CN206148443U - 一种晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，包括第一层图形和第二层图形，其中，该第一层图形包括若干根第一副栅线，若干根主栅线预留位置，主栅线连接处渐变，若干第一Mark点，若干防EL断栅，若干印刷边框线及若干第一特征图形；该第二层图形包括若干根主栅线、若干根第二副栅线、若干第二Mark点及若干第二特征图形，该主栅线宽度大于该主栅线预留位置的宽度，该第二副栅线与该第一副栅线位置对应，该第二Mark点与该第一Mark点位置对应，该第二特征图形与该第一特征图形位置对应。该方案缩短偏移的调整时间和发生错位的几率，提高对准精度，可实现更细的副栅线印刷，降低遮光面积，提高电流，提高晶硅太阳电池转换效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶硅太阳电池技术领域，尤其涉及一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构。
背景技术
太阳能光伏产业的迅速发展，需要不断降低物料成本，提高晶硅太阳电池的转换效率，降低生产成本，提高发电量。
晶体硅太阳电池是将太阳能转化成电能的半导体器件，器件的大小和正面栅线遮光面积直接决定最终的发电功率，为了获得更高的电池转换效率，需要印刷更细的副栅线，减少遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳电池转换效率。
在晶硅太阳电池的生产中，正面电极的图形根据工艺水平，不停的在优化，降低遮光面积，提高转换效率，因此，有必要对晶硅太阳电池的正面电极进行改进。
实用新型内容
本实用新型提供一种晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，从而降低遮光面积，进一步提高晶硅太阳电池的转换效率。
本实用新型提供如下技术方案：
一种晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，所述正面套印电极设置在晶硅太阳电池的正面，包括第一层图形和第二层图形，其中，
所述第一层图形包括若干根第一副栅线，若干根主栅线预留位置，主栅线连接处渐变，若干第一Mark点，若干防EL断栅，若干印刷边框线及若干第一特征图形，其中，所述若干根第一副栅线相互平行设置，所述第一副栅线区域的边缘设置所述印刷边框线，所述第一副栅线上设置所述主栅线预留位置，所述若干根主栅线预留位置相互平行设置且与所述第一副栅线垂直，所述第一副栅线与所述主栅线预留位置连接处设置主栅线连接处渐变，所述主栅线预留位置设置第一Mark点，所述若干根第一副栅线之间间隔且垂直设置所述防EL断栅，所述印刷边框线上设置所述第一特征图形；
所述第二层图形包括若干根主栅线、若干根第二副栅线、若干第二Mark点及若干第二特征图形，其中，所述若干根主栅线相互平行设置且所述主栅线上设置第二Mark点，所述主栅线宽度大于所述主栅线预留位置的宽度，所述若干根第二副栅线相互平行设置且垂直于所述主栅线，所述第二副栅线区域的边缘设置所述第二特征图形，所述第二副栅线与所述第一副栅线位置对应，所述第二Mark点与所述第一Mark点位置对应，所述第二特征图形与所述第一特征图形位置对应。
优选的，上述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极中，所述主栅线预留位置和所述主栅线的数量各为1至20条，宽度在100至1500um。
优选的，上述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极中，所述第一副栅线和所述第二副栅线的数量各为96至140根，宽度在15至40um。
优选的，上述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极中，所述主栅线，第一副栅线及第二副栅线长度为155至165mm。
优选的，上述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极中，所述第一Mark点和第二Mark点数量各为4个，6个或8个。
优选的，上述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极中，所述第一特征图形和第二特征图形各为4个，6个或8个。
优选的，上述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极中，所述主栅线连接处渐变最窄宽度为10至40um，最宽处宽度为100至500um，长度为100至2000um。
优选的，上述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极中，所述防EL断栅设置在两根所述主栅线之间，数量为2至15排。
优选的，上述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极中，所述晶硅太阳电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片，其中圆弧的直径大于200mm。
优选的，上述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极中，所述晶硅太阳电池的基材为单晶硅或多晶硅。
本实用新型由于采用以上技术方案，使得所述第一层图形和所述第二层图形通过所述第一Mark点和所述第二Mark点进行对准，通过所述第一特征图形和所述第二特征图形对对准精度进行确认或调整。这种设计缩短偏移的调整时间和发生错位的几率，提高对准精度，此外。可实现更细的副栅线印刷，降低遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳电池转换效率。
附图说明
图1为本实用新型的二次印刷套印第一层图形的示意图；
图2A为本实用新型的二次印刷套印第一层图形的主栅连接处渐变的局部放大图；
图2B为本实用新型的二次印刷套印第一层图形的第一Mark点的局部放大图；
图2C为本实用新型的二次印刷套印第一层图形的防EL断栅的局部放大图；
图2D为本实用新型的二次印刷套印第一层图形的第一特征图形的局部放大图；
图3为本实用新型的二次印刷套印第二层图形示意图；
图4A为本实用新型的二次印刷套印第二层图形的第二Mark点的局部放大图；
图4B为本实用新型的二次印刷套印第二层图形的第二特征图形的局部放大图；
图中：100－第一层图形、101－主栅线预留位置、102－第一副栅线、103－主栅线连接处渐变、104－第一Mark点、105－防EL断栅、106－第一特征图形、200－第二层图形、201－主栅线、202－第二副栅线、203－第二Mark点、204－第二特征图形
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的一种晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
请参阅图1至图4B，本实施例公开了晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，所述正面套印电极设置在晶硅太阳电池的正面，包括第一层图形100和第二层图形200，其中，
