CN206506435U - 一种高电压测试保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型的目的是提供一种高电压测试保护电路，本实用新型通过增加一导电回路，使得测试高压脉冲通过所述输入电源的火线输入端连接至所述电阻R1的输入端，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚HV和所述导电回路的输入端连接，当所述反激控制芯片的电源输入脚VCC与所述芯片启动电路的输入端连接对所述反激控制芯片进行充电完成后，使得所述反激控制芯片启动工作后，所述反激控制芯片的高压管脚HV断开，所述反激控制芯片的高压管脚HV断开时产生的脉冲高压，被与所述反激控制芯片并联的所述导电回路有效地过滤掉，从而实现了在对产品进行高电压实验时，保证了该反激控制芯片不被损坏。

Description

一种高电压测试保护电路

技术领域

本实用新型涉及开关电源技术领域，尤其涉及一种高电压测试保护电路。

背景技术

为降低开关电源的待机功耗，市面上多数反激拓扑芯片都集成了高压启动功能，例如反激控制芯片NCP1236和反激控制芯片FAN6755等。该类反激控制芯片集成的高压启动功能主要是在芯片高压引脚集成一个高压MOS管；在上电时，高压MOS管导通，反激控制芯片通电工作；在反激控制芯片正常工作后，高压MOS管关断，从而减小损耗。

现有技术方案采用所述反激控制芯片在实现了降低待机功耗的功能时，由于所述反激控制芯片NCP1236的内置MOS管的耗散功率较小，其内置MOS管关断时，与周围电路没有形成有效的回路，故在HI-POT实验(High Potential实验，高电压实现，即对产品进行耐电压或电气强度试验，是国家强制要求执行的安全实验)，如图1所示，在对产品进行所述HI-POT实验时，HI-POT测试仪器的一输出端A接到整个高电压测试电路的输入电源的火线输入端VIN_L和零线输入端VIN_N，HI-POT测试仪器的另一输B出端接到电压转换电路中的输出电解电容C4的负极，HI-POT测试仪器输出3.5KV的脉冲电压，该脉冲电压经过VIN_L连接到电阻R1的一端上，电阻R1的另一端连接到反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV，因R1的电阻值较小，该脉冲电压会在反激控制芯片U1的第8高压管脚HV形成超过650V的脉冲高压，因此时反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV的内置MOS管关断，该脉冲高压没有与周围电路形成有效回路，能量无法有效释放出去，而反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV的最高耐电压为650V，故会存在一定的概率击穿反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV，从而导致反激控制芯片U1(NCP1236)失效。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种高电压测试保护电路，解决现有技术的HI-POT实验时导致的反激控制芯片的实效的问题。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种高电压测试保护电路，其特征在于，包括：

输入电源、电阻R1和导电回路，其中，

所述输入电源的火线输入端与所述电阻R1的输入端连接，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接，所述反激控制芯片和所述导电回路并联，所述导电回路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述高电压测试保护电路还包括：

芯片启动电路、芯片供电电路、电压过滤电路和电压转换电路，其中，所述芯片启动电路的输入端与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述芯片启动电路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接；

所述芯片供电电路的输入端分别与所述芯片启动电路的输入端和所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述芯片供电电路与所述芯片启动电路并联；

所述输入电源与所述电压过滤电路的输入端连接，所述电压过滤电路的输出端与所述电压转换电路的输入端连接，所述电压转换电路的输出端与外部直流电压输出端连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述芯片启动电路包括电解电容C3，其中，

所述电解电容C3的正极与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述电解电容C3的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述导电回路包括二极管D4和电解电容C1，其中，

所述电阻R1的输出端与所述二极管D4的阳极连接，所述二极管D4的阴极与电解电容C1的正极连接，所述电解电容C1的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，还包括：

分别与所述输入电源的火线输入端、反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接的防静电电路。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述防静电电路包括电阻R1，其中，

所述输入电源的火线输入端与所述电阻R1的输入端连接，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述芯片供电电路包括二极管D3和变压器T1的辅助绕组，其中，

