CN206388559U - 同轴USB3.1Type‑C信号传输线 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种同轴USB3.1Type‑C信号传输线，其包括芯线及按由内到外的顺序依次包覆在该芯线上的屏蔽麦拉层、编织层和外被层，芯线包括有控制线、电源线、USB2.0传输线组和信号线，电源线和USB2.0传输线组位于芯线的中心位置，控制线间隔分布在芯线的周缘位置，信号线位于相邻两控制线之间；本实用新型结构设计巧妙，合理，通过将控制线和信号线交错设置并间隔分布在芯线的周缘位置，使得各个控制线和信号线相隔开来，有效提升抗干扰能力，同时信号线的信号导体上包覆有金属缠绕层和铜箔层，屏蔽效果好，有效排除杂讯干扰，进而解决电磁干扰和低频串扰的问题，进一步提升抗干扰能力，大大提高数据传输效率和质量。

Description

同轴USB3.1Type-C信号传输线

技术领域

本实用新型涉及USB3.1Type-C传输线技术领域，具体涉及一种可用于手机、平板、笔记本、显示器及VR等电子产品的同轴USB3.1Type-C信号传输线。

背景技术

随着现代通讯的高速发展，对现有的信号传输线缆的带宽要求越来越高，对用于电子消费类的产品也是如此。USB3.1是由USB-IF协会于2014年8月11日发布的全新应用新产品，它集信号传输、影音传输及充电于一身。USB3.1有三种连接介面，分别为Type-A（Standard-A）、Type-B（Micro-B）以及Type-C。标准的Type-A是目前应用最广泛的介面方式，Micro-B则主要应用于智能手机和平板电脑等设备，而新定义的Type-C主要面向更轻薄、更纤细的设备。Type-C大幅缩小了实体外型，更适合用于短小轻薄的手持式装置上，Type-C将取代Micro-AB型连接器（支援USB装置直接对传，不需要有主控系统介入），也将取代一般Micro-USB连接器，Type-C仿Apple Lightning连接器，正反均可正常连接使用，较现有Micro-USB更理想，Micro-USB虽有防止反接的防呆机制，但正反均可接的好处，在摸黑状况上都可顺利完成接线。

USB3.1的信号传输速率达10GB，电流到5A，总功率可达100W，因此对于线缆的设计及制作的工艺要求极高。现有技术USB3.1Type-C传输线中的控制线、电源线、USB2.0传输线组和信号线的位置分布不合理，抗干扰性差，在信号传输与电流工作时相互有电磁干扰和低频串扰的问题，影响到数据传输的效率和质量。

实用新型内容

针对上述不足，本实用新型的目的在于，提供一种结构设计巧妙、合理，易于实现，体积小、成本低、抗干扰性好的同轴USB3.1Type-C信号传输线。

为实现上述目的，本实用新型所提供的技术方案是：一种同轴USB3.1Type-C信号传输线，其包括芯线及按由内到外的顺序依次包覆在该芯线上的屏蔽麦拉层、编织层和外被层，所述芯线包括有控制线、电源线、USB2.0传输线组和信号线，所述电源线和USB2.0传输线组位于芯线的中心位置，所述控制线间隔分布在芯线的周缘位置，信号线位于相邻两控制线之间，使得各个控制线和信号线相隔开来，有效提升抗干扰能力。所述信号线包括信号导体和按由内到外的顺序依次包覆在该信号导体上的绝缘层、金属缠绕层、热熔麦拉层和铜箔层，其中热熔麦拉层的热熔面朝外，而铜箔层的导电面朝内。

作为本实用新型的一种改进，所述信号导体的规格为30AWG～40AWG，有减小成本和安装复杂性，同时也保证在必要电压和频率之下实现导线的最大容量。

作为本实用新型的一种改进，所述控制线的数量为四条，其中三条控制线均包括控制导体和按由内到外的顺序依次包覆在该控制导体上的绝缘层和铜箔层，该铜箔层的导电面朝外；另一条控制线包括控制导体和包覆在该控制导体上的绝缘层。

作为本实用新型的一种改进，所述绝缘层为FPE层、HDPE层、PP层或FEP层。

作为本实用新型的一种改进，所述外被层为PVC层、TPE层或TPU层。

本实用新型的有益效果为：本实用新型结构设计巧妙，合理将电源线和USB2.0传输线组设置在芯线的中心位置，而控制线间隔分布在芯线的周缘位置，信号线位于相邻两控制线之间，通过将控制线和信号线交错设置，使得各个控制线和信号线相隔开来，有效提升抗干扰能力，同时信号线的信号导体上包覆有金属缠绕层和铜箔层，屏蔽效果好，有效排除杂讯干扰，进而解决电磁干扰和低频串扰的问题，进一步提升抗干扰能力，大大提高数据传输效率和质量，利于广泛推广应用。

