CN206328455U - 工件及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了工件及电子设备，其中，该工件表面形成有镀膜层，所述镀膜层包括形成在所述工件外表面的第一耐磨层，形成在所述第一耐磨层外表面的第二耐磨层，以及形成在所述第二耐磨层外表面的防指纹层。通过在防指纹层和工件之间形成第一和第二两个耐磨层，在保证防指纹膜具有良好的防指纹和抗脏污性能的同时，可以显著提高防指纹层的耐磨性和使用寿命。

Description

工件及电子设备

技术领域

本实用新型涉及镀膜技术领域，具体的，涉及工件及电子设备。

背景技术

目前用于手机等电子设备的陶瓷零件，如指纹识别模组上陶瓷盖板，手机后壳陶瓷盖板等，其表面不抗指纹，不耐脏污；或其表面通过镀一层防指纹膜(AF)，虽抗指纹，防脏污；但AF膜寿命有限，消费者在使用过程中很容易磨损掉；对于指纹识别模组上陶瓷盖板，防指纹膜(AF)一旦磨损，其表面容易脏污，会造成指纹识别出错，影响消费者体验。对于手机后壳陶瓷盖板，防指纹膜(AF)一旦磨损，其表面容易脏污，影响外观。

因而，目前用于手机等电子设备的防指纹膜仍有待改进。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种耐磨性佳或使用寿命长的防指纹膜。

在本实用新型的一个方面，本实用新型提供了一种工件。根据本实用新型的实施例，该工件表面形成有镀膜层，所述镀膜层包括形成在所述工件的外表面的第一耐磨层，形成在所述第一耐磨层的外表面的第二耐磨层，以及形成在所述第二耐磨层的外表面的防指纹层。发明人发现，通过在防指纹层和工件之间形成第一和第二两个耐磨层，在保证防指纹膜具有良好的防指纹和抗脏污性能的同时，可以显著提高防指纹层的耐磨性和使用寿命。

可选的，所述工件为陶瓷工件。

可选的，所述第一耐磨层由氧化铝形成。

可选的，所述第一耐磨层的厚度为1-5纳米。

可选的，所述第二耐磨层由二氧化硅形成。

可选的，所述第二耐磨层的厚度为6-12纳米。

可选的，所述防指纹层由全氟聚醚形成。

可选的，所述防指纹层的厚度为15-25纳米。

在本实用新型的另一方面，本实用新型提供了一种电子设备。根据本实用新型的实施例，该电子设备包含前面所述的工件。本领域技术人员可以理解，该电子设备具有前面所 述的工件的所有特征和优点，在此不再一一赘述。

附图说明

图1显示了根据本实用新型实施例的工件的剖面结构示意图。

图2显示了根据本实用新型实施例的真空溅射镀膜方法的流程示意图。

附图标记：

1：工件

2：镀膜层

21：第一耐磨层

22：第二耐磨层

23：防指纹层

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。

在本实用新型的一个方面，本实用新型提供了一种工件。根据本实用新型的实施例，参照图1，该工件1表面形成有镀膜层2，镀膜层2包括第一耐磨层21、第二耐磨层22和防指纹层23。

根据本实用新型的实施例，该工件1可以为陶瓷工件，而工件1的具体种类不受特别限制，包括但不限于用于手机、平板电脑等电子设备的指纹识别模组的陶瓷盖板、后壳陶瓷盖板等。发明人发现，在陶瓷工件表面形成上述镀膜层，形成的耐磨层致密度、纯度均较高，防指纹层在具有良好的防指纹、抗脏污性能的同时，耐磨性显著提高。

根据本实用新型的实施例，第一耐磨层21形成在工件1的外表面。其与工件1和第二耐磨层22之间均具有良好的附着力，能够有效提高防指纹层23的耐磨性和使用寿命。

根据本实用新型的实施例，第一耐磨层21可以由氧化铝形成，第一耐磨层21的厚度为1-5纳米。采用硬质氧化铝形成第一耐磨层，其与工件和第二耐磨层之间均具有较强的结合强度，且可以显著提高防指纹层的耐磨性，延长其使用寿命。第一耐磨层的厚度设置在上述范围，可以有效保证较高的耐磨性能的同时，有利于节约材料，降低成本，提高效率。

