CN108342684A - 电子设备壳体及其制备方法以及电子设备 - Google Patents
电子设备壳体及其制备方法以及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108342684A CN108342684A CN201810431765.9A CN201810431765A CN108342684A CN 108342684 A CN108342684 A CN 108342684A CN 201810431765 A CN201810431765 A CN 201810431765A CN 108342684 A CN108342684 A CN 108342684A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wearing layer
- layer
- enclosure body
- fingerprint
- casting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005266 casting Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 230000003666 anti-fingerprint Effects 0.000 claims abstract description 82
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 41
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 38
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 37
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 36
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 22
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 10
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHPBBNULESVQRH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4] Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4] SHPBBNULESVQRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供了电子设备壳体及其制备方法以及电子设备。其中，电子设备壳体包括：壳体本体；第一耐磨层，所述第一耐磨层设置在所述壳体本体的第一表面上；第二耐磨层，所述第二耐磨层设置在所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面上；防指纹层，所述防指纹层设置在所述第二耐磨层远离所述壳体本体的表面上，其中，形成所述第一耐磨层的材料选自氧化锆、氧化铌或者铬中的至少一种。发明人发现，该电子设备壳体结构简单，易于实现，防指纹效果较佳，不易粘附脏污，易于擦拭，形成第一耐磨层的材料选自氧化锆、氧化铌或者铬中的至少一种时可以显著提高防指纹层的耐磨性能、致密性，使得电子设备壳体的寿命较长，利于提高消费者的消费体验。
Description
技术领域
本发明涉及电子设备技术领域，具体的，涉及电子设备壳体及其制备方法以及电子设备。
背景技术
目前的电子设备壳体，如手机陶瓷或玻璃后盖，表面抗指纹、耐脏污性较差；为了解决上述问题，通常在电子设备壳体外表面镀一层防指纹膜(AF)，但是得到的产品抗指纹、防脏污效果不理想(尤其黑色更明显)；而且，防指纹膜寿命有限，消费者在使用过程中很容易将其磨损掉；并且一旦将防指纹膜磨损，其表面更易脏污，难以擦拭，影响美观，进而影响消费者的消费体验。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种耐磨性、抗脏污或者防指纹效果较佳，或者使用寿命较长的电子设备壳体。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种电子设备壳体。根据本发明的实施例，该电子设备壳体包括：壳体本体；第一耐磨层，所述第一耐磨层设置在所述壳体本体的第一表面上；第二耐磨层，所述第二耐磨层设置在所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面上；防指纹层，所述防指纹层设置在所述第二耐磨层远离所述壳体本体的表面上，其中，形成所述第一耐磨层的材料选自氧化锆、氧化铌或者铬中的至少一种。发明人发现，该电子设备壳体结构简单，易于实现，表面较光滑，防指纹效果较佳，不易粘附脏污，易于擦拭，且形成第一耐磨层的材料选自氧化锆、氧化铌或者铬中的至少一种时可以显著提高防指纹层的耐磨性能、致密性，从而使得电子设备壳体的耐磨性较佳，使用寿命较长，美观度较高，利于提高消费者的消费体验。
根据本发明的实施例，所述第一耐磨层的厚度为5-10纳米。由此，电子设备壳体的耐磨性较佳，节约材料，有利于降低成本。
根据本发明的实施例，所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面具备凹凸不平的微结构。由此，第一耐磨层的表面具备一定的粗糙度，有利于第二耐磨层紧密、牢固的贴附在第一耐磨层的表面上，进而可以有效提高防指纹层的耐磨性能。
