CN203368019U - 交流直接驱动led电路的过压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种交流直接驱动LED电路的过压保护电路，包括有电阻R1、R2、R3、R4、MOS晶体管Q1和双极晶体管Q2，电阻R1的一端与外部市电的整流电路的正输出端相连，电阻R1的另一端分别与MOS晶体管Q1的栅极和双极晶体管Q2的集电极相连，电阻R2的一端分别与双极晶体管Q2的基极和电阻R4的一端相连，电阻R2的另一端分别与电阻MOS晶体管Q1的源极和电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端接参考地，电阻R4的另一端分别与MOS晶体管Q1的漏极和外部的交流驱动LED电路相连，双极晶体管Q2的发射极接参考地。本实用新型的过压保护性能优良，成本低，可以确保LED处于小功率工作状态，并保证了驱动电路不会发生损坏。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子电路领域，具体是一种交流直接驱动LED电路的过压保护电路。
背景技术
交流驱动LED电路具有效率高、可靠性高和成本低等优点。但现有的交流驱动LED电路中缺少一种良好的过压保护电路，例如对于交流220伏工作的交流驱动LED电路而言，当交流电压升高到265伏时，LED的功率将增加20%以上，当交流电压升高到更高时，往往会损坏LED和驱动电路。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种交流直接驱动LED电路的过压保护电路，当输入的交流电压高于额定值而达到一定数值时，过压保护电路将自动工作，使LED的功率明显减小，从而来保护了LED以及驱动电路。
本实用新型的技术方案如下：
一种交流直接驱动LED电路的过压保护电路，其特征在于：包括有电阻R1、R2、R3、R4、MOS晶体管Q1和双极晶体管Q2，所述电阻R1的一端与外部市电的整流电路的正输出端相连，电阻R1的另一端分别与MOS晶体管Q1的栅极和双极晶体管Q2的集电极相连，所述电阻R2的一端分别与双极晶体管Q2的基极和电阻R4的一端相连，电阻R2的另一端分别与电阻MOS晶体管Q1的源极和电阻R3的一端相连，所述电阻R3的另一端接参考地，所述电阻R4的另一端分别与MOS晶体管Q1的漏极和外部的交流驱动LED电路相连，所述双极晶体管Q2的发射极接参考地。
所述的交流直接驱动LED电路的过压保护电路，其特征在于：所述的双极晶体管Q2可由光耦合器u1替代，所述电阻R1的另一端与光耦合器u1的4脚相连，所述电阻R2的一端与光耦合器u1的1脚相连，光耦合器u1的2、3脚接参考地。
所述的交流直接驱动LED电路的过压保护电路，其特征在于：所述的MOS晶体管Q1可由达林顿晶体管Q1替代，所述电阻R1的另一端与达林顿晶体管Q1的基极相连，所述电阻R2的另一端与达林顿晶体管Q1的发射极相连，所述电阻R4的另一端与达林顿晶体管Q1的集电极相连。
本实用新型的有益效果：
本实用新型的过压保护性能优良，所用的元器件均为常见的元器件，成本低，当输入的交流电压超过额定电压100%时，该过压保护电路仍然可以确保LED处于小功率工作状态，并保证了驱动电路不会发生损坏。
附图说明
图1为本实用新型实施例1的电路图。
图2为本实用新型实施例2的电路图。
图3为本实用新型实施例3的电路图。
图4为本实用新型的一种应用电路图。
图5为本实用新型的另一种应用电路图。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，该交流直接驱动LED电路的过压保护电路包括有电阻R1、R2、R3、R4、MOS晶体管Q1和双极晶体管Q2。电阻R1的一端与外部市电的整流电路的正输出端相连，外部市电的整流电路的负输出端作为参考地，电阻R1的另一端分别与MOS晶体管Q1的栅极和双极晶体管Q2的集电极相连，电阻R2的一端与双极晶体管Q2的基极以及电阻R4的一端相连，电阻R2的另一端分别与MOS晶体管Q1的源极和电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端接参考地，电阻R4的另一端分别与MOS晶体管Q1的漏极和外部的交流驱动LED电路相连，双极晶体管Q2的发射极接参考地。其中，电阻R1的功率为0.25瓦、阻值为5.1兆欧，电阻R2的功率为0.25瓦、阻值为1K欧，电阻R3的功率为0.25瓦、阻值为3欧，电阻R4的功率为0.25瓦、阻值为1兆欧，MOS晶体管Q1的型号为1N80C，双极晶体管Q2的型号为9018。
实施例2