根据本实用新型的实施例，第二耐磨层22形成在第一耐磨层21的外表面。第二耐磨 层22与第一耐磨层和防指纹层之间具有良好的结合力，特别是与防指纹层之间可以形成化学键合，结合力进一步增强，可以进一步提高防指纹层的耐磨性。根据本实用新型的一些实施例，第二耐磨层22可以由二氧化硅形成，第二耐磨层22的厚度可以为6-12纳米。采用二氧化硅形成第二耐磨层，其与防指纹层和第一耐磨层之间均具有较强的结合强度，且可以显著提高防指纹层的耐磨性，延长其使用寿命。第二耐磨层的厚度设置在上述范围，可以有效保证较高的耐磨性能的同时，有利于节约材料，降低成本，提高效率。

根据本实用新型的实施例，防指纹层23形成在第二耐磨层22的外表面。由此，可以使得工件具有良好的防指纹和抗脏污的性能。根据本实用新型的一些实施例，防指纹层23可以由全氟聚醚形成，防指纹层23的厚度可以为15-25纳米。采用全氟聚醚形成防指纹层可以获得抗油污、脏污和防指纹性能理想的防指纹层，且与耐磨层的结合力好，有利于耐磨性能的提高，防指纹层的厚度在上述范围，可以保证其使用性能理想。

发明人发现，通过在防指纹层和工件之间形成第一耐磨层和第二耐磨层，在保证防指纹膜具有良好的防指纹和抗脏污性能的同时，可以显著提高防指纹层的耐磨性和使用寿命。

在本实用新型的另一方面，本实用新型提供了一种电子设备。根据本实用新型的实施例，该电子设备包含前面的工件。本领域技术人员可以理解，该电子设备具有前面的工件的所有特征和优点，在此不再一一赘述。另外，该电子设备的具体种类不受特别限制，包括但不限于手机、平板电脑等移动终端设备等。而且，本领域技术人员可以理解，除前面所述的工件外，该电子设备还具有其他必要的结构和部件，具有本领域常规的结构和组成。以该电子设备为手机为例，前面所述的工件可以为指纹识别模组的陶瓷盖板，另外该手机还包括常规手机具有的其他结构和部件，如照相模组、电池、触摸屏、CPU、柔性电路板、外壳等部件。

在本实用新型的再一方面，本实用新型提供了一种真空溅射镀膜方法。根据本实用新型的实施例，参照图2，该方法包括以下步骤：

S100：对工件进行清洁处理。

根据本实用新型的实施例，在该步骤中，对工件进行清洁处理的方法不受特别限制，只要能够有效去除工件表面的灰尘、油污等杂质即可。在本实用新型的一些实施例中，可以通过超声清洗或人工擦拭的方法进行清洁处理。由此，操作简单、方便快捷，且清洁效果理想，有利于后续步骤的进行。

根据本实用新型的一些实施例，该步骤采用的工件为陶瓷工件，而工件的具体种类不受特别限制，包括但不限于用于手机、平板电脑等电子设备的指纹识别模组的陶瓷盖板、后壳陶瓷盖板等。发明人发现，本实用新型的该方法特别适于在陶瓷工件表面进行镀膜，形成的耐磨层致密度、纯度均较高，在具有良好的防指纹、抗脏污性能的同时，能够显著提高防指纹膜的耐磨性和使用寿命。

S200：对步骤S100中得到的工件进行预热处理。

根据本实用新型的实施例，该步骤可以在真空设备(如真空炉)中进行，具体地，可以将上步中经过清洁处理的工件装挂在真空设备内，然后对经过清洁处理的工件进行预热处理。预热处理可以使得工件内的杂质气体释放，并通过后续抽真空步骤将杂质气体排出，避免在镀膜过程中释放而影响镀膜层的纯度，影响膜层和工件的结合力及耐磨性。在本实用新型的实施例中，进行预热处理的温度选择为80-100摄氏度。在该温度范围，基本可以最大可能的提高防指纹层的耐磨性和使用寿命，且不会因为温度过高而使得炉内装夹材料及工件本身排放的杂质气体量增加，影响后续步骤中抽真空环境，进而导致镀膜层附着力和耐磨性变差。根据本实用新型的实施例，预热处理的时间可以为10-20分钟，在时间范围内，可以保证工件中的杂质气体排出，提高镀膜层的附着力和耐磨性，且不会导致杂质气体量过大而对镀膜层的附着力和耐磨性产生负面影响。

