CN206340445U - 一种射频大功率电容器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种射频大功率电容器，包括瓷体，瓷体内设有交错排列的内电极，瓷体两侧由内至外镀有底银层、镍阻挡层和锡铅层，内电极与底银层连接，内电极包括中部电极和中部电极两侧的外侧电极，外侧电极设置为单层内电极，中部电极设置为等电位双层内电极。将中部的内电极采用两根等电位内电极、端部的内电极采用单根内电极的设计，使得电容器的内部电流分布均匀、发热均匀、散热性能得到提升；瓷体端部设置为倒角，使得各个镀层连接更加可靠，防止镀层脱落，从而提升电容器的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型属于电容器的技术领域，具体地说，涉及一种射频大功率电容器。
背景技术
用于RF线路的多层瓷介电容器，其功率/电流通过能力决定其可靠性。电流在多层瓷介电容器内分布不均匀，这是由于多层瓷介电容器是由多层平板电容并联形成。如果电容器内部有N个平板电容，内电极分支数就为N+1。最靠外的两个内电极比里面的电极承载的电流小。两个相邻的内电极组成一个平板电容。如果流入电容器电流为I，每个平板电容分流I/N。最外层的内电极实际承载的电流就为I/N，而中间的内电极由于承载相邻两个平板电容的电流，其实际承载电流为2I/N。
例如，由6个平板电容组成的多层瓷介电容器，靠外的内电极中电流为I/6，中间的内电极电流为2I/6，如图1所示。因此现有的多层瓷介电容器内的电流分布不均，中部发热量更大，从而散热性能差。
实用新型内容
针对现有技术中上述的不足，本实用新型提供一种内部电流分布均匀、发热均匀、散热性能得到提升的射频大功率电容器。
为了达到上述目的，本实用新型采用的解决方案是：一种射频大功率电容器，包括瓷体，瓷体内设有交错排列的内电极，瓷体两侧由内至外镀有底银层、镍阻挡层和锡铅层，内电极与底银层连接，内电极包括中部电极和中部电极两侧的外侧电极，外侧电极设置为单层内电极，中部电极设置为等电位双层内电极。
进一步地，瓷体端部两侧设有倒角部，底银层、镍阻挡层和锡铅层设为C型结构，锡铅层将镍阻挡层全包覆，镍阻挡层将底银层全包覆，底银层将瓷体端部及倒角部全包覆。
进一步地，等电位双层内电极宽度和长度相同。
本实用新型的有益效果是，将中部的内电极采用两根等电位内电极、端部的内电极采用单根内电极的设计，使得电容器的内部电流分布均匀、发热均匀、散热性能得到提升；瓷体端部设置为倒角，使得各个镀层连接更加可靠，防止镀层脱落，从而提升电容器的可靠性。
附图说明
图1为现有的电容器设计简图。
图2为本实用新型的射频大功率电容器的设计简图。
图3为本实用新型的射频大功率电容器的结构示意图。
图4为图3中A处的放大图。
附图中：
1、瓷体；11、倒角部；2、底银层；3、镍阻挡层；4、锡铅层；5、单层内电极；6、等电位双层内电极。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步描述：
参照图2-图4，本实用新型提供一种射频大功率电容器，包括瓷体1，瓷体1内设有交错排列的内电极，瓷体1两侧由内至外镀有底银层2、镍阻挡层3和锡铅层4，内电极与底银层2连接，内电极包括中部电极和中部电极两侧的外侧电极，外侧电极设置为单层内电极5，中部电极设置为等电位双层内电极6。
本实用新型的电容器为避免焊接过程中底银层2被焊料熔蚀，造成元件内电极与外界断路，所以在底银层2表面镀上镍阻挡层3，镍阻挡层3起到金属热阻挡的作用；虽然镍可焊，但容易氧化造成可焊性不良，所以在镍阻挡层3表面镀有锡铅层4，加强电容器元件的可焊性。
本实施例中，瓷体1端部两侧设有倒角部11，底银层2、镍阻挡层3和锡铅层4设为C型结构，锡铅层4将镍阻挡层3全包覆，镍阻挡层3将底银层2全包覆，底银层2将瓷体1端部及倒角部11全包覆；瓷体1端部设置为倒角，使得各个镀层连接更加可靠，防止镀层脱落，从而提升电容器的可靠性。
本实施例中，等电位双层内电极6宽度和长度相同。将中部的内电极采用两根等电位内电极、端部的内电极采用单根内电极的设计，使得电容器的内部电流分布均匀、发热均匀、散热性能得到提升。
本实施例中，由6个平板电容组成的多层瓷介电容器，中部的内电极和两侧的内电极的电流都为I/6，如图2所示。
Claims (3)
1.一种射频大功率电容器，其特征是：包括瓷体(1)，瓷体(1)内设有交错排列的内电极，瓷体(1)两侧由内至外镀有底银层(2)、镍阻挡层(3)和锡铅层(4)，内电极与底银层(2)连接，内电极包括中部电极和中部电极两侧的外侧电极，外侧电极设置为单层内电极(5)，中部电极设置为等电位双层内电极(6)。
2.根据权利要求1所述的射频大功率电容器，其特征是：所述的瓷体(1)端部两侧设有倒角部(11)，底银层(2)、镍阻挡层(3)和锡铅层(4)设为C型结构，锡铅层(4)将镍阻挡层(3)全包覆，镍阻挡层(3)将底银层(2)全包覆，底银层(2)将瓷体(1)端部及倒角部(11)全包覆。
3.根据权利要求1或2所述的射频大功率电容器，其特征是：所述的等电位双层内电极(6)宽度和长度相同。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621457528.2U CN206340445U (zh) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 一种射频大功率电容器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN201621457528.2U CN206340445U (zh) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 一种射频大功率电容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206340445U true CN206340445U (zh) | 2017-07-18 |
Family
ID=59304422
Family Applications (1)
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| CN201621457528.2U Active CN206340445U (zh) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 一种射频大功率电容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206340445U (zh) |
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2016
- 2016-12-28 CN CN201621457528.2U patent/CN206340445U/zh active Active
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