根据本发明的实施例，形成所述第二耐磨层的材料为二氧化硅，所述第二耐磨层的厚度为10-15纳米。由此，第二耐磨层的耐磨性能较佳，其与第一耐磨层或者防指纹层之间存在化学键，结合力较强，进而可以显著提高防指纹层的耐磨性能，延长其使用寿命，且第二耐磨层的厚度在上述范围内耐磨性能较佳，节约成本。
根据本发明的实施例，形成所述防指纹层的材料为全氟聚醚，所述防指纹层的厚度为15-25纳米。由此，防指纹层与第二耐磨层之间存在化学键合及分子链接，降低防指纹层的表面能，使其不易粘附指纹或者脏污等，易于擦拭，提高消费者的消费体验，且防指纹层的厚度在上述范围内耐磨性能较佳，节约成本。
根据本发明的实施例，形成所述壳体本体的材料包括陶瓷或者玻璃中的至少一种。由此，在陶瓷或者玻璃表面形成的第一耐磨层、第二耐磨层或者防指纹层的致密度较高，可以显著提高电子设备壳体的硬度、耐磨性、防指纹或者抗脏污的性能，且不会影响电子设备壳体的美观，提高消费者的消费体验。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种电子设备。根据本发明的实施例，该电子设备包括前面所述的电子设备壳体。发明人发现，该电子设备具备前面所述的电子设备壳体的所有特征和优点，在此不再过多赘述。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种制备前面所述的电子设备壳体的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：在壳体本体的第一表面上形成第一耐磨层；在所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面上形成第二耐磨层；在所述第二耐磨层远离所述壳体本体的表面上形成防指纹层。发明人发现，该方法操作简单、方便，易于实现，且获得的电子设备壳体表面较光滑，防指纹效果较佳，不易粘附脏污，易于擦拭，耐磨性较佳，使用寿命较长，美观度较高，消费者的消费体验较佳。
根据本发明的实施例，在形成所述第一耐磨层之前，还包括对所述壳体本体进行预加热、对所述壳体本体的表面进行离子束清洁中的至少之一。由此，对壳体本体进行预加热可以有效释放壳体本体中的杂质，提高后续膜层的纯度，增加壳体本体与第一耐磨层之间的结合力；对壳体本体的表面进行上述离子束清洁可以同时起到清洁壳体本体表面以及活化表面化学键的作用，使得第一耐磨层能够牢固的结合在壳体本体的表面上。
根据本发明的实施例，将所述壳体本体在温度为80-120℃的条件下加热的同时进行抽真空30-40分钟。由此，在上述加热温度下可以将壳体本体中的杂质以气体的形式释放出来，通过抽真空操作可以将杂质气体排出，避免厚度镀膜时影响膜层的纯度，进而可以有效提高膜层之间的结合力以及膜层的耐磨性，还可以为后续操作营造真空环境。
根据本发明的实施例，所述离子束清洁是在真空条件下进行的，其中，第一离子源电流为8-12A，清洁时间为5-15分钟。由此，可以将壳体本体的表面清洁的比较干净，活化壳体本体表面化学键的效果较佳，使得第一耐磨层可以比较牢固的结合在壳体本体的表面。
根据本发明的实施例，形成所述第一耐磨层、第二耐磨层或者防指纹层的方法为真空蒸发法。由此，操作简单、方便，易于实现，且可以提高膜层之间的结合力以及各膜层的致密度，有效提高各膜层的耐磨性，使得最终获得的电子设备壳体的表面较为光滑，抗脏污效果较佳，耐磨性较佳，使用寿命较长。
根据本发明的实施例，形成所述第一耐磨层的时间为2-3分钟，第一蒸发速率为3-5埃/秒；形成所述第二耐磨层的时间为2-5分钟，第二蒸发速率为3-5埃/秒，温度为80-120℃；形成所述防指纹层的时间为5-10分钟，第三蒸发速率为3-5埃/秒。由此，形成的第一耐磨层、第二耐磨层以及防指纹层的耐磨性能、致密性较佳，各层之间的结合力较强，有利于延长电子设备壳体的使用寿命。
根据本发明的实施例，在形成所述第一耐磨层之后、形成所述第二耐磨层之前，还包括：对所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面进行离子刻蚀。由此，有利于粗化第一耐磨层的表面，且有利于活化第一耐磨层表面的化学键，以增强第二耐磨层与第一耐磨层之间的结合力，进而显著电子设备壳体的耐磨性。
根据本发明的实施例，所述离子刻蚀是在真空条件下进行的，其中，第二离子源电流为6-8A，刻蚀时间为30-60秒。由此，可以使得第一耐磨层的表面具备较佳的粗糙度，活化化学键的效果较佳，可以显著提高第一耐磨层与第二耐磨层之间的结合强度。
附图说明
图1是本发明一个实施例中的电子设备壳体的结构示意图。
图2是本发明一个实施例中制备电子设备壳体的方法流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
本发明是基于发明人的以下认识和发现而完成的：
目前，解决电子设备壳体表面抗指纹以及耐脏污性较差的办法是在直接电子设备壳体表面镀一层防指纹膜，然而上述方案并不能有效的达到防指纹、抗脏污的效果，且防指纹膜在使用过程中容易被磨损，从而失去防指纹效果。针对上述技术问题，发明人进行了深入的研究，研究后发现，可以在电子设备壳体本体的表面先形成耐磨层，再在耐磨层的表面形成防指纹层，可以显著提高防指纹层的耐磨性，且防指纹、抗脏污效果较佳，使用寿命得到延长。
