CN206370296U

CN206370296U - 一种电子元件、天线和传输线

Info

Publication number: CN206370296U
Application number: CN201621179464.4U
Authority: CN
Inventors: 蒋海英; 毛双福
Original assignee: Shanghai Amphenol Airwave Communication Electronics Co Ltd
Current assignee: Shanghai Amphenol Airwave Communication Electronics Co Ltd
Priority date: 2016-11-03
Filing date: 2016-11-03
Publication date: 2017-08-01
Anticipated expiration: 2026-11-03

Abstract

本实用新型提供了一种电子元件，包括金属导电层和非导电介质层；所述金属导电层的至少一面设有所述非导电介质层，所述非导电介质层的局部或全部为微孔性结构。一种天线，包括所述的电子元件，所述金属导电层为天线辐射体，所述非导电介质层为天线基板。一种传输线，包括所述的电子元件，所述金属导电层为数据传输线或射频传输线，所述非导电介质层为传输线中包裹所述数据传输线或射频传输线的绝缘层。采用本实用新型提出的电子元件结构能够有效减少介质层密度，从而降低介电常数和介电损耗。

Description

一种电子元件、天线和传输线

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种电子元件、天线和传输线。

背景技术

随着电子通信的发展，各类高频通信中对半导体元件性能的要求逐渐提高。人们目前通常是通过对天线走线结构的设计、基板材料的选择来满足天线的高性能要求，加大了对传输线的各类材料的化学研究。然而，如何在天线线路基板和传输线路绝缘材料获得更低的介电常数和介电损失仍然是亟待解决的问题。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种一种电子元件、天线和传输线。

根据本实用新型提供的一种电子元件，包括金属导电层和非导电介质层；所述金属导电层的至少一面设有所述非导电介质层，所述非导电介质层的局部或全部为微孔性结构。

作为一种优化方案，所述非导电介质层中孔洞率为2％-60％。

作为一种优化方案，所述非导电介质层中分布的微孔大小为大于等于20纳米且小于等于100微米。

作为一种优化方案，所述非导电介质层中的微孔性结构是通过在非导电介质层中压入气体而制备的结构。

作为一种优化方案，所述非导电介质层中的微孔性结构是通过在非导电介质层中引入热氧化降解组分而制备的结构。

作为一种优化方案，所述非导电介质层是通过注塑成型，或吹塑成型，或挤出成型，或热压成型，或烧结成型，或化泡成型而制备的结构。

作为一种优化方案，所述非导电介质层为高分子材料或无机材料。

作为一种优化方案，所述高分子材料包括PC，或PI，或LCP，或PC/ABS，或PA，或PA+GF，或PET，或PTFE，或FR4，或PC+GF，或LCP+GF，或丙烯酸胶，或天然橡胶，或合成橡胶，或硅胶，或凯芙拉增强材料。

作为一种优化方案，所述无机材料包括玻璃，或玻璃纤维增强材料，或二氧化硅，或陶瓷，或三氧化铝，或碳纤维增强材料。

基于同样的构思，本实用新型还提出了一种天线，包括所述的电子元件，所述金属导电层为天线辐射体，所述非导电介质层为天线基板。

基于同样的构思，本实用新型还提出了一种传输线，包括所述的电子元件，所述金属导电层为数据传输线或射频传输线，所述非导电介质层为传输线中包裹所述数据传输线或射频传输线的绝缘层。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：

采用本实用新型提出的电子元件结构能够有效减少介质层密度，从而降低介电常数和介电损耗。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。附图中：

图1是可选的一种LDS天线或LEP天线结构示意图；

图2是可选的一种LDS天线或LEP天线分离结构示意图；

图3是可选的一种LDS天线或LEP天线截面示意图；

图4是可选的一种FPC天线分离结构示意图；

图5是可选的一种带状线截面示意图。

图中，11-金属导电层，12-非导电基板，13-非导电过渡层，14-微孔性结构；

1-第一绝缘层单元，2-第一连接层单元，3-第一介质层单元，4-第二连接层单元，5-低温粘合层，6-第二介质层单元，7-第三连接层单元，8-第二绝缘层单元，41-信号线一，42-信号线二，44-第二导通孔，51-第一介质层内的微孔，52-第二介质层内的微孔，53-低温粘合层内的微孔。

具体实施方式

下文结合附图以具体实施例的方式对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，还可以使用其他的实施例，或者对本文列举的实施例进行结构和功能上的修改，而不会脱离本实用新型的范围和实质。

在本实用新型提供的一种电子元件的实施例中，如图3所示，包括金属导电层11和非导电介质层；所述金属导电层11的至少一面设有所述非导电介质层，所述非导电介质层的局部或全部为微孔性结构14。微孔性结构14靠近所述金属导电层11分布。采用本实用新型提出的电子元件结构能够有效减少介质层密度，从而降低介电常数和介电损耗。

所述非导电介质层中孔洞率为2％-60％。

所述非导电介质层中分布的微孔大小为大于等于20纳米且小于等于100微米。

表一和表二是两种可选的电子元件中孔洞率变化对电子元件性能的影响测试数据对比，由此可知，对孔洞率的改变能够较为线性地增加或减小电子元件的性能，但是孔洞率的变化也影响到基板的结构强度，因此本实施例中非导电介质层中孔洞率为2％-60％。

