CN206921855U - 一种功率型发光二极管 - Google Patents
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Abstract
一种功率型发光二极管,包括外基体和内基体,外基体内部开设有空腔,内基体沿外基体轴向插设在空腔内,内基体和外基体之间填充有导热绝缘层,外基体自上而下依次包括棱柱形段、反射杯段和圆柱形段,反射杯段和圆柱形段的连接处设置有凸台,导热绝缘层内间隔开设有位于圆柱形段处的散热孔,内基体底部连接有向下伸出空腔的电极引脚,内基体顶部固定连接有连接头,棱柱形段外表面沿圆周方向间隔设置有第一芯片,连接头上表面设置有第二芯片,各个第一芯片分别通过金属线与外基体及连接头电连接,第二芯片分别通过金属线与外基体及连接头电连接。本实用新型结构简单、工作稳定、照明效果好、发光效率高、散热性好。
Description
技术领域
本实用新型属于发光二极管技术领域,尤其涉及一种功率型发光二极管。
背景技术
发光二极管简称为LED,作为第四代照明能源,在景观、指示、显示、背光及特种照明等应用领域突显其优势,且已经发挥了节能、长寿、响应速度快等巨大的功效。在照明技术发展的百年历史中,LED的发展不过几十年,以前一直以小功率发光二极管应用为主。由于LED在亮度和色彩的动态控制容易、外形尺寸小、长寿命、光束中不含红外线和紫外线、很强的发光方向性等特点使其大规模进军普通照明领域。但是要想充分发挥LED的性能优势,进入普通照明市场,必须发展功率型发光二极管,提高发光效率,提升色泽的一致性。目前市场上的功率型LED,主要是以表贴型结构,即在一个平面基板上固定一颗或几颗发光芯片,由于晶片本身发光角度不会超过180度,所以此表贴结构受晶片本身角度和平面基板挡光影响,这种结构的LED发光角度最大不会超过180度,存在着角度限制,并且散热性差。
实用新型内容
本实用新型为了解决现有技术中的不足之处,提供一种结构简单、工作稳定、照明效果好、发光效率高、散热性好的功率型发光二极管。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:一种功率型发光二极管,包括均由金属材质制成的外基体和内基体,外基体内部开设有上下通透的空腔,内基体沿外基体轴向插设在空腔内,内基体和外基体之间填充有导热绝缘层,外基体自上而下依次包括棱柱形段、反射杯段和圆柱形段,反射杯段和圆柱形段的连接处设置有凸台,导热绝缘层内间隔开设有位于圆柱形段处的散热孔,内基体底部连接有向下伸出空腔的电极引脚,内基体顶部固定连接有连接头,棱柱形段外表面沿圆周方向间隔设置有第一芯片,连接头上表面设置有第二芯片,各个第一芯片分别通过金属线与外基体及连接头电连接,第二芯片分别通过金属线与外基体及连接头电连接。
所述凸台上固定连接有通过透明环氧树脂材料制成的罩体,棱柱形段、反射杯段及连接头均位于罩体内。
所述棱柱形段和反射杯段的外表面镀有荧光层。
所述棱柱形段和反射杯段内空腔的横截面面积小于圆柱形段内空腔的横截面面积。
所述棱柱形段为三棱以上的棱柱环体。
所述内基体为圆柱形或三棱以上的棱柱形。
反射杯段的横截面为圆形或方形或椭圆形或菱形。
所述外基体和内基体由陶瓷材料制成并且表面镀有金属层。
采用上述技术方案,本实用新型具有如下优点:
1、棱柱形段外表面沿圆周方向间隔设置有第一芯片,连接头上表面设置有第二芯片,封装后形成多芯片集成发光二极管,其工作电流在350mA以上,使用不同的发光二极管芯片,功率可达到1W、3W或更高。
2、本实用新型通过多芯片的位置组合及涂覆在棱柱形段和反射杯段外表面的荧光层对光线折射作用,使本实用新型整体发光角度为275°(水平)/275°(垂直),使其光形更接近球体。