有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提供了一种电子设备壳体。根据本发明的实施例，参照图1，该电子设备壳体包括：壳体本体100；第一耐磨层200，所述第一耐磨层200设置在所述壳体本体100的第一表面上；第二耐磨层300，所述第二耐磨层300设置在所述第一耐磨层200远离所述壳体本体100的表面上；防指纹层400，所述防指纹层400设置在所述第二耐磨层300远离所述壳体本体100的表面上，其中，形成所述第一耐磨层200的材料选自氧化锆、氧化铌或者铬中的至少一种。发明人发现，该电子设备壳体结构简单，易于实现，表面较光滑，防指纹效果较佳，不易粘附脏污，易于擦拭，且形成第一耐磨层的材料选自氧化锆、氧化铌或者铬中的至少一种时可以显著提高防指纹层的耐磨性能、致密性，从而使得电子设备壳体的耐磨性较佳，使用寿命较长，美观度较高，利于提高消费者的消费体验。
需要说明的是，防指纹层或者电子设备壳体的耐磨性能可以利用以下方式进行测试：将防指纹层或者电子设备壳体的表面经过一定摩擦处理之后，测量其表面的水滴角，水滴角越大表明耐磨性越好，反之则不好。
根据本发明的实施例，上述壳体本体的第一表面是指在使用时壳体本体朝向电子设备壳体与用户接触的一侧的表面；形成所述壳体本体的材料包括陶瓷或者玻璃中的至少一种。由此，在陶瓷或者玻璃表面形成的第一耐磨层、第二耐磨层或者防指纹层的致密度较高，可以显著提高电子设备壳体的硬度、耐磨性、防指纹或者抗脏污的性能，且不会影响电子设备壳体的美观，提高消费者的消费体验。
根据本发明的实施例，所述第一耐磨层的厚度为5-10纳米。由此，电子设备壳体的耐磨性较佳，节约材料，有利于降低成本。当第一耐磨层厚度过厚时不利于节约资源，成本较高，但是电子设备壳体的耐磨性优于不含第一耐磨层的效果；当第一耐磨层的厚度过薄时，耐磨性能较差，但是电子设备壳体的耐磨性优于不含第一耐磨层的效果。
根据本发明的实施例，为了提高第一耐磨层与第二耐磨层之间的结合力，所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面具备凹凸不平的微结构。由此，第一耐磨层的表面具备一定的粗糙度，有利于第二耐磨层紧密、牢固的贴附在粗化后的第一耐磨层的表面上，进而可以显著提高防指纹层的耐磨性能。
根据本发明的实施例，为了进一步提高防指纹层的耐磨性能，形成所述第二耐磨层的材料为二氧化硅，所述第二耐磨层的厚度为10-15纳米。由此，第二耐磨层的耐磨性能较佳，其与第一耐磨层或者防指纹层之间存在化学键，结合力较强，进而可以显著提高防指纹层的耐磨性能，延长其使用寿命，且第二耐磨层的厚度在上述范围内耐磨性能较佳，节约成本。当第二耐磨层厚度过厚时不利于节约资源，且增加成本，但是电子设备壳体的耐磨性优于不含第二耐磨层的效果；当第二耐磨层的厚度过薄时，耐磨性能较差，但是电子设备壳体的耐磨性优于不含第二耐磨层的效果。
根据本发明的实施例，为了使得防指纹层的防指纹、抗脏污效果较佳，形成所述防指纹层的材料为全氟聚醚，所述防指纹层的厚度为15-25纳米。由此，防指纹层与第二耐磨层之间存在化学键合及分子链接，降低防指纹层的表面能，使其不易粘附指纹或者脏污等，易于擦拭，提高消费者的消费体验，且防指纹层的厚度在上述范围内耐磨性能较佳，节约成本。当防指纹层的厚度过厚时，也能够达到防指纹或者耐磨的效果，但是成本较高；当防指纹层的厚度过薄时，可达到防指纹效果，但是耐磨性能相较于防指纹层的厚度为15-25纳米时较差，但是也具备一定的耐磨性。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种电子设备。根据本发明的实施例，该电子设备包括前面所述的电子设备壳体。发明人发现，该电子设备具备前面所述的电子设备壳体的所有特征和优点，在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例，电子设备的种类没有特别限制，只要能够满足要求，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择，例如电子设备的种类可以包括手机、电脑、手表、平板等，在此不再过多赘述；上述电子设备的结构除了包括前面所述的电子设备壳体之外，还可以包括常规电子设备应该具备的结构，例如CPU、显示面板等，在此不再过多赘述。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种制备前面所述的电子设备壳体的方法。根据本发明的实施例，参照图2，该方法包括：
S110：对壳体本体进行清洁处理。
根据本发明的实施例，壳体本体与前面的描述一致，在此不再过多赘述；上述对壳体本体清洁处理的方式可以为超声波清洗或者人工擦拭等，具体方式需要根据实际情况进行灵活选择。由此，可以将壳体本体表面的油污或者灰尘等杂质清洗干净，有利于提高第一耐磨层与壳体本体之间的结合力，且有利于后续步骤的进行。
根据本发明的实施例，对上述壳体本体进行清洁处理之后，还可以包括对壳体本体进行预加热、对壳体本体的表面进行离子束清洁中的至少之一。由此，对壳体本体进行预加热可以有效释放壳体本体中的杂质，提高后续膜层的纯度，增加壳体本体与第一耐磨层之间的结合力；对壳体本体的表面进行上述离子束清洁可以同时起到清洁壳体本体表面以及活化表面化学键的作用，使得第一耐磨层能够牢固的结合在壳体本体的表面上。
在本发明的一些具体实施例中，对壳体本体进行清洁处理之后，可以包括：
S120：对所述壳体本体进行预加热。
