CN206962420U - 一种低成本光耦合保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低成本光耦合保护电路，包括输入电压端，与输入电压端相连接的光耦合保护电路，光耦合保护电路包括稳压二极管、第一电阻、第二电阻、光耦合器、第三电阻、第四电阻、第一电容和三极管。本实用新型的结构设置合理，使用电子元器件较少，故而可有效的降低制作成本，而且由于电子元器件较少，故而也可有效的减少故障的产生，从而有利于提高使用稳定性，使用性强且实用性好。
Description
技术领域
本实用新型属于保护电路技术领域，具体设计一种低成本光耦合保护电路。
背景技术
随着我国电子技术的成熟，各种电路设备发展迅速，然而传统技术的光耦合保护电路的成本较高，而且其使用的电路元件器较多，故而造成电路复杂，一定程度上会影响使用稳定性，使用性受到限制。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种结构设备合理且使用稳定性好的低成本光耦合保护电路。
实现本实用新型目的的技术方案是一种低成本光耦合保护电路，包括输入电压端，与所述输入电压端相连接的光耦合保护电路，所述光耦合保护电路包括稳压二极管、第一电阻、第二电阻、光耦合器、第三电阻、第四电阻、第一电容和三极管，所述稳压二极管的负极连接在输入电压端、正极连接在光耦合器中发光二极管的正极，光耦合器中发光二极管的负极通过第二电阻后接地，第一电阻连接在光耦合器中发光二极管的两端，所述三极管的集电极连接在芯片电源引脚上、发射极接地且基极通过第四电阻连接在光耦合器中光敏三极管的发射极上、光敏三极管的集电极接基准电压，所述第三电阻的一端连接在光耦合器中光敏三极管的发射极且另一端接地，所述第一电容连接在三极管的基极与发射极之间。
所述三极管为NPN型三极管。
本实用新型具有积极的效果：本实用新型的结构设置合理，使用电子元器件较少，故而可有效的降低制作成本，而且由于电子元器件较少，故而也可有效的减少故障的产生，从而有利于提高使用稳定性，使用性强且实用性好。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中：
图1为本实用新型的电路结构示意图。
具体实施方式
(实施例1)
图1显示了本实用新型的一种具体实施方式，其中图1为本实用新型的电路结构示意图。
见图1，一种低成本光耦合保护电路，包括输入电压端V1，与所述输入电压端V1相连接的光耦合保护电路，所述光耦合保护电路包括稳压二极管ZD1、第一电阻R1、第二电阻R2、光耦合器U2、第三电阻R3、第四电阻 R4、第一电容C1和三极管Q1，所述稳压二极管ZD1的负极连接在输入电压端V1、正极连接在光耦合器U2中发光二极管的正极，光耦合器U2中发光二极管的负极通过第二电阻R2后接地，第一电阻R1连接在光耦合器U2中发光二极管的两端，所述三极管Q1的集电极连接在芯片电源引脚U1 1上、发射极接地且基极通过第四电阻R4连接在光耦合器U2中光敏三极管的发射极上、光敏三极管的集电极接基准电压Vref，所述第三电阻R3的一端连接在光耦合器U2中光敏三极管的发射极且另一端接地，所述第一电容C1 连接在三极管的基极与发射极之间。
所述三极管为NPN型三极管。
当输出电压V1过压时候，稳压二极管ZD1击穿导通，在ZD1、U2、R2 回路上形成电流，从而光耦U2的发光二极管发光，使得光耦U2的光敏三极管导通，从而三极管Q1基极产生电压导通，将U1 1脚电压拉低，使得芯片停止工作，导致整个电源停止运行，V1电压降低。
当V1电压降低后，稳压二极管ZD1不导通，在ZD1、U2、R2回路上形成无法产生电流，光耦U2的发光二极管不工作，光敏三极管截止，三极管 Q1相应截止，芯片1脚电压升高，电压恢复正常运行，V1电压恢复正常，周而复始运作，保证电路正常输出
本实用新型的结构设置合理，使用电子元器件较少，故而可有效的降低制作成本，而且由于电子元器件较少，故而也可有效的减少故障的产生，从而有利于提高使用稳定性，使用性强且实用性好。
显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本实用新型的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本实用新型的保护范围。
Claims (2)
1.一种低成本光耦合保护电路，包括输入电压端，与所述输入电压端相连接的光耦合保护电路，其特征在于：所述光耦合保护电路包括稳压二极管、第一电阻、第二电阻、光耦合器、第三电阻、第四电阻、第一电容和三极管，所述稳压二极管的负极连接在输入电压端、正极连接在光耦合器中发光二极管的正极，光耦合器中发光二极管的负极通过第二电阻后接地，第一电阻连接在光耦合器中发光二极管的两端，所述三极管的集电极连接在芯片电源引脚上、发射极接地且基极通过第四电阻连接在光耦合器中光敏三极管的发射极上、光敏三极管的集电极接基准电压，所述第三电阻的一端连接在光耦合器中光敏三极管的发射极且另一端接地，所述第一电容连接在三极管的基极与发射极之间。
2.根据权利要求1所述的低成本光耦合保护电路，其特征在于：所述三极管为NPN型三极管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720455938.1U CN206962420U (zh) | 2017-04-27 | 2017-04-27 | 一种低成本光耦合保护电路 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN201720455938.1U CN206962420U (zh) | 2017-04-27 | 2017-04-27 | 一种低成本光耦合保护电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206962420U true CN206962420U (zh) | 2018-02-02 |
Family
ID=61373013
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201720455938.1U Active CN206962420U (zh) | 2017-04-27 | 2017-04-27 | 一种低成本光耦合保护电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206962420U (zh) |
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2017
- 2017-04-27 CN CN201720455938.1U patent/CN206962420U/zh active Active
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