。

在直流电压供给电路600中，使用USB连接器53(公型USB连接器53a、母型USB连接器53b)作为连接器，但也可以是其他种类的连接器。此外，直流电压供给电路600中，虽然将正特性热敏电阻PTC设置于公型USB连接器53a，但是也可以将正特性热敏电阻PTC设置于电子设备54侧来进行替代。

标号说明

1 正电位线

2 负电位线

3 直流电源

4 负载

5 电源开关

6、16 分压电路

R1、R11 第一固定电阻

R2 第二电阻

R3 第三固定电阻

PTC 正特性热敏电阻

NTC 负特性热敏电阻

SCR 晶闸管

Q1 PNP型晶体管(构成晶闸管SCR的一部分)

Q2 NPN型晶体管(构成晶闸管SCR的一部分)

FET 场效应晶体管(半导体开关)

Q3 PNP型晶体管(半导体开关)

100、200、300、400、500、600 直流电压供给电路

Claims (7)

1.一种直流电压供给电路，具备正电位线及负电位线，其特征在于，还包括：

插入于所述正电位线的半导体开关；

分压电路，该分压电路插入于所述正电位线与所述负电位线之间，并且由第一固定电阻和用于监视异常发热的热敏电阻串联连接而成；

晶闸管，该晶闸管的阳极连接至所述正电位线，栅极连接至所述分压电路的所述第一固定电阻与所述热敏电阻的连接点，阴极经由第二固定电阻连接至所述负电位线；以及

并联连接在所述晶闸管的所述阳极与所述阴极之间的第三固定电阻，

该直流电压供给电路对于异常发热具备如下的保护功能：

当发生异常发热，所述热敏电阻的电阻值发生变动时，所述分压电路的所述第一固定电阻与所述热敏电阻的连接点的电压发生变动，由于所述分压电路的所述第一固定电阻与所述热敏电阻的连接点的电压发生变动，所述晶闸管导通，由于所述晶闸管导通，所述半导体开关截止，从而停止所述正电位线的直流电压供给。

2.如权利要求1所述的直流电压供给电路，其特征在于，

所述晶闸管由PNP型晶体管与NPN型晶体管构成，

所述PNP型晶体管的集电极与所述NPN型晶体管的基极连接，

所述PNP型晶体管的基极与所述NPN型晶体管的集电极连接，

所述PNP型晶体管的发射极相当于所述晶闸管的所述阳极，

所述PNP型晶体管的所述集电极与所述NPN型晶体管的所述基极的连接点相当于所述晶闸管的所述栅极，

所述NPN型晶体管的发射极相当于所述晶闸管的所述集电极。

3.如权利要求1或2所述的直流电压供给电路，其特征在于，

所述热敏电阻是正特性热敏电阻，

所述分压电路的所述第一固定电阻侧的端部连接至所述正电位线，

所述分压电路的所述正特性热敏电阻侧的端部连接至所述负电位线。

4.如权利要求1或2所述的直流电压供给电路，其特征在于，

所述热敏电阻是负特性热敏电阻，

所述分压电路的所述负特性热敏电阻侧的端部连接至所述正电位线，

所述分压电路的所述第一固定电阻侧的端部连接至所述负电位线。

5.如权利要求1或2所述的直流电压供给电路，其特征在于，

所述分压电路的所述热敏电阻与电容器并联连接。

6.如权利要求1或2所述的直流电压供给电路，其特征在于，

所述正电位线及所述负电位线分别在中途断开，断开的所述正电位线与所述负电位线一并通过1对连接器连接，

所述热敏电阻监视所述连接器附近的异常发热。

7.如权利要求6所述的直流电压供给电路，其特征在于，

所述连接器为USB连接器。