CN206895087U - 散热装置 - Google Patents

散热装置 Download PDF

Info

Publication number
CN206895087U
CN206895087U CN201720445448.3U CN201720445448U CN206895087U CN 206895087 U CN206895087 U CN 206895087U CN 201720445448 U CN201720445448 U CN 201720445448U CN 206895087 U CN206895087 U CN 206895087U
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat abstractor
microwave
copper coin
nickel dam
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201720445448.3U
Other languages
English (en)
Inventor
康基高
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sichuan Huadun Defense Technology Co ltd
Original Assignee
Chengdu Clay Microwave Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Clay Microwave Technology Co Ltd filed Critical Chengdu Clay Microwave Technology Co Ltd
Priority to CN201720445448.3U priority Critical patent/CN206895087U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN206895087U publication Critical patent/CN206895087U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种散热装置,涉及固态微波放大器件散热领域。一种散热装置它包括三层结构:001铜板、002镍层和003微波板,所述的001铜板上镀有002镍层,002镍层的上表面与003微波板的下底面相贴合。本实用新型能够防止焊接过程中微波板变形,进而影响元器件性能;采用三层结构的好处是散热快、散热量大,并且该散热装置厚度很薄、强度高、延长了固态微波功放器件的使用寿命,达到了节约能耗的目的。

Description

散热装置
技术领域
本实用新型涉及固态微波放大器件散热领域,尤其是一种散热装置。
背景技术
功放部件是大功率发射系统中不可缺少的组成部分,采用固态微波功放器件,对散热提出很高要求。固态功放器件采用先一分两路,再放大,最后再合成的方式其输出功率为35dBm。由于其器件的封装为贴片方式,其局限为当应用环境温度为+70℃。随着各种电子器件的封装形式及性能不断提升,贴片方式封装技术发展迅速,器件的发热密度越来越高,过热问题已成为目前电子元器件技术的发展瓶颈。封装趋势及应用两方面来说明散热问题的影响及挑战。由于它封装尺寸小,对于一些功率器件或耗散功率大的器件来说散热条件差,并且对一些小尺寸封装的器件也不便使用散热器。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种散热装置使采用贴片方式封装的固态微波功放器件散热快、且散热量大。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种散热装置,它包括三层结构:铜板、镍层和微波板,所述的铜板上镀有镍层,镍层的上表面与微波板的下底面相贴合。
进一步限定,所述的微波板上排布有固态微波功放器件。
进一步限定,所述的散热装置的散热途径依次为:固态微波功放器件引脚、焊锡、焊盘、玻纤纤维和腔体内表面最终将热量传导至铜板,利用金属铜比热容大的特点,将产生的热量散去。
进一步限定,所述的散热装置的宽度为0.254mm。
进一步限定,所述的铜板能够防止微波板变形。
进一步限定,所述的铜板能使采用贴片方式封装的微波功放器件快速散热、且散热量大。
本实用新型的有益效果是:本实用新型能够防止焊接过程中微波板变形,进而影响元器件性能;采用三层结构的好处是散热快、散热量大,并且该散热装置厚度很薄、强度高、延长了固态微波功放器件的使用寿命,达到了节约能耗的目的。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案,但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
如图1所示,一种散热装置,它包括三层结构:001铜板、002镍层和003微波板,所述的001铜板上镀有002镍层,002镍层的上表面与003微波板的下底面相贴合,002镍层连接001铜板与003微波板。
进一步限定,所述的003微波板上排布有固态微波功放器件。
进一步限定,所述的散热装置的散热途径依次为:固态微波功放器件引脚、焊锡、焊盘、玻纤纤维和腔体内表面最终将热量传导至001铜板,利用金属铜比热容大的特点,将产生的热量散去。
进一步限定,所述的散热装置的宽度为0.254mm。
进一步限定,所述的001铜板能够防止003微波板变形。
进一步限定,所述的001铜板能使采用贴片方式封装的微波功放器件快速散热、且散热量大。
具体工作过程为:在大功率发射系统工作时,排布于微波板上的微波功放器件产生大量大热量,加之固态功放器件的封装方式为贴片方式。此时主要的散热途径依次为:固态微波功放器件引脚、焊锡、焊盘、玻纤纤维和腔体内表面最终将热量传导至铜板,利用金属铜比热容大的特点,将产生的热量散去。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围,则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。

