CN206312926U - 一种新型大功率倒装led光源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及LED芯片技术领域,公开了一种新型大功率倒装LED光源,承载基板和蓝宝石衬底之间设有P‑N电极外延片,所述N型导电层与蓝宝石衬底连接,所述N型导电层和承载基板之间设有N型电极,所述P型导电层和承载基板之间设有P型电极,所述承载基板上设有凸台,所述P型电极和N型电极通过凸台连接于承载基板,所述凸台上设有收容槽,所述收容槽设于P型电极和N型电极之间,所述凸台上设有若干连接柱,所述P型电极和N型电极上分别设有嵌入所述连接柱之间的金属柱。本实用新型提供的一种新型大功率倒装LED光源,解决了大功率的倒装LED光源中的散热问题,通过设置多个金属柱,增大LED芯片中此处的散热通道,使金属柱在长时间的工作下不容易融化。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED芯片技术领域,尤其涉及了一种新型大功率倒装LED光源。
背景技术
目前 GaN 基LED 封装主要为正装结构,当前较为成熟的是 III 族氮化物氮化镓用蓝宝石材料作为衬底,由于蓝宝石衬底的绝缘性,所以普通的 GaN 基 LED 采用正装结构。正装结构有源区发出的光经由 P 型 GaN 区和透明电极出射。该结构简单,制作工艺相对成熟。然而正装结构 LED有两个明显的缺点,首先正装结构 LED p、n 电极在 LED 的同一侧,电流须横向流过 n-GaN层,导致电流拥挤,局部发热量高,限制了驱动电流 ;其次,由于蓝宝石衬底的导热性差,严重的阻碍了热量的散失,导致 LED 光源导热速度慢,且发光效率不理想,影响产品寿命。
为了解决上述传统正装LED芯片存在的问题,出现倒装LED芯片。倒装LED芯片虽然很好的解决了上述技术问题,但在大功率的倒装LED芯片中,由于倒装LED芯片产生的热量主要通过P型电极和N型电极上的金属柱传导出去,因此芯片工作的时候在此处产生并堆积大量的热量,特别是在大功率倒装LED芯片中,产生的热量无法及时有效散出,使发光效率下降,温升导致芯片反射出的光谱红移,色温质量下降,LED寿命减少。并且,由于倒装芯片的P-N电极外延片的厚度只有几微米且与焊接所用的焊料层紧贴,在将倒装 LED 芯片与承载基板固定的过程中以及 LED 器件在较大的电流下工作时,焊接的热量或 LED 芯片工作产生的热量会使焊料层熔化,焊料层熔化后从半导体的金属柱爬升至外延结构中,从而造成 LED 芯片短路,致使LED芯片失效。
发明内容
本实用新型针对现有技术中的上述缺点,提供了一种新型大功率倒装LED光源。
为了解决上述技术问题,本实用新型通过下述技术方案得以解决:
一种新型大功率倒装LED光源,包括承载基板和蓝宝石衬底,所述承载基板和蓝宝石衬底之间设有P-N电极外延片,所述P-N电极外延片包括依次连接的N型导电层,发光层和P型导电层,所述N型导电层与蓝宝石衬底连接,所述N型导电层和承载基板之间设有N型电极,所述P型导电层和承载基板之间设有P型电极,所述承载基板上设有凸台,所述P型电极和N型电极通过凸台连接于承载基板,所述凸台上设有收容槽,所述收容槽设于P型电极和N型电极之间,所述凸台上设有若干连接柱,所述P型电极和N型电极上分别设有嵌入所述连接柱之间的金属柱。
作为优选,所述P型电极和N型电极上的金属柱各为两个,凸台上分别与P型电极和N型电极上的金属柱相配合的连接柱各为三个。
作为优选,所述金属柱的表面和所述连接柱的接触面设有导电银胶层。设置导电银胶层使连接处的导电和导热性能更好。
作为优选,所述P-N电极外延片的侧面涂覆有绝缘层。当焊料层出现融化时,不会对P-N电极外延片产生影响,出现短路现象。
本实用新型由于采用了上述技术方案,具有的技术效果:解决了大功率的倒装LED光源中的散热问题,通过设置多个金属柱,增大了LED芯片中此处的散热通道,使金属柱在长时间的工作下不容易融化,避免LED芯片短路;在承载基板上设置凸台,并且在凸台上设置收容槽,这样即使在将倒装 LED 芯片与承载基板固定的过程中以及 LED 器件在较大的电流下工作时,出现焊料层的融化,融化的焊料也不会堆积进而爬升至P-N电极外延片中,导致P-N电极外延片短路;并且在P-N电极外延片侧面和连接柱的非接触面设置绝缘层,即使焊料层出现融化,也不会对P-N电极外延片产生影响。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的A部分的局部放大示意图;
图3是本实用新型的B部分的局部放大示意图。