所述二极管D3的阳极与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述二极管D3的阴极与所述变压器T1的辅助绕组的正极连接；

所述变压器T1的辅助绕组的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述电压过滤电路包括EMI滤波器、整流桥BD1和电解电容C1，其中，

所述输入电源的火线输入端和零线输入端通过所述EMI滤波器分别与所述整流桥BD1的交流电压输入端1和交流接地端2连接，所述整流桥BD1的直流电压输出端3分别与所述电解电容C1的正极和所述变压器T1的初级绕组的负极连接，所述整流桥BD1的直流接地端4与所述反激控制芯片的接地脚连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述电压转换电路包括MOS管Q1、所述变压器T1的初级绕组、所述变压器的副线圈、二极管D2以及电解电容C4，其中，

所MOS管Q1的栅极与所述反激控制芯片的输出驱动器脚连接；所述MOS管Q1的漏极与所述变压器T1的初级绕组的正极连接，所述变压器T1的初级绕组与所述变压器T1的副线圈电连接；

所述变压器T1的副线圈的正极输出端与二极管D2的阳极连接，所述二极管D2的阴极与电解电容C4的正极连接；

所述电解电容C4的正极与外部直流电压输出端连接，所述电解电容C4的负极接地。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述高电压测试保护电路还包括：

分别与所述MOS管Q1的源极和所述反激控制芯片的电流检测脚连接的过流保护电路。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述过流保护电路包括电阻R2，其中，

所述电阻R2的一端分别与所述MOS管Q1的源极和所述反激控制芯片的电流检测脚连接；

所述电阻R2的另一端与所述反激控制芯片的接地脚连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述高电压测试保护电路还包括：

分别与所述MOS管Q1的漏极和所述变压器T1的初级绕组连接的尖峰吸收电路。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述尖峰吸收电路包括二极管D1、电阻R3和电容C2，其中，

所述二极管D1的阳极分别与所述MOS管Q1的漏极和所述变压器T1的初级绕组的正极连接；

所述二极管D1的阴极分别与所述电阻R3的一端和所述电容C2的一端连接，所述电阻R3与所述电容C2并联，所述电阻R3的另一端和所述电容C2的另一端均与所述变压器T1的初级绕组的负极连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述高电压测试保护电路还包括：

与所述二极管D2的负极连接且与所述电解电容C4并联的电压负反馈电路。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述电压负反馈电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、光耦U2、电容C5和稳压源U3；

所述二极管D2的负极分别与所述电阻R5的一端和所述电阻R6的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述光耦U2中的发光二极管的阳极1连接，所述光耦U2中的发光二极管的阴极2分别与所述稳压源U3的阴极2和所述电容C5的一端连接，所述光耦U2中的光敏三极管的发射极3与所述反激控制芯片的反馈脚连接，所述光耦U2中的光敏三极管的集电极4与所述反激控制芯片的接地脚连接；

所述电阻R6的另一端分别与所述电容C5的另一端、所述稳压源U3的参照极1和所述电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端与所述稳压源U3的阳极3均接地。

与现有技术相比，本实用新型通过在高电压测试保护电路中增加一导电回路，使得测试高压脉冲通过所述输入电源的火线输入端通过所述防静电电路分别连接至所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端，其中，所述防静电电路包括电阻R1，所述电阻R1的输入端与所述输入电源的火线输入端VIN_L连接，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接，使得通过所述防静电电路中的电阻R1避免了外部及内部静电对高电压测试的影响；当所述反激控制芯片的电源输入脚与所述芯片启动电路的输入端连接对所述反激控制芯片进行充电完成后，使得所述反激控制芯片启动工作后，所述反激控制芯片的高压管脚断开，所述反激控制芯片的高压管脚断开时产生的脉冲高压，被与所述反激控制芯片并联的所述导电回路有效地过滤掉，从而实现了在对产品进行高电压实验时，保证了该反激控制芯片不被损坏。

