CN206584827U - 一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器 - Google Patents

一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器 Download PDF

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贺勇
张铎
朱雪婷
刘剑林
韩玉成
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Abstract

本实用新型公开了一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,包括基板,所述基板一侧为抛光面,在该抛光面上设有粘附层,所述下电极层设置在粘附层上;所述下电极阻挡层设置在下电极层上;所述聚酰亚胺功能层设置在下电极阻挡层上;所述聚上电极阻挡层设置在聚酰亚胺功能层上;所述上电极层设置在上电极阻挡层上;本实用新型高频特性好,温度系数小、制造成本低廉,可重复性好,适于批量生产。

Description

一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器
技术领域
本实用新型涉及电容器制造领域,还可面向复杂环境工控机,工业传感元件,航空航天,电子雷达等领域,具体涉及一种高温高频聚酰亚胺薄膜电容器。
背景技术
薄膜电容器是电子设备的基础元件,在旁路、滤波、采样保持、振荡、定时延迟、耦合、隔直等电路中,有着非常广泛的应用。同时,电子设备的精度、可靠性在很大程度上取决于薄膜电容器的质量。目前的电子设备中使用较为广泛的薄膜电容器是陶瓷芯片电容器,但它存在温度系数大,损耗高等不足;同时随着工业电子,航空航天事业的进一步发展,对片式薄膜电容器的温度系数,环境适应性,使用温度,工艺成本等方面提出了更高的要求。
实用新型内容
实用新型目的:本实用新型提供了一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,该片式薄膜电容器有效解决了电子设备中电容器温度系数低,使用温度低等问题。
技术方案:一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,包括基板、粘附层、下电极层、下电极阻挡层、聚酰亚胺功能层、上电极阻挡层及上电极层,其中,所述基板一侧为抛光面,在该抛光面上设有粘附层,所述下电极层设置在粘附层上;所述下电极阻挡层设置在下电极层上;所述聚酰亚胺功能层设置在下电极阻挡层上;所述聚上电极阻挡层设置在聚酰亚胺功能层上;所述上电极层设置在上电极阻挡层上。
具体地,所述基板为单面抛光,粗糙度要求0.05~0.1,厚度为250~550μm。
具体地,所述基板材料为三氧化二铝陶瓷。
具体地,所述粘附层、下电极阻挡层和上电极阻挡层为钛钨合金。
更具体地,所述钛钨合金采用溅射镀膜的方式实现,钛钨合金厚度150~200nm。
具体地,所述下电极层和上电极层的材料为金。
具体地,所述下电极层和上电极层的厚度为2-4μm。
具体地,所述聚酰亚胺功能层即是电容器的功能层,也是光刻的光敏材料。
有益效果:与现有技术相比,本实用新型的优点在于:本实用新型的高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器具有耐高温,工作温度可达200℃,采用陶瓷做基体,聚酰亚胺薄膜做电容功能层,高频特性好,温度系数小、制造成本低廉,可重复性好,适于批量生产;聚酰亚胺薄膜优异的电性能、热性能和机械性能,聚酰亚胺片式薄膜电容器可以在严酷的环境条件下使用。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式,进一步阐明本实用新型。
如图1-2所示,一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,包括基板1、粘附层2、下电极层3、下电极阻挡层4、聚酰亚胺功能层5、上电极阻挡层6和上电极层7,所述基板1的抛光面上设置粘附层2;所述下电极层3设置在粘附层2上;所述下电极阻挡层4设置在下电极层3上;所述聚酰亚胺功能层5设置在阻挡层上;所述聚上电极阻挡层设置在聚酰亚胺功能层5上;所述上电极层7设置在上电极阻挡层6上,粘附层2、下电极阻挡层4和上电极阻挡层6为钛钨合金,该钛钨合金采用溅射镀膜的方式实现,钛钨合金厚度150~200nm,下电极层3和上电极层7的材料为金,下电极层3和上电极层7的厚度为2-4μm。
上述基板1为单面抛光,粗糙度要求0.05~0.1,厚度为250~550μm,基板1材料包括但不限于三氧化二铝陶瓷。
上述聚酰亚胺功能层5即是电容器的功能层,也是光刻的光敏材料。

Claims (8)

1.一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,其特征在于:包括基板、粘附层、下电极层、下电极阻挡层、聚酰亚胺功能层、上电极阻挡层及上电极层,其中,所述基板一侧为抛光面,在该抛光面上设有粘附层,所述下电极层设置在粘附层上;所述下电极阻挡层设置在下电极层上;所述聚酰亚胺功能层设置在下电极阻挡层上;所述上电极阻挡层设置在聚酰亚胺功能层上;所述上电极层设置在上电极阻挡层上。
2.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,其特征在于:所述基板为单面抛光,粗糙度要求0.05~0.1,厚度为250~550μm。
3.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,其特征在于:所述基板材料为三氧化二铝陶瓷。
4.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,其特征在于:所述粘附层、下电极阻挡层和上电极阻挡层为钛钨合金。
5.根据权利要求4所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,其特征在于:所述钛钨合金采用溅射镀膜的方式实现,钛钨合金厚度150~200nm。
6.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,其特征在于:所述下电极层和上电极层的材料为金。
7.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,其特征在于:所述下电极层和上电极层的厚度为2-4μm。
8.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器,其特征在于:所述聚酰亚胺功能层即是电容器的功能层,也是光刻的光敏材料。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN106601480B (zh) * 2017-02-24 2018-11-20 中国振华集团云科电子有限公司 一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器及其制作工艺
CN111081470A (zh) * 2019-12-19 2020-04-28 南京中鸿润宁新材料科技有限公司 一种聚酰亚胺电容器

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