图中:承载基板1、蓝宝石衬底2、 N型导电层3、发光层4 、P型导电层5 、N型电极6、P型电极7、凸台8、收容槽9、连接柱10、金属柱11、绝缘层12、焊料层13。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1、图2、图3所示,一种新型大功率倒装LED光源,包括承载基板1和蓝宝石衬底2,所述承载基板1和蓝宝石衬底2之间设有P-N电极外延片,所述P-N电极外延片包括依次连接的N型导电层3,发光层4和P型导电层5,所述N型导电层3与蓝宝石衬底2连接,所述N型导电层3和承载基板1之间设有N型电极6,所述P型导电层5和承载基板1之间设有P型电极7,所述承载基板1上设有凸台8,所述P型电极7和N型电极5通过凸台8连接于承载基板1,所述凸台8上设有收容槽9,所述收容槽9设于P型电极7和N型电极5之间,所述凸台8上设有若干连接柱10,所述P型电极7和N型电极5上分别设有嵌入所述连接柱10之间的金属柱11,连接柱10的外侧分别设有焊料层13。
P型电极7和N型电极5上的金属柱11各为两个,凸台8上分别与P型电极7和N型电极5上的金属柱11相配合的连接柱10各为三个。金属柱11嵌入连接柱10中,连接紧密,为了使连接处的导电和导热性能更好,金属柱11的表面和所述连接柱10的接触面分别涂覆有导电银胶。P-N电极外延片的侧面涂覆有绝缘层12,为了不影响LED芯片的出光,绝缘层12的材料采用对 III 族氮化物半导体发光器件的发射波长表现出透明性的绝缘材料,例如 SiO2、Si3N4、Al2O3或TiO2。
通过设置多个金属柱11,增大了LED芯片中此处的散热通道,使金属柱11在长时间的工作下不容易融化,避免LED芯片短路;在承载基板1上设置凸台8,并且在凸台8上设置收容槽9,这样即使在将倒装 LED 芯片与承载基板1固定的过程中以及 LED 器件在较大的电流下工作时,出现焊料层的融化,融化的焊料也不会堆积进而爬升至P-N电极外延片中,导致P-N电极外延片短路;并且在P-N电极外延片侧面和连接柱10的非接触面设置绝缘层,即使焊料层出现融化,也不会对P-N电极外延片产生影响。
总之,以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰,皆应属本实用新型专利的涵盖范围。
Claims (4)
1.一种新型大功率倒装LED光源,包括承载基板(1)和蓝宝石衬底(2),所述承载基板(1)和蓝宝石衬底(2)之间设有P-N电极外延片,所述P-N电极外延片包括依次连接的N型导电层(3),发光层(4)和P型导电层(5),所述N型导电层(3)与蓝宝石衬底(2)连接,所述N型导电层(3)和承载基板(1)之间设有N型电极(6),所述P型导电层(5)和承载基板(1)之间设有P型电极(7),其特征在于,所述承载基板(1)上设有凸台(8),所述P型电极(7)和N型电极(6)均通过凸台(8)与承载基板(1)连接,所述凸台(8)上设有收容槽(9),所述收容槽(9)设于P型电极(7)和N型电极(6)之间,所述凸台(8)上设有若干连接柱(10),所述P型电极(7)和N型电极(6)上分别设有嵌入所述连接柱(10)之间的金属柱(11)。
2.根据权利要求1所述的一种新型大功率倒装LED光源,其特征在于,所述P型电极(7)和N型电极(6)上的金属柱(11)各为两个,凸台(8)上分别与P型电极(7)和N型电极(6)上的金属柱(11)相配合的连接柱(10)各为三个。
3.根据权利要求2所述的一种新型大功率倒装LED光源,其特征在于,所述金属柱(11)和所述连接柱(10)的接触面分别设有导电银胶层。
4.根据权利要求2所述的一种新型大功率倒装LED光源,其特征在于,所述P-N电极外延片的侧面设有绝缘层(12)。
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CN111864038A (zh) * | 2019-04-28 | 2020-10-30 | 陕西坤同半导体科技有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
WO2022011518A1 (zh) * | 2020-07-13 | 2022-01-20 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种倒装led芯片及其制备方法、显示面板 |
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