Claims (6)

1.一种散热装置,其特征在于,它包括三层结构:铜板(001)、镍层(002)和微波板(003),所述的铜板(001)上镀有镍层(002),镍层(002)的上表面与微波板(003)的下底面相贴合,所述的铜板(001)、镍层(002)和微波板(003)构成腔体内表面。
2.根据权利要求1所述的一种散热装置,其特征在于:所述的微波板(003)上排布有固态微波功放器件。
3.根据权利要求1所述的一种散热装置,其特征在于:所述的散热装置的散热途径依次为:固态微波功放器件引脚、焊锡、焊盘、玻纤纤维和腔体内表面。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的一种散热装置,其特征在于:所述的散热装置的宽度为0.254mm。
5.根据权利要求1所述的一种散热装置,其特征在于:所述的铜板(001)能够防止微波板(003)变形。
6.根据权利要求5所述的一种散热装置,其特征在于:所述的铜板(001)能使采用贴片方式封装的微波功放器件快速散热、且散热量大。
CN201720445448.3U 2017-04-26 2017-04-26 散热装置 Active CN206895087U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720445448.3U CN206895087U (zh) 2017-04-26 2017-04-26 散热装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720445448.3U CN206895087U (zh) 2017-04-26 2017-04-26 散热装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN206895087U true CN206895087U (zh) 2018-01-16

Family

ID=61325146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201720445448.3U Active CN206895087U (zh) 2017-04-26 2017-04-26 散热装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN206895087U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114650018A (zh) * 2022-05-18 2022-06-21 成都市克莱微波科技有限公司 一种用于功放的自适应散热方法、散热装置及散热系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114650018A (zh) * 2022-05-18 2022-06-21 成都市克莱微波科技有限公司 一种用于功放的自适应散热方法、散热装置及散热系统
CN114650018B (zh) * 2022-05-18 2022-09-06 成都市克莱微波科技有限公司 一种用于功放的自适应散热方法、散热装置及散热系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN206807850U (zh) 基于qfn封装的pcb散热结构
CN206895087U (zh) 散热装置
CN210778596U (zh) 一种led驱动ic封装结构
CN209561585U (zh) 一种复合导热结构、电池装置及电子设备
CN209708965U (zh) Ipm模块的先进封装结构
CN206574701U (zh) 一种功率放大器芯片的封装结构
CN204792892U (zh) 一种倒扣式小尺寸大功率led封装结构
CN211555934U (zh) 一种led封装基板热沉结构
CN211297488U (zh) 一种电子元件的散热结构
CN203147696U (zh) 一种椭球体大功率led散热装置
CN209283628U (zh) 一种功放器件的散热结构
CN109786345B (zh) 石墨烯基ipm模块的先进封装结构及加工工艺
CN109887893B (zh) 大功率ipm模块的先进封装结构及加工工艺
CN206250183U (zh) 一种集成电路增强散热型封装结构
CN208208755U (zh) 一种电源系统
CN208589438U (zh) 一种电源模组
CN105977227A (zh) 一种复合基板的集成电路封装
CN201732809U (zh) Led照明光源的封装结构
CN104966774A (zh) 一种倒扣式小尺寸大功率led封装结构
CN205159305U (zh) 一种倒装组件结构
CN204425866U (zh) 一种自散热结构
CN219610423U (zh) 一种贴片ic塑封结构
CN204792891U (zh) 一种led基板及led封装
CN203941944U (zh) 一种大功率cob封装铜基板
CN204155964U (zh) 光源装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: No. 4, Xinye Road, High tech Zone (West), Chengdu, Sichuan 611731

Patentee after: Sichuan Huadun Defense Technology Co.,Ltd.

Address before: No. 4, Xinye Road, High tech Zone (West), Chengdu, Sichuan 611731

Patentee before: CHENGDU KELAI MICROWAVE TECHNOLOGY CO.,LTD.