3、外基体和内基体采用金属或者陶瓷镀金属层制成,热阻小,既导通电性,又能充当热沉,提高散热性能,将使用中产生的热能散发出去,提高其使用寿命。
4、导热绝缘层内间隔开设有的散热孔,可将内基体产生的热更快的通过外基体散发出来,大大提高了散热效果。
附图说明
图1是本实用新型的剖面结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型的一种功率型发光二极管,包括均由金属材质制成的外基体和内基体1,外基体内部开设有上下通透的空腔,内基体1沿外基体轴向插设在空腔内,内基体1和外基体之间填充有导热绝缘层2,外基体自上而下依次包括棱柱形段3、反射杯段4和圆柱形段5,反射杯段4和圆柱形段5的连接处设置有凸台6,导热绝缘层2内间隔开设有位于圆柱形段5处的散热孔7,内基体1底部连接有向下伸出空腔的电极引脚8,内基体1顶部固定连接有连接头9,棱柱形段3外表面沿圆周方向间隔设置有第一芯片10,连接头9上表面设置有第二芯片11,各个第一芯片10分别通过金属线12与外基体及连接头9电连接,第二芯片11分别通过金属线12与外基体及连接头9电连接。
所述凸台6上固定连接有通过透明环氧树脂材料制成的罩体13,棱柱形段3、反射杯段4及连接头9均位于罩体13内。
所述棱柱形段3和反射杯段4的外表面镀有荧光层。
所述棱柱形段3和反射杯段4内空腔的横截面面积小于圆柱形段5内空腔的横截面面积。
所述棱柱形段3为三棱以上的棱柱环体。
所述内基体1为圆柱形或三棱以上的棱柱形。
反射杯段4的横截面为圆形或方形或椭圆形或菱形。
所述外基体和内基体1由陶瓷材料制成并且表面镀有金属层。
本实施例并非对本实用新型的形状、材料、结构等作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均属于本实用新型技术方案的保护范围。
Claims (8)
1.一种功率型发光二极管,其特征在于:包括均由金属材质制成的外基体和内基体,外基体内部开设有上下通透的空腔,内基体沿外基体轴向插设在空腔内,内基体和外基体之间填充有导热绝缘层,外基体自上而下依次包括棱柱形段、反射杯段和圆柱形段,反射杯段和圆柱形段的连接处设置有凸台,导热绝缘层内间隔开设有位于圆柱形段处的散热孔,内基体底部连接有向下伸出空腔的电极引脚,内基体顶部固定连接有连接头,棱柱形段外表面沿圆周方向间隔设置有第一芯片,连接头上表面设置有第二芯片,各个第一芯片分别通过金属线与外基体及连接头电连接,第二芯片分别通过金属线与外基体及连接头电连接。
2.根据权利要求1所述的功率型发光二极管,其特征在于:所述凸台上固定连接有通过透明环氧树脂材料制成的罩体,棱柱形段、反射杯段及连接头均位于罩体内。
3.根据权利要求1或2所述的功率型发光二极管,其特征在于:所述棱柱形段和反射杯段的外表面镀有荧光层。
4.根据权利要求1所述的功率型发光二极管,其特征在于:所述棱柱形段和反射杯段内空腔的横截面面积小于圆柱形段内空腔的横截面面积。
5.根据权利要求1所述的功率型发光二极管,其特征在于:所述棱柱形段为三棱以上的棱柱环体。
6.根据权利要求1所述的功率型发光二极管,其特征在于:所述内基体为圆柱形或三棱以上的棱柱形。
7.根据权利要求1所述的功率型发光二极管,其特征在于:反射杯段的横截面为圆形或方形或椭圆形或菱形。
8.根据权利要求1所述的功率型发光二极管,其特征在于:所述外基体和内基体由陶瓷材料制成并且表面镀有金属层。
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