所述第一层图形100包括若干根第一副栅线102，若干根主栅线预留位置101，主栅线连接处渐变103，若干第一Mark点104，若干防EL断栅105，若干印刷边框线及若干第一特征图形106，其中，所述若干根第一副栅线102相互平行设置，所述第一副栅线102区域的边缘设置所述印刷边框线，所述第一副栅线102上设置所述主栅线预留位置101，所述若干根主栅线预留位置101相互平行设置且与所述第一副栅线102垂直，所述第一副栅线102与所述主栅线预留位置101连接处设置主栅线连接处渐变103，所述主栅线预留位置101设置第一Mark点104，所述若干根第一副栅线102之间间隔且垂直设置所述防EL断栅105，所述印刷边框线上设置所述第一特征图形106；
所述第二层图形200包括若干根主栅线201、若干根第二副栅线202、若干第二Mark点203及若干第二特征图形204，其中，所述若干根主栅线201相互平行设置且所述主栅线201上设置第二Mark点203，所述主栅线201宽度大于所述主栅线预留位置101的宽度，所述若干根第二副栅线202相互平行设置且垂直于所述主栅线201，所述第二副栅线202区域的边缘设置所述第二特征图形204，所述第二副栅线202与所述第一副栅线102位置对应，所述第二Mark点203与所述第一Mark点104位置对应，所述第二特征图形204与所述第一特征图形106位置对应。
如此设置，使得所述第一层图形100和所述第二层图形200通过所述第一Mark点104和所述第二Mark点203进行对准，通过所述第一特征图形106和所述第二特征图形204对对准精度进行确认或调整。通过这种设计将缩短偏移的调整时间和发生错位的几率，提高对准精度，从而提高晶硅太阳电池转换效率。
在上述实施例中，所述主栅线预留位置101和所述主栅线201的数量各为1至20条，宽度在100至1500um。
在上述实施例中，所述第一副栅线102和所述第二副栅线202的数量各为96至140根，宽度在15至40um。
在上述实施例中，所述主栅线201，第一副栅线102及第二副栅线202长度为155至165mm。
在上述实施例中，所述第一Mark点104和第二Mark点203数量各为4个，6个或8个。
在上述实施例中，所述第一特征图形106和第二特征图形204各为4个，6个或8个。
在上述实施例中，所述主栅线连接处渐变103最窄宽度为10至40um，最宽处宽度为100至500um，长度为100至2000um。
在上述实施例中，所述防EL断栅105设置在两根所述主栅线201之间，数量为2至15排。
在上述实施例中，所述晶硅太阳电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片，其中圆弧的直径大于200mm。
在上述实施例中，所述晶硅太阳电池的基材为单晶硅或多晶硅。
上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，其特征在于，所述正面套印电极设置在晶硅太阳电池的正面，包括第一层图形和第二层图形，其中，
所述第一层图形包括若干根第一副栅线，若干根主栅线预留位置，主栅线连接处渐变，若干第一Mark点，若干防EL断栅，若干印刷边框线及若干第一特征图形，其中，所述若干根第一副栅线相互平行设置，所述第一副栅线区域的边缘设置所述印刷边框线，所述第一副栅线上设置所述主栅线预留位置，所述若干根主栅线预留位置相互平行设置且与所述第一副栅线垂直，所述第一副栅线与所述主栅线预留位置连接处设置主栅线连接处渐变，所述主栅线预留位置设置第一Mark点，所述若干根第一副栅线之间间隔且垂直设置所述防EL断栅，所述印刷边框线上设置所述第一特征图形；
所述第二层图形包括若干根主栅线、若干根第二副栅线、若干第二Mark点及若干第二特征图形，其中，所述若干根主栅线相互平行设置且所述主栅线上设置第二Mark点，所述主栅线宽度大于所述主栅线预留位置的宽度，所述若干根第二副栅线相互平行设置且垂直于所述主栅线，所述第二副栅线区域的边缘设置所述第二特征图形，所述第二副栅线与所述第一副栅线位置对应，所述第二Mark点与所述第一Mark点位置对应，所述第二特征图形与所述第一特征图形位置对应。
2.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，其特征在于，所述主栅线预留位置和所述主栅线的数量各为1至20条，宽度在100至1500um。
3.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，其特征在于，所述第一副栅线和所述第二副栅线的数量各为96至140根，宽度在15至40um。
4.如权利要求1、2或3所述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，其特征在于，所述主栅线，第一副栅线及第二副栅线长度为155至165mm。
5.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，其特征在于，所述第一Mark点和第二Mark点数量各为4个，6个或8个。
6.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，其特征在于，所述第一特征图形和第二特征图形各为4个，6个或8个。
7.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，其特征在于，所述主栅线连接处渐变最窄宽度为10至40um，最宽处宽度为100至500um，长度为100至2000um。
8.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，其特征在于，所述防EL断栅设置在两根所述主栅线之间，数量为2至15排。
9.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，其特征在于，所述晶硅太阳电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片，其中圆弧的直径大于200mm。
10.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面套印电极，其特征在于，所述晶硅太阳电池的基材为单晶硅或多晶硅。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110289322A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-09-27 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种ibc太阳能电池副栅线三次印刷网版结构 |
| CN110459616A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-11-15 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 硅衬底、太阳能电池片及其形成方法、印刷网版 |
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- 2016-10-26 CN CN201621189368.8U patent/CN206148443U/zh active Active
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