进一步地，本实用新型中的所述导电回路包括二极管D4和电解电容C1，其中，所述电阻R1的输出端与所述二极管D4的阳极连接，所述二极管D4的阴极与电解电容C1的正极连接，所述电解电容C1的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。实现了利用所述二极管D4的单向导通特性，在高电压测试保护电路中，所述二极管D4不起作用，及不会影响电压测试保护电路的正常工作，还能在所述反激控制芯片的高压管脚出现比电解电容C1的电压高时，该所述反激控制芯片的高压管脚的脉冲高压电压会通过所述二极管D4流到电解电容C1，由于电解电容C1的电压不能瞬间变化的特性，该脉冲高压会被电解电容C1有效地过滤掉，进而保护所述反激控制芯片不受损坏。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出现有技术方案的一种高压测试电路的示意图；

图2示出根据本实用新型一个方面的一种高电压测试保护电路的示意图；

附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图2所示，本实用新型的一实施例中的一种高电压测试保护电路，该保护电路包括输入电源、电阻R1、反激控制芯片U1(NCP1236)、导电回路、芯片启动电路、芯片供电电路、电压过滤电路和电压转换电路，其中，

所述输入电源的火线输入端VIN_L(市电火线输入)通过所述防静电电路分别连接至所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端，其中，所述防静电电路包括电阻R1，所述电阻R1的输入端与所述输入电源的火线输入端VIN_L(市电火线输入)连接，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的第8高压管脚HV和所述导电回路的输入端连接，使得通过所述防静电电路中的电阻R1避免了外部及内部静电对高电压测试的影响；当所述反激控制芯片的第6电源输入脚VCC与所述芯片启动电路的输入端连接对所述反激控制芯片进行充电完成后，使得所述反激控制芯片启动工作后，所述反激控制芯片的第8高压管脚HV断开，所述反激控制芯片的第8高压管脚HV断开时产生的脉冲高压，被与所述反激控制芯片并联的所述导电回路有效地过滤掉，从而实现了在对产品进行高电压实验时，保证了该反激控制芯片不被损坏。

接着本实用新型的上述实施例，为解决开关电源高电压(HI-POT)测试对所述反激控制芯片U1的第8高压管脚HV造成损伤的问题，本实用新型增加一所述导电回路，该导电回路只要用于为所述反激控制芯片U1的第8高压管脚HV内的高压MOS管关断的时候，提供一个脉冲高压的通电回路，即高压脉冲通过所述输入电源的火线输入端连接至所述电阻R1的输入端，所述电阻R1的输出端分别连接至所述反激控制芯片U1的第8高压管脚HV和所述二极管D4的阳极，所述二极管D4的阴极与电解电容C1的正极连接，所述电解电容C1的负极与所述反激控制芯片的第4接地脚GND连接。实现了利用所述二极管D4的单向导通特性，在高电压测试保护电路中，所述二极管D4不起作用，及不会影响电压测试保护电路的正常工作，还能在所述反激控制芯片的第8高压管脚HV出现比电解电容C1的电压高时，该所述反激控制芯片的第8高压管脚HV的脉冲高压电压会通过所述二极管D4流到电解电容C1，由于电解电容C1的电压不能瞬间变化的特性，该脉冲高压会被电解电容C1有效地过滤掉，进而保护所述反激控制芯片不受损坏。

接着本实用新型的上述实施例，所述单机控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚为为高压启动脚，该第8高压管脚内集成了一个高压MOS管；上电时，所述输入电源的火线输入端VIN_L通过所述电阻R1连接至所述反激控制芯片的第8高压管脚HV，此时所述反激控制芯片的第8高压管脚HV内的高压MOS管导通，通过所述反激控制芯片的第6电源输入脚VCC对所述芯片启动电路中的所述电解电容C3进行充电，所述电解电容C3的负极与所述反激控制芯片的第4接地脚GND连接，当所述电解电容C3的电压达到所述反激控制芯片U1的启动电压时，所述反激控制芯片U1启动工作，实现对所述高电压测试保护电路中的反激控制芯片U1的启动。