S300：对步骤S200中得到的工件表面进行离子束清洁。

根据本实用新型的实施例，离子束清洁通常需要在真空环境下进行，因此，在进行离子束清洗前，需要对真空设备进行抽真空处理，真空度可以为5×10^-3至2×10^-3Pa。在该真空度范围内，镀膜层的纯度较高，膜层的结合力较好，耐磨性较佳，且该真空度易于实现，容易控制，是生产可行的较优的真空环境。

根据本实用新型的实施例，离子束清洗通常需要在惰性气体氛围下进行，具体地，离子束清洗可以按照以下步骤操作：在真空设备中通入惰性气体(包括但不限于氩气)，在离子源两极加上一定电压使其电离产生等离子体(如Ar⁺)，离子束轰击工件表面，起到清洁表面及活化表面化学键作用，使后续形成的第一耐磨层能牢固结合在工件表面。其中，离子源电压可以为110V，电流可以为5-10A，离子束清洗时间可以为5-30分钟。本实用新型中采用上述电压和电流，可以实现较佳的清洁效果，显著提高后续形成的耐磨层的附着力，进而提高防指纹层的耐磨性和使用寿命，如果电压和电流过高，则可能影响离子源使用寿命并易引起生产突发异常。上述清洗时间也是发明人经过大量实验获得的较佳的时间，在该清洗时间范围内，清洗效果理想，后续形成的耐磨层的附着力显著提高，如果清洗时间过短，耐磨层的附着力相对不理想，如果清洗时间过长，影响离子源使用寿命，不利于生产。

S400：通过真空溅射法在步骤S300中得到的工件表面形成第一耐磨层。

根据本实用新型的实施例，该步骤中，可以在真空度为5×10^-3至2×10^-3Pa和80-100摄氏度的条件进行。在上述真空度条件下进行第一耐磨层的制备，可以获得纯度较高的第一耐磨层，且第一耐磨层与工件结合力较好；采用上述温度可以增加第一耐磨材料分子的 活性，增加第一耐磨层的结合力，获得耐磨性和结合力都较佳的第一耐磨层，如果温度过低，第一耐磨层与工件的结合力不理想，防指纹层的耐磨性不佳，如果温度过高，真空设备内装夹材料及工件本身排放的杂质气体量增加，影响真空环境，会导致第一耐磨层附着力和防指纹层耐磨性变差。镀膜时间可以为30-40分钟，形成的第一耐磨层厚度可以为1-5纳米，该时间范围可以获得厚度适宜的第一耐磨层，该厚度范围可以使得第一耐磨层具有较佳的使用性能，不会因厚度过薄而导致耐磨性变差，也不会因厚度过厚而造成不必要的浪费，经济性较好，上述厚度范围可以有效保证较高的耐磨性能的同时，有利于节约材料，降低成本，提高效率。

根据本实用新型的实施例，该步骤中，真空溅射法操作中采用的电压可以为360-400V，电流为可以18-22A。在上述电压和电流范围内，获得的第一耐磨层耐磨性和附着力均较好，使用性能较佳。

根据本实用新型的实施例，第一耐磨层可以由氧化铝形成。采用硬质氧化铝形成第一耐磨层，其与工件和第二耐磨层之间均具有较强的结合强度，且可以显著提高防指纹层的耐磨性，延长其使用寿命。

S500：通过真空溅射法在步骤S400中得到的工件表面形成第二耐磨层。

根据本实用新型的实施例，该步骤中，可以在真空度为5×10^-3至2×10^-3Pa和80-100摄氏度的条件进行。在上述真空度条件下进行第二耐磨层的制备，可以获得纯度较高的第二耐磨层，且第二耐磨层与第一耐磨层和防指纹层结合力较好；采用上述温度可以增加第二耐磨材料分子的活性，增加第二耐磨层的结合力，获得耐磨性和结合力都较佳的第二耐磨层，如果温度过低，第二耐磨层与第一耐磨层和防指纹层的结合力不理想，防指纹层的耐磨性不佳，如果温度过高，真空设备内装夹材料及工件本身排放的杂质气体量增加，影响真空环境，会导致第二耐磨层附着力和防指纹层耐磨性变差。镀膜时间可以为30-40分钟，形成的第二耐磨层厚度可以为6-12纳米，该时间范围可以获得厚度适宜的第二耐磨层，该厚度范围可以使得第二耐磨层具有较佳的使用性能，不会因厚度过薄而导致耐磨性变差，也不会因厚度过厚而造成不必要的浪费，经济性较好，第二耐磨层的厚度设置在上述范围，可以有效保证较高的耐磨性能的同时，有利于节约材料，降低成本，提高效率。