如图2所示，该交流直接驱动LED电路的过压保护电路包括有电阻R1、R2、R3、R4、MOS晶体管Q1和光耦合器u1。电阻R1的一端与与外部市电的整流电路的正输出端相连，外部市电的整流电路的负输出端作为参考地，电阻R1的另一端分别与MOS晶体管Q1的栅极和光耦合器u1的4脚相连，电阻R2的一端分别与光耦合器u1的1脚和电阻R4的一端相连，电阻R2的另一端分别与MOS晶体管Q1的源极和电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端接参考地，电阻R4的另一端分别与MOS晶体管Q1的漏极和外部的交流驱动LED电路相连，光耦合器u1的2、3脚接参考地。其中，电阻R1的功率为0.25瓦、阻值为5.1兆欧，电阻R2的功率为0.25瓦、阻值为100欧，电阻R3的功率为0.25瓦、阻值为5欧，电阻R4的功率为1瓦、阻值为100K欧，MOS晶体管Q1的型号为1N80C，光耦合器u1的型号为PC817。
实施例3
如图3所示，该交流直接驱动LED电路的过压保护电路包括有电阻R1、R2、R3、R4、达林顿晶体管Q1和双极晶体管Q2。电阻R1的一端与外部市电的整流电路的正输出端相连，外部市电的整流电路的负输出端作为参考地，电阻R1的另一端分别与达林顿晶体管Q1的基极和双极晶体管Q2的集电极相连，电阻R2的一端分别与双极晶体管Q2的基极和电阻R4的一端相连，电阻R2的另一端分别与达林顿晶体管Q1的发射极和电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端接参考地，电阻R4的另一端分别与达林顿晶体管Q1的集电极和外部的交流驱动LED电路相连，双极晶体管Q2的发射极接参考地。其中，电阻R1的功率为1瓦、阻值为1兆欧，电阻R2的功率为0.25瓦、阻值为1K欧，电阻R3的功率为0.25瓦、阻值为3欧，电阻R4的功率为0.25瓦、阻值为1兆欧，达林顿晶体管Q1的型号为MJE5742，双极晶体管Q2的型号为9018。
实施例4
如图4所示，该交流直接驱动LED电路的过压保护电路的应用电路包括有整流桥D1、发光二极管LED1~LED100、交流直接驱动LED集成电路U1~U6和电流采样电阻Rs1~Rs6。该交流直接驱动LED电路的过压保护电路包括有电阻R1、R2、R3、R4、MOS晶体管Q1和双极晶体管Q2。其中，整流桥D1的两个交流输入端分别与外部市电的L、N端相连，整流桥D1的HV端分别与发光二极管LED1的正极和电阻R1的一端相连，整流桥D1的GND端接参考地。发光二极管LED1~LED40连接成正向串接的LED串，发光二极管LED41~LED50连接成第一节受控的正向串接的LED串，其中发光二极管LED41的正极和发光二极管LED40的负极分别与交流直接驱动LED集成电路U1的V+端相连，发光二极管LED50的负极分别与电流采样电阻RS1的一端和交流直接驱动LED集成电路U1的Vs端相连，电阻Rs1的另一端分别与集成电路U1的V-端和发光二极管LED51的正极相连。
图中共有6节受控的正向串接的LED串，发光二极管LED91的正极和发光二极管LED90的负极分别与交流直接驱动LED集成电路U6的V+端相连，发光二极管LED100的负极分别与电流采样电阻RS6的一端和交流直接驱动LED集成电路U6的Vs端相连，电阻Rs6的另一端分别与交流直接驱动LED集成电路U6的V-端、MOS晶体管Q1的漏极以及电阻R4相连。电阻R1的一端与整流桥D1的HV端相连，电阻R1的另一端分别与MOS晶体管Q1的栅极和双极晶体管Q2的集电极相连，电阻R2的一端分别与双极晶体管Q2的基极和电阻R4的一端相连，电阻R2的另一端分别与电阻MOS晶体管Q1的源极和电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端接参考地，电阻R4的另一端分别与MOS晶体管Q1的漏极、电阻Rs6的另一端以及交流直接驱动LED集成电路U6的V-端相连，双极晶体管Q2的发射极接参考地。其中，整流桥D1的型号为RS207，发光二极管LED1~LED100为额定电流150毫安的发光二极管，交流直接驱动LED集成电路U1~U6的型号为TF11，电流采样电阻RS1的功率为0.25瓦、阻值为10欧姆，电流采样电阻RS2的功率为0.25瓦、阻值为9.1欧姆，电流采样电阻RS3的功率为0.25瓦、阻值为8.2欧姆，电流采样电阻RS4的功率为0.25瓦、阻值为7.5欧姆，电流采样电阻RS5的功率为0.25瓦、阻值为6.8欧姆，电流采样电阻RS6的功率为0.25瓦、阻值为5欧姆。电阻R1的功率为0.25瓦、阻值为5.1兆欧，电阻R2的功率为0.25瓦、阻值为1K欧，电阻R3的功率为0.25瓦、阻值为2欧，电阻R4的功率为0.25瓦、阻值为1兆欧；MOS晶体管Q1的型号为1N80C，双极晶体管Q2的型号为9018。
实施例5
如图5所示，该交流直接驱动LED电路的过压保护电路的应用电路包括有整流桥D1、发光二极管LED1~LED100、交流直接驱动LED集成电路U1~U6和电流采样电阻Rs1~Rs6。该交流直接驱动LED电路的过压保护电路包括有电阻R1、R2、R3、R4、MOS晶体管Q1和光耦合器u1。其中，整流桥D1的两个交流输入端分别与外部市电的L、N端相连，整流桥D1的HV端分别与发光二极管LED1的正极和电阻R1的一端相连，整流桥D1的GND端接参考地。发光二极管LED1~LED40连接成正向串接LED串，LED41~LED50连接成第一节受控的正向串接LED串，其中发光二极管LED41的正极分别与LED40的负极和交流直接驱动LED集成电路U1的V+端相连，发光二极管LED50的负极分别与电流采样电阻RS1的一端和交流直接驱动LED集成电路U1的Vs端相连，电阻Rs1的另一端分别与交流直接驱动LED集成电路U1的V-端和发光二极管LED51的正极相连。
图中共有6节受控的正向串接LED串正向串接，发光二极管LED91的正极和发光二极管LED90的负极分别与交流直接驱动LED集成电路U6的V+端相连，发光二极管LED100的负极分别与电流采样电阻RS6的一端和交流直接驱动LED集成电路U6的Vs端相连，电阻Rs6的另一端分别与交流直接驱动LED集成电路U6的V-端、MOS晶体管Q1的漏极以及电阻R4相连。电阻R1的一端与整流桥D1的HV端相连，电阻R1的另一端分别与MOS晶体管Q1的栅极和光耦合器u1的4脚相连，电阻R2的一端分别与光耦合器u1的1脚相连和电阻R4的一端相连，电阻R2的另一端分别与MOS晶体管Q1的源极和电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端接参考地，电阻R4的另一端分别与MOS晶体管Q1的漏极、电阻Rs6的另一端以及交流直接驱动LED集成电路U6的V-端相连，光耦合器u1的2、3脚接参考地。其中，整流桥D1的型号为RS207，发光二极管LED1~LED100为额定电流150毫安的发光二极管，交流直接驱动LED集成电路U1~U6的型号为TF11，电流采样电阻RS1的功率为0.25瓦、阻值为10欧姆，电流采样电阻RS2的功率为0.25瓦、阻值为9.1欧姆，电流采样电阻RS3的功率为0.25瓦、阻值为8.2欧姆，电流采样电阻RS4的功率为0.25瓦、阻值为7.5欧姆，电流采样电阻RS5的功率为0.25瓦、阻值为6.8欧姆，电流采样电阻RS6的功率为0.25瓦、阻值为5欧姆。电阻R1的功率为0.25瓦、阻值为5.1兆欧，电阻R2的功率为0.25瓦、阻值为100欧，电阻R3的功率为0.25瓦、阻值为5欧，电阻R4的功率为1瓦、阻值为100K欧；MOS晶体管Q1的型号为1N80C、光耦合器u1的型号为PC817。
Claims (3)
1.一种交流直接驱动LED电路的过压保护电路，其特征在于：包括有电阻R1、R2、R3、R4、MOS晶体管Q1和双极晶体管Q2，所述电阻R1的一端与外部市电的整流电路的正输出端相连，电阻R1的另一端分别与MOS晶体管Q1的栅极和双极晶体管Q2的集电极相连，所述电阻R2的一端分别与双极晶体管Q2的基极和电阻R4的一端相连，电阻R2的另一端分别与电阻MOS晶体管Q1的源极和电阻R3的一端相连，所述电阻R3的另一端接参考地，所述电阻R4的另一端分别与MOS晶体管Q1的漏极和外部的交流驱动LED电路相连，所述双极晶体管Q2的发射极接参考地。
2.根据权利要求1所述的交流直接驱动LED电路的过压保护电路，其特征在于：所述的双极晶体管Q2可由光耦合器u1替代，所述电阻R1的另一端与光耦合器u1的4脚相连，所述电阻R2的一端与光耦合器u1的1脚相连，光耦合器u1的2、3脚接参考地。
3.根据权利要求1所述的交流直接驱动LED电路的过压保护电路，其特征在于：所述的MOS晶体管Q1可由达林顿晶体管Q1替代，所述电阻R1的另一端与达林顿晶体管Q1的基极相连，所述电阻R2的另一端与达林顿晶体管Q1的发射极相连，所述电阻R4的另一端与达林顿晶体管Q1的集电极相连。
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| CN104806988A (zh) * | 2015-03-25 | 2015-07-29 | 蒋小明 | 一种acled整体封装发光模块 |
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