接着本实用新型的上述实施例，所述输入电源与所述电压过滤电路的输入端连接，所述电压过滤电路的输出端与所述电压转换电路的输入端连接，所述电压过滤电路包括EMI滤波器、整流桥BD1和电解电容C1，其中，所述输入电源的火线输入端VIN_L(市电火线输入)和零线输入端VIN_N(市电零线输入)通过所述EMI滤波器分别与所述整流桥BD1的交流电压输入端1和交流接地端2连接，将输入交流电整流成直流电，经过所述整流桥BD1之后，所述整流桥BD1的直流电压输出端3分别与所述电解电容C1的正极和所述变压器T1的初级绕组的负极连接，所述整流桥BD1的直流接地端4与所述反激控制芯片的第4接地脚GND连接。实现了通过所述电解电容C1将输入电压滤成平整的直流电压，以供所述变压器T1进行DC-DC(Direct Current直流电源)转换，进而将所述电压转换电路的输出端电压输出至外部直流电压输出端。

接着本实用新型的上述实施例，所述芯片供电电路的输入端分别与所述芯片启动电路的输入端和所述反激控制芯片的第6电源输入脚VCC连接，所述芯片供电电路与所述芯片启动电路并联；当所述反激控制芯片U1启动工作之后，所述反激控制芯片U1的供电转由所述芯片供电电路中的变压器T1的辅助绕组(变压器T1的第1脚与第2脚组成辅助绕组)进行供电，所述反激控制芯片的第6电源输入脚VCC连接至所述芯片供电电路中的二极管D3的阳极，所述二极管D3的阴极与所述变压器T1的辅助绕组的正极连接；所述变压器T1的辅助绕组的负极与所述反激控制芯片的第4接地脚GND连接，实现通过所述变压器T1的辅助绕组为所述芯片进行供电；同时，由于所述反激控制芯片U1的第8高压管脚HV内的高压MOS管关断，电阻R1没有电流经过，则电阻R1不产生损耗，从而降低待机时的损耗。

接着本实用新型的上述实施例，所述电压转换电路包括MOS管Q1、所述变压器T1的初级绕组(变压器T1的第3脚与第4脚组成初级绕组)、所述变压器的副线圈(变压器T1的第5脚与第6脚组成副线圈)、二极管D2以及电解电容C4；所述反激控制芯片U1上电工作后，所述反激控制芯片的第5输出驱动器脚DRV输出PWM控制信号，通过该第5输出驱动器脚DRV与所述MOS管Q1的栅极端的连接来控制所述MOS管Q1的导通与关断，当所述第5输出驱动器脚DRV输出PWM控制信号为高电平时，所述MOS管Q1导通；当所述第5输出驱动器脚DRV输出PWM控制信号为低电平时，所述MOS管Q1关断；所述MOS管Q1的漏极与所述变压器T1的初级绕组的正极连接，从而实现对所述变压器T1的初级绕组的储能；接着所述变压器T1的初级绕组与所述变压器T1的副线圈电连接，所述变压器T1的初级绕组的能量通过变压器的匝比按比例传递到所述变压器T1的副线圈中，实现了对所述变压器T1的初级绕组的能量的传递；所述变压器T1经过降压后在所述变压器T1的副线圈形成的电压通过二极管D2进行整流，所述二极管D2的阴极与电解电容C4的正极连接，经过整流后的电压经过所述电解电容C4进行滤波后，最终形成直流输出电压VOUT，通过所述电解电容C4的正极与外部直流电压输出端连接，将所述直流输出电压VOUT输出至外部，所述电解电容C4的负极接地，实现了将所述变压器T1的初级绕组的能量传递并整流过滤后通过直流电压的方式输出至外部。