根据本实用新型的实施例，该步骤中，真空溅射法操作中采用的电压可以为380-400V，电流为可以8-12A。在上述电压和电流范围内，获得的第二耐磨层耐磨性和附着力均较好，使用性能较佳。

根据本实用新型的实施例，第二耐磨层可以由二氧化硅形成。采用二氧化硅形成第二耐磨层，其与防指纹层和第一耐磨层之间均具有较强的结合强度，且通过本实用新型的该方法形成的二氧化硅层具有较高的致密性，可以显著提高防指纹层的耐磨性，延长其使用 寿命。

S600：通过真空溅射法在步骤S500中得到的工件表面形成防指纹层。

根据本实用新型的实施例，可以在真空度为5×10^-3至2×10^-3Pa和80-100摄氏度的条件下进行。在上述真空度条件下进行防指纹层的制备，可以获得纯度较高的防指纹层，且防指纹层与耐磨层结合力较好；采用上述温度可以获得附着力和使用性能较佳的防指纹层，如果温度过低，防指纹层与耐磨层的结合力不理想，如果温度过高，真空设备内装夹材料及工件本身排放的杂质气体量增加，影响真空环境，会导致耐磨层和防指纹层的附着力和耐磨性变差。镀膜时间可以为3-8分钟，防指纹层的厚度为15-25纳米，上述时间范围可以获得厚度合适的防指纹层，上述厚度范围的防指纹层在具有良好的防脏污、防指纹的功能的同时，具有良好的耐磨性，不会因过薄而耐磨性较差，也不会因过厚而浪费材料，使得获得防指纹层耐磨性和抗脏污、防指纹性能和耐磨性均较佳。

根据本实用新型的实施例，该步骤中，真空溅射法操作中采用的电压可以为380V，电流为可以20-30A。在上述电压和电流范围内，获得的防指纹层使用性能较佳。

根据本实用新型的实施例，可以采用全氟聚醚形成防指纹层，由此，原料来源广泛，成本较低，且防污、防指纹效果理想，使用性能较佳。

根据本实用新型的实施例，该步骤中形成的防指纹层可以与第二耐磨层形成化学键合及分子链接，形成低表面能，高水滴角的表面，使表面具丝滑的手感，抗脏污，高耐磨特性。

发明人发现，通过该方法可以快速、有效在工件表面形成附着力强、致密度高的膜层，可大大提高防指纹层的耐磨性，延长其使用寿命，且该方法操作简单、方便，易于实现工业化生产。

根据本实用新型的具体示例，本实用新型通过在工件表面底层镀上一层硬质三氧化二铝(Al₂O₃)，其与工件表面具有较强的附着力，同时又与中间层二氧化硅(SiO₂)有较强的结合力；表面再镀一层防指纹膜(AF)，其与中间镀层二氧化硅(SiO₂)产生化学键合及分子链接，亦具较强的结合力；同时通过调节相关镀膜参数，使陶瓷表面形成附着力强、致密度高的膜层，可大大提高防指纹膜(AF)的耐磨性。

下面详细描述本实用新型的实施例。

实施例1

制备工艺流程如下：被镀工件(陶瓷)超声波清洗或人工擦拭——装挂工件(陶瓷)——真空炉内预热——抽真空——离子束对工件(陶瓷)表面清洁——镀三氧化二铝(Al₂O₃)——镀二氧化硅(SiO₂)——镀全氟聚醚(AF)——去真空后取件——工件(陶瓷)表面油污处理。

1、通过超声波对待处理工件进行清洁处理；

2、真空炉内预热：将经过清洁处理的工件装挂在真空炉内，然后加热至100℃，时间为10分钟，进行预热处理；

3、抽真空：抽真空时间30-40分钟，使炉内真空度达2×10^-5Pa；

4、离子束对工件(陶瓷)表面清洁：在真空炉中通入惰性气体(氩气Ar)，在离子源两极加上110V电压使其电离产生等离子体(Ar⁺)，离子束轰击工件(陶瓷)表面，起到清洁表面及活化表面化学键作用，使镀层三氧化二铝(Al₂O₃)能牢固结合在工件(陶瓷)表面。离子源能量设定电流10A，清洁时间5分钟。