表一PC材料的天线基板中孔洞率与天线性能提升测试数据

孔洞率	介电常数	天线性提升
			0％	3	0.00％
10％	2.8	10.54％
			20％	2.6	14.91％
30％	2.4	18.26％
			40％	2.2	21.08％
50％	2	23.57％
			60％	1.8	25.82％

表二PI材料的扁平电缆中孔洞率与电缆损耗测试数据

孔洞率	介电常数	损耗(dB/m)
			0％	3.2	6.693
10％	2.98	6.363
			20％	2.76	6.032
30％	2.54	5.697
			40％	2.32	5.358
50％	2.1	5.013
			60％	1.88	4.659

作为微孔性结构14的一种物理制备方法，所述非导电介质层中的微孔性结构14是通过在非导电介质层中压入气体而制备的结构。该微孔性结构14的物理制备方法不限于此。在非导电介质层中压入气体，无论气体是否溢出，被压入所述非导电介质层中的气压变化后气体释放即产生气泡形成上述微孔性结构14。

作为微孔性结构14的一种化学制备方法，所述非导电介质层中的微孔性结构14是通过在非导电介质层中引入热氧化降解组分而制备的结构。该微孔性结构14的化学制备方法不限于此。

所述非导电介质层是通过注塑成型，或吹塑成型，或挤出成型，或热压成型，或烧结成型，或化泡成型而制备的结构。

所述非导电介质层为高分子材料或无机材料。

所述无机材料包括玻璃，或玻璃纤维增强材料，或二氧化硅，或陶瓷，或三氧化铝，或碳纤维增强材料。

所述高分子材料包括PC(聚碳酸酯)，或PI(聚酰亚胺)，或LCP(液晶聚合物)，或PC/ABS(聚碳酸酯和丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物和混合物)，或PA(聚酰胺)，或PA+GF(聚酰胺加玻璃纤维)，或PET(聚对苯二甲酸)，或PTFE(聚四氟乙烯)，或FR4(玻璃纤维环氧树脂)，或PC+GF(聚碳酸酯加玻璃纤维)，或LCP+GF(液晶聚合物加玻璃纤维)，或丙烯酸胶，或天然橡胶，或合成橡胶，或硅胶，或凯芙拉增强材料。

目前电子元件的基板较多采用高分子材料，主要是因为高分子材料具有多样性，柔韧性，成型方便等优点。从应用上看，通信领域应用高分子材料做基板已经比较成熟，不论是FPC天线，LDS天线还是传输线，本实用新型在现有结构的基础上将基板制备成微孔性结构14。相对于大多无机材料而言，高分子材料可以弯折，且介电常数和介质损耗因子低，对射频性能有利。

基于同一构思，如图1-4所示，本实用新型还提出了一种天线，包括所述的电子元件，所述金属导电层11为天线辐射体，所述非导电介质层为天线基板。图4中非导电介质层包括非导电基板12和非导电过渡层13，且非导电过渡层13的材质为微孔性结构14。

基于同一构思，如图5所示，本实用新型还提出了一种传输线，包括所述的电子元件，所述金属导电层11为数据传输线或射频传输线，所述非导电介质层为传输线中包裹所述数据传输线或射频传输线的绝缘层。图5中所示的第一介质层单元3、低温粘合层5、第二介质层单元6为微孔性结构14，其他包裹信号线一41和信号线二42的非导电介质层部分均未设置微孔。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，本领域技术人员知悉，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等同替换。另外，在本实用新型的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本实用新型的精神和范围。因此，本实用新型不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本申请的权利要求范围内的实施例都属于本实用新型的保护范围。

Claims

1.一种电子元件，其特征在于，包括金属导电层和非导电介质层；所述金属导电层的至少一面设有所述非导电介质层，所述非导电介质层的局部或全部为微孔性结构；所述非导电介质层中孔洞率为2％-60％。

2.根据权利要求1所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层中分布的微孔大小为大于等于20纳米且小于等于100微米。

3.根据权利要求1所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层中的微孔性结构是通过在非导电介质层中压入气体而制备的结构。

4.根据权利要求1所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层中的微孔性结构是通过在非导电介质层中引入热氧化降解组分而制备的结构。

5.根据权利要求1所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层是通过注塑成型，或吹塑成型，或挤出成型，或热压成型，或烧结成型，或化泡成型而制备的结构。

6.根据权利要求1所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层为高分子材料或无机材料。

7.根据权利要求6所述的一种电子元件，其特征在于，所述高分子材料包括PC,或PI,或LCP,或PC/ABS,或PA,或PA+GF,或PET,或PTFE,或FR4,或PC+GF,或LCP+GF，或丙烯酸胶，或天然橡胶，或合成橡胶，或硅胶，或凯芙拉增强材料。

8.根据权利要求6所述的一种电子元件，其特征在于，所述无机材料包括玻璃，或玻璃纤维增强材料，或二氧化硅，或陶瓷，或三氧化铝，或碳纤维增强材料。

9.一种天线，其特征在于，包括如权利要求1和3-8中任一所述的电子元件，所述金属导电层为天线辐射体，所述非导电介质层为天线基板。

10.一种传输线，其特征在于，包括如权利要求1和3-8中任一所述的电子元件，所述金属导电层为数据传输线或射频传输线，所述非导电介质层为传输线中包裹所述数据传输线或射频传输线的绝缘层。