接着本实用新型的上述实施例，本实用新型的一种高电压测试保护电路中，还包括：分别与所述MOS管Q1的源极和所述反激控制芯片的第3电流检测脚CS连接的过流保护电路；所述过流保护电路包括电阻R2(例如采样电阻等)，其中，所述电阻R2的一端与所述MOS管Q1的源极连接，当所述MOS管Q1导通时流过的电流在所述电阻R2形成电压，该电压通过所述电阻R2的一端连接至所述反激控制芯片的第3电流检测脚CS，所述电阻R2的另一端与所述反激控制芯片的第4接地脚GND连接。当所述第3电流检测脚CS的电压达到所述第3电流检测脚CS的限值电压时，所述反激控制芯片会启动过流保护机制，实现对所述反激控制芯片的过流保护。

接着本实用新型的上述实施例，本实用新型的一种高电压测试保护电路中，还包括：分别与所述MOS管Q1的漏极和所述变压器T1的初级绕组连接的尖峰吸收电路；所述尖峰吸收电路包括二极管D1、电阻R3和电容C2，其中，所述二极管D1的阳极分别与所述MOS管Q1的漏极和所述变压器T1的初级绕组的正极连接；所述二极管D1的阴极分别与所述电阻R3的一端和所述电容C2的一端连接，所述电阻R3与所述电容C2并联，所述电阻R3的另一端和所述电容C2的另一端均与所述变压器T1的初级绕组的负极连接，实现了通过所述二极管D1、电阻R3和电容C2组成的尖峰吸收电路，来吸收所述MOS管Q1关断时产生的电压尖峰。

接着本实用新型的上述实施例，本实用新型的一种高电压测试保护电路中，还包括：与所述二极管D2的负极连接且与所述电解电容C4并联的电压负反馈电路；所述电压负反馈电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、光耦U2、电容C5和稳压源U3；所述二极管D2的负极分别与所述电阻R5的一端和所述电阻R6的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述光耦U2中的发光二极管的阳极1连接，所述光耦U2中的发光二极管的阴极2分别与所述稳压源U3的阴极2和所述电容C5的一端连接，所述光耦U2中的光敏三极管的发射极3与所述反激控制芯片的第2反馈脚FB连接，所述光耦U2中的光敏三极管的集电极4与所述反激控制芯片的第4接地脚GND连接；所述电阻R6的另一端分别与所述电容C5的另一端、所述稳压源U3的参照极1和所述电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端与所述稳压源U3的阳极3均接地，实现了通过所述电阻R5、电阻R6、电阻R7、光耦U2、电容C5和稳压源U3组成的电压负反馈电路，来调整所述直流输出电压VOUT的电压幅值。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，显然“包括”一词不排除其他单元或步骤，单数不排除复数。装置权利要求中陈述的多个单元或装置也可以由一个单元或装置通过软件或者硬件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。

Claims (15)

1.一种高电压测试保护电路，其特征在于，包括：

输入电源、反激控制芯片和导电回路，其中，

所述输入电源的火线输入端与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接，所述反激控制芯片和所述导电回路并联，所述导电回路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接。

2.根据权利要求1所述的高电压测试保护电路，其特征在于，还包括：

芯片启动电路、芯片供电电路、电压过滤电路和电压转换电路，其中，

所述芯片启动电路的输入端与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述芯片启动电路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接；

所述芯片供电电路的输入端分别与所述芯片启动电路的输入端和所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述芯片供电电路与所述芯片启动电路并联；

所述输入电源与所述电压过滤电路的输入端连接，所述电压过滤电路的输出端与所述电压转换电路的输入端连接，所述电压转换电路的输出端与外部直流电压输出端连接。

3.根据权利要求2所述的高电压测试保护电路，其特征在于，

所述芯片启动电路包括电解电容C3，所述电解电容C3的正极与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述电解电容C3的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。

4.根据权利要求1所述的高电压测试保护电路，其特征在于，还包括：

分别与所述输入电源的火线输入端、反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接的防静电电路。

5.根据权利要求4所述的高电压测试保护电路，其特征在于，

所述防静电电路包括电阻R1，其中，

所述输入电源的火线输入端与所述电阻R1的输入端连接，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接。