5、镀三氧化二铝(Al₂O₃)：通过等离子体(Ar⁺)碰撞阴极铝靶材，溅射出来镀膜材料的粒子(Al)，飞速向工件(陶瓷)表面，与通入的氧气(O₂)快速成膜Al₂O₃。其中，电压为360V，电流为18A，镀膜时间30分钟，膜层厚度1纳米。

6、镀二氧化硅(SiO₂)：通过等离子体(Ar⁺)碰撞阴极硅靶材，溅射出来镀膜材料的粒子(Si)，飞速向工件(陶瓷)表面，与通入的氧气(O₂)快速成膜SiO₂。其中，电压为380V，电流为8A，镀膜时间30分钟，膜层厚度6纳米。

7、操作方法与镀二氧化硅类似，区别在于：电子枪电压为380V，电流为20A，镀膜时间8分钟，膜层厚度25纳米。

实施例2：

制备工艺流程如下：被镀工件(陶瓷)超声波清洗或人工擦拭——装挂工件(陶瓷)——真空炉内预热——抽真空——离子束对工件(陶瓷)表面清洁——镀三氧化二铝(Al₂O₃)——镀二氧化硅(SiO₂)——镀全氟聚醚(AF)——去真空后取件——工件(陶瓷)表面油污处理。

1、通过超声波对待处理工件进行清洁处理；

2、真空炉内预热：将经过清洁处理的工件装挂在真空炉内，然后加热至80℃，时间为20分钟，进行预热处理；

3、抽真空：抽真空时间30-40分钟，使炉内真空度达5×10^-5Pa；

4、离子束对工件(陶瓷)表面清洁：在真空炉中通入惰性气体(氩气Ar)，在离子源两极加上110V电压使其电离产生等离子体(Ar⁺)，离子束轰击工件(陶瓷)表面，起到清洁表面及活化表面化学键作用，使镀层三氧化二铝(Al₂O₃)能牢固结合在工件(陶瓷)表面。离子源能量设定电流8A，清洁时间15分钟。

5、镀三氧化二铝(Al₂O₃)：通过等离子体(Ar⁺)碰撞阴极铝靶材，溅射出来镀膜材料的粒子(Al)，飞速向工件(陶瓷)表面，与通入的氧气(O₂)快速成膜Al₂O₃。其中，电压为400V，电流为22A，镀膜时间35分钟，膜层厚度5纳米。

6、镀二氧化硅(SiO₂)：通过等离子体(Ar⁺)碰撞阴极硅靶材，溅射出来镀膜材料的粒子(Si)，飞速向工件(陶瓷)表面，与通入的氧气(O₂)快速成膜SiO₂。其中，电压为390V，电流为10A，镀膜时间40分钟，膜层厚度10纳米。

7、操作方法与镀二氧化硅类似，区别在于：电子枪电压为380V，电流为25A，镀膜时间5分钟，膜层厚度20纳米。

实施例3：

制备工艺流程如下：被镀工件(陶瓷)超声波清洗或人工擦拭——装挂工件(陶瓷)——真空炉内预热——抽真空——离子束对工件(陶瓷)表面清洁——镀三氧化二铝(Al₂O₃)——镀二氧化硅(SiO₂)——镀全氟聚醚(AF)——去真空后取件——工件(陶瓷)表面油污处理。

1、通过超声波对待处理工件进行清洁处理；

2、真空炉内预热：将经过清洁处理的工件装挂在真空炉内，然后加热至90℃，时间为15分钟，进行预热处理；

3、抽真空：抽真空时间30-40分钟，使炉内真空度达3×10^-5Pa；

4、离子束对工件(陶瓷)表面清洁：在真空炉中通入惰性气体(氩气Ar)，在离子源两极加上110V电压使其电离产生等离子体(Ar⁺)，离子束轰击工件(陶瓷)表面，起到清洁表面及活化表面化学键作用，使镀层三氧化二铝(Al₂O₃)能牢固结合在工件(陶瓷)表面。离子源能量设定电流5A，清洁时间30分钟。

5、镀三氧化二铝(Al₂O₃)：通过等离子体(Ar⁺)碰撞阴极铝靶材，溅射出来镀膜材料的粒子(Al)，飞速向工件(陶瓷)表面，与通入的氧气(O₂)快速成膜Al₂O₃。其中，电压为380V，电流为20A，镀膜时间40分钟，膜层厚度3纳米。