根据本发明的实施例，预加热可以在真空设备中进行，预加热的具体操作步骤可以包括：将壳体本体装挂在真空设备中，在温度为80-120℃的条件下加热的同时进行抽真空30-40分钟。由此，在上述加热温度下可以将壳体本体中的杂质以气体的形式释放出来，通过抽真空操作可以将杂质气体排出真空设备，避免后续镀膜时影响膜层的纯度，进而可以有效提高膜层之间的结合力以及膜层的耐磨性，还可以为后续操作营造真空环境。
根据本发明的实施例，上述抽真空的时间为30-40分钟，由此，可以有效将壳体本体中的杂质气体从真空设备中排出，且能够使真空设备中的真空度达到5×10-3Pa至2×10-3Pa，使得后续步骤均可以在此真空度下进行，且在该真空度范围内，镀膜的纯度较高，各膜层之间的结合力较强，进而可以提高各膜层的耐磨性。
S130：对所述壳体本体的表面进行离子束清洁。
根据本发明的实施例，离子束清洁是在真空条件下进行的，具体的，可以在具备上述真空度的真空设备中对预加热完成之后的壳体本体进行离子束清洁。在本发明的一些具体实施例中，离子束清洁的操作可以包括：在真空设备中通入惰性气体(一般为氩气Ar)，在离子源两极加上一定电压使其电离产生等离子体(Ar+)，离子束轰击壳体本体的表面，起到清洁表面及活化表面化学键作用，使第一耐磨层与壳体本体之间产生化学键合，进而使得第一耐磨层能牢固结合在壳体本体的表面。根据本发明的实施例，进行离子束清洁时，第一离子源的电流为8-12A，清洁时间为5-15分钟。由此，可以将壳体本体的表面清洁的比较干净，活化壳体本体表面化学键的效果较佳，使得第一耐磨层可以比较牢固的结合在壳体本体的表面。当离子源能量过大或者清洁时间过长时，影响离子源使用寿命，不利于生产；当离子源能量过小或者清洁时间过短时，清洁效果不佳，活化化学键的效果不佳。
S100：在清洁之后的壳体本体的第一表面上形成第一耐磨层。
根据本发明的实施例，上述壳体本体的第一表面以及第一耐磨层与前面的描述一致，在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例，形成第一耐磨层的方法为真空蒸发法，可以在具备上述真空度(5×10-3Pa至2×10-3Pa)的真空设备中形成第一耐磨层。在本发明的一些具体实施例中，形成第一耐磨层的步骤包括：通过电子枪产生的电子束加热蒸发，蒸发后的形成第一耐磨层的分子再通过离子源电离惰性气体(一般为氩气Ar)产生等离子体(Ar+)辅助推动，使其以更高的动能吸附在壳体本体表面，从而产生更致密的第一耐磨层，具有更强的附着力。根据本发明的实施例，形成第一耐磨层的时间为2-3分钟，第一蒸发速率3-5埃/秒，由此，可以获得厚度较为合适的第一耐磨层，且第一耐磨层与壳体本体的结合力较强，耐磨性能较佳，且在镀膜过程中由于等离子体的推动使得第一耐磨层更致密，与壳体本体的结合强度更强。当第一蒸发速率过大或者形成第一耐磨层的时间过长时则会使得第一耐磨层的厚度过厚，不利于节约成本；当第一蒸发速率过小或者形成第一耐磨层的时间过短时则会使得第一耐磨层的厚度过薄，耐磨性能不佳，且第一耐磨层与壳体本体的结合强度较小。
根据本发明的实施例，在形成第一耐磨层之后，形成第二耐磨层之前，还可以包括：
S210：对所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面进行离子刻蚀。
根据本发明的实施例，对第一耐磨层进行离子刻蚀处理有利于粗化第一耐磨层的表面，且有利于活化第一耐磨层表面的化学键，以增强第二耐磨层与第一耐磨层之间的结合力，进而显著电子设备壳体的耐磨性。根据本发明的实施例，上述离子刻蚀是在真空条件下进行的，在本发明的一些具体实施例中，离子刻蚀的操作包括：在上述真空设备中通入惰性气体(一般为氩气Ar)，在离子源两极加上一定电压使其电离产生等离子体(Ar+)，离子束轰击第一耐磨层的表面，起到粗化第一耐磨层的表面及活化表面化学键作用，使第二耐磨层能与第一耐磨层之间产生化学键合，并牢固结合在第一耐磨层表面。根据本发明的实施例，进行离子刻蚀处理时第二离子源电流为6-8A，蚀刻时间为30-60秒。由此，可以获得粗糙度较为合适的第一耐磨层的表面，活化化学键的效果更佳，更有利于将第二耐磨层贴附在第一耐磨层的表面。当第二离子源的电流过小或者刻蚀时间过短时，不能有效起到粗化第一耐磨层表面的效果，活化化学键的效果不太理想，但是优于不进行离子刻蚀的效果；当第二离子源的电流过大或者刻蚀时间过长时，会损坏第一耐磨层，降低第一耐磨层的耐磨性，活化化学键的效果不太理想，但是优于不进行离子刻蚀的效果。
S200：在所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面上形成第二耐磨层。
根据本发明的实施例，第二耐磨层与前面的描述一致，在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例，形成第二耐磨层的方法为真空蒸发法。在本发明的一些具体实施例中，可以在上述真空设备中形成第二耐磨层，具体操作包括：通过电子枪产生的电子束加热蒸发，蒸发后的形成第二耐磨层的材料的分子再通过离子源电离惰性气体(一般为氩气Ar)产生的等离子体(Ar+)辅助推动，使其以更高的动能吸附在第一耐磨层的表面，从而产生更致密的第二耐磨层，具有更强的附着力。根据本发明的实施例，形成第二耐磨层的时间为2-5分钟，第二蒸发速率3-5埃/秒。由此，可以获得厚度较为合适的第二耐磨层，且第二耐磨层与第一耐磨层的结合力较强，耐磨性能较佳，且在镀膜过程中由于等离子体的推动使得第二耐磨层更佳致密，与第一耐磨层的结合强度更强。当第二蒸发速率过大或者形成第二耐磨层的时间过长时则会使得第二耐磨层的厚度过厚，不利于节约成本；当第二蒸发速率过小或者形成第二耐磨层的时间过短时则会使得第二耐磨层的厚度过薄，耐磨性能不佳，且第二耐磨层与第一耐磨层的结合强度较小。根据本发明的实施例，形成第二耐磨层的温度为80-120℃，由此，可以使得形成第二耐磨层的材料的分子活性更佳，有利于第二耐磨层与经过离子刻蚀的第一耐磨层之间形成较强的化学键，结合力更强，更有利于提高镀膜层的耐磨性能。当形成第二耐磨层的温度较低或者较高时，形成第二耐磨层的材料的分子活性不太高，第一耐磨层与第二耐磨层之间的结合力没有形成第二耐磨层的温度为80-120℃时强，但是也能够加强第一耐磨层与第二耐磨层之间结合力。