6.根据权利要求5所述的高电压测试保护电路，其特征在于，

所述导电回路包括二极管D4和电解电容C1，其中，

所述电阻R1的输出端与所述二极管D4的阳极连接，所述二极管D4的阴极与电解电容C1的正极连接，所述电解电容C1的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。

7.根据权利要求2所述的高电压测试保护电路，其特征在于，

所述芯片供电电路包括二极管D3和变压器T1的辅助绕组，其中，

所述二极管D3的阳极与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述二极管D3的阴极与所述变压器T1的辅助绕组的正极连接；

所述变压器T1的辅助绕组的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。

8.根据权利要求7所述的高电压测试保护电路，其特征在于，

所述电压过滤电路包括EMI滤波器、整流桥BD1和电解电容C1，其中，

所述输入电源的火线输入端和零线输入端通过所述EMI滤波器分别与所述整流桥BD1的交流电压输入端1和交流接地端2连接，所述整流桥BD1的直流电压输出端3分别与所述电解电容C1的正极和所述变压器T1的初级绕组的负极连接，所述整流桥BD1的直流接地端4与所述反激控制芯片的接地脚连接。

9.根据权利要求7所述的高电压测试保护电路，其特征在于，

所述电压转换电路包括MOS管Q1、所述变压器T1的初级绕组、所述变压器的副线圈、二极管D2以及电解电容C4，其中，

所MOS管Q1的栅极与所述反激控制芯片的输出驱动器脚连接；所述MOS管Q1的漏极与所述变压器T1的初级绕组的正极连接，所述变压器T1的初级绕组与所述变压器T1的副线圈电连接；

所述变压器T1的副线圈的正极输出端与二极管D2的阳极连接，所述二极管D2的阴极与电解电容C4的正极连接；

所述电解电容C4的正极与外部直流电压输出端连接，所述电解电容C4的负极接地。

10.根据权利要求9所述的高电压测试保护电路，其特征在于，还包括：

分别与所述MOS管Q1的源极和所述反激控制芯片的电流检测脚连接的过流保护电路。

11.根据权利要求10所述的高电压测试保护电路，其特征在于，

所述过流保护电路包括电阻R2，其中，

所述电阻R2的一端分别与所述MOS管Q1的源极和所述反激控制芯片的电流检测脚连接；

所述电阻R2的另一端与所述反激控制芯片的接地脚连接。

12.根据权利要求9所述的高电压测试保护电路，其特征在于，还包括：

分别与所述MOS管Q1的漏极和所述变压器T1的初级绕组连接的尖峰吸收电路。

13.根据权利要求12所述的高电压测试保护电路，其特征在于，

所述尖峰吸收电路包括二极管D1、电阻R3和电容C2，其中，

所述二极管D1的阳极分别与所述MOS管Q1的漏极和所述变压器T1的初级绕组的正极连接；

所述二极管D1的阴极分别与所述电阻R3的一端和所述电容C2的一端连接，所述电阻R3与所述电容C2并联，所述电阻R3的另一端和所述电容C2的另一端均与所述变压器T1的初级绕组的负极连接。

14.根据权利要求9所述的高电压测试保护电路，其特征在于，还包括：

与所述二极管D2的负极连接且与所述电解电容C4并联的电压负反馈电路。

15.根据权利要求14所述的高电压测试保护电路，其特征在于，

所述电压负反馈电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、光耦U2、电容C5和稳压源U3；

所述二极管D2的负极分别与所述电阻R5的一端和所述电阻R6的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述光耦U2中的发光二极管的阳极1连接，所述光耦U2中的发光二极管的阴极2分别与所述稳压源U3的阴极2和所述电容C5的一端连接，所述光耦U2中的光敏三极管的发射极3与所述反激控制芯片的反馈脚连接，所述光耦U2中的光敏三极管的集电极4与所述反激控制芯片的接地脚连接；

所述电阻R6的另一端分别与所述电容C5的另一端、所述稳压源U3的参照极1和所述电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端与所述稳压源U3的阳极3均接地。