6、镀二氧化硅(SiO₂)：通过等离子体(Ar⁺)碰撞阴极硅靶材，溅射出来镀膜材料的粒子(Si)，飞速向工件(陶瓷)表面，与通入的氧气(O₂)快速成膜SiO₂。其中，电压为400V，电流为12A，镀膜时间35分钟，膜层厚度12纳米。

7、操作方法与镀二氧化硅类似，区别在于：电子枪电压为380V，电流为30A，镀膜时间3分钟，膜层厚度15纳米。

实施例4：

制备工艺流程如下：被镀工件(陶瓷)超声波清洗或人工擦拭——装挂工件(陶瓷)——真空炉内预热——抽真空——离子束对工件(陶瓷)表面清洁——镀三氧化二铝(Al₂O₃)——镀二氧化硅(SiO₂)——镀全氟聚醚(AF)——去真空后取件——工件(陶瓷)表面油污处理。

1、通过超声波对待处理工件进行清洁处理；

2、真空炉内预热：将经过清洁处理的工件装挂在真空炉内，然后加热至95℃，时间为18分钟，进行预热处理；

3、抽真空：抽真空时间30-40分钟，使炉内真空度达4×10^-5Pa；

4、离子束对工件(陶瓷)表面清洁：在真空炉中通入惰性气体(氩气Ar)，在离子源两极加上110V电压使其电离产生等离子体(Ar⁺)，离子束轰击工件(陶瓷)表面，起到清洁表面及活化表面化学键作用，使镀层三氧化二铝(Al₂O₃)能牢固结合在工件(陶瓷)表面。离子源能量设定电流7.5A，清洁时间20分钟。

5、镀三氧化二铝(Al₂O₃)：通过等离子体(Ar⁺)碰撞阴极铝靶材，溅射出来镀膜材料的粒子(Al)，飞速向工件(陶瓷)表面，与通入的氧气(O₂)快速成膜Al₂O₃。其中，电压为390V，电流为19A，镀膜时间32分钟，膜层厚度2纳米。

6、镀二氧化硅(SiO₂)：通过等离子体(Ar⁺)碰撞阴极硅靶材，溅射出来镀膜材料的粒子(Si)，飞速向工件(陶瓷)表面，与通入的氧气(O₂)快速成膜SiO₂。其中，电压为385V，电流为9A，镀膜时间25分钟，膜层厚度8纳米。

7、操作方法与镀二氧化硅类似，区别在于：电子枪电压为380V，电流为28.5A，镀膜时间4分钟，膜层厚度26纳米。

实施例5：性能测试

将实施例1-4中制备获得的工件，进行镀膜层耐磨实验，具体地，将钢丝绒装载到摩擦磨损试验机上，并滴加人工汗，在300gf的荷重条件下进行摩擦运动，分别于试验前、摩擦运动1000次和1500次、2000次、2500次和3000次时测量工件表面的水滴角，做四组平行实验，结果取四组平行实验的平均值。其中，水滴角越高说明镀膜层的耐磨性越好，通常认为水滴角低于70度，防指纹层已经失效。

试验结果：本实用新型实施例1-4中制备的工件表面镀膜层在摩擦运动1000次和1500次、2000次、2500次和3000次时，水滴角分别为102度、95度、89度、81度和72度。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在 任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (9)

1.一种工件，其特征在于，所述工件表面形成有镀膜层，所述镀膜层包括：

第一耐磨层，所述第一耐磨层形成在所述工件的外表面；

第二耐磨层，所述第二耐磨层形成在所述第一耐磨层的外表面；以及

防指纹层，所述防指纹层形成在所述第二耐磨层的外表面。

2.根据权利要求1所述的工件，其特征在于，所述工件为陶瓷工件。

3.根据权利要求1所述的工件，其特征在于，所述第一耐磨层由氧化铝形成。

4.根据权利要求1所述的工件，其特征在于，所述第一耐磨层的厚度为1-5纳米。

5.根据权利要求1所述的工件，其特征在于，所述第二耐磨层由二氧化硅形成。

6.根据权利要求1所述的工件，其特征在于，所述第二耐磨层的厚度为6-12纳米。

7.根据权利要求1所述的工件，其特征在于，所述防指纹层由全氟聚醚形成。

8.根据权利要求1所述的工件，其特征在于，所述防指纹层的厚度为15-25纳米。

9.一种电子设备，其特征在于，包含：

权利要求1-8中任一项所述的工件。