S300：在所述第二耐磨层远离所述壳体本体的表面上形成防指纹层。
根据本发明的实施例，防指纹层与前面的描述一致，在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例，形成防指纹层的方法为真空蒸发法。在本发明的一些具体实施例中，形成防指纹层的具体操作包括：在上述真空设备中，通过电子枪产生的电子束加热蒸发，蒸发后的形成防指纹层的材料的分子吸附在第二耐磨层的表面。防指纹层与第二耐磨层产生化学键合及分子链接，形成低表面能，高水滴角的表面，使防指纹层的表面具光滑的手感，抗脏污、耐磨特性较高。根据本发明的实施例，形成所述防指纹层的时间为5-10分钟，第三蒸发速率为3-5埃/秒，由此，防指纹层与第二耐磨层之间的化学键和强度较强，结合强度较佳，使得防指纹层具备较佳的耐磨性能和较低的表面能。当第三蒸发速率过大或者形成防指纹层的时间过长时则会使得防指纹层的厚度过厚，不利于节约成本；当第三蒸发速率过小或者形成防指纹层的时间过短时则会使得防指纹层的厚度过薄，耐磨性能不佳，且防指纹层与第二耐磨层的结合强度较小，化学键能较小，不利于降低表面能。
根据本发明的实施例，在完成上述镀膜之后，将上述真空设备中真空去掉，将电子设备壳体取出之后还可以对电子设备壳体的表面的油污进行处理，处理方式可以为超声波清洁或者人工擦拭等，具体的处理方式可以根据实际情况进行灵活选择。
发明人发现，该方法操作简单、方便，易于实现，且获得的电子设备壳体表面较光滑，防指纹效果较佳，不易粘附脏污，易于擦拭，耐磨性较佳，使用寿命较长，美观度较高，消费者的消费体验较佳。
根据本发明的实施例，在一般的电子设备壳体中，一般是直接在壳体本体的表面形成一层防指纹层，耐磨性能不佳，使用寿命较短。而在本申请中，在壳体本体与防指纹层之前设置两层耐磨层，可以有效增强防指纹层的致密性以及耐磨性能，经过钢丝绒摩擦5000次之后电子设备壳体外表面的水滴角仍在100度以上，与现有技术(90度)相比效果显著，使用寿命较长，且防指纹层的表面较为光滑，表面动摩擦系数低于0.02，效果优于现有技术(大于0.04)，防指纹、抗脏污效果较佳，易于擦拭，利于提高消费者的消费体验。
下面详细描述本发明的实施例。
实施例
实施例1
制备工艺流程如下：被镀工件(陶瓷)超声波清洗或人工擦拭——装挂壳体本体(陶瓷)——真空炉内预热——抽真空——离子束对壳体本体(陶瓷)表面清洁——镀氧化锆(ZrO2)——离子蚀刻——镀二氧化硅(SiO2)——镀全氟聚醚(AF)——去真空后取件——工件(陶瓷)表面油污处理。
1、对壳体本体进行超声波清洗。
2、真空炉内预热：将经过超声波清洗的壳体本体装挂到真空炉内，加热至80℃。
3、抽真空：抽真空时间为30-40分钟，炉内真空度达到5×10-3Pa。
4、离子束对壳体本体(陶瓷)表面清洁：在真空设备中通入惰性气体(氩气Ar)，在离子源两极加上一定电压使其电离产生等离子体(Ar+)，离子源能量设定电流8A，清洁时间5分钟。
5、镀氧化锆(ZrO2)：通过电子枪产生的电子束加热蒸发，蒸发后的氧化锆(ZrO2)分子再通过离子源电离惰性气体(氩气Ar)以产生等离子体(Ar+)辅助推动，镀膜时间2分钟，蒸发速率3埃/秒，膜层厚度5纳米。
6、离子蚀刻：在真空设备中通入惰性气体(氩气Ar)，在离子源两极加上一定电压使其电离产生等离子体(Ar+)，离子源能量设定电流6A，蚀刻时间30秒。
7、镀二氧化硅(SiO2)：通过电子枪产生的电子束加热蒸发，蒸发后的二氧化硅(SiO2)分子再通过离子源电离惰性气体(氩气Ar)以产生等离子体(Ar+)辅助推动，镀膜时间2分钟，蒸发速率3埃/秒，膜层厚度10纳米。
8、镀全氟聚醚(AF)：镀膜时间5分钟，蒸发速率为3埃/秒。膜层厚度15纳米。
实施例2
制备工艺流程如下：被镀工件(陶瓷)超声波清洗或人工擦拭——装挂壳体本体(陶瓷)——真空炉内预热——抽真空——离子束对壳体本体(陶瓷)表面清洁——镀氧化锆(ZrO2)——离子蚀刻——镀二氧化硅(SiO2)——镀全氟聚醚(AF)——去真空后取件——工件(陶瓷)表面油污处理。
1、对壳体本体进行超声波清洗。
2、真空炉内预热：将经过超声波清洗的壳体本体装挂到真空炉内，加热至120℃。
3、抽真空：抽真空时间为30-40分钟，炉内真空度达到2×10-3Pa。
4、离子束对壳体本体(陶瓷)表面清洁：在真空设备中通入惰性气体(氩气Ar)，在离子源两极加上一定电压使其电离产生等离子体(Ar+)，离子源能量设定电流12A，清洁时间15分钟。
5、镀氧化锆(ZrO2)：通过电子枪产生的电子束加热蒸发，蒸发后的氧化锆(ZrO2)分子再通过离子源电离惰性气体(氩气Ar)以产生等离子体(Ar+)辅助推动，镀膜时间3分钟，蒸发速率5埃/秒，膜层厚度10纳米。
6、离子蚀刻：在真空设备中通入惰性气体(氩气Ar)，在离子源两极加上一定电压使其电离产生等离子体(Ar+)，离子源能量设定电流8A，蚀刻时间60秒。
7、镀二氧化硅(SiO2)：通过电子枪产生的电子束加热蒸发，蒸发后的二氧化硅(SiO2)分子再通过离子源电离惰性气体(氩气Ar)以产生等离子体(Ar+)辅助推动，镀膜时间5分钟，蒸发速率5埃/秒，膜层厚度15纳米。
