CN206584827U - 一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器 - Google Patents
一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，包括基板，所述基板一侧为抛光面，在该抛光面上设有粘附层，所述下电极层设置在粘附层上；所述下电极阻挡层设置在下电极层上；所述聚酰亚胺功能层设置在下电极阻挡层上；所述聚上电极阻挡层设置在聚酰亚胺功能层上；所述上电极层设置在上电极阻挡层上；本实用新型高频特性好，温度系数小、制造成本低廉，可重复性好，适于批量生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及电容器制造领域，还可面向复杂环境工控机，工业传感元件，航空航天，电子雷达等领域，具体涉及一种高温高频聚酰亚胺薄膜电容器。
背景技术
薄膜电容器是电子设备的基础元件，在旁路、滤波、采样保持、振荡、定时延迟、耦合、隔直等电路中，有着非常广泛的应用。同时，电子设备的精度、可靠性在很大程度上取决于薄膜电容器的质量。目前的电子设备中使用较为广泛的薄膜电容器是陶瓷芯片电容器，但它存在温度系数大，损耗高等不足；同时随着工业电子，航空航天事业的进一步发展，对片式薄膜电容器的温度系数，环境适应性，使用温度，工艺成本等方面提出了更高的要求。
实用新型内容
实用新型目的：本实用新型提供了一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，该片式薄膜电容器有效解决了电子设备中电容器温度系数低，使用温度低等问题。
技术方案：一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，包括基板、粘附层、下电极层、下电极阻挡层、聚酰亚胺功能层、上电极阻挡层及上电极层，其中，所述基板一侧为抛光面，在该抛光面上设有粘附层，所述下电极层设置在粘附层上；所述下电极阻挡层设置在下电极层上；所述聚酰亚胺功能层设置在下电极阻挡层上；所述聚上电极阻挡层设置在聚酰亚胺功能层上；所述上电极层设置在上电极阻挡层上。
具体地，所述基板为单面抛光，粗糙度要求0.05～0.1，厚度为250～550μm。
具体地，所述基板材料为三氧化二铝陶瓷。
具体地，所述粘附层、下电极阻挡层和上电极阻挡层为钛钨合金。
更具体地，所述钛钨合金采用溅射镀膜的方式实现，钛钨合金厚度150～200nm。
具体地，所述下电极层和上电极层的材料为金。
具体地，所述下电极层和上电极层的厚度为2-4μm。
具体地，所述聚酰亚胺功能层即是电容器的功能层，也是光刻的光敏材料。
有益效果：与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型的高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器具有耐高温，工作温度可达200℃，采用陶瓷做基体，聚酰亚胺薄膜做电容功能层，高频特性好，温度系数小、制造成本低廉，可重复性好，适于批量生产；聚酰亚胺薄膜优异的电性能、热性能和机械性能，聚酰亚胺片式薄膜电容器可以在严酷的环境条件下使用。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本实用新型。
如图1-2所示，一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，包括基板1、粘附层2、下电极层3、下电极阻挡层4、聚酰亚胺功能层5、上电极阻挡层6和上电极层7，所述基板1的抛光面上设置粘附层2；所述下电极层3设置在粘附层2上；所述下电极阻挡层4设置在下电极层3上；所述聚酰亚胺功能层5设置在阻挡层上；所述聚上电极阻挡层设置在聚酰亚胺功能层5上；所述上电极层7设置在上电极阻挡层6上，粘附层2、下电极阻挡层4和上电极阻挡层6为钛钨合金，该钛钨合金采用溅射镀膜的方式实现，钛钨合金厚度150～200nm，下电极层3和上电极层7的材料为金，下电极层3和上电极层7的厚度为2-4μm。
上述基板1为单面抛光，粗糙度要求0.05～0.1，厚度为250～550μm，基板1材料包括但不限于三氧化二铝陶瓷。
上述聚酰亚胺功能层5即是电容器的功能层，也是光刻的光敏材料。
Claims (8)
1.一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，其特征在于：包括基板、粘附层、下电极层、下电极阻挡层、聚酰亚胺功能层、上电极阻挡层及上电极层，其中，所述基板一侧为抛光面，在该抛光面上设有粘附层，所述下电极层设置在粘附层上；所述下电极阻挡层设置在下电极层上；所述聚酰亚胺功能层设置在下电极阻挡层上；所述上电极阻挡层设置在聚酰亚胺功能层上；所述上电极层设置在上电极阻挡层上。
2.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，其特征在于：所述基板为单面抛光，粗糙度要求0.05～0.1，厚度为250～550μm。
3.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，其特征在于：所述基板材料为三氧化二铝陶瓷。
4.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，其特征在于：所述粘附层、下电极阻挡层和上电极阻挡层为钛钨合金。
5.根据权利要求4所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，其特征在于：所述钛钨合金采用溅射镀膜的方式实现，钛钨合金厚度150～200nm。
6.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，其特征在于：所述下电极层和上电极层的材料为金。
7.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，其特征在于：所述下电极层和上电极层的厚度为2-4μm。
8.根据权利要求1所述的一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器，其特征在于：所述聚酰亚胺功能层即是电容器的功能层，也是光刻的光敏材料。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106601480B (zh) * | 2017-02-24 | 2018-11-20 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器及其制作工艺 |
| CN111081470A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-04-28 | 南京中鸿润宁新材料科技有限公司 | 一种聚酰亚胺电容器 |
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2017
- 2017-02-24 CN CN201720171962.2U patent/CN206584827U/zh not_active Expired - Fee Related
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