下面结合附图与实施例，对本实用新型进一步说明。

附图说明

图1是本实用新型的横截面结构示意图。

图2是本实用新型中信号线的横截面结构示意图。

图3是本实用新型中控制线的横截面结构示意图。

图4是本实用新型中控制线的另一种横截面结构示意图。

具体实施方式

实施例，参见图1至图4，本实施例提供的一种同轴USB3.1Type-C信号传输线，其包括芯线1及按由内到外的顺序依次包覆在该芯线1上的屏蔽麦拉层2、编织层3和外被层4，所述芯线1包括有控制线11、电源线12、USB2.0传输线组13和信号线14，所述电源线12和USB2.0传输线组13位于芯线1的中心位置，所述控制线11间隔分布在芯线1的周缘位置，信号线14位于相邻两控制线11之间，合理将电源线12和USB2.0传输线组13设置在芯线1的中心位置，而控制线11间隔分布在芯线1的周缘位置，信号线14位于相邻两控制线11之间，通过将控制线11和信号线14交错设置，使得各个控制线11和信号线14相隔开来，有效提升抗干扰能力。所述信号线14包括信号导体141和按由内到外的顺序依次包覆在该信号导体141上的绝缘层142、金属缠绕层143、热熔麦拉层144和铜箔层145，其中热熔麦拉层144的热熔面朝外，而铜箔层145的导电面朝内，则铜箔层145的热熔面朝外。屏蔽效果好，有效排除杂讯干扰，进而解决电磁干扰和低频串扰的问题，进一步提升抗干扰能力，大大提高数据传输效率和质量。本实施例中，金属缠绕层143具体是采用铜线缠绕在绝缘层142上形成；其它实施例中，该金属缠绕层143可以采用铝线或其它金属缠绕在绝缘层142上形成。

较佳的，所述信号导体141的规格优选为30AWG～40AWG，有减小成本和安装复杂性，同时也保证在必要电压和频率之下实现导线的最大容量。

本实施例中，所述控制线11的数量为四条，参见图3，其中三条控制线均包括控制导体111和按由内到外的顺序依次包覆在该控制导体111上的绝缘层112和铜箔层113，该铜箔层113的导电面朝外，则该铜箔层113的热熔面朝外与绝缘层112粘贴；参见图4，另一条控制线包括控制导体111和包覆在该控制导体111上的绝缘层112。在保证抗干扰的基础上，根据不同控制线的用途来相应省去铜箔层113，进而降低成本。

本实施例中，所述绝缘层为FEP层，其它实施例中，该绝缘层也可以为HDPE层、PP层、FPE层或由其它具有相同功能材料制成的绝缘层。

本实施例中，所述外被层4为PVC层，其它实施例中，该外被层4也可以为TPE层、TPU层或由其它具有相同功能材料制成的外被层。

根据上述说明书的揭示和教导，本实用新型所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本实用新型并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本实用新型的一些修改和变更也应当落入本实用新型的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本实用新型构成任何限制，采用与其相同或相似的其它线材，均在本实用新型保护范围内。

Claims (5)

1.一种同轴USB3.1Type-C信号传输线，其特征在于：其包括芯线及按由内到外的顺序依次包覆在该芯线上的屏蔽麦拉层、编织层和外被层，所述芯线包括有控制线、电源线、USB2.0传输线组和信号线，所述电源线和USB2.0传输线组位于芯线的中心位置，所述控制线间隔分布在芯线的周缘位置，信号线位于相邻两控制线之间，所述信号线包括信号导体和按由内到外的顺序依次包覆在该信号导体上的绝缘层、金属缠绕层、热熔麦拉层和铜箔层，其中热熔麦拉层的热熔面朝外，而铜箔层的导电面朝内。

2.根据权利要求1所述的同轴USB3.1Type-C信号传输线，其特征在于：所述信号导体的规格为30AWG～40AWG。

3.根据权利要求1所述的同轴USB3.1Type-C信号传输线，其特征在于：所述控制线的数量为四条，其中三条控制线均包括控制导体和按由内到外的顺序依次包覆在该控制导体上的绝缘层和铜箔层，该铜箔层的导电面朝外；另一条控制线包括控制导体和包覆在该控制导体上的绝缘层。

4.根据权利要求1或3所述的同轴USB3.1Type-C信号传输线，其特征在于：所述绝缘层为FPE层、HDPE层、PP层或FEP层。

5.根据权利要求1所述的同轴USB3.1Type-C信号传输线，其特征在于：所述外被层为PVC层、TPE层或TPU层。