8、镀全氟聚醚(AF)：镀膜时间10分钟，蒸发速率为5埃/秒。膜层厚度25纳米。
实施例3
制备工艺流程如下：被镀工件(玻璃)超声波清洗或人工擦拭——装挂壳体本体(玻璃)——真空炉内预热——抽真空——离子束对壳体本体(玻璃)表面清洁——镀氧化锆(ZrO2)——离子蚀刻——镀二氧化硅(SiO2)——镀全氟聚醚(AF)——去真空后取件——壳体本体(玻璃)表面油污处理。
1、对壳体本体进行超声波清洗。
2、真空炉内预热：将经过超声波清洗的壳体本体装挂到真空炉内，加热至100℃。
3、抽真空：抽真空时间为30-40分钟，炉内真空度达到3×10-3Pa。
4、离子束对壳体本体(玻璃)表面清洁：在真空设备中通入惰性气体(氩气Ar)，在离子源两极加上一定电压使其电离产生等离子体(Ar+)，离子源能量设定电流10A，清洁时间10分钟。
5、镀氧化锆(ZrO2)：通过电子枪产生的电子束加热蒸发，蒸发后的氧化锆(ZrO2)分子再通过离子源电离惰性气体(氩气Ar)以产生等离子体(Ar+)辅助推动，镀膜时间2.5分钟，蒸发速率4埃/秒，膜层厚度8纳米。
6、离子蚀刻：在真空设备中通入惰性气体(氩气Ar)，在离子源两极加上一定电压使其电离产生等离子体(Ar+)，离子源能量设定电流7A，蚀刻时间50秒。
7、镀二氧化硅(SiO2)：通过电子枪产生的电子束加热蒸发，蒸发后的二氧化硅(SiO2)分子再通过离子源电离惰性气体(氩气Ar)以产生等离子体(Ar+)辅助推动，镀膜时间4分钟，蒸发速率4埃/秒，膜层厚度12纳米。
8、镀全氟聚醚(AF)：镀膜时间8分钟，蒸发速率为4埃/秒。膜层厚度20纳米。
实施例4
制备方法同实施例1，不同之处在于，本实施例中不包括对二氧化锆层进行离子刻蚀的步骤。
对比例1
制备方法同实施例4，不同之处在于，本实施例中形成第一耐磨层的材料为三氧化二铝。
对比例2
制备方法同实施例1，不同之处在于，本实施例中形成第一耐磨层的材料为三氧化二铝。
实施例5：
性能测试：
表面动摩擦系数：将电子设备壳体固定在试验台面上，在质量为100g或200g的滑块外表面包裹防尘布，并以100±10mm/min的运动速度令滑块在电子设备壳体的表面滑动，记录令滑块滑动所需的力，将上述力的数值除以滑块的重力即为摩擦系数值。其中，表面动摩擦系数越小说明电子设备壳体表面防指纹、抗脏污效果越好。
耐磨性：利用钢丝绒摩擦电子设备壳体的外表面5000次，钢丝绒负重为1Kg，之后测量电子设备壳体表面的水滴角。其中，水滴角越高说明镀膜层的耐磨性越好，通常认为水滴角低于70度，防指纹层已经失效。
实施例1-4以及对比例1-2的性能测试数据如表1所示：
| 表面动摩擦系数 | 水滴角/度 | |
| 实施例1 | 0.015 | 106 |
| 实施例2 | 0.016 | 105 |
| 实施例3 | 0.018 | 103 |
| 实施例4 | 0.019 | 102 |
| 对比例1 | 0.039 | 91 |
| 对比例2 | 0.037 | 93 |
从上述性能测试数据可以看出，本发明的电子设备外壳的表面动摩擦系数小于0.02，表面较为光滑，可以有效防止指纹或者脏污的粘附，且易于擦拭；同时本发明的电子设备外壳的耐磨性能得到显著提升，在经过5000次摩擦之后，水滴角仍大于100度，使用寿命较长，可以显著提升消费者的消费体验。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (15)
1.一种电子设备壳体，其特征在于，包括：
壳体本体；
第一耐磨层，所述第一耐磨层设置在所述壳体本体的第一表面上；
第二耐磨层，所述第二耐磨层设置在所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面上；
防指纹层，所述防指纹层设置在所述第二耐磨层远离所述壳体本体的表面上，
其中，形成所述第一耐磨层的材料选自氧化锆、氧化铌或者铬中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述第一耐磨层的厚度为5-10纳米。
3.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面具备凹凸不平的微结构。
4.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，形成所述第二耐磨层的材料为二氧化硅，所述第二耐磨层的厚度为10-15纳米。
5.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，形成所述防指纹层的材料为全氟聚醚，所述防指纹层的厚度为15-25纳米。
6.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，形成所述壳体本体的材料包括陶瓷或者玻璃中的至少一种。
7.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的电子设备壳体。
8.一种制备权利要求1-6任一项所述的电子设备壳体的方法，其特征在于，包括：
在壳体本体的第一表面上形成第一耐磨层；
在所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面上形成第二耐磨层；
