CN206790088U - 低成本光耦限压输出保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低成本光耦限压输出保护电路,包括输出电压端,与所述输出电压端相连接的光耦保护电路,光耦保护电路包括稳压二极管、光耦合器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、三极管、电容和第五电阻。本实用新型的结构设置合理,其使用电子元器件少,从而可有效的降低制作成本,同时由于电子元器件少,也可以有效的减少电路的损坏,从而提高使用稳定性,适用性强且实用性好。
Description
技术领域
本实用新型属于输出电路技术保护技术领域,具体设计一种低成本光耦限压输出保护电路。
背景技术
随着我国电子电路技术的成熟,各种电路设备发展迅速,在输出电路中有时需要使用限压保护电路以保证输出电路的使用稳定性,然而传统技术中,输出限压保护电路的结构较为复杂,同时由电子元器件使用较多,故而也大大增加了电路的成本,适用性受到限制。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种结构设置合理且使用稳定性好的低成本光耦限压输出保护电路。
实现本实用新型目的的技术方案是一种低成本光耦限压输出保护电路,包括输出电压端,与所述输出电压端相连接的光耦保护电路,光耦保护电路包括稳压二极管、光耦合器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、三极管、电容和第五电阻,所述稳压二极管的负极与输出电压端相连接、正极与光耦合器中发光二极管的正极相连接,所述光耦合器中发光二极管的负极通过第二电阻后接地,所述第一电阻的两端分别连接在光耦合器中发光二极管的两端,所述三极管的集电极和光耦合器中光敏三极管的集电极均与基准电压端相连接,所述光耦合器中光敏三极管的发射极通过第四电阻与三极管的基极相连接,三极管的发射极通过第五电阻连接在芯片的电压引脚上,所述第三电阻连接在光耦合器中光敏三极管的发射极与地线之间,所述电容连接在三极管的基极与地线之间。
所述三极管为NPN型三极管。
本实用新型具有积极的效果:本实用新型的结构设置合理,其使用电子元器件少,从而可有效的降低制作成本,同时由于电子元器件少,也可以有效的减少电路的损坏,从而提高使用稳定性,适用性强且实用性好。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中:
图1为本实用新型的电路示意图。
具体实施方式
(实施例1)
图1显示了本实用新型的一种具体实施方式,其中图1为本实用新型的电路示意图。
见图1,一种低成本光耦限压输出保护电路,包括输出电压端V1,与所述输出电压端V1相连接的光耦保护电路,光耦保护电路包括稳压二极管ZD1、光耦合器U2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、三极管Q1、电容C1和第五电阻R5,所述稳压二极管ZD1的负极与输出电压端V1相连接、正极与光耦合器U2中发光二极管的正极相连接,所述光耦合器U2中发光二极管的负极通过第二电阻R2后接地,所述第一电阻R1的两端分别连接在光耦合器U2中发光二极管的两端,所述三极管Q1的集电极和光耦合器U2中光敏三极管的集电极均与基准电压端Vref相连接,所述光耦合器U2中光敏三极管的发射极通过第四电阻R4与三极管Q1的基极相连接,三极管Q1的发射极通过第五电阻R5连接在芯片的电压引脚U1 3上,所述第三电阻R3连接在光耦合器U2中光敏三极管的发射极与地线之间,所述电容C1连接在三极管的基极与地线之间。
所述三极管为NPN型三极管。
其工作原理简述如下:当输出电压V1升高时候,稳压管ZD1击穿导通,在ZD1、U2、R2回路上形成电流,从而光耦U2的发光二极管发光,使得光耦U2的光敏三极管导通,从而三极管Q1基极产生电压导通,将U1 3脚电压拉高,使得芯片工作电压升高而关断,导致输出电压V1降低。
当输出电压V1降低以后,稳压管ZD1不导通,使得U2不工作,Q1截止,芯片电压降低,电源电路工作正常,V1电压升高,周而复始循环,从而将输出电压V1控制在合理电压范围内。
本实用新型的结构设置合理,其使用电子元器件少,从而可有效的降低制作成本,同时由于电子元器件少,也可以有效的减少电路的损坏,从而提高使用稳定性,适用性强且实用性好。
显然,本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例,而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本实用新型的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本实用新型的保护范围。
Claims (2)
1.一种低成本光耦限压输出保护电路,包括输出电压端,与所述输出电压端相连接的光耦保护电路,其特征在于:光耦保护电路包括稳压二极管、光耦合器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、三极管、电容和第五电阻,所述稳压二极管的负极与输出电压端相连接、正极与光耦合器中发光二极管的正极相连接,所述光耦合器中发光二极管的负极通过第二电阻后接地,所述第一电阻的两端分别连接在光耦合器中发光二极管的两端,所述三极管的集电极和光耦合器中光敏三极管的集电极均与基准电压端相连接,所述光耦合器中光敏三极管的发射极通过第四电阻与三极管的基极相连接,三极管的发射极通过第五电阻连接在芯片的电压引脚上,所述第三电阻连接在光耦合器中光敏三极管的发射极与地线之间,所述电容连接在三极管的基极与地线之间。
2.根据权利要求1所述的低成本光耦限压输出保护电路,其特征在于:所述三极管为NPN型三极管。
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CN201720456658.2U CN206790088U (zh) | 2017-04-27 | 2017-04-27 | 低成本光耦限压输出保护电路 |
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CN201720456658.2U Active CN206790088U (zh) | 2017-04-27 | 2017-04-27 | 低成本光耦限压输出保护电路 |
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2017
- 2017-04-27 CN CN201720456658.2U patent/CN206790088U/zh active Active
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