在所述第二耐磨层远离所述壳体本体的表面上形成防指纹层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述第一耐磨层之前，还包括对所述壳体本体进行预加热、对所述壳体本体的表面进行离子束清洁中的至少之一。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述预加热包括：将所述壳体本体在温度为80-120℃的条件下加热的同时进行抽真空30-40分钟。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述离子束清洁是在真空条件下进行的，其中，第一离子源电流为8-12A，清洁时间为5-15分钟。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述第一耐磨层、第二耐磨层或者防指纹层的方法为真空蒸发法。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，
形成所述第一耐磨层的时间为2-3分钟，第一蒸发速率为3-5埃/秒；
形成所述第二耐磨层的时间为2-5分钟，第二蒸发速率为3-5埃/秒，温度为80-120℃；
形成所述防指纹层的时间为5-10分钟，第三蒸发速率为3-5埃/秒。
14.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述第一耐磨层之后、形成所述第二耐磨层之前，还包括：
对所述第一耐磨层远离所述壳体本体的表面进行离子刻蚀。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述离子刻蚀是在真空条件下进行的，其中，第二离子源电流为6-8A，刻蚀时间为30-60秒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810431765.9A CN108342684A (zh) | 2018-05-08 | 2018-05-08 | 电子设备壳体及其制备方法以及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810431765.9A CN108342684A (zh) | 2018-05-08 | 2018-05-08 | 电子设备壳体及其制备方法以及电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108342684A true CN108342684A (zh) | 2018-07-31 |
Family
ID=62955582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810431765.9A Pending CN108342684A (zh) | 2018-05-08 | 2018-05-08 | 电子设备壳体及其制备方法以及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108342684A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109890157A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 联想(北京)有限公司 | 一种外壳及制作方法 |
| CN110004394A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-07-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 壳体组件及其制备方法 |
| CN110512254A (zh) * | 2019-09-16 | 2019-11-29 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备的壳体及其制作方法、电子设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105624675A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-06-01 | 奥特路（漳州）光学科技有限公司 | 一种杀菌防水油污的耐磨手机盖板及其制造方法 |
| CN106367723A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-01 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 工件、电子设备及真空溅射镀膜方法 |
| CN206328455U (zh) * | 2016-08-31 | 2017-07-14 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 工件及电子设备 |
| CN107205328A (zh) * | 2017-07-21 | 2017-09-26 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 终端外壳、电子设备及终端外壳加工工艺 |
-
2018
- 2018-05-08 CN CN201810431765.9A patent/CN108342684A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105624675A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-06-01 | 奥特路（漳州）光学科技有限公司 | 一种杀菌防水油污的耐磨手机盖板及其制造方法 |
| CN106367723A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-01 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 工件、电子设备及真空溅射镀膜方法 |
| CN206328455U (zh) * | 2016-08-31 | 2017-07-14 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 工件及电子设备 |
| CN107205328A (zh) * | 2017-07-21 | 2017-09-26 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 终端外壳、电子设备及终端外壳加工工艺 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109890157A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 联想(北京)有限公司 | 一种外壳及制作方法 |
| CN109890157B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-10-22 | 联想(北京)有限公司 | 一种外壳及制作方法 |
| CN110004394A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-07-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 壳体组件及其制备方法 |
| CN110512254A (zh) * | 2019-09-16 | 2019-11-29 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备的壳体及其制作方法、电子设备 |
| CN110512254B (zh) * | 2019-09-16 | 2021-09-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备的壳体及其制作方法、电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108342684A (zh) | 电子设备壳体及其制备方法以及电子设备 | |
| TW548726B (en) | Process chamber components having textured internal surfaces and method of manufacture | |
| US11562890B2 (en) | Corrosion resistant ground shield of processing chamber | |
| US20160333186A1 (en) | Article coated with dlc and manufacturing method thereof | |
| US2378476A (en) | Coating apparatus | |
| CN106367723A (zh) | 工件、电子设备及真空溅射镀膜方法 | |
| EP1390558A4 (en) | PENNING DISCHARGE PLASMA SOURCE | |
| CN106282934A (zh) | 表面处理方法 | |
| CN103794459B (zh) | 用于等离子处理腔室的气体喷淋头及其涂层形成方法 | |
| CN104582955A (zh) | 电子设备用罩玻璃及其制造方法 | |
| JP4006535B2 (ja) | 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法 | |
| CN108300959A (zh) | 一种喷涂于金属表面的绝缘陶瓷涂层的制备方法 | |
| CN107245697A (zh) | 增强液压系统摩擦副耐磨特性的方法及液压系统摩擦副、液压系统 | |
| JPS5869743A (ja) | 導電性ガラスとその製造法 | |
| JPS6056791B2 (ja) | 熱板 | |
| JP2011153373A (ja) | 薄膜形成装置、薄膜形成方法およびシールド部品 | |
| JP2001521990A (ja) | ＭｏＳｉ２含有層を製造するためのガスジェットＰＶＤ法 | |
| CN206328455U (zh) | 工件及电子设备 | |
| CN110484862A (zh) | 复合涂层Logo及其制备方法与包含其的陶瓷盖板和电子设备 | |
| CN110129706A (zh) | 接触式测温传感器及其制备方法和烹饪设备 | |
| JPH01312088A (ja) | ドライエッチング装置およびｃｖｄ装置用電極の製造方法 | |
| CN109468601A (zh) | 磁控溅射沉积碳钢表面非晶钽涂层的方法 | |
| JPH07176597A (ja) | 低発塵性部材の製造方法 | |
| TWI248420B (en) | Mold and method for molding optical glass products | |
| CN110004394A